CN102148322A - 发光器件和具有发光器件的发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；电极层，该电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的***表面，其中，绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到第二导电半导体层和电极层之间的区域。

Description

发光器件和具有发光器件的发光器件封装
技术领域
本发明涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。
背景技术
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光线，从而发送/接收信号的半导体器件。LED被用作光源。
使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及照明装置的各种产品的光源。
发明内容
本发明提供包括与第一导电半导体层的内部部分接触的电极的发光器件，以及具有发光器件的发光器件封装。
本发明提供包括与第一导电半导体层的横向侧接触的第一电极和在第二导电半导体层下面的电极层的发光器件，以及具有发光器件的发光器件封装。
本发明提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；第一电极层，该第一电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；支撑构件，该支撑构件在第一电极层下面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的***表面，其中，该绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到在第二导电半导体层和第一电极层之间的区域。
本发明提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；电极层，该电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面，该顶表面被部分地开口；支撑构件，该支撑构件在电极层下面；绝缘构件，该绝缘构件用于绝缘电极的***表面；电流扩散层，该电流扩散层在第一导电半导体层上；以及至少一个接触电极，所述至少一个接触电极连接所述电极和电流扩散层。
本发明提供一种发光器件封装，包括：主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件在至少一个引线电极上，并且被电气地连接到引线电极；以及成型构件，该成型构件用于成型发光器件，其中发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电半导体层；第一电极层，该第一电极层在第二导电半导体层下面；电极，该电极包括与第一导电半导体层的底表面的一部分接触的顶表面；以及绝缘构件，该绝缘构件用于覆盖电极的***表面，其中，所述绝缘构件的一部分从电极的底表面延伸到在第二导电半导体层和第一电极层之间的区域。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图；
图2至图7是示出用于制造根据实施例的发光器件的程序的截面图；
图8是示出根据图1中所示的发光器件修改的发光器件的截面图；
图9是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；
图10和图11是示出根据第三实施例的发光器件的视图；
图12是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图；
图13是图12的平面图；
图14是根据图13修改的平面图；
图15是根据图13修改的平面图；
图16是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图；
图17是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图；
图18是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图；
图19是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图；
图20是示出根据第九实施例的发光器件的侧截面图；
图21是示出根据第十实施例的发光器件的侧截面图；
图22是示出根据实施例的具有发光器件的发光器件封装的截面图；
图23是示出根据实施例的显示装置的透视图；
图24是示出根据另一实施例的显示装置的截面图；以及
图25是示出根据实施例的照明装置的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。
在下文中，将会参考附图描述实施例。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。
参考图1，根据实施例的发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、电极层140、导电支撑构件150、绝缘构件160、电流扩散层112、以及电极170。
发光器件可以包括采用诸如III-V族化合物半导体层的多个化合物半导体层的LED。LED可以发射具有可视光线带的绿色、蓝色或者红色的光，或者可以发射具有紫外线带的光。能够通过各种半导体从LED发射光，并且实施例不限于半导体的类型。
发光器件100包括发光结构。发光结构包括第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130。发光结构包括III-V氮化物半导体，该III-V氮化物半导体包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
第一导电半导体层110可以包括被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第一导电半导体层110可以包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP。如果第一导电半导体层110是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一导电半导体层110可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
电极170被设置在第一导电半导体层110的一侧下面。电极170可以包括电极焊盘或者包括电极焊盘的电极图案。电极图案能够以臂的形式而被分支。
通过使用Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Au以及其合金中的至少一个，可以将电极170制备为单层或者多层。
粗糙部或者图案能够被形成在第一导电半导体层110上，以提高光提取效率。电流扩散层112被形成在第一导电半导体层110上。电流扩散层112可以包括透射导电层。例如，电流扩散层112可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、以及GZO(镓锌氧化物)组成的组中选择的一个。电流扩散层112能够被省略，但是实施例不限于此。
由于电极170接触第一导电半导体层110的下表面，电极170基本不干扰在垂直方向(芯片表面方向)中前进的光子。绝缘构件160被形成在除了电极170的顶表面之外的电极170周围，以防止电极170电气地接触其它层。
绝缘构件160可以包括诸如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3的绝缘材料。绝缘构件160包括下部分161、外部分162、以及支撑部分165。下部分161被***在电极170和电极层140之间，外部分162覆盖电极170的横向侧面，而支撑部分165从下部分161延伸到第二导电半导体层130和电极层140之间的界面表面。
