CN102097923B - 一种具有零关断电流的驱动电路及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种具有零关断电流的驱动电路及其驱动方法，所述的驱动电路包括线性调节电路，用以接收输入电压源以在第一输出端产生一恒定的输出电压；以及第一功率开关，用以接收所述输出电压和外部使能信号，以在第二输出端产生驱动逻辑电路的内部使能信号；所述驱动电路通过配置一开启电路，使得外部使能信号在大于一定的开启阈值后，驱动电路开始工作，即开始输出电压信号以及共内部逻辑电路使用的内部使能信号；而当外部使能信号为低时，即芯片处于关断模式时，驱动电路不工作，没有输出电压以及所述使能信号；本发明在芯片关断模式时，没有偏置电流，即其关断电流为零，因而没有因该偏置电流而导致的额外的功率损耗。

Description

一种具有零关断电流的驱动电路及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种电子电路，尤其涉及一种具有零关断电流的驱动电路及其驱动方法。

背景技术

对于集成电路芯片，一般具有输入引脚、使能引脚以及接地引脚，其中，输入引脚接收外部输入电压源、使能引脚接收外部使能信号，接地引脚连接至地。在集成电路芯片内部，一般需要内部驱动电路将接收到的外部输入电压转换为一定数值的供电电压以驱动下级芯片电路内部器件；以及接收外部使能信号并将其转换为一定的使能信号以驱动下级逻辑电路。

图1所示为采用现有技术的一种芯片内部的驱动电路，其中输入管脚VIN端接收外部电压源V_IN，GND端连接至地，EN端接收外部使能信号。通过所述驱动电路以在V_DD端输出一电压信号以给芯片内部器件供电，以及在CHIP_ENABLE端输出一使能信号以驱动内部逻辑电路。所述驱动电路大体包括线性调节电路、电流镜以及功率开关等部分。其中，功率开关M1、晶体管Q0、Q1、Q2、Q3以及电阻R1、R2组成所述线性调节电路，晶体管M3和M4组成所述电流镜电路，晶体管M4作为功率开关。

图1所示的驱动电路的工作过程为：当输入电压V_IN大于功率开关M3的开启电压V_TP后，在电阻R0上产生电流I₀，其数值为：

I₀＝V_IN-V_TP/R₀          (1)

其中V_TP为晶体管M3的开启电压；

电流I₀经过由晶体管M3和晶体管M2组成的电流镜进行镜像处理后，输出一镜像电流给所述线性调节电路，以作为所述线性调节电路的偏置电流，从而在V_DD端输出一输出电压。功率开关M4的栅极连接至V_DD，漏极连接至外部使能信号EN，源极连接至串联连接的两个反相器IV0和IV1，反相器IV0的输出作为输出的内部使能信号CHIP-ENABLE。

采用图1所示的现有的一种芯片内部的驱动电路，在其正常工作状态时，线性调节电路接收偏置电流以输出电压信号，功率开关M4接收外部使能信号和输出电压以输出内部使能信号。但是，当芯片处于关断模式时，作为偏置电流来源的电流I₀(数值为(V_IN-V_TP)/R₀)继续存在，因此电路不可避免的会持续消耗一定的功率。对于输入电压源为电池等类似此类总能量固定的供电电源，关断模式时消耗的功率减小了该类电源的使用寿命。

并且，由于偏置电流(V_IN-V_TP)/R₀随着输入电压源变化，因此线性调节电路的线性调节效果不佳；当供电电源电压较高时，功率损耗相对也较大。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有零关断电流的驱动电路及其驱动方法，它通过配置一开启电路，使得外部使能信号在大于一定的开启阈值后，驱动电路才开始工作，即输出电压信号V_DD以及内部使能信号CHIP-ENABLE；而当外部使能信号为低时，即芯片处于关断模式时，驱动电路不工作，没有电压以及使能信号输出。

