CN102144175B - 放射线检测器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。

Description

放射线检测器
技术领域
本发明涉及工业用或医用的放射线检测器，特别涉及将放射线直接转换为载流子的放射线检测器的构造。 
背景技术
目前，将放射线在半导体层直接转换为载流子(电荷信息)的直接转换型放射线检测器是通过以下方式实行放射线检测的，即：对感应放射线的半导体层表面形成的共用电极施加规定偏压，使半导体层生成的载流子被半导体层背面形成的像素电极收集，然后，利用有源矩阵基板，将该收集到的载流子作为放射线信号读出。 
作为放射线感应型半导体层，如果使用无定形半导体层，特别是像a-Se(无定形硒)那样的半导体层，通过真空蒸镀等方法，就可以很容易形成面积大且厚度大的半导体层。这样，无定形半导体层就可以构成为二维阵列型放射线检测器的放射线转换层。 
由于直接转换型放射线检测器对共用电极施加高电压，所以，会沿着无定形半导体层的表面发生放电。为了解决该沿面放电的问题，在专利文献1和图4中，采用固化性合成树脂膜53(环氧树脂)，来作为高耐压的绝缘膜，覆盖无定形半导体层44、共用电极42和载流子选择性高电阻膜43的整个表面。 
另外，专利文献1也提出了一个问题：环氧树脂的溶剂成分与作为无定形半导体层44的a-Se反应，无定形半导体层44的表面会变色，并且耐压下降。因此，专利文献1采用了Sb2S3膜这种的耐溶剂性的且具有载流子选择性的高电阻膜43，来覆盖无定形半导体层44的整个表面，这样，就会降低环氧树脂的溶剂成分与a-Se的反应，防止无定形半导体层44的表面变色以及耐压下降。 
为了不使放射线检测器40发生弯曲或龟裂，高耐压固化性合成树脂膜53被固定成由绝缘性辅助板54和绝缘性基板51夹在中间，绝缘性辅 助板54的热膨胀系数与绝缘性基板51同等程度。 
专利文献1：JP特开2002-311144号公报 
然而，又发现了上述专利文献1中也没有公开的新问题。那就是如果连续使用上述放射线检测器40，则在辅助板54(玻璃)与固化性合成树脂膜53的接触面的相反面，也就是在放射线入射侧的表面就会积蓄电荷。该积蓄电荷产生的静电会影响从有源矩阵基板52读出的放射线检测信号，使放射线检测信号中出现噪声。 
为此，将辅助板54的放射线入射侧的表面接地，防止电荷积蓄，抑制静电的发生。由此，虽然除去了放射线检测信号中出现的噪声，但又产生了问题。那就是暗电流增加导致的缺损像素增多。 
于是，用电子显微镜对覆盖无定形半导体层44整个表面的、具有耐溶剂性及载流子选择性的高电阻膜43进行观测，又发现高电阻膜43上有图5那样的针孔(pinhole)。此外，还发现通过该针孔在无定形半导体层44的表面形成有孔洞(void)。 
发明内容
本发明就是鉴于上述情况提出的，其目的是提供一种放射线检测器，在辅助板上不积蓄电荷，防止无定形半导体层以及载流子选择性高电阻膜形成孔洞和针孔。 
本申请的发明者经过钻研，得到以下见解。首先，为了确定形成无定形半导体层44的孔洞和载流子选择性高电阻膜43的针孔的物质是什么，对无定形半导体层44的孔洞部和载流子选择性高电阻膜43的针孔部以及其余部分，利用荧光X射线分析装置实施了元素确定检查。图6表示从孔洞部和针孔部检测出的元素，图7表示在没有孔洞部和针孔部的部分检测出的元素。其结果，从孔洞部和针孔部检出了本来不应该有的氯原子(Cl)。进一步调查该氯原子存在的原因时发现，在制作作为环氧树脂主剂的环氧树脂预聚体时，残留了没有去除干净的副生成物。 
环氧树脂的主剂是混合了双酚A(C15H16O2)和环氧氯丙烷(C3H5ClO)的环氧预聚体。在该环氧预聚体中，环氧氯丙烷的氯离子(Cl-)没有被去除干净，作为副生成物残留下来。为此，对于本申请使用的环氧预聚体 中的氯离子，经测定残留浓度约为400～1000ppm。 
基于上述理由，已经判明：环氧预聚体与固化剂混合后形成的环氧树脂中有氯离子残留，这种氯对作为载流子选择性高电阻膜43的Sb2S3膜造成腐蚀，所以就形成了针孔。此外，由于该针孔贯通，所以Sb2S3膜作为载流子选择膜的功能会下降。这样就导致暗电流增加，缺损像素增加。另外，氯通过该针孔腐蚀无定形半导体层1的表面后，形成孔洞。 