接触电极171被形成在电极170上。接触电极171与电极170、第一导电半导体层110、和/或电流扩散层112发生接触。电极170选择性地接触接触电极171或者电流扩散层112，以将电流扩散在发光器件100的整个区域上。
有源层120被设置在第一导电半导体层110下面。有源层120可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构、或者量子点结构。有源层120可以具有包括由III-V族化合物半导体材料组成的阱层和势垒层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层的堆叠结构。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下面。导电包覆层可以包括GaN基半导体。势垒层可以具有比阱层高的带隙能，并且导电包覆层可以具有比势垒层高的带隙能。
第二导电半导体层130被布置在有源层120下面。第二导电半导体层130包括被掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层130可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个。如果第二导电半导体层是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg或者Ze的P型掺杂物。第二导电半导体层130能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
在第二导电半导体层130下面，发光结构可以包括具有与第二导电半导体层相反的极性的N型半导体层。另外，第一导电半导体层110能够被实现为P型半导体层，并且第二导电半导体层130能够被实现为N型半导体层。因此，发光结构可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。为了方便起见，发光结构的最底层将会被称为第二导电半导体层。
电极层140被形成在第二导电半导体层120下面。电极层140可以包括欧姆层、反射层、以及结合层中的至少一个。为了发生欧姆接触，在第二导电半导体层120下面电极层140可以具有层结构或者图案结构。通过使用反射金属或者导电氧化物能够实现欧姆接触。通过使用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个，能够将电极层制备为单层或者多层。
另外，通过使用从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其组合组成的组中选择的一个能够形成电极层140。通过使用诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或者ATO的上述的金属材料和透射导电材料，能够将电极层140形成为多层。例如，电极层140可以具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。电极层140可以包括诸如势垒金属层或者结合金属层的结合层。例如，电极层140可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个。
导电支撑构件150被形成在电极层140下面。导电支撑构件150是具有预定的厚度的基础衬底，并且包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W、或者诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、Ga2O3或者GaN的载流子晶圆。取决于导电支撑构件150的厚度或者强度，导电支撑构件150能够被省略或者能够通过集成两个层来制备为单层。另外，导电支撑构件150可以被制备为导电片。
根据实施例，电极170被定位在器件的一侧下面以提供具有第一极性的电力，并且电极层140被布置在器件下面以提供具有第二极性的电力，从而提高第一导电半导体层110的顶表面上的光提取效率。
图2至图7是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的程序的截面图。
参考图2，衬底101被加载在生长设备中，并且II至VI族化合物半导体以层或者图案的形式被形成在衬底101上。
可以从由电子束蒸发器、PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PLD(等离子体激光沉积)、复式热蒸发器、溅射、以及MOCVD(金属有机化学气相沉积)组成的组中选择生长设备。然而，实施例不限于上述生长设备。
衬底101可以包括从由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电材料、以及GaAs组成的组中选择的一个。凹凸结构能够被形成在衬底101的顶表面上。另外，包括II至VI族化合物半导体的图案或者层能够被形成在衬底101上。例如，ZnO层(未示出)、缓冲层(未示出)、以及未掺杂的半导体层(未示出)中的至少一个能够被形成在衬底101上。通过使用III-V族元素的化合物半导体能够形成缓冲层或者未掺杂的半导体层。缓冲层可以减少与衬底有关的晶格常数差，并且未掺杂的半导体层可以包括未掺杂的GaN基半导体。
第一导电类型半导体层110被形成在衬底101上，有源层120被形成在第一导电类型半导体层110上，并且第二导电类型半导体层130被形成在有源层120上。在之上的层上/下面可以出现其它的层，但是实施例不限于此。
第一导电类型半导体层110可以包括被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第一导电半导体层110可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择的一个。如果第一导电半导体层110是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一导电半导体层110可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
有源层120被布置在第一导电类型半导体层110上。有源层120可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以具有包括从由III-V族化合物半导体材料组成的阱层和势垒层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层的堆叠结构。
导电包覆层可以被形成在有源层120上和/下面。并且导电包覆层可以包括GaN基半导体。
第二导电类型半导体层130被形成在有源层120上。第二导电类型半导体层130包括被掺杂有第二导电掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第二导电类型半导体层130可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个。如果第二导电类型半导体层是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg或者Ze的P型掺杂物。第二导电类型半导体层130能够被制备为单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
第一导电类型半导体层110、有源层120、以及第二导电类型半导体层130可以组成发光结构。第三导电半导体层，即，N型半导体层或者P型半导体层能够被形成在第二导电半导体层130上。因此，发光结构可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。在下面的描述中，发光结构的最上层将会被称为第二导电半导体层130。
参考图3，电极170被形成在第一导电半导体层110的一侧处。在除了蚀刻区域之外的第二导电半导体层130的顶表面上形成掩模图案之后，第二导电半导体层130的一部分被蚀刻，以暴露第一导电半导体层110的一侧。然后，电极170被形成在被暴露的第一导电半导体层110的一侧处。
