JP2018182321A - 内部エアギャップキャパシタンスを備える多層広帯域セラミックキャパシタ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年4月10日に出願した米国仮出願第62/483,794号の優先権を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明は、多層広帯域キャパシタに関し、より具体的には多層セラミックキャパシタにおける内部空隙にキャパシタンスを形成することに関する。
Claims (17)
- 実質的モノリシックセラミック体を形成するために共に焼結された複数の誘電体層および複数の導電層を備え、セラミック体が前記誘電体層と前記導電層との間に少なくとも1つの空隙を画定し、前記空隙が前記セラミック体の内部に全体が包囲され、かつ誘電体層と、第1の導電層と、第2の導電層との少なくとも一部と境界を形成しており、前記第1の導電層および前記第2の導電層がそれらの間に導電接続を有さない、セラミックキャパシタ。
- 前記第1の導電層および前記第2の導電層の各々が、前記空隙と境界を形成する端部を有し、第1および第2の層の端部が、前記空隙にフリンジ効果キャパシタンスを形成する程度に互いに近接している、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記第1の導電層が前記第2の導電層と少なくとも部分的に重なり合い、前記空隙が重なり合う層の間にある、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記第1の導電層と前記第2の導電層との間のフリンジ効果電界によって前記空隙にキャパシタンスが形成される、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記空隙に高周波キャパシタンスが形成される、請求項4に記載のキャパシタ。
- 前記セラミック体の内部に全体が包囲されており、かつ誘電体層と、第3の導電層と、第4の導電層との少なくとも一部と境界を形成する第2の空隙をさらに備え、前記第3の導電層および前記第4の導電層がそれらの間に導電接続を有さない、請求項2に記載のキャパシタ。
- 第3および第4の層の各々が、前記第2の空隙と境界を形成する端部を有し、前記第3および第4の層の端部が、前記第2の空隙に第2のフリンジ効果キャパシタンスを形成する程度に近接している、請求項6に記載のキャパシタ。
- 前記空隙が、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に垂直方向に間隔をあけている、請求項3に記載のキャパシタ。
- 前記複数の誘電体層の少なくともいくつかが、前記セラミック体において前記複数の導電層の少なくともいくつかと交互配置されて追加の低周波キャパシタンスを形成する、請求項4に記載のキャパシタ。
- 前記キャパシタが、低周波高値キャパシタンス部と、高周波低値キャパシタンス部とをさらに備え、導電層の間の垂直間隔が前記高周波低値キャパシタンス部において実質的により大きい、請求項1に記載のキャパシタ。
- 実質的モノリシック誘電体と、
前記誘電体内に配置され、前記誘電体上の第1の導電コンタクトに電気接続された複数の第1の導電層と、
前記誘電体内に配置され、前記誘電体上の第2の導電コンタクトに電気接続された複数の第2の導電層であって、前記複数の第1の導電層と交互配置されて層の間にキャパシタンスを形成する、複数の第2の導電層と、
空隙によって離間された少なくとも1組の導電プレートであって、前記空隙が前記誘電体に全体が包囲され、かつ誘電体層の少なくとも一部と、第1および第2の導電プレートの隣接する端部と境界を形成し、前記第1および第2の導電プレートが離間されて前記空隙を介した非伝導キャパシティブ接続を形成する、導電プレートと、
を備えるキャパシタ。 - 前記第1の導電プレートおよび前記第2の導電プレートが離間されて前記空隙内にフリンジ効果キャパシタンスを形成する、請求項11に記載のキャパシタ。
- 前記第1の導電プレートおよび前記第2の導電プレートが同一平面上に位置する、請求項12に記載のキャパシタ。
- 少なくとも1つのエアギャップキャパシタンスを含むモノリシックセラミックキャパシタを作製する方法であって、
複数の誘電体セラミック層を提供する段階と、
複数の導電層を提供する段階と、
前記導電層および誘電体層を交互に配置して積層する段階と、
交互配置された層を焼結してモノリシックセラミック体を形成する段階と、
前記モノリシックセラミック体に空隙を形成する段階であって、前記空隙が誘電体層の少なくとも一部ならびに第1の導電層および第2の導電層の一部と境界を形成する、空隙を形成する段階と、
前記空隙に対して第1の導電層および第2の導電層を離間して層の間に非伝導キャパシティブ接続を形成する段階と、
を含む方法。 - 前記空隙に対して前記第1の導電層および前記第2の導電層を離間して前記空隙にキャパシタンスを形成する段階をさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記空隙を形成する段階が、前記複数の誘電体セラミック層の少なくとも1つに開口を穿孔する段階をさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 焼結する段階および空隙を形成する段階が、複数の誘電体材料層の少なくとも1つに散逸性材料を提供し、焼結する段階の間に前記散逸性材料を焼失させて前記空隙を形成する段階をさらに含む、請求項14に記載の方法。
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