此外，氯使作为载流子选择性高电阻膜43的Sb2S3膜形成针孔的另一原因是辅助板54接地。在对共用电极42施加正向偏压时，使辅助板54的接地和使其不接地的情况下，辅助板54接地时从共用电极42到辅助板54的电场强度更强。由此，可以认为环氧树脂中的氯离子是被该强电场牵引而集中在共用电极42附近，这种氯腐蚀了Sb2S3膜和无定形半导体层1。 
因此，本案发明了一种放射线检测器，在辅助板上不会积蓄电荷，防止无定形半导体层形成孔洞，防止载流子选择性高电阻膜形成针孔。 
为了达到上述目的，本发明将采取以下构成。 
也就是说，本发明的第1发明的放射线检测器的特征在于，包括：放射线感应型的半导体层，因放射线的入射而生成载流子；高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，并且使载流子选择透过；共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，并且根据所述半导体层生成的载流子按照像素读出的放射线检测信号；固化性合成树脂膜，覆盖所述半导体层、所述高电阻层和所述共用电极的整个露出面；和辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧，所述辅助板的与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性，并且接地。所述固化性合成树脂膜不以氯或含氯的化合物为原料。 
根据第1发明的放射线检测器，由于使辅助板接地，从而在辅助板上不会积蓄电荷，所以从矩阵基板按照像素读出的放射线检测信号中不发生噪声。此外，伴随辅助板接地虽然使固化性合成树脂膜中的电场强度增强，但由于固化性合成树脂膜在其制造过程中不以氯和含氯的化合物为原料，所以作为副生成物的氯在固化性合成树脂膜中没有残留，高电阻膜不被腐蚀。由此，在高电阻膜不会形成针孔，所以暗电流不增加，半导体层不会受到腐蚀而形成孔洞。这样，能够制作出抑制放射线检测信号发生噪声同时还抑制暗电流增加的放射线检测器。 
此外，在上述的放射线检测器中，固化性合成树脂膜也可以使用聚氨酯树脂或丙烯酸树脂。由于这些树脂在其制造过程中不以氯和含氯的化合物为原料，所以高电阻膜不形成针孔。 
此外，在上述的放射线检测器中，优选施加于共用电极的偏压是正向偏压。这样，放射线检测信号的检测精度就会提高。 
此外，在上述的放射线检测器中，矩阵基板也可以采用有源矩阵基板，其由以下各部构成，分别是：像素电极，按照像素收集半导体层中生成的载流子；电容器，积蓄与收集的载流子数目相应的电荷；开关元件，读出被积蓄的电荷；和电极布线，排列成格子状，且与设置在各格子交点的所述开关元件连接。这样，就可以制作出大画面且串扰影响小的放射线检测器。 
此外，在上述的放射线检测器中，半导体层也可以是无定形硒。只要使用无定形硒，就能容易制作出面积大的放射线检测器。 
此外，本发明的作为第2发明的放射线检测器的特征在于，包括：放射线感应型的半导体层，因放射线射入而生成载流子；高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，使载流子选择透过；共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，并且根据所述半导体层中生成的载流子按照像素读出放射线检测信号；保护膜，通过覆盖所述半导体层、所述高电阻膜和所述共用电极的整个露出面，防止离子性物质透过；固化性合成树脂膜，覆盖所述保护膜的整个表面；和辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧。所述辅助板的与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性并且接地。 
根据第2发明的放射线检测器，由于使辅助板接地，从而在辅助板不会积蓄电荷，所以从矩阵基板按照像素读出的放射线检测信号中不发生噪声。此外，由于覆盖半导体层、高电阻层和共用电极的所有露出面的保护膜防止离子性物质透过，所以即使固化性合成树脂膜中存在氯离子，氯离子也无法透过保护膜，所以，高电阻膜不会被腐蚀，不会形成针孔。由此高电阻膜中不形成针孔，所以，暗电流不会增加，半导体层不会受到腐蚀而形成孔洞。这样，能够制作出抑制放射线检测信号发生噪声同时还抑制暗电流增加的放射线检测器。 