电极170与第二导电半导体层130、有源层120、以及第一导电半导体层110隔开了预定的间隔165。在除了稍后将会形成电极170的区域之外的区域上形成掩模图案或者绝缘构件之后能够形成电极170。
电极170可以包括具有预定的形状的电极焊盘和臂状电极图案，或者能够被连接到电极焊盘。
通过使用Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Au以及其合金中的至少一个能够将电极170制备为单层或者多层。
参考图4，绝缘构件160被形成在电极170周围。可以沿着第二导电半导体层130的顶表面的部分延伸绝缘构件160，同时绝缘构件160可以包围电极170的横向表面和顶表面。
参考图5，电极层140被形成在第二导电半导体层130和绝缘构件160上，并且第二导电支撑构件150被形成在电极层140上。
电极层140可以包括欧姆层、反射层、以及结合层中的至少一个。欧姆层可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、Al、Ag、Pd、Rh、或者Pt组成的组中选择的一个。反射层可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或者其组合组成的组中选择的一个。另外，通过使用上述金属材料和诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、或者ATO的透射导电材料，可以将反射层制备为多层结构。例如，反射层可以具有包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。提供结合层以提高导电支撑构件150的粘结(adhesive)性能。结合层可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个。
电极层140可以具有包括欧姆层/反射层/结合层，或者反射层(包括欧姆层)/结合层的堆叠结构，但是实施例不限于此。
导电支撑构件150被形成在电极层140上。导电支撑构件150是包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W、或者诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、Ga2O3或者GaN的载流子晶圆的基础衬底。导电支撑构件150能够被省略，并且通过集成两个层而能够被制备为单层。另外，导电支撑构件150以被制备为导电片。
参考图5和图6，在导电支撑基板150已经被定位在基极上之后，通过物理/化学方案来移除衬底101。即，如果具有预定的波长带的激光束被照射在衬底101上，那么热能被集中在衬底101和第一导电半导体层110之间的边界上，使得衬底101与第一导电半导体层110分离。当另一半导体层被***在衬底101和第一导电半导体层110之间时，衬底101能够与另一半导体层分离，但是实施例不限于此。在衬底101已经被移除之后，能够对第一导电半导体层110的表面执行诸如电感耦合等离子体/反应离子蚀刻(ICP/RIE)工艺的附加工艺。
参考图6和图7，芯片沟道区域和电极区域被蚀刻。当芯片沟道区域被蚀刻时，芯片的边界区域被蚀刻直到电极层140的顶表面被暴露。
另外，第一导电半导体层110的一部分，即，电极区域被蚀刻以暴露电极170。即，第一导电半导体层110被部分地蚀刻以暴露电极170的顶表面。
台阶结构被形成在第一导电半导体层110的一侧处，并且电极170的顶表面部分地与第一导电半导体层110的底表面接触。
粗糙部或者图案能够被形成在第一导电半导体层110上，以提高光提取效率。
通过被定位在电极170周围的绝缘构件160而将电极170与其他层电气绝缘。绝缘构件160可以包括诸如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、或者Al2O3的绝缘材料。
绝缘构件160包括下部分161、外部分162、以及支撑部分165。下部分161被***在电极170和电极层140之间，外部分162覆盖电极170的横向侧面，并且支撑部分165从下部分161延伸到第二导电半导体层130和电极层140之间的界面表面。
电流扩散层112被形成在第一导电半导体层110上。电流扩散层112可以包括透射导电层。例如，电流扩散层112可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、以及GZO(镓锌氧化物)组成的组中选择的一个。电流扩散层112能够被省略，但是实施例不限于此。
由于电极170被布置在第一导电半导体层110的一侧的下面，除了第一导电半导体层110的顶表面之外，电极170很少干扰在垂直方向(芯片表面方向)中前进的光子。绝缘构件160被形成在除了电极170的顶表面之外的电极170周围，从而使得电极170与其它层电气地绝缘。
接触电极171被形成在电极170上。接触电极171与电极170、第一导电半导体层110、和/或电流扩散层112接触。由于电极170、接触电极171、以及电流扩散层112当中的连接结构，所以能够较宽地扩散电流。
图8是示出根据图1中所示的发光器件修改的发光器件的截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于参考图1已经解释的结构和元件的描述。
参考图8，电极焊盘180被形成在电极170上。电极焊盘180的尺寸、位置、以及形状可以取决于电极170的面积而变化，并且实施例不限于此。由与电极170相同的材料组成电极焊盘180，或者出于结合连接的目的，Au能够被添加到电极焊盘180中。
电极170部分地接触第一导电半导体层110。这时，接触大小近似于第一导电半导体层110的宽度。电极170可以具有臂结构，但是实施例不限于此。
图9是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第一实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图9，发光器件101在其***部分处提供有沟道层145和绝缘层160A。在没有限制的情况下，沟道层145能够被应用于第一实施例或者其它的实施例。
沿着发光器件101的***部分，沟道层145被提供在第二导电半导体层130和电极层140之间。沟道层145是具有条纹、环形、框架或者回路的形状的连续图案。另外，沟道层145可以具有预定的宽度(例如，2μm或者更小)，并且通过使用相同的材料或者不同的材料能够将其制备为单层或者多层。
沟道层145可以包括诸如氧化物、氮化物、或者绝缘材料的透射材料。例如，沟道层145可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择的一个。
即使发光结构的外壁暴露到潮湿的环境中，沟道层145也能够防止短路，从而使LED在高潮湿条件下具有优秀的性能。当执行激光划片工艺时，激光束经过沟道层145，使得可以不产生由激光束引起的金属颗粒，从而防止在发光结构的侧壁处出现层间短路。
通过沟道层145，发光结构110、120以及130的侧壁与电极层140隔开。
在发光结构110、120、以及130已经被形成之后，具有预定的宽度的沟道层145被形成在单独的芯片的沟道区域(或者芯片边界区域)上。因此，当沟道区域被蚀刻时，沟道层145的顶表面被暴露在外部。
沟道层145能够防止在侧壁处的潮湿浸入，并且提高芯片的侧壁处的电气可靠性。另外，沟道层145能够通过变化被入射到沟道层145的光的临界角来提高光提取效率。
沟道层145的内部部分被布置在第二导电半导体层130和电极层140之间，并且沟道层145的外部部分被布置在电极层140的***部分的顶表面上，使得沟道层145的外部部分能够被开口，或者与绝缘层160A的底表面接触。
附加的电极焊盘可以从电极170的顶表面突出，但是实施例不限于此。
