CN102205329B - 一种硅片料的清洗方法 - Google Patents
一种硅片料的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102205329B CN102205329B CN 201110134347 CN201110134347A CN102205329B CN 102205329 B CN102205329 B CN 102205329B CN 201110134347 CN201110134347 CN 201110134347 CN 201110134347 A CN201110134347 A CN 201110134347A CN 102205329 B CN102205329 B CN 102205329B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- wafer material
- acid
- adopt
- cleaning method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种硅片料的清洗方法,该方法将硅片料依次经过下列清洗工序:A:采用氢氟酸浸泡一定时间,之后用水冲洗干净;B:采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间;C:采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗,之后用水冲洗干净;D:采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间;E:采用盐酸和离子水混合液进行中和。采用本发明,根据实验结果表明,硅片料的得率在97%以上,与原清洗方法得率在90~92%相比,提高得率至少在5%以上,同时,也能防止坩埚腐蚀穿透现象,加强了安全生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅片料的清洗方法。
背景技术
目前,一般直接采用片碱对硅片料进行清洗,这种清洗方法当碱处理不彻底在直拉单晶环节中,易对石英坩埚造成析晶,从而加大成晶难度,甚至会对坩埚造成腐蚀穿透,严重影响直拉单晶的安全性和成品率,且片碱冼片料对硅料的损耗较大。
发明内容
本发明的目的是提供能提高直拉单晶的成品率的一种硅片料的清洗方法。
本发明采取的技术方案是:一种硅片料的清洗方法,其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序:
A:采用氢氟酸浸泡一定时间,之后用水冲洗干净;
B:采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间;
C:采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗,之后用水冲洗干净;
D:采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间;
E:采用盐酸和离子水混合液进行中和。
所述的采用氢氟酸浸泡一定时间中,氢氟酸的质量百分比浓度在55%以上,在常温下浸泡20小时以上;
所述的采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间,硝酸的质量百分比浓度在58%以上,盐酸的质量百分比浓度在36%以上,按体积比1∶2~4的比例制成王水,在常温下浸泡8小时以上;
所述的氢氟酸与硝酸的混合液,采用的氢氟酸与硝酸均在试剂级以上,按体积比1∶15~25的比例进行混合;
所述的采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间,氢氧化钠溶液的质量百分比浓度在98%以上,在常温下漂洗1~2分钟;
所述的盐酸和离子水的混合液,其中的盐酸的质量百分比浓度在36%以上,离子水的电阻在15兆欧姆以上,按体积比1∶0.8~1.2的比例进行混合;
采用本发明,根据实验结果表明,硅片料的得率在97%以上,与原清洗方法得率在90~92%相比,提高得率至少在5%以上,同时,也能防止坩埚腐蚀穿透现象,加强了安全生产。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
本实施例按以下步骤进行:
一、采用质量百分比浓度在55%以上的工业用氢氟酸,在常温下将硅片料完全覆盖浸泡20小时以上,之后用水冲洗干净。
二、采用质量百分比浓度在58%以上的硝酸,与质量百分比浓度在36%以上盐酸,按体积比1∶2~4的比例混合制成王水,将经过步骤一后的硅片料放入王水中,在常温下浸泡浸泡8小时以上;当然,在加热下浸泡,时间可以减少。
三、采用均在试剂级以上的氢氟酸与硝酸,按体积比1∶15~25的比例进行混合后,清洗经过步骤二后的硅片料,之后用水冲洗干净;
四、采用质量百分比浓度在98%以上的氢氧化钠溶液,在常温下漂洗经过步骤三后的硅片料1~2分钟;
五、采用质量百分比浓度在36%以上盐酸和电阻在15兆欧姆以上的离子水混合液,按体积比1∶0.8~1.2的比例进行混合,将经过步骤四的硅片料进行中和即可。
Claims (5)
1.一种硅片料的清洗方法,其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序:
A:采用氢氟酸浸泡一定时间,之后用水冲洗干净;
B:采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间;
C:采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗,之后用水冲洗干净;
D:采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间;
E:采用盐酸和离子水混合液进行中和。
2.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法,其特征在于步骤A中采用氢氟酸的质量百分比浓度在55%以上,在常温下浸泡20小时以上。
3.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法,其特征在于步骤C采用的氢氟酸与硝酸均在试剂级以上,按体积比1:15~25的比例进行混合。
4.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法,其特征在于步骤D采用的氢氧化钠溶液的质量百分比浓度在98%以上,在常温下漂洗1~2分钟。
5.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法,其特征在于步骤E采用的盐酸的质量百分比浓度在36%以上,离子水的电阻在15兆欧姆以上,按体积比1:0.8~1.2的比例进行混合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110134347 CN102205329B (zh) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | 一种硅片料的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110134347 CN102205329B (zh) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | 一种硅片料的清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102205329A CN102205329A (zh) | 2011-10-05 |