此外，作为保护膜也可以形成SiN膜。只要使用SiN膜，离子性物质就会不透过。另外，只要阻挡层在不足40℃的温度下固化，即便半导体层是无定形构造，也不发生结晶。 
此外，固化性合成树脂膜既可以是含有氯离子杂质的环氧树脂，也可以是在其制造过程中不以氯和含氯的化合物为原料的聚氨酯树脂或丙烯酸树脂等。 
根据本发明所涉及的放射线检测器，因为辅助板上没有电荷积蓄，所以从矩阵基板按照像素读出的放射线检测信号中不会发生噪声，由于防止了无定形半导体层形成孔洞，防止了载流子选择性高电阻膜形成针孔，所以本发明可以提供暗电流不增加的放射线检测器。 
附图说明
图1是表示实施例1涉及的放射线检测器的构成的纵截面略图。 
图2是表示实施例1涉及的有源矩阵基板和***电路的电路构成图。 
图3是表示实施例2涉及的放射线检测器的构成的纵截面略图。 
图4是表示现有例涉及的放射线检测器的构成的纵截面略图。 
图5是表示现有例涉及的放射线检测器的载流子选择性高电阻膜的电子显微镜图。 
图6是表示从现有例涉及的放射线检测器的载流子选择性高电阻膜中检测出的元素的说明图。 
图7是表示从现有例涉及的放射线检测器的载流子选择性高电阻膜中检测出的元素的说明图。 
图中： 
1···放射线检测器 
2···偏压供电部 
3···共用电极 
4···载流子选择性高电阻膜 
5···无定形半导体层 
6···像素电极 
7···载流子积蓄用电容器 
8···开关元件 
9···地线 
10···栅极线 
11···数据线 
12···绝缘性基板 
13···有源矩阵基板 
14···固化性合成树脂膜 
15···辅助板 
31···保护膜 
DU···检测元件 
具体实施方式
【实施例1】 
下面，参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。 
图1是表示实施例1涉及的放射线检测器的构成的纵截面略图，图2是表示将放射线检测器内的有源矩阵基板电连接的***电路包含在内的放射线摄像装置的电路构成图。 
如图1所示，实施例1的放射线检测器1在由偏压供电部2施加正向偏压的共用电极3的下层，形成了使载流子选择透过的载流子选择性高电阻膜4，进一步在其下层形成了因放射线射入而生成载流子(电子·空穴对)的无定形半导体层5。也就是说，通过对共用电极3施加正向偏压，从而载流子选择性高电阻膜4和无定形半导体层5就被施加正向偏压。另外，在无定形半导体层5的下层又形成了有源矩阵基板13，该有源矩阵基板13构成为包括：像素电极6，以像素为单位收集载流子；载流子积蓄用电容器7，用来将像素电极6收集的载流子积蓄起来；开关元件8和地线9，与载流子积蓄用电容器7电连接；栅极线10，将起到开关作用的信号送到开关元件8；数据线11，通过开关元件8将积蓄在载流子积蓄用电容 器7上的电荷作为放射线检测信号读出；和绝缘性基板12，用来支撑以上各部分。通过上述有源矩阵基板13，可以根据无定形半导体层5生成的载流子，按照每个像素读出放射线检测信号。无定向半导体层5相当于本发明的放射线感应型半导体层。载流子选择性高电阻膜4相当于本发明的高电阻膜。栅极线10和数据线11相当于本发明的电极布线。有源矩阵基板13相当于本发明的矩阵基板。 
另外，还形成了固化性合成树脂膜14，以便从有源矩阵基板13的绝缘性基板12起，完全覆盖共用电极3、载流子选择性高电阻膜4和无定形半导体层5。此外，在固化性合成树脂膜14的上面形成有辅助板15。 
无定形半导体层5是一种高纯度的a-Se厚膜，电阻率为109Ωcm以上(优选为1011Ωcm以上)，膜厚为0.5mm以上1.5mm以下。该a-Se厚膜能够容易形成大面积的检测区域。此外，如果无定形半导体层5较薄，侧放射线不经转换就会透过，所以，无定形半导体层5采用的是0.5mm以上1.5mm以下稍厚的膜。 
共用电极3和像素电极6由Au、Pt、Ni、In等金属和ITO等形成。当然，无定形半导体层5的材料和电极的材料并不限于上述例示的材料。 
