CN102315167A - 广视角液晶显示器阵列基板制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

Description

广视角液晶显示器阵列基板制作方法

技术领域

本发明涉及显示器制作技术领域，更具体的说是涉及一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法。

背景技术

液晶显示器是一种平面超薄的显示设备，具有低辐射、耗电量小和体积小等优点，特别是广视角的液晶显示器，由于其色彩不受视角的限制，从各个角度看，其色彩变化很小，因此广泛应用于电视机、电脑、手机等的显示器制作领域。

但是由于广视角液晶显示器造价昂贵，特别是在液晶显示器阵列基板的工艺制作上，因此如何降低阵列基板的制作成本，成为亟待解决的问题。

现有的广视角液晶显示器阵列基板制作方法中，通常采用六道掩膜制作工艺，第一道掩膜制作工艺为在基板上溅射栅极金属薄膜，然后经过曝光、显影、刻蚀等光刻制程制作出栅极，第二道掩膜制作工艺是在制作有栅极的基板上溅射透明导电薄膜，经过曝光、显影、刻蚀等工艺制作一透明电极，第三道掩膜制作工艺为在制作有像素电极的基板上制作有源层，第四道掩膜制作工艺用于制作源漏极，第五道掩膜制作工艺用来定义保护层图案，制作保护层，然后通过第六道掩膜制作在基板上形成另一透明电极。

由上述过程可以看出，现有的广视角液晶显示器阵列基板制作方法，采用六道掩膜制作工艺，制作流程较多，制作周期长，因而导致制作成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种广视角液晶显示器阵列基板的制作方法，用以解决阵列基板制作流程多，导致制作成本高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，所述方法包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；

在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；

在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；

对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；

依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

优选地，所述半色调掩膜版上对应基板的栅极制作区域为不透光区域，第一透明电极制作区域为部分透光区域，其他区域为透光区域，则，

所述形成的不同厚度的光敏材料图形具体是：基板栅极制作区域的光敏材料全部保留，第一透明电极制作区域光敏材料部分保留，其他区域光敏材料被去除。

优选地，所述在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极包括：

通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料；

通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。

优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层，所述第一刻蚀参数包括第一选择比；

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第二刻蚀参数包括第二选择比。

优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

进行湿法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层；

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域上的光敏材料。

优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第三刻蚀参数包括第三选择比。

优选地，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极具体为：

进行湿法刻蚀，去除所述第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。

优选地，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的栅极金属层，形成第一透明电极具体为：

定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀，去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极，所述第四刻蚀参数包括第四选择比。

优选地，所述对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极具体为：

对形成第一透明电极的基板的栅极制作区域脱膜，去除栅极制作区域上的光敏材料，形成栅极。

优选地，所述在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层具体为：

在所述基板上依次溅射透明导电薄膜和栅极金属

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供了一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，在提供的基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层，利用半色调掩膜版进行曝光，显影，通过干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，在基板上形成第一透明电极和栅极，之后在形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极，第一透明电极和栅极的制作在一道掩膜制作工艺中即可完成，从而使得原有的六道掩膜制作工艺变为五道掩膜制作工艺，减少了阵列基板的制作流程，进而降低了制作成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法实施例1的流程图；

图2为本发明基板进行曝光时的结构示意图；

图3为本发明基板显影后的结构示意图；

图4为本发明一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法实施例2的流程图；

图5为本发明基板一次刻蚀后的结构示意图；

图6为本发明基板再次刻蚀后的结构示意图；

图7为本发明基板形成第一透明电极后的结构示意图；

图8为本发明基板形成第一透明电极和栅极后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，如何降低阵列基板的制作成本，是目前广视角液晶显示器制作中需要亟待解决的问题，现有的广视角液晶显示器阵列基板的制作流程包括六道掩膜制作工艺，也即每一道掩膜制作工艺都需要经过涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶等复杂的光刻制程形成所需的图案，而若降低每一道掩膜制作工艺的成本，则会影响液晶显示器的质量问题，因此，发明人转变思考角度，将原有的六道掩膜制作工艺减少为五道掩膜制作工艺，减少了基板的制作流程，进而降低了制作成本。