图10和图11是示出根据第三实施例的发光器件的视图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第一实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图10，发光器件200包括电极270、接触电极271、以及绝缘构件270，该绝缘构件270选择性地绝缘电极270。电极270、接触电极271、以及绝缘构件260与第一导电半导体层110的底表面接触。
电极270包括被布置在第一导电半导体层110中同时与第一导电半导体层110的内部部分接触的接触电极271。当从芯片的顶部观察时，接触电极271没有被暴露在第一导电半导体层110的外部，即，接触电极271没有被暴露在外部。
通过绝缘构件260，接触电极271与其它的层绝缘。电极270以环、回路、框架、开口回路、或者闭回路的形式与接触电极271相连接。电极270和接触电极271能够将电力均匀地提供到第一导电半导体层110的外侧，使得能够提高电流提供效率。
另外，因为电极270的接触电极271没有被暴露在芯片的顶侧，所以第一导电半导体层110的顶表面的大小可能没有被减少，使得光提取面积可能没有被减少。
绝缘构件260的内支撑部分265延伸到第二导电半导体层130和电极层240之间的界面表面。因为内支撑部分265包括绝缘材料，所以内支撑部分265能够防止穿过电极层240而提供的电流从最短的路径流过，使得内支撑部分265能够执行电流阻挡或者电流扩散功能。另外，能够以图案的形式制备内支撑部分265，但是实施例不限于此。
在没有限制的情况下，可以将粗糙部(或图案)和/或透明电极层形成在第一导电半导体层110的顶表面上。另外，在第一导电半导体层110上能够选择性地采用在第一实施例中公开的结构。
图12是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第一实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图12，发光器件300包括被布置在芯片中心区域处的电极370。第一导电半导体层110的中心区域被形成有开口115。开口115用作用于图案或者引线结合的电气接触的区域。
通过开口115暴露电极370的顶表面。电极370接触第一导电半导体层110的内部底表面，并且传输第一导电半导体层110的中心区域处的电流。另外，电极370能够被直接地或者间接地连接到诸如透明电极层的接触电极和/或电流扩散层。
绝缘层360被布置在电极370周围。被设置在电极370的***部分处的内支撑部分365延伸到第二导电半导体层130和电极层340之间的界面表面，从而防止穿过电极层340而提供的电流从最短的路径流过，使得内支撑部分365能够执行电流阻挡或者电流扩散功能。另外，能够以图案的形式制备内支撑部分265，但是实施例不限于此。
图13是图12的平面图。参考图13，通过被形成在第一导电半导体层110的中心处的开口115而暴露电极370。
图14是示出根据图13修改的发光器件300A的平面图。
参考图14，发光器件300A包括具有多个单元(例如，至少两个单元)的发光结构。根据实施例，四个单元A1、A2、A3、以及A4被提供。单元A1、A2、A3以及A4能够通过被形成在其中心处的电极370而提供电力。通过绝缘构件360相互绝缘单元A1、A2、A3、以及A4，并且通过开口115而将其暴露到外部。
电极370可以电气地与接触电极或者电流扩散层接触，但是实施例不限于此。
绝缘层(未示出)能够被形成在单元A1、A2、A3、以及A4当中，以相互绝缘相邻的单元。被连接到电极370的接触电极被形成在被布置在相邻的单元之间的绝缘层上，以有效地提供电力。
图15示出根据图13修改的发光器件。参考图15，接触电极371被连接到电极370。接触电极371可以具有诸如放射状图案、十字图案、至少具有一条线的线图案、或者弯曲图案的各种形状。接触电极371没有被暴露到第一导电半导体层110的顶表面。通过绝缘构件360来将电极370和接触电极371绝缘。
图16是示出根据第五实施例的发光器件的截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在之前实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图16，发光器件400包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、欧姆层440、反射层450、电极层470、导电支撑构件480、以及绝缘构件460。欧姆层440和反射层450能够被定义为被电气地连接到第二导电半导体层130的第二电极层，并且电极层470能够被定义为被电气地连接到第一导电半导体层110的第一电极层。
第一导电半导体层110被定位在芯片的顶部处，并且粗糙部或者图案112能够被形成在第一导电半导体层110上。
有源层120被形成在第一导电半导体层110下面，并且第二导电半导体层130被形成在有源层120下面。包括第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130的发光结构与第一实施例的相同。
欧姆层440被形成在第二导电半导体层130下面，并且反射层450被形成在欧姆层440下面。绝缘构件460被形成在反射层450下面，并且导电支撑构件480被形成在电极层470下面。
欧姆层440与第二导电半导体层130的底表面接触。能够以层或者多个图案的形式制备欧姆层440。欧姆层440可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、Al、Ag、Pd、Rh、以及Pt组成的组中选择的一个。
通过使用具有欧姆特性的反射电极材料能够将电极层470制备为单层或者多层。例如，电极层470可以包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、其组合、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个，但是实施例不限于此。如果电极层470用作欧姆接触，那么能够省略欧姆层。
欧姆层440和/或反射层450的区域P1是开口的，并且通过开口区域P1能够形成电极(未示出)或者电极焊盘(未示出)。电极焊盘与布线(未示出)结合。另外，绝缘层465被布置在电极焊盘或者电极被形成的区域的内部部分处，以防止电气短路。
反射层450与欧姆层440的底表面接触，并且包括具有50％或者以上的反射率的反射材料。例如，通过使用从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其组合组成的组中选择的一个，能够形成反射层450。通过使用诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或者ATO的透射导电材料和上述金属材料，可以将反射层450形成为多层。例如，反射层450可以具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。如果反射层450进行欧姆接触，那么欧姆层440能够被省略，但是实施例不限于此。
绝缘构件460使电极层470与其它层绝缘。例如，绝缘构件460使电极层470与反射层450、欧姆层440、第二导电半导体层130、以及有源层120绝缘。
电极层470的接触电极471被垂直地向上突出，以接触第一导电半导体层110的内部底表面。即，电极层470的接触电极470电气地接触第一导电半导体层110。绝缘构件460的外部部分461被形成在除了电极层的接触电极471的顶表面之外的电极层470周围，以防止电极层470相对于其它层电气短路。
电极470可以具有被相互隔开的多个接触电极471。在这样的情况下，能够有助于电流提供。
绝缘构件460的外部部分超出发光结构110、120以及130而向外延伸，以防止在发光结构的侧壁处出现层间短路。
电极层470可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及其组合组成的组中选择的一个。通过考虑欧姆接触，使用上述材料或者其它的金属材料，可以将电极层470制备为多层。