对于载流子选择性高电阻膜4而言，由于被施加的偏压是正向偏压，所以采用阻止空穴注入性能较强的膜。优选高电阻膜4的电阻率为109Ωcm以上，高电阻膜4的膜厚为0.1μm以上5μm以下。一般而言，在以正向偏压使用的情况下，载流子选择性高电阻膜4优选n型(多数载流子为电子)选择膜，但是，在电阻率为109Ωcm以上的高电阻区，一般的规则有时不一定成立，也存在以正向偏压使用p型层会很有效的情况。举例来说，n型层可以是CdS、ZnS等；p型层可以是Sb2Te3、Sb2S3、ZnTe等。在实施例1中，载流子选择性高电阻膜4采用Sb2S3。 
热膨胀系数与绝缘性基板12等同的辅助板15优选其放射线透过性较好，所以使用石英玻璃等。优选厚度为0.5mm以上1.5mm以下。另外，在辅助板15放射线入射侧的表面实施了涂层处理，涂布了具有导电性的碳微粒等，从而辅助板15的放射线入射侧的表面具有导电性。再有，由于该辅助板15的放射线入射侧的表面被接地，所以在辅助板15与固化性合成树脂膜14的接触面的相反面，也就是在放射线入射侧的表面不会积 蓄电荷。 
此外，高耐压的固化性合成树脂膜14在本实施例中是采用聚氨酯树脂(urethane resin)。其原因是：聚氨酯树脂在树脂制造工艺中，不以氯和含氯化合物为原料，因此聚氨酯树脂的副生成物中没有氯残留。此外，使聚氨酯树脂固化时，能在不足40℃的常温下就进行固化，不会使a-Se结晶。固化性合成树脂膜14选择其它树脂时，其固化温度的上限由半导体层5中采用何种半导体决定。由于a-Se容易因热而结晶，所以，在半导体层如上述那样使用a-Se的情况下，固化性合成树脂膜需要选择在不足40℃的常温下进行固化的合成树脂类。 
对于这些固化性合成树脂膜14的形成厚度，如果过薄则其绝缘耐压性能就会降低，如果过厚则入射放射线就会衰减，所以，要求绝缘性基板12与辅助板15之间的间隙是1mm至5mm，优选2mm至4mm。为了正确形成这样的间隙，在绝缘性基板12的周边部设置由ABS树脂等组成的垫片16。通过这样在辅助板15与有源矩阵基板13之间设置垫片16，可以调整间隙。 
像素电极6以二维阵列状形成多个，并且每个像素电极6都设置有：载流子积蓄用电容器7，用来积蓄相应像素电极6所收集的载流子；和开关元件8，用来读出载流子。由此，本实施例的放射线检测器1是二维阵列结构的平板式传感器(参照图2)，作为放射线检测像素的检测元件DU沿X、Y方向排列了多个。因此，每个放射线检测元件都可以进行局部的放射线检测，可以测定出放射线强度的二维分布。 
此外，检测元件DU的开关元件8是起到开关作用的薄膜晶体管(TFT)，其栅极与横向(X)的栅极线10连接，其漏极与纵向(Y)的数据线11连接。 
另外，如图2所示，栅极线10与栅极驱动器17连接，并且数据线11经由电荷-电压转换器群18与多路器19连接。此外，由于放射线传感器部的检测元件DU是根据沿X方向·Y方向的排列对各检测元件DU顺序分配的地址来确定的，所以信号取出用的扫描信号分别是指定X方向地址或Y方向地址的信号。另外，为了便于说明，图2采用了像素量为3×3的矩阵构造，实际上使用大小与放射线检测器1的像素数吻合的有源矩阵基 板13。 
按照Y方向的扫描信号栅极驱动器17对X方向的栅极线10施加取出用的电压，伴随于此以行为单位选择各检测元件DU。并且，通过按照X方向的扫描信号切换多路器19，使被选中的行的检测元件DU的载流子积蓄用电容器14所积蓄的电荷依次通过电荷-电压转换器群18和多路器19，向外部送出。 
也就是说，本实施例的放射线检测器1的放射线检测动作如下。在对无定形半导体层5表面侧的共用电极3施加偏压的状态下，使检测对象的放射线入射时，因放射线射入而生成的载流子(电子·空穴对)在正向偏压所产生的电场作用下，电子向共用电极3侧移动，空穴向像素电极6侧移动。像素电极6侧的载流子积蓄用电容器7将电荷积蓄起来，数量与上述载流子的生成数对应，与此同时，用来读出载流子的开关元件8过渡到导通状态，积蓄电荷经由开关元件8被作为放射线检测信号读出，由电荷-电压转换器群18转换为电压信号。 
当本实施方式的放射线检测器1被作为例如X射线透视摄影装置的X射线检测器使用时，各检测元件DU的检测信号会从多路器19作为像素信号依次被取出，然后，在图像处理部20进行噪声处理等必要的信号处理后，由图像显示部21显示为二维图像(X射线透视图像)。 