本发明的主要思想之一可以包括：在提供的基板上同时形成透明导电薄膜和栅极金属层，然后经过一道掩膜制作工艺，即光刻制程，包括利用半色调掩膜版曝光、显影、刻蚀等步骤形成第一透明电极和栅极，然后再在形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极，减少了基板制作流程，降低了制作成本。

参见图1，示出了本发明一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法实施例1的流程图，可以包括：

步骤101：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层。

所述基板可以选择玻璃基板，所述透明导电薄膜可以选择ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或者其他具备透明且导电性能的材料，所述栅极金属层为用于制作栅极的金属，可以包括一层或多层结构。

所述基板已经布置好透明电极制作区域以及栅极制作区域。

首先对基板进行清洗，移入溅射设备依次溅射透明导电薄膜和栅极金属，其中栅极金属层位于透明导电薄膜上，包括一层或者多层。

需要说明的是，在基板上形成透明导电薄膜和栅极金属层并不限定与溅射的方式，其还可以为蒸镀或者其他成膜工艺。

步骤102：在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形。

光敏材料在光刻工艺中经曝光显影可形成所需的图形，用于制作各种电极图案。例如可以选用光刻胶，所述光敏材料可以为正性，也可以为负性，根据产品制作流程不同来具体定义。

在成膜后的基板上旋涂光刻胶，利用半色调掩膜版进行曝光，显影后即可形成不同厚度的光敏材料图形，半色调掩膜版根据光敏材料的性质差异以及后续刻蚀要求进行设置。本实施例以正性的光敏材料为例，定义基板上除去栅极制作区域和第一透明电极制作区域的其他区域为第三区域，则，所述的半色调掩膜版为在对应基板的栅极制作区域的地方为不透光区域，对应第一透明电极制作区域的地方为部分透光区域，对应第三区域的地方为透光区域的掩膜版，不透光区域处曝光光线不能通过，显影后该区域光敏材料不会去除，透光区域处曝光光线可以通过，显影后该区域的光敏材料被全部去除，部分透光区域是对掩膜版进行灰阶设计，使得曝光光线可以部分通过，显影后盖区域的光敏材料被部分去除，因此，利用半色调掩膜版进行曝光并显影后，即可形成不同厚度的光敏材料图形。

图2示出了基板成膜后，进行曝光时的结构示意图，包括基板201、位于基板201上的透明导电薄膜202、位于透明导电薄膜202上的栅极金属层203，涂布在栅极金属层203上的光敏材料204，半色调掩膜版205，用于曝光，其中不透光区域2051对应基板201的栅极制作区域，部分透光区域2052对应基板201的第一透明电极制作区域，透光区域2053对应基板的其他区域，即第三区域。

图3示出了基板显影后的结构示意图，由图3可以看出，利用半色调掩膜205进行曝光，显影后即形成不同厚度的光敏材料图形。

步骤103：在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极。

对成膜后的基板进行曝光显影后，首先进行刻蚀形成第一透明电极，通过刻蚀工艺刻蚀掉第一透明电极制作区域的透明导电薄膜上的光敏材料和栅极金属层，形成第一透明电极，同时刻蚀掉了其他区域，即第三区域上的栅极金属层和透明导电薄膜。

具体刻蚀过程后文后有详细描述。

步骤104：对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极。

最后，将基板再进行脱膜，去除剩余的光敏材料，即可形成栅极图案。

步骤105：依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

在制作好第一透明电极以及栅极的基板上分别再经过涂胶、曝光、显影以及刻蚀等掩膜制作工艺依次在基板上形成有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。即可完成该液晶显示器的阵列基板的制作。制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极的制作工艺流程与现有技术相同，在此不再赘述。

其中，所述第二透明电极和第一透明电极根据不同的实际需求定义制作为不同的电极，所述第一透明电极为像素电极时，则所述第二透明电极为通用电极，所述第一透明电极为通用电极时，则所述第二透明电极为像素电极，所述像素电极和通用电极，其形成的图形图案不同。

本实施例中，在提供的基板上同时形成透明导电薄膜和栅极金属层，然后经过一道掩膜制作工艺，即光刻制程，包括利用半色调掩膜版曝光、显影、刻蚀等形成第一透明电极和栅极，第一透明电极和栅极的制作在一道掩膜制作工艺中即可完成，从而使得原有的六道掩膜制作工艺变为五道掩膜制作工艺，减少了阵列基板的制作流程，从而降低了基板制作成本。

