CN102237433A - 晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。本发明中二氧化硅薄膜上表面钝化加强膜的制备节省了时间、降低了成本，并提高了太阳能电池的光电转换效率。

Description

晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池的技术领域，尤其是晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法。
背景技术
目前硅晶太阳能电池的主体工艺通过高质量的晶硅原料、良好物理PN结扩散和优质的钝化及电流收集等方面构成。晶硅几十年的发展，现今认为进一步提高产线电池效率的突破口在表面钝化尤其是背极的钝化上，其中SiO2作为Si的同系氧化物在钝化效果及实现上有明显的优势。目前其钝化应用分为两类：1.P型电池的正面SiO2超薄膜结合SiNx的减反钝化；2.P型电池背面钝化。但目前存在的问题是钝化效果最优的SiO2需要在高温小生长，其产线应用上存在耗时耗能的缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决上述存在的缺点和不足，提供一种降低成本并提高晶体硅太阳能电池效率的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
将硅片放入具有一体化液体环境的设备中，对硅片进行清洗、扩散，在硝酸或氟化氢对硅片的背面进行去磷硅玻璃及刻边，再用氟化氢浸泡，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
将硅片进行等离子干刻和液体湿刻，对硅片进行清洗、扩散，再对硅片进行等离子刻边，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
对硅片进行清洗、扩散，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
本发明的有益效果是，本发明中二氧化硅薄膜上表面钝化加强膜的制备节省了时间、降低了成本，并提高了太阳能电池的光电转换效率。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
实施例1：
将硅片放入具有一体化液体环境的设备中，对硅片进行清洗、扩散，在硝酸或氟化氢对硅片的背面进行去磷硅玻璃及刻边，再用氟化氢浸泡，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
实施例2：
将硅片进行等离子干刻和液体湿刻，对硅片进行清洗、扩散，再对硅片进行等离子刻边，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
实施例3：
对硅片进行清洗、扩散，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
本发明通过目前发展的低温液体氧化工艺的实现及与目前液体E-etched工艺的整合，来实现在硅片扩散后及氮化硅镀膜间的边刻，去磷硅玻璃及超薄二氧化硅超薄膜制备，作为达到低成本提高太阳能电池性能作用的方法。
在正常晶硅电池工艺的基础上，在硅片结扩散与ARC减反膜制备之间，在原有的刻边及去磷硅玻璃的基础上实现液体二氧化硅超薄膜上表面钝化加强膜制备，其中采用的热氧化液体，其中热浓硝酸已被证明有效，其他参考液体有双氧水、次氯酸、浓硫酸等。

Claims (4)

1.一种晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，其特征在于：将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，其特征在于：将硅片放入具有一体化液体环境的设备中，对硅片进行清洗、扩散，在硝酸或氟化氢对硅片的背面进行去磷硅玻璃及刻边，再用氟化氢浸泡，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，其特征在于：将硅片进行等离子干刻和液体湿刻，对硅片进行清洗、扩散，再对硅片进行等离子刻边，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，其特征在于：对硅片进行清洗、扩散，用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
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PB01 Publication
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