此外，在制作本实施例的放射线检测器1时，利用基于各种真空成膜法的薄膜形成技术和基于光刻法的图形化技术，在绝缘性基板12的表面按照顺序叠层形成开关元件8用的薄膜晶体管、载流子积蓄用电容器7、像素电极6、载流子选择性高电阻膜4、无定形半导体层5、载流子选择性高电阻膜4、和共用电极3等。 
对于如上构成的放射线检测器1，由于辅助板15的表面具有导电性而且接地，所以电荷不会积蓄在辅助板15上。因此，从有源矩阵基板13读出的放射线检测信号不会发生噪声。此外，由于固化性合成树脂膜14在其制造过程中不以氯和含氯化合物为原料，所以即便因辅助板15接地使固化性合成树脂膜14中的电场强度增强，载流子选择性高电阻膜4也很难被氯离子腐蚀。由此，载流子选择性高电阻膜4上不形成针孔，无定形半导体层5上不形成孔洞。由于在载流子选择性高电阻膜4不形成针孔， 所以载流子选择性高电阻膜4作为空穴阻挡层的功能不会受损，暗电流不会增加。 
此外，由于固化性合成树脂膜14中使用了常温固化型聚氨酯树脂，所以，在使固化性合成树脂膜14固化时，不会使无定形半导体层5结晶。 
【实施例2】 
下面，参照图3对本发明中的第2实施方式进行说明。图3是表示实施例2涉及的放射线检测器的构成的纵截面略图。在使用与实施例1同样的部件时，图3会以共同符号表示。 
在实施例2中，形成了保护膜31，使得覆盖共用电极3、载流子选择性高电阻膜4和无定形半导体层5的整个表面。另外，还进一步形成了固化性合成树脂膜14，使得覆盖保护层31。 
保护膜31由性质为不使离子性物质透过的物质组成。由于现有的有机膜例如固化性合成树脂膜会使离子性物质透过，所以对于保护膜31，例如SiN膜是适合的。在不足40℃的常温下利用CVD法对SiN进行叠层。根据该结构，即使固化性合成树脂膜14中混入氯离子的杂质，保护膜31也会防止氯离子对载流子选择性高电阻膜4和无定形半导体层5的腐蚀，所以，可以防止针孔和孔洞的形成。 
由于保护膜31的作用，作为副生成物氯离子也可以在固化性合成树脂膜14中残留，因此，材料的选择范围扩大了。例如，固化性合成树脂膜14也可以使用现有的环氧树脂。 
对于如上构成的放射线检测器1，由于保护膜31形成在无定形半导体层5、载流子选择性高电阻膜4和共用电极3的所有露出表面与固化性合成树脂膜14之间，所以可以防止固化性合成树脂膜14的氯对载流子选择性高电阻膜4和无定形半导体层5的腐蚀，从而不会形成针孔和孔洞。由此，载流子选择性高电阻膜4作为空穴阻挡层的功能就不会受损，可以抑制暗电流增加。 
本发明不限于上述实施方式，可以实施如下变形。 
(1)在上述实施例中，辅助板15是接地的，但也可以使辅助板15保持在某个固定的正电位上，该电位低于所施加的正向偏压。如果使辅助 板15保持在某个固定的正电位上，则从有源矩阵基板13读出的放射线检测信号中就不会发生噪声。此外，这样与辅助板15接地的情况相比，共用电极3到辅助板15的电场强度会减弱，氯离子到达共用电极3的时间会延迟，载流子选择性高电阻膜4很难形成针孔。 
(2)在上述实施例中，固化性合成树脂膜14采用了聚氨酯树脂，但也可以采用丙烯酸树脂。其原因是：丙烯酸树脂在树脂制造工艺中，不以氯和含氯化合物为原料，所以氯不会作为副生成物残留。此外，丙烯酸树脂固化时，可以在不足40℃的常温下进行固化，从而不会使a-Se结晶。此外，出于相同的理由，还可以采用光固化型丙烯酸树脂。 
(3)在上述实施例中，作为矩阵基板采用了有源矩阵基板16，但也可以采用无源矩阵基板。 

Claims (14)

1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
放射线感应型的半导体层，因放射线的入射而生成载流子；
高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，并且使载流子选择透过；
共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；
矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，并且根据所述半导体层生成的载流子按照像素读出放射线检测信号；
