CN102368480A - 一种耐高温芯片封装结构 - Google Patents

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徐轶群
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Abstract

本发明公开了一种耐高温芯片封装结构，包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩；基体安装于金属框架的底部上，基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极，所述金属框架为两侧凸起的开口结构，其顶部设置有真空隔热罩，所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定，真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。本发明的有益效果在于：结构简单合理，设计紧凑巧妙，透光真空隔热罩既能传导光线，又能保护内部芯片，极大的延长了本发明的使用寿命，值得大规模市场推广。

Description

一种耐高温芯片封装结构
技术领域
本发明涉及到芯片封装领域，特别涉及到一种耐高温芯片封装结构。
背景技术
所谓的芯片就是IC，泛指所有的电子元器件，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。它是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能。集成电路的应用范围覆盖了军工、民用的几乎所有的电子设备。
芯片封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。 随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
申请号为201020119073的专利申请文件公开了一种抗高温整流芯片，它包括整流基材，整流基材的顶端面上附着上金属层，整流基材的底端面上附着下金属层，整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜，玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，绝缘膜分别附着在玻璃钝化层及半绝缘多晶硅膜上。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种耐高温芯片封装结构，能够解决传统芯片耐高温性能不够的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种耐高温芯片封装结构，包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩；基体安装于金属框架的底部上，基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极，所述金属框架为两侧凸起的开口结构，其顶部设置有真空隔热罩，所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定，真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。
在本发明的一个实施例中，所述金属框架和基体之间设置有硅胶层，所述硅胶层的厚度为2mm。
在本发明的一个实施例中，所述真空隔热罩采用石英砂高温煅烧制成。
本发明的有益效果是：本发明结构简单合理，设计紧凑巧妙，真空隔热罩既能传导光线，又能保护内部芯片，极大的延长了本发明的使用寿命，值得大规模市场推广。
附图说明
图1是本发明所述的一种耐高温芯片封装结构的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明所述的本发明公开了一种耐高温芯片封装结构，包括金属框架110、基体、芯片210和真空隔热罩310；基体安装于金属框架110的底部上，基体上焊接有芯片210并连接芯片210的正负极，所述金属框架110为两侧凸起的开口结构，其顶部设置有真空隔热罩310，所述真空隔热罩310覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定，真空隔热罩310和金属框架110所组成的密封空间中用惰性气体填充。
所述金属框架110和基体之间设置有硅胶层，所述硅胶层的厚度为2mm。所述真空隔热罩310采用石英砂高温煅烧制成。
本发明的有益效果在于：结构简单合理，设计紧凑巧妙，真空隔热罩既能传导光线，又能保护内部芯片，极大的延长了本发明的使用寿命，值得大规模市场推广。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种耐高温芯片封装结构，其特征在于，包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩；基体安装于金属框架的底部上，基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极，所述金属框架为两侧凸起的开口结构，其顶部设置有真空隔热罩，所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定，真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温芯片封装结构，其特征在于，所述金属框架和基体之间设置有硅胶层，所述硅胶层的厚度为2mm。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温芯片封装结构，其特征在于，所述真空隔热罩采用石英砂高温煅烧制成。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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