依据本发明一实施例的一种具有零关断电流的驱动电路，它包括：

线性调节电路，接收输入电压源以在第一输出端产生一恒定的输出电压；

开启电路，其具有一开启阈值，与所述外部使能信号连接；

当所述外部使能信号小于所述开启阈值时，所述驱动电路不工作；

当所述外部使能信号大于所述开启阈值时，所述开启电路开始工作，并产生第一电流，所述线性调节电路根据所述第一电流以在所述第一输出端产生一输出电压；

第一功率开关，接收所述线性调节电路的输出电压和所述外部使能信号，以在第二输出端产生驱动逻辑电路的内部使能信号。

优选的，所述驱动电路进一步包括第一电流镜，其分别与所述输入电压源、线性调节电路以及所述开启电路连接，用以当所述外部使能信号大于所述开启阈值时，将产生的第一电流进行镜像处理以得到第一镜像电流，然后输入到所述线性调节电路，作为所述线性调节电路的偏置电流。

优选的，所述第一功率开关为P型MOSFET晶体管，其栅极与所述第一输出端连接，漏极与所述外部使能信号连接，源极作为所述第二输出端。

优选的，所述驱动电路进一步包括串联连接的第一反相器和第二反相器，所述第一功率开关的源极连接所述第一反相器，所述第二反相器的输出作为所述第二输出端。

优选的，所述开启电路包括串联连接的第二功率开关和第一电阻，所述第二功率开关分别与所述外部使能信号、第一电阻的一端和所述第一电流镜连接，所述第一电阻的另一端接地。

优选的，所述第二功率开关为P型MOSFET晶体管，其栅极与所述外部使能信号连接，源极与所述第一电阻连接，漏极与所述输入电压源连接；当外部使能信号大于所述第二功率开关的开启阈值电压时，所述第二功率开关管导通，流过所述第一电阻的电流为所述第一电流，以作为输入至所述线性调节电路的偏置电流的来源。

优选的，所述驱动电路进一步包括一反馈电路，所述反馈电路分别与启动电路和第一电流镜连接；当所述外部使能信号大于所述开启电路的开启阈值时，开始产生所述第一电流，经过第一电流镜输出第一镜像电流；所述反馈回路接收所述第一镜像电流，并产生一数值基本恒定的第二电流。

优选的，所述驱动电路进一步包括第二电流镜，其分别与所述第一电流镜、输入电压源和所述反馈电路连接，用以将所述反馈电路产生的所述第二电流进行镜像处理以得到第二镜像电流，然后再输入至所述线性调节电路，作为线性调节电路的偏置电流。

优选的，所述反馈电路进一步包括一双极型晶体管、第二电阻、第三功率开关和第四功率开关；

所述双极型晶体管的基极与所述第一电阻连接，发射极接地，基极与所述第二电阻的一端连接；

所述第二电阻的另一端连接至所述第三功率开关的栅极和第四功率开关源极的公共连接点；

所述第三功率开关的源极接地，漏极连接至所述第一电流镜；

所述第四功率开关的栅极连接至所述第一电流镜，漏极连接至所述第二电流镜；

当外部使能信号大于所述第二功率开关和所述双极型晶体管的两者的开启电压之和时，所述开启电路开始启动，以在第一电流镜的第一侧产生所述第一电流，所述第三功率开关和第四功率开关接收所述第一电流，然后通过负反馈操作对所述第三功率开关的栅极电压进行箝位，并在第四功率开关侧产生所述第二电流；所述第二电流与所述第三功率开关的阈值电压成正比，与所述第二电阻和所述双极型晶体管的导通电阻之和成反比例关系。