固化性合成树脂膜，覆盖所述半导体层、所述高电阻膜和所述共用电极的整个露出面；和
辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧，
所述辅助板，与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性，并且接地，
所述固化性合成树脂膜不以氯或含氯的化合物为原料。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述固化性合成树脂膜是聚氨酯树脂或丙烯酸树脂。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，
施加于所述共用电极的偏压是正向偏压。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述矩阵基板是有源矩阵基板，由以下各部构成，分别是：
像素电极，按照像素收集在所述半导体层生成的载流子；
电容器，积蓄与所述像素电极收集的载流子数量相应的电荷；
开关元件，读出所述电容器中积蓄的电荷；和
电极布线，排列成格子状，且与设置在各格子交点的所述开关元件连接。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述半导体层是无定形硒。
6.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
放射线感应型的半导体层，因放射线的入射而生成载流子；
高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，并且使载流子选择透过；
共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；
矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，根据所述半导体层生成的载流子按照像素读出放射线检测信号；
保护膜，通过覆盖所述半导体层、所述高电阻膜和所述共用电极的整个露出面，防止离子性物质透过；
固化性合成树脂膜，覆盖所述保护膜的整个表面；和
辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧，
所述辅助板，与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性，并且接地。
7.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述保护膜是SiN膜。
8.根据权利要求6或7所述的放射线检测器，其特征在于，
所述保护膜在不足40℃的温度下形成。
9.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述固化性合成树脂膜是环氧树脂。
10.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述固化性合成树脂膜不以氯或含氯的化合物为原料。
11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其特征在于，
所述固化性合成树脂膜是聚氨酯树脂或丙烯酸树脂。
12.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
施加于所述共用电极的偏压是正向偏压。
13.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述矩阵基板是有源矩阵基板，由以下各部构成，分别是：
像素电极，按照像素收集在所述半导体层生成的载流子；
电容器，积蓄与所述像素电极收集的载流子数量相应的电荷；
开关元件，读出所述电容器中积蓄的电荷；和
电极布线，排列成格子状，且与设置在各格子交点的所述开关元件连接。
14.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述半导体层是无定形硒。
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