导电支撑构件480被形成在电极层470下面。导电支撑构件480是基底衬底，并且包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W、诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、Ga2O3或者GaN的载流子晶圆，或者导电片。
结合层(未示出)被提供在电极层470和导电支撑构件480之间，以提高导电支撑构件480的粘结性能。结合层可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个。
根据第五实施例，电极焊盘被布置在芯片的一侧处以提供具有第一极性的电力，并且通过芯片的底部的整个区域提供具有第二极性的电力。因此，从芯片的顶表面能够省略非透明的金属，使得能够提高光提取效率。
图17是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第五实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图17，发光器件400A包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层1310、欧姆层440、反射层450、电极层470、绝缘衬底490、第一电极焊盘475、第二电极焊盘445、以及绝缘构件460。
电极层470的一侧被暴露在外部，并且第一电极焊盘475被形成在电极层470的一侧上。能够提供多个第一电极焊盘475，同时使其相互隔开。
第二电极焊盘445被形成在反射层450和/或欧姆层440的被暴露的部分上。能够提供多个被暴露的部分，使得多个第二电极焊盘455能够被提供在被暴露的部分上。
绝缘层465被形成在发光结构周围，以防止发光结构的层间短路。
绝缘衬底490被布置在电极层470下面。绝缘衬底490可以包括蓝宝石，但是实施例不限于此。
根据第六实施例，第二电极焊盘被提供在芯片的外部部分，使得能够容易地连接布线。另外，因为没有减少第一导电半导体层的顶表面的尺寸，所以能够提高光提取效率。此外，通过芯片的底部能够提供具有第一极性和第二极性的电力，使得发光器件可以具有被改进的电流路径。
图18是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在之前的实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图18，发光器件500包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、电极层540、沟道层545、导电支撑构件550、电极570、电流扩散层580、以及绝缘构件560。
沟道层545被布置在电极层540的***部分处。沿着发光器件的***部分，沟道层545被提供在第二导电半导体层130和电极层540之间。沟道层545是包括链路、环形物、回路、或者框架的形状的连续图案。另外，沟道层545可以具有预定的宽度(例如，2μm或者更小)。
沟道层545可以包括诸如氧化物、氮化物、或者绝缘材料的透射材料。例如，沟道层545可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择的一个。沟道层545由与绝缘构件560的材料相同或者不同的材料构成。如果沟道层545包括与绝缘构件560相同的材料，则通过相同的工艺能够形成沟道层545和绝缘构件560。
绝缘构件560被形成在电极层540和第一导电半导体层110之间的多个区域上。至少一个电极570和从电极570分支的接触电极571被形成在绝缘构件560的内部上部分处。电极570和接触电极571与第一导电半导体层110的内部底表面接触。
电极焊盘575被形成在电极570上，并且被暴露到芯片的上侧。电极焊盘575能够与第一导电半导体层110接触，并且电气地接触电流扩散层580。电流扩散层580被形成在第一导电半导体层110的表面上，以较宽地扩散电流。
电流扩散层580可以包括由电极材料组成的接触电极或者透明导电层，但是实施例不限于此。
[00139]替代电流扩散层580，能够将低折射层形成在第一导电半导体层110上。例如，低折射层可以包括具有比氮化物半导体低的折射率的氧化物基材料。低折射层可以包括从由SiO2、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、以及GZO(镓锌氧化物)组成的组中选择的一个。
图19是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第七实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图19，发光器件500A包括被设置在发光结构110、120以及130中的绝缘构件560。电极570被设置在绝缘构件560的内部上部分处，并且经由导通孔连接而被连接到第一导电半导体层110的电极焊盘571被形成在电极570上。电极焊盘571的外部部分延伸到电流扩散层580A上。
电极焊盘571的上直径比电极焊盘571的下直径大。即，电极焊盘571具有颠倒的圆锥形或者多边形，但是实施例不限于此。
图20是示出根据第九实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第一实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图20，发光器件600包括被形成在第二导电半导体层130下面的电极层640、被形成在电极层640下面的绝缘衬底650、被形成在绝缘衬底650的一侧处的连接电极642、以及被形成在绝缘衬底650的底表面上的底部电极645。
电极层640通过连接电极642而被连接到被形成在绝缘衬底650的底表面上的底部电极645。连接电极642被形成在绝缘基板650的两侧或者一侧处，以将电极层640连接到底部电极645。
绝缘构件660被布置在电极层640和第二导电半导体层130的一侧之间，并且电极670被布置在绝缘构件660的内部上部分处。绝缘构件660和电极670的结构与第一实施例的相类似。
图21是示出根据第十实施例的发光器件的侧截面图。相同的附图标记将会被分配给相同的元件，并且为了避免重复，将会省略关于在第一和第九实施例中已经解释的结构和元件的描述。
参考图21，发光器件600A包括通过以导通孔的形式的连接电极642A而被相互连接的电极层640和底部电极645。连接电极642A的两端与电极层640和底部电极645接触。能够设置多个连接电极642A。
图22是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。
参考图22，发光器件封装30包括：主体20；第一和第二引线电极31和33，该第一和第二引线电极31和33被形成在主体20上；发光器件100，该发光器件100被设置在主体20上，并且被电气地连接到第一和第二引线电极31和33；以及成型构件40，该成型构件40包围发光器件100。
主体20可以是包括硅的导电基板、包括PPA的合成树脂基板、陶瓷基板、绝缘基板、或者诸如MCPCB的金属基板。倾斜的表面可以被形成在发光器件100的周围。主体20可以具有通孔结构，但是实施例不限于此。
第一和第二引线电极31和33被相互电气地隔离，以将电力提供给发光器件100。另外，第一和第二引线电极31和33可以反射从发光器件100发射的光以提高光效率，并且可以将从发光器件100产生的热散发到外部。
发光器件100能够被安装在主体20上，或者第一电极31或第二电极33上。
发光器件100可以通过布线而被电气地连接到第一引线电极，并且可以通过芯片结合方案而被连接到第二引线电极32。
成型构件40包围发光器件100，以保护发光器件100。另外，成型构件40可以包括磷光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。透镜可以被布置在成型构件40上。透镜能够接触成型构件40或者不接触成型构件40。
经由通孔，发光器件100可以被电气地连接到主体或者基板的下表面。
发光器件封装被提供有在实施例中公开的至少一个发光器件。实施例可以不限制被安装在发光器件封装中的发光器件的数目。