参见图4，示出了本发明一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法实施例2的流程图，可以包括：

步骤401：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层。

步骤402：在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形。

步骤401和步骤402的操作与方法实施例1步骤101和步骤102相同，在此不再赘述。

步骤403：通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料。

其中，作为一个实施例，所述步骤403的操作可以具体包括：

1a：定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层。

第一刻蚀参数包括第一选择比，选择比是进行干法刻蚀时的一个重要参数，为不同材料的刻蚀速率之比，刻蚀速率是单位时间内腐蚀的深度，因为不同材料的刻蚀速率不同，材料厚度也不一样，因此可以定义不同的选择比。

由于干法刻蚀除了会刻蚀掉希望刻蚀的部分，还会对不希望刻蚀的部分造成损失，因此本实施例中，需要定义合适选择比，保证干法刻蚀只能完全刻蚀掉基板其他区域的栅极金属层，而其他区域上的透明导电薄膜，以及栅极制作区域和第一透明电极上的光敏材料可以不被刻蚀或者被刻蚀一小部分。

所述第一刻蚀参数中的第一选择比是指：栅极金属层刻蚀速率/透明电极刻蚀速率，以及，栅极金属刻蚀速率/光敏材料刻蚀速率。

因此选择合适的第一选择比进行干法刻蚀，可完全去除基板其他区域上的栅极金属层。而对于其他区域上的透明导电薄膜，以及栅极制作区域和第一透明电极制作区域上的光敏材料不会完全去除，仍会保留。

其中，所述的其他区域即为方法实施例1中定义的第三区域。

1b：定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料。

所述的第二刻蚀参数包括第二选择比。

步骤1b继续采用干法刻蚀，定义合适的第二选择比，所述第二选择比是指：透明电极刻蚀速率/栅极金属层刻蚀速率，以及，透明电极刻蚀速率/光敏材料刻蚀速率。

按照该第二刻蚀参数中的第二选择比进行干法刻蚀，从而使得能够去除掉基板其他区域上的透明导电薄膜，同时去除掉第一透明电极制作区域上的光敏材料。

需要说明的是，定义第一刻蚀参数以及第二刻蚀参数是根据各膜层和光敏材料各自希望被刻蚀掉部分，不希望被刻蚀掉的部分进行定义，满足按照定义的刻蚀参数进行干法刻蚀后，能够刻蚀掉希望被刻蚀掉的材料，保留不希望被刻蚀掉的材料，形成需要得到的图案，还要考虑各膜层和光敏材料的厚度、材质等因素。

还需要说明的是，所述第一刻蚀参数和第二刻蚀参数并不只是包括选择比，其还可以包括刻蚀机的刻蚀能力、以及影响干法刻蚀的其他工艺参数，例如：刻蚀气体种类、射频功率、气体压强、电极间距等参数。图5示出了基板经过步骤1a后，即去除其他区域的栅极金属层后的结构示意图。

图6示出了基板经过步骤1b后，即去除其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料后的结构示意图。

其中，作为另一个实施例，所述步骤403的操作还可以具体包括：

2a：进行湿法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层。

去除基板其他区域的栅极金属层还可以采用湿法刻蚀的方法，湿法刻蚀只会去除掉希望被刻蚀掉的材料，而对其他区域的膜层不会产生影响，因此，利用湿法刻蚀，即可完全刻蚀掉其他区域上的栅极金属层。经过步骤2a后的基板结构示意图也如图5所示，只是基板上光敏材料的厚度可能要大于经过步骤1a刻蚀后的厚度，因为本步骤的湿法刻蚀只会去除掉其他区域上的栅极金属层，而对于光敏材料不会产生影响。

所述湿法刻蚀是利用化学药液进行的薄膜刻蚀处理，需要考虑刻蚀药液种类的选择、刻蚀药液的浓度、刻蚀温度和时间等参数。

2b：定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料。经过步骤2b操作后的基板结构示意图也如图6所示。

