CN102108556B - 一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法 - Google Patents

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叶权华
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Abstract

本发明涉及一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，包括如下步骤：硅片在进入清洗槽前，对其表面喷射去离子水，再将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过，最后用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。采用本发明的方法，在清洗硅片时能更好保护硅片表面不被腐蚀，防止药液稀释，减少了药液用量。

Description

一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造的技术领域，提供一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法。
背景技术
目前，半导体行业一般都采用悬挂链式清洗机清洗硅片，这样清洗数量多，速度快。硅片在清洗过程中因工艺的需要，要用到一些酸碱溶液作为药液，由于不是整张硅片都浸在药液中，从而在清洗硅片时药液和硅片会反应产生一些气体，此种气体对裸露在药液外的硅片表面会产生腐蚀作用而影响到硅片的表面质量。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为克服现有技术的不足，本发明提供一种添加硅片表面保护液体、均衡硅片表面载液量的防止药液稀释和保护硅片表面的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，包括如下步骤：
第一步、硅片在进入清洗槽前，对其表面喷射去离子水，用量为10ml～15ml；
第二步、将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过，硅片表面的载液量为6～8g；
第三步、用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。
进一步地，所述的浸入药液的那部分硅片长度为整个硅片长度的二分之一。
进一步地，清洗硅片的设备为悬挂链式清洗机。
本发明的有益效果是：硅片清洗时，裸露在药液外的部分由于覆盖有去离子水作为保护膜，清洗用的酸碱溶液与硅片反应产生的气体不易对裸露部分的硅片表面进行腐蚀，有效地保护了硅片的表面质量。
用去离子水作为硅片表面的保护液体，成本低，效果好；将表面载有去离子水的硅片从两滚轮中间的间隙经过，可以刮去多余去离子水，也使去离子水在硅片表面分布更均匀，更好保护硅片表面不被腐蚀。由于去离子水在硅片浸入清洗槽前喷射，且浸入药液的那部分硅片的去离子水被刮干，所以不会使清洗用的药液稀释，也就减少了药液用量。
因此，采用本发明的方法，在清洗硅片时能更好保护硅片表面不被腐蚀，防止药液稀释，减少了药液用量。
具体实施方式
现在结合具体实施例对本发明作进一步说明，以下实施例旨在说明本发明而不是对本发明的进一步限定。
一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，包括如下步骤：
第一步、硅片在进入清洗槽前，对其表面喷射去离子水，用量为10ml～15ml；
第二步、将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过，硅片表面的载液量为6～8g；
第三步、用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。
本发明采用悬挂链式清洗机对硅片进行清洗，全自动化设施，方便、安全、高效。
硅片清洗时，裸露在药液外的部分由于覆盖有去离子水作为保护膜，清洗用的酸碱溶液与硅片反应产生的气体不易对裸露部分的硅片表面进行腐蚀，有效地保护了硅片的表面质量。
用去离子水作为硅片表面的保护液体，成本低，效果好；将表面载有去离子水的硅片从两滚轮中间的间隙经过，可以刮去多余去离子水，也使去离子水在硅片表面分布更均匀，更好保护硅片表面不被腐蚀。由于去离子水在硅片浸入清洗槽前喷射，且将要浸入药液的二分之一硅片的去离子水擦干，所以不会使药液稀释，也就减少了药液用量。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (3)

1.一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，其特征在于：包括如下步骤：
第一步、硅片在进入清洗槽前，对其表面喷射去离子水，用量为10ml～15ml；
第二步、将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过，硅片表面的载液量为6～8g；
第三步、用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，其特征在于：所述的浸入药液的那部分硅片长度为整个硅片长度的二分之一。
3.根据权利要求1所述的一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法，其特征在于：清洗硅片的设备为悬挂链式清洗机。
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Assignee: Yancheng Trina Solar Technology Co., Ltd.

Assignor: Changzhou Trina Solar Ltd.

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Denomination of invention: Method for preventing liquor from being diluted and protecting surface of silicon wafer

Granted publication date: 20130424

License type: Exclusive License

Record date: 20130926

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Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee before: Changzhou Trina Solar Ltd.