优选的，所述双极型晶体管为NPN型双极型晶体管，所述第三功率开关和第四功率开关为P型MOSFET晶体管。

以下为依据本发明一实施例的一种具有零关断电流的驱动方法，该驱动方法包括以下步骤：

步骤(1)：接收外部使能信号，并判断外部使能信号；

步骤(2)：(2A)：当外部使能信号的电压小于开启阈值电压时，芯片不启动，即没有供给芯片内部的电压输出，也没有驱动内部逻辑的内部使能信号输出；

(2B)：当外部使能信号的电压大于开启阈值电压时，开始产生第一电流；

步骤(3)：线性调节电路根据所述第一电流，以在第一输出端产生一基本恒定的输出电压；

步骤(4)：外部使能信号和所述输出电压驱动第一功率开关，以在第二输出端产生驱动内部逻辑的内部使能信号。

优选的，所述步骤(2)后进一步包括，对所述第一电流进行镜像处理以得到第一镜像电流，所述第一镜像电流作为输入至线性调节电路的偏置电流。

优选的，步骤(2)中所述开启阈值为第二功率开关的阈值电压，当外部使能信号小于第二功率开关的阈值电压时，所述功率开关保持关断，没有第一电流产生。当外部使能信号大于第二功率开关的阈值电压时，所述第二功率开关导通，然后通过一输入电阻产生所述第一电流。

优选的，所述步骤(2)后进一步包括，所述第一镜像电流启动一反馈电路，通过反馈操作实现对反馈电路的箝位，以产生一数值基本恒定的第二电流。

优选的，对所述第二电流进行镜像处理以得到第二镜像电流，所述第二镜像电流作为输入至所述线性调节电路的偏置电流。

优选的，所述反馈电路包括连接在第一电流镜和第二电流镜之间的第三功率开关和第四功率开关。

当外部使能信号大于开启阈值电压时，第三功率开关和第四功率开关接收所述第一镜像电流，然后通过负反馈操作对第三功率开关的栅极电压进行箝位，以在第二电流镜侧以产生基本恒定的偏置电流给所述线性调节电路。

采用本发明的技术方案，至少可以实现以下有益效果：

(1)在芯片关断模式时，没有偏置电流，即其关断电流为零，因而没有因该偏置电流而导致的额外的功率损耗；

(2)并且，在芯片正常工作时，偏置电流不会随着输入电压源的变化而变化，因此线性电路的线性调节效果较佳，功率损耗也较小，电路转换效率较高。

附图说明

图1所示为现有技术的一种具有零关断电流的驱动电路的原理图；

图2所示为依据本发明的一种具有零关断电流的驱动电路的第一实施例的原理框图；

图3所示为依据本发明的一种具有零关断电流的驱动电路的第二实施例的原理框图；

图4所示为依据本发明的一种具有零关断电流的驱动方法的第一实施例的流程图；

图5所示为依据本发明的一种具有零关断电流的驱动方法的第二实施例的流程图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行了详细描述，但本发明并不仅仅限于这些实施例。本发明涵盖任何在本发明的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。为了使公众对本发明有彻底的了解，在以下本发明优选实施例中详细说明了具体的细节，而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本发明。

图2所示为依据本发明的具有零关断电流的驱动电路的第一实施例。在该实施例中，所述驱动电路由线性调节电路、第一功率开关管、启动电路以及一电流镜等几部分组成。

其中，所述线性调节电路具体包括，功率开关管M1，双极型晶体管Q0、Q1、Q2和Q3；以及串联在功率开关管M1和双极型晶体管Q2之间的电阻R2；以及串联在双极型晶体管Q1和地之间的电阻R1。所述线性调节电路接收输入电压V_IN，以在第一输出端产生一输出电压V_DD。

在该实施例中，第一功率开关管M4以P型MOSFET为例，其栅极连接第一输出端以输出一基本恒定的输出电压V_DD，漏极连接外部使能信号EN，源极连接至反相器IV0和IV1，然后输出一驱动内部逻辑的数字使能信号CHIP_ENABLE。

启动电路具体包括，第二功率开关管M0和第一电阻R0，以第二功率开关M0为P型MOSFET为例，其栅极连接至外部使能信号EN，源极通过第一电阻R0连接至地。

第一电流镜CM1具体包括，共栅共源连接的功率开关管M2和M3，其源极连接至输入电压源V_IN，功率开关管M3的漏极分别与第二功率开关管M0的漏极、M2和M3的栅极连接公共点连接，功率开关管M2的漏极连接至第一功率开关管M1的栅极。

图2所示的驱动电路的工作过程为：

当外部使能信号EN为低时，所述驱动电路没有电流，输出电压V_DD为零。

当外部使能信号EN由低电平变为高电平时，启动电路开始工作，即外部使能信号EN的高电平的电压值大于所述第二功率开关M0的开启阈值电压V_TP时，第二功率开关管M0开始导通，并在电流镜CM3的第一侧即功率开关管M3侧产生第一电流I₀，

$I_0=\frac{{\mathrm{EN}-V}_{\mathrm{TP}\_M0}}{R_0}---\left(2\right)$

通过电流镜的镜像作用，在电流镜的另一侧即功率开关管M2侧产生镜像电流I₁，所述镜像电流I₁作为偏置电流I_bias输入至所述线性调节电路，从而线性调节电路开始进行线性调节，然后在所述第一输出端产生一基本恒定的输出电压V_DD。

根据线性调节电路的原理以及镜像原理，可以得到流过功率开关管M1的电流为I₂为：

$I_2=\frac{V_{\mathrm{BEQ}0}-V_{\mathrm{BEQ}1}}{R1}---\left(3\right)$

则第一输出端V_DD的输出电压为：

V_DD＝2V_BEQ2+I₂×R₂       (4)

同时，V_DD电压施加于第一功率开关管M4的栅极，外部使能信号EN施加于其漏极，从而在其漏极处通过串联连接的两个反相器IV1和IV0产生一驱动芯片内部逻辑的使能信号CHIP_ENABLE。

从该优选实施例的工作过程可以推知，由于启动电路的设置，使得在小于启动阈值时，即芯片处于关断模式时，线性调节电路不工作，电路中没有电流，从而没有额外的功率损耗。只有在外部使能信号大于一定的启动阈值时，电路开始启动。可见，该启动阈值与所述第二功率开关管的开启阈值电压有关，并且第一电流I₀，即由M0阈值电压V_TP与电阻R0确定的电流，需要保证提供给线性调节电路启动所需的偏置电流。

通常，外部使能信号EN的幅值较小，一般为0.4V至1.5V之间，因此，为了保证给线性调节电路提供足够的偏置电路，电阻R0必须具有较小的电阻值；或者，电流镜CM1必须具有较大的放大系数。但是，采用这种方式，当EN引脚和V_IN输入引脚连接至一起的应用场合，所述驱动电路会产生很高的静态电流。综上所述，图2所示的优选实施例尤其适用于输入电压源V_IN范围较窄，并且使能信号EN幅值固定的应用场合。

参考图3，所示为依据本发明的另一较佳实施例的驱动电路的原理框图。在该优选实施例中，在图2所示的实施例的基础上，在启动电路和线性调节电路之间增加了反馈电路和第二电流镜CM2。

其中，第二电流镜CM2具体包括，功率开关管M5和M6，用以将反馈电路产生的电流进行镜像处理后，再输入至所述线性调节电路作为其偏置电流。

其中，所述反馈电路具体包括，第三功率开关管M7和第四功率开关管M8，以及第二电阻R3和NPN型双极型晶体管Q4。

其中，以P型MOSFET晶体管为例，第三功率开关管M7和第四功率开关管M8分别连接在电流镜CM1和CM2之间，即第四功率开关管M7的栅极连接至电流镜CM1，漏极连接至电流镜CM2，源极连接至第三功率开关管M8的栅极和电阻R3的公共连接点。第三功率开关管M8的漏极连接至电流镜CM1，源极连接至地；第二电阻R3的另一端连接至NPN型双极型晶体管的集电极，NPN型双极型晶体管的发射极接地，基极连接至第一电阻R4的一端。

所述反馈电路用以接收启动电路产生的启动电流，并产生输入至线性调节电路的一基本恒定的偏置电流；

图3所示的驱动电路的实施例的工作过程为：与图2所示的实施例类似，当外部使能信号EN为低时，所述驱动电路没有电流，输出电压V_DD为零。

当外部使能信号EN由低电平变为高电平时，如果此时高电平的电压值大于所述第二功率开关管M0的开启阈值电压V_TP和NPN双极型晶体管的阈值电压V_BE之和时，通过第一电阻R0产生启动电流I₀；然后启动电流I₀流过晶体管Q4的基极。其中电流I₀的数值为：

$I_0=\frac{{\mathrm{EN}-V}_{\mathrm{TP}\_M0}-V_{\mathrm{BEQ}4}}{R_4}---\left(5\right)$

当第二功率开关M0闭合后，开始有电流流过功率开关管M2和M3，交替将第四功率开关管M7的栅极电压抬高。然后，开始有电流流过第四功率开关管M7，使得第三功率开关管M8的栅极电压升高；第三功率开关管M8栅极电压的升高又将第四功率开关管M7的栅极电压拉低；如此反复。反馈回路将第三功率开关管M8的栅极电压箝位至略高于它的开启阈值电压V_TP。因此，流过第四功率开关管M7漏极的电流I₁基本为一恒定值，其数值为：

$I_1=\frac{V_{\mathrm{TP}\_M8}}{R_3+R_{\mathrm{on}\_Q4}}---\left(6\right)$

电流I₁通过由功率开关管M5和M6组成的电流镜CM2进行镜像处理后，产生第二镜像电流作为偏置电流输入至所述线性调节电路，从而在第一输出端产生一基本恒定的输出电压VDD。

同上所述，根据线性调节电路的工作原理可以推知，流过电阻R2的电流I₂为：

$I_2=\frac{V_{\mathrm{BEQ}0}-V_{\mathrm{BEQ}1}}{R_1}---\left(7\right)$

因此，第一输出端的输出电压为：

V_DD＝2V_BEQ2+I₂×R₂        (8)

可见，作为线性调节电路偏置电流来源的电流I₁不受输入电压源影响，基本维持以恒定值，因此，线性调节电路的线性调节效果较好。

在本实施例中，晶体管Q4采用NPN型双极型晶体管。与采用N型MOSFET晶体管相比较，工作过程中，双极型晶体管的基极电压小于其开启阈值电压V_BE，N型MOSFET的栅极会大于其开启阈值电压VTN。对于外部使能信号EN与输入电压源V_IN连接的应用场合，如果采用N型MOSFET晶体管，则其栅极氧化层在输入电压源V_IN较高时(如大于6V)时，会很容易的发生断裂。因此，在图3所示的实施例中，晶体管Q4采用的是NPN型双极型晶体管，其应用范围更广，但是对于输入电压源较低的场合，其他类型的晶体管也同样适用，如N型MOSFET晶体管。

在图2和图3所示的依据本发明的优选实施例中，线性调节电路的实现方式可以为已知的线性调节功能的各种电路拓扑结构，依据本发明的驱动电路并不限制线性调节电路的电路拓扑结构仅为图2和图3所示的结构。