CN102205329B true CN102205329B (zh) | 2013-05-15 |
Family
ID=44694556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110134347 Expired - Fee Related CN102205329B (zh) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | 一种硅片料的清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102205329B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102430552A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-05-02 | 天通控股股份有限公司 | 一种晶体生长用坩埚的清理方法 |
CN102851506A (zh) * | 2012-08-12 | 2013-01-02 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银回收方法 |
CN104752166A (zh) * | 2015-02-26 | 2015-07-01 | 南昌大学 | 一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法 |
CN105110336A (zh) * | 2015-09-15 | 2015-12-02 | 无锡荣能半导体材料有限公司 | 一种硅料的清洗液及其清洗方法 |
CN106824499A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-06-13 | 扬州荣德新能源科技有限公司 | 去除硅料中树脂垫条的方法 |
CN107393813A (zh) * | 2017-09-08 | 2017-11-24 | 如皋市下原科技创业服务有限公司 | 一种二极管芯片的酸洗工艺 |
CN113070274A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-06 | 江苏美科太阳能科技有限公司 | 一种高质量单晶碎料处理方法 |
CN114956605B (zh) * | 2022-06-28 | 2023-12-29 | 安徽光智科技有限公司 | 石英管的回收再利用方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821908B1 (en) * | 2001-09-10 | 2004-11-23 | Mia-Com Inc., | In-situ method for producing a hydrogen terminated hydrophobic surface on a silicon wafer |
JP3997310B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2007-10-24 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコン製品の浄化方法 |
US8550880B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-10-08 | Lam Research Corporation | Platen and adapter assemblies for facilitating silicon electrode polishing |
CN101531366A (zh) * | 2009-03-09 | 2009-09-16 | 常州有则科技有限公司 | 多晶硅硅料的清洗方法 |
-
2011
- 2011-05-20 CN CN 201110134347 patent/CN102205329B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102205329A (zh) | 2011-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102205329B (zh) | 一种硅片料的清洗方法 | |
TW200740696A (en) | A process for manufacturing MCM-22 family molecular sieves | |
CN108069624B (zh) | 一种玻璃的强化加工方法 | |
CN101817006A (zh) | 一种太阳能硅片的表面清洗方法 | |
CN102519302B (zh) | 换热器的清洗方法 | |
CN101879509A (zh) | 液晶屏的清洗方法 | |
CN111892059B (zh) | 一种高纯石英砂的制备方法 | |
CN103739189B (zh) | 一种化学钢化玻璃的制备方法 | |
CN102268815A (zh) | 假发柔顺剂及其制备工艺以及对发制品进行整理的方法 | |
CN105480959B (zh) | 用氟化盐净化法生产磷酸二氢钾的方法 | |
CN107620054A (zh) | 一种不锈钢丝的在线镀镍工艺 | |
CN104445206A (zh) | 一种硅块表面氮化硅的清洗方法 | |
CN102424393B (zh) | 一种从石英砂中同步除去多种杂质的方法 | |
CN101177272B (zh) | 一种从工业纯石英砂中深度除铝的方法 | |
CN103159218A (zh) | 一种氟硅酸钾的生产方法 | |
CN102020292A (zh) | 一种利用有机氟化反应废料制备氟化钠的方法 | |
CN102744230A (zh) | 一种粘污太阳能硅片的清洗方法 | |
CN102167996B (zh) | 假发洗发液及其制备工艺以及对假发进行整理的方法 | |
CN104528716B (zh) | 一种盐酸钢铁酸洗废液资源化利用技术 | |
CN102231404A (zh) | 一种太阳能单晶硅片的清洗工艺 | |
CN103816809A (zh) | 一种从发酵液中提取氨基酸用半透膜清洗方法 | |
CN103406344B (zh) | 一种线切碎硅片杂质的处理方法 | |
CN103042009A (zh) | 一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法 | |
CN102304093A (zh) | 一种磺胺二甲嘧啶生产工艺 | |
CN103159244A (zh) | 一种氟铝酸钠的生产方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130515 Termination date: 20150520 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |