CN105826458B - 一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：（1）制作好陶瓷基板和围坝；（2）在陶瓷基板上镀上熔点为240℃‑400℃合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240℃‑400℃合金材料而形成第二焊接层；（3）在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品；（4）将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240℃‑400℃之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起；（5）取出冷却即可形成成品。本发明方法可在240℃‑400℃的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产。
Description
技术领域
本发明涉及LED支架领域技术，尤其是指一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法。
背景技术
对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在DPC陶瓷基板上设置有围坝，利用围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。现有技术中，通常是采用金属围坝并利用焊料直接焊接在镀铜的DPC陶瓷基板上，这种方式虽然能够实现围坝与DPC陶瓷基板的焊接连接，然而，由于铜的熔点较高，往往这种封装需要800℃以上的高温才能将围坝焊接在DPC陶瓷基板上，这种高温对于DPC陶瓷基板来说是一个很大的考验，严重影响产品的品质，并且这种高温的焊接方式既耗能，又不利于量化生产。
发明内容
有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其能有效解决现有之采用高温方式将围坝焊接在DPC陶瓷基板上容易导致产品品质下降并且耗能不利于量化生产的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：
一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板和围坝；
（2）在陶瓷基板上镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第二焊接层；
（3）在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品；
（4）将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240℃-400℃之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起；
（5）取出冷却即可形成成品。
作为一种优选方案，所述陶瓷基板包括有底板、上镀铜层和下镀铜层，该上镀铜层和下镀铜层分别设置于底板的上下表面，该底板上设置有导通孔，该导通孔导通连接于上镀铜层和下镀铜层之间，前述第一焊接层设置于上镀铜层的表面上。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过预先在陶瓷基板和围坝上镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第一焊接层和第二焊接层，并配合将助焊剂或焊料置于第一焊接层和第二焊接层之间，然后过回流焊，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起，本发明方法可在240℃-400℃的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产，本发明方法可用于金属管壳、IC、LED等气密封装和芯片封装，有广阔的应用前景，尤其是对目前发展看涨的UV LED是一种实现量产化的有效方法。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是本发明之较佳实施例完成制作过程的立体示意图；
图2是本发明之较佳实施例完成制作过程的截面图。
附图标识说明：
10、陶瓷基板 11、底板
12、上镀铜层 13、下镀铜层
101、导通孔 20、围坝
30、第一焊接层 40、第二焊接层
50、连接层。
具体实施方式
请参照图1和图2所示，其显示出了本发明之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷基板10和围坝20。
该陶瓷基板10上设置有第一焊接层30，围坝20的外表面设置有第二焊接层40，第二焊接层40叠设于第一焊接层30上，且第一焊接层30与第二焊接层40之间夹设有连接层50，该连接层50为助焊剂或焊料，
在本实施例中，所述陶瓷基板10包括有底板11、上镀铜层12和下镀铜层13，该上镀铜层12和下镀铜层13分别设置于底板11的上下表面，该底板11上设置有导通孔101，该导通孔101导通连接于上镀铜层12和下镀铜层13之间，前述第一焊接层30设置于上镀铜层12的表面上。
本发明还揭示一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板10和围坝20。
（2）在陶瓷基板10上镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第一焊接层30，并在围坝20的外表面镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第二焊接层40；240℃-400℃合金材料最好采用金锡合金、镍金合金或镍钯金合金等含金合金，金含量为75-90%之间，性能稳定，不会黄化。
（3）在第一焊接层30的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层50，将围坝20置于陶瓷基板10上，使得第二焊接层40叠于连接层50的表面，从而形成半成品，焊料为合金材料，其熔点为240℃-400℃。
（4）将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240℃-400℃之间，使得第一焊接层30和第二焊接层40熔接在一起；
（5）取出冷却即可形成成品。
本发明的设计重点在于：通过预先在陶瓷基板和围坝上镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第一焊接层和第二焊接层，并配合将助焊剂或焊料置于第一焊接层和第二焊接层之间，然后过回流焊，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起，本发明方法可在240℃-400℃的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产，本发明方法可用于金属管壳、IC、LED等气密封装和芯片封装，有广阔的应用前景，尤其是对目前发展看涨的UV LED是一种实现量产化的有效方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (2)
1.一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：
（1）制作好陶瓷基板和围坝；
（2）在陶瓷基板上镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240℃-400℃合金材料而形成第二焊接层；
（3）在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品；
（4）将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240℃-400℃之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起；
（5）取出冷却即可形成成品。
2.根据权利要求1所述的一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：所述陶瓷基板包括有底板、上镀铜层和下镀铜层，该上镀铜层和下镀铜层分别设置于底板的上下表面，该底板上设置有导通孔，该导通孔导通连接于上镀铜层和下镀铜层之间，前述第一焊接层设置于上镀铜层的表面上。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111162154A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-05-15 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 紫外发光元件及全无机封装方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019504179A (ja) * | 2016-12-07 | 2019-02-14 | 東莞市國瓷新材料科技有限公司 | 銅メッキボックスダムを有するセラミック封入基板の調製方法 |
| CN107863436B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-11-19 | 武汉利之达科技股份有限公司 | 一种含金属腔体的三维陶瓷基板及其制备方法 |
| CN112289753B (zh) * | 2019-07-25 | 2023-12-22 | 松山湖材料实验室 | 用于紫外led封装的围坝陶瓷基板制作方法及其制品 |
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| CN111792941A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-10-20 | 山西华微紫外半导体科技有限公司 | 氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 |
| CN111792942A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-10-20 | 山西华微紫外半导体科技有限公司 | 氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法 |
| CN111613710B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-08-13 | 松山湖材料实验室 | 一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法 |
| CN112670250B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-04-08 | 东莞先导先进科技有限公司 | 红外探测器模组的制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201307606Y (zh) * | 2008-12-10 | 2009-09-09 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种新型陶瓷封装基座 |
| CN101267011B (zh) * | 2007-03-13 | 2010-09-08 | 夏普株式会社 | 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架 |
| CN203225276U (zh) * | 2013-02-01 | 2013-10-02 | 河北星火灯饰股份有限公司 | Led集成光源模块 |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101267011B (zh) * | 2007-03-13 | 2010-09-08 | 夏普株式会社 | 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架 |
| CN201307606Y (zh) * | 2008-12-10 | 2009-09-09 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种新型陶瓷封装基座 |
| CN203225276U (zh) * | 2013-02-01 | 2013-10-02 | 河北星火灯饰股份有限公司 | Led集成光源模块 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111162154A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-05-15 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 紫外发光元件及全无机封装方法 |
| CN111162154B (zh) * | 2020-03-05 | 2020-12-04 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 紫外发光元件及全无机封装方法 |
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| Publication number | Publication date |
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