尽管在实施例中公开的是顶视型发光器件封装，侧视型发光器件封装也能够被用于提高散热特性、导电性、以及反射特性。根据顶视型发光器件封装或者侧视型发光器件封装，通过使用树脂层来封装发光器件，并且然后将透镜被形成在树脂层上，但是实施例不限于此。
<照明单元>
根据实施例的发光器件或者发光器件封装能够被应用于照明单元。照明单元包括多个发光器件或者多个发光器件封装。照明单元可以包括图23和图24中所示的显示装置，和如图25中所示的照明装置。另外，照明单元可以包括照明灯、信号灯、车辆的头灯、以及电子标识牌。
图23是根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图23，根据实施例的显示装置1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031用于将光提供给导光板1041；在导光板1041的下方的反射构件1022；在导光板1041上的光学片1051；在光学片1051上的显示面板1061；以及底盖1011，该底盖1011用于容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。然而，实施例不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041、以及光学片1051可以组成照明单元1050。
导光面板1041漫射光以提供表面光。导光板1041可以包括透射材料。例如，导光板1041可以包括诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚合物)以及PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂中的一个。
发光模块1031将光提供给导光板1041的侧面，并且用作显示装置的光源。
提供至少一个发光模块1031以直接或间接地从导光板1041的横向侧提供光。发光模块1031可以包括根据实施例的发光器件封装30和板1033。发光器件封装30被布置在板1033上，同时以预定的间隔相互隔开。
板1033可以包括具有电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。另外，板1033还可以包括金属核PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。如果发光器件封装30被安装在底盖1011的侧面上或者散热板上，那么板1033可以被省略。散热板部分地接触底盖1011的顶表面。
另外，发光器件封装30被布置为使得发光器件封装30的出光表面与导光板1041隔开了预定的距离，但是实施例不限于此。发光器件封装30可以将光直接地或者间接地提供给是导光板1041的一侧的光入射表面，但是实施例不限于此。
反射构件1022被布置在导光板1041的下方。反射构件1022朝着导光板1041反射通过导光板1041的下表面向下行进的光，从而提高照明单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但是实施例不限于此。
底盖1011可以在其中容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。为此，底盖1011具有为盒形形状的容纳部1012，但是实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖联结，但是实施例不限于此。
能够通过使用金属材料或者树脂材料，通过按压工艺或者挤压工艺来制造底盖1011。另外，底盖1011可以包括具有优秀的导热性的金属或者非金属材料，但是实施例不限于此。
例如，显示面板1061是包括彼此相对的透明的第一和第二基板以及被***在第一和第二基板之间的液晶层的LCD面板。偏振板能够被附接到显示面板1061的至少一个表面，但是实施例不限于此。显示面板1061基于已经穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000能够被应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上电脑的监视器、以及电视。
光学片1051能够被布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括漫射片、水平和垂直棱镜片、亮度增强片中的至少一个。漫射片漫射入射光，水平和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光来提高亮度。另外，保护片能够被提供在显示面板1061上，但是实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够被提供在发光模块1031的光路径中来作为光学构件，但是实施例不限于此。
图24是示出根据实施例的显示装置的截面图。
参考图24，显示装置1100包括底盖1152、其上布置发光器件封装30的板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
板1120和发光器件封装30可以组成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以组成照明单元。
底盖1151可以被提供有容纳部1153，但是实施例不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、漫射片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以包括PC或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。导光板能够被省略。漫射片漫射入射光，水平和垂直棱镜片将入射光集中在显示区域上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光来提高亮度。
光学构件1154被布置在发光模块1060的上方，以将从发光模块1060发射的光转换为表面光。另外，光学构件1154可以漫射或者收集光。
图25是示出根据实施例的照明装置的透视图。
参考图25，照明装置1500包括：外壳1510；发光模块1530，该发光模块1530被安装在外壳1510中；以及连接端子1520，该连接端子1520被安装在外壳1510中，以从外部电源接收电力。
优选地，外壳1510包括具有优秀的散热特性的材料。例如，外壳1510包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1530可以包括板1532，和被安装在板1532上的发光器件封装30。发光器件封装30被相互隔开，或者以矩阵的形式进行布置。
板1532包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，板1532包括PCB、MCPCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板。
另外，板1532可以包括有效地反射光的材料。涂层能够形成在板1532的表面上。这时，涂层具有有效地反射光的白色或者银色。
至少一个发光器件封装30被安装在板1532上。每个发光器件封装30可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。LED芯片可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的可见光的LED，和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1530的发光器件封装30能够不同地布置以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白光LED、红光LED以及绿光LED以实现高显色指数(CRI)。
连接端子1520被电气地连接到发光模块1530，以将电力提供给发光模块1530。连接端子1520具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以被***到外部电源的插脚或者通过布线被连接到外部电源的形式来制备连接端子1520。