本步骤与上述步骤1b操作相同，在此不再赘述。

其中，作为另一个实施例，所述步骤403的操作还可以具体包括：

3a：定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域的光敏材料。

所述第三刻蚀参数包括第三选择比。

所述的第三选择比是指：栅极金属层刻蚀速率/透明导电薄膜刻蚀速率，栅极金属层刻蚀速率/光敏材料刻蚀速率，以及，透明导电薄膜刻蚀速率/光敏材料刻蚀速率。

设置合适的第三选择比，进行干法刻蚀，使得能够完全去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域的光敏材料。

需要说明的是，所述第三刻蚀参数并不只是包括选择比，还可以包括刻蚀机的刻蚀能力、以及影响干法刻蚀的其他工艺参数，例如：刻蚀气体种类、射频功率、气体压强、电极间距等参数。

步骤404：通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的透明导电薄膜上的栅极金属层，形成第一透明电极。

其中，本步骤404可以具体为通过湿法刻蚀，去除所述第一透明电极制作区域的透明导电薄膜上的栅极金属层，形成第一透明电极。

利用湿法刻蚀可以直接去除掉第一透明电极制作区域透明导电薄膜上的栅极金属层，在第一透明电极制作区域形成第一透明电极图案，同时对其他区域以及栅极金属制作区域上的材料不会造成损伤。

其中，本步骤404还可以具体为定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀，去除第一透明电极制作区域的栅极金属层，形成第一透明电极。

所述第四刻蚀参数包括第四选择比，所述第四选择比是指：栅极金属层刻蚀速率/透明导电薄膜刻蚀速率，以及栅极金属层刻蚀速率/光敏材料刻蚀速率。

设置合适的第四选择比进行干法刻蚀，使得能够完全去除掉第一透明电极制作区域的透明导电薄膜上的栅极金属层。

需要说明的是，所述第四刻蚀参数也不只是包括选择比，其还可以包括刻蚀机的刻蚀能力、以及影响干法刻蚀的其他工艺参数，例如：刻蚀气体种类、射频功率、气体压强、电极间距等参数。

图7示出了基板形成第一透明电极图案的结构示意图。

步骤405：对形成第一透明电极的基板的栅极制作区域脱膜，去除栅极制作区域上的光敏材料，形成栅极。

经过步骤401～步骤404的操作后，基板在第一透明电极制作区域形成第一透明电极图案，但是在栅极金属制作区域还有光敏材料，因此，需要脱膜，将所述光敏材料剥离，最终在栅极金属制作区域形成栅极图案。

图8示出了基板制作好透明电极和栅极后的结构示意图。

步骤406：依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

在本实施例中，基板在进行曝光，显影后，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，在基板上形成第一透明电极和栅极，只采用一道光刻制程，即可形成透明电极和栅极，因此减少了制作流程，进而即可减少基板的制作成本。

在实际应用中，液晶显示屏广泛应用于智能电脑、平板电脑等高科技产品中，特别是横向电场的广视角薄膜液晶显示屏，但是由于其开发周期长，制程多，使得制作成本很高，而采用本发明的实施方案，可以减少广视角液晶显示器中阵列基板的制作流程，工艺流程的减少，降低了制作成本，而且由于在制作各个电极时制作工艺相同，因而也减少了制作设备的频繁使用。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；

在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；

在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；

对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；

依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述半色调掩膜版上对应基板的栅极制作区域为不透光区域，第一透明电极制作区域为部分透光区域，其他区域为透光区域，则，

所述形成的不同厚度的光敏材料图形具体是：基板栅极制作区域的光敏材料全部保留，第一透明电极制作区域光敏材料部分保留，其他区域光敏材料被去除。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极包括：

通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料；

通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层，所述第一刻蚀参数包括第一选择比；

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第二刻蚀参数包括第二选择比。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

进行湿法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层；

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域上的光敏材料。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为：

定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第三刻蚀参数包括第三选择比。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极具体为：

进行湿法刻蚀，去除所述第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的栅极金属层，形成第一透明电极具体为：

定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀，去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极，所述第四刻蚀参数包括第四选择比。

9.根据权利要求3～8任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极具体为：

对形成第一透明电极的基板的栅极制作区域脱膜，去除栅极制作区域上的光敏材料，形成栅极。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层具体为：

在所述基板上依次溅射透明导电薄膜和栅极金属。

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