根据实施例，包括发光器件100的发光器件封装被布置在板上，以形成如图20中所示的发光模块。另外，如图1中所示的发光器件被布置在板上，并且然后被封装以形成发光模块。
制造根据实施例的半导体发光器件的方法包括下述步骤：在衬底上形成多个化合物半导体层；在化合物半导体层的上部分周围形成沟道层；在化合物半导体层和沟道层上形成反射层；在基底上布置反射层，并且移除衬底；蚀刻化合物半导体层的沟道区域；在沟道层上形成包括凹凸结构的化合物半导体；以及在化合物半导体上形成电极。
如上所述，实施例能够提高在沟道区域处的光提取效率，并且能够提高半导体层下面的层之间的粘结性能。另外，实施例能够提高半导体层下面的沟道区域处的金属和非金属之间的粘结性能。实施例能够提高半导体层下面的区域处的氧化物和反射材料之间的粘结性能，从而防止沟道区域处的层间分层。实施例能够提高半导体发光器件的可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构、或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计出将落入本发明原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题的组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下面的有源层、以及所述有源层下面的第二导电半导体层，其中，所述第一导电半导体层包括最上边的表面；
电极层，所述电极层在所述第二导电半导体层下面；
电极，所述电极与所述最上边的表面下方的所述第一导电半导体层接触；以及
绝缘构件，所述绝缘构件覆盖所述电极的***表面的至少一部分，其中，所述绝缘构件在所述第二导电半导体层和所述电极层之间延伸。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极包括下表面，其中，所述绝缘构件覆盖所述电极的下表面，并且其中覆盖所述电极的下表面的所述绝缘构件的部分在所述第二导电半导体层和所述电极层之间延伸。
3.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
电流扩散层，所述电流扩散层与所述第一导电半导体层的最上边的表面接触，以及
接触电极，所述接触电极在所述电流扩散层和所述电极之间。
4.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极相对于所述发光结构而被居中或者大体上居中。
5.如权利要求4所述的发光器件，其中，所述电极与穿过所述第一导电半导体层的开口至少部分地对准。
6.如权利要求5所述的发光器件，进一步包括：
接触电极，所述接触电极与所述第一导电半导体层和所述电极的顶表面接触。
7.如权利要求6所述的发光器件，其中，所述电极包括上表面以及一个或者多个侧表面，其中，所述绝缘构件覆盖所述电极的所述一个或者多个侧表面，并且其中，所述电极的上表面没有延伸到所述第一导电半导体层的最上边的表面。
8.如权利要求4所述的发光器件，其中，所述电极包括下表面，其中，所述绝缘构件覆盖所述电极的下表面，并且其中，覆盖所述电极的下表面的所述绝缘构件的部分在所述第二导电半导体层和所述电极层之间延伸。
9.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光结构被划分为多个单元。
10.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极被布置在所述第一半导体层的侧面处。
11.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述电极的上表面上的接触电极和电极焊盘中的至少一个。
12.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
透明沟道层，所述透明沟道层与所述第二导电半导体层的***部分和所述电极层的***部分接触。
13.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极层包括欧姆层、反射层、以及结合层中的至少一个。
14.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
支撑构件，所述支撑构件被布置在所述电极层下面。
15.一种发光器件封装，包括：
主体；
第一和第二引线电极，所述第一和第二引线电极被连接到所述主体；
发光器件，所述发光器件在所述第一引线电极上，并且被电气地连接到所述第二引线电极；以及
成型构件，所述成型构件包围所述发光器件，所述发光器件包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下面的有源层、以及所述有源层下面的第二导电半导体层，其中，所述第一导电半导体层包括最上边的表面；
电极层，所述电极层在所述第二导电半导体层下面；
电极，所述电极与在所述最上边的表面下方的所述第一导电半导体层接触；以及
绝缘构件，所述绝缘构件覆盖所述电极的***表面的至少一部分，其中，所述绝缘构件在所述第二导电半导体层和所述电极层之间延伸。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956782A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件及发光器件封装件
CN110178230A (zh) * 2019-02-03 2019-08-27 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置
CN111969087A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 厦门乾照光电股份有限公司 一种基于透明衬底的led芯片及其制备方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101714039B1 (ko) * 2010-07-01 2017-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101707532B1 (ko) * 2010-10-29 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101193346B1 (ko) 2011-04-11 2012-10-19 주식회사 효성 반도체 발광소자
JP4989773B1 (ja) * 2011-05-16 2012-08-01 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN103972362A (zh) * 2013-01-30 2014-08-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件
EP2763195A3 (en) * 2013-01-30 2016-04-06 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR102153090B1 (ko) * 2013-06-25 2020-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2015008184A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Highly reflective flip chip led die
KR102181381B1 (ko) * 2013-08-05 2020-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102169826B1 (ko) * 2014-05-28 2020-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2016018836A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102099314B1 (ko) * 2018-10-25 2020-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명장치
CN115210801A (zh) 2020-01-25 2022-10-18 上海显耀显示科技有限公司 具有高光提取效率的微型发光二极管

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1630110A (zh) * 2003-12-18 2005-06-22 三星电机株式会社 氮化物半导体发光器件
US20060151793A1 (en) * 2003-07-16 2006-07-13 Hideo Nagai Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
US7084432B2 (en) * 2002-07-23 2006-08-01 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Nitride semiconductor light emitting diode
CN1819255A (zh) * 2005-02-03 2006-08-16 范朝阳 基于微型发光二极管的高压交直流指示灯
CN101071821A (zh) * 2006-05-10 2007-11-14 罗姆股份有限公司 半导体发光元件阵列及使用它的照明器
US20090267106A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Sang Youl Lee Semiconductor light emitting device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6753199B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Topside active optical device apparatus and method
JP2007511065A (ja) * 2003-11-04 2007-04-26 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
JP2006073619A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US7679097B2 (en) * 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR100748247B1 (ko) * 2005-07-06 2007-08-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광다이오드 및 그 제조방법
EP1925036B1 (en) * 2005-09-13 2016-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device and production method thereof
JP2007088351A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよび発光ダイオード
EP2023411A1 (en) * 2006-05-01 2009-02-11 Mitsubishi Chemical Corporation Integrated semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
KR101327106B1 (ko) * 2007-08-09 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자
KR100838197B1 (ko) 2007-08-10 2008-06-16 서울옵토디바이스주식회사 개선된 전류분산 성능을 갖는 발광 다이오드
US8237183B2 (en) * 2007-08-16 2012-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
KR100942713B1 (ko) * 2008-05-07 2010-02-16 주식회사 세미콘라이트 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
DE102008030584A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101654340B1 (ko) * 2009-12-28 2016-09-06 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
KR101154320B1 (ko) * 2010-12-20 2012-06-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084432B2 (en) * 2002-07-23 2006-08-01 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Nitride semiconductor light emitting diode
US20060151793A1 (en) * 2003-07-16 2006-07-13 Hideo Nagai Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
CN1630110A (zh) * 2003-12-18 2005-06-22 三星电机株式会社 氮化物半导体发光器件
CN1819255A (zh) * 2005-02-03 2006-08-16 范朝阳 基于微型发光二极管的高压交直流指示灯
CN101071821A (zh) * 2006-05-10 2007-11-14 罗姆股份有限公司 半导体发光元件阵列及使用它的照明器
US20090267106A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Sang Youl Lee Semiconductor light emitting device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956782A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件及发光器件封装件
CN102956782B (zh) * 2011-08-22 2017-06-23 Lg伊诺特有限公司 发光器件及发光器件封装件
CN110178230A (zh) * 2019-02-03 2019-08-27 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置
CN111969087A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 厦门乾照光电股份有限公司 一种基于透明衬底的led芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2355189A2 (en) 2011-08-10
US8421112B2 (en) 2013-04-16
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US20110193113A1 (en) 2011-08-11
KR101039999B1 (ko) 2011-06-09
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