以下结合附图详细说明依据本发明的芯片驱动方法。

参考图4，400所示为依据本发明的芯片驱动方法的第一实施例的流程图。在该实施例中，芯片驱动方法包括以下步骤：

步骤401：接收外部使能信号，并判断外部使能信号是否大于开启阈值；

步骤402-1：如果外部使能信号小于开启阈值，则驱动电路不启动；

步骤402-2：如果外部使能信号大于开启阈值，则启动电路开始工作，并产生第一电流；

步骤403：对第一电流进行镜像处理，得到第一镜像电流，并输入至线性调节电路，作为线性调节电路的偏置电流；

步骤404：线性调节电路接收第一镜像电流，并在第一输出端输出一基本恒定的输出电压信号；

步骤405：第一功率开关根据外部使能信号和线性调节电路的输出电压信号，产生一驱动芯片内部逻辑的使能信号。

采用400所示的芯片驱动方法，使得在外部使能信号小于启动阈值时，即芯片处于关断模式时，线性调节电路不工作，电路中没有电流，从而没有额外的功率损耗。只有在外部使能信号大于一定的启动阈值时，电路开始启动。

参考图5，500所示为依据本发明的芯片驱动方法的第二实施例的流程图。在该实施例中，芯片驱动方法包括以下步骤：

步骤501：接收外部使能信号，并判断外部使能信号是否大于开启阈值；

步骤502-1：如果外部使能信号小于开启阈值，则驱动电路不启动；

步骤502-2：如果外部使能信号大于开启阈值，则启动电路开始工作，并产生第一电流；

步骤503：对第一电流进行镜像处理，得到第一镜像电流；

步骤504：所述第一镜像电流启动一反馈电路，通过反馈操作实现对反馈电路的箝位，以产生一基本恒定的第二电流；

作为线性调节电路偏置电流来源的第二电流不受输入电压源影响，基本维持一恒定值，因此，线性调节电路的线性调节效果较好。

步骤505：对第二电流进行镜像处理以得到第二镜像电流，并输入至线性调节电路；

步骤506：线性调节电路接收所述第二镜像电流，以在第一输出端产生一基本恒定的输出电压；

步骤507：第一功率开关根据外部使能信号和线性调节电路的输出电压信号，产生一驱动芯片内部逻辑的使能信号。

采用500所示的芯片驱动方法，使得在外部使能信号小于启动阈值时，即芯片处于关断模式时，线性调节电路不工作，电路中没有电流，从而没有额外的功率损耗。只有在外部使能信号大于一定的启动阈值时，电路开始启动。并且，由于第二电流的数值基本维持恒定，所以该实施例广泛适用于各种范围输入电压源以及外部使能信号EN。

以上特定实施例通过图示和文字描述对本发明的驱动电路及其控制方法进行了详细描述。这些实施例并不是完全详尽的，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据上述教导，可以做很多的修改和变化，例如电流镜的数目可以增加或者减少；功率开关管的类型等根据应用的不同均可以作相应的替换。

本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了最好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能最好地利用这个发明。修改的实施例同样也适用于预期的特定应用。本发明的范围为权利要求书全部范围以及其等效物。

Claims (16)

1.一种具有零关断电流的驱动电路，其特征在于，包括：

线性调节电路，接收输入电压源以在第一输出端产生一恒定的输出电压；

开启电路，其具有一开启阈值，与一外部使能信号连接；

当所述外部使能信号小于所述开启阈值时，所述驱动电路不工作；

当所述外部使能信号大于所述开启阈值时，所述开启电路开始工作，并产生第一电流，所述线性调节电路根据所述第一电流以在所述第一输出端产生一输出电压；

第一功率开关，接收所述线性调节电路的输出电压和所述外部使能信号，以在第二输出端产生驱动逻辑电路的内部使能信号。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括第一电流镜，其分别与所述输入电压源、线性调节电路以及所述开启电路连接，用以当所述外部使能信号大于所述开启阈值时，将产生的第一电流进行镜像处理以得到第一镜像电流，然后输入到所述线性调节电路，作为所述线性调节电路的偏置电流。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关为P型MOSFET晶体管，其栅极与所述第一输出端连接，漏极与所述外部使能信号连接，源极作为所述第二输出端。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括串联连接的第一反相器和第二反相器，所述第一功率开关的源极连接所述第一反相器，所述第二反相器的输出作为所述第二输出端。

5.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述开启电路进一步包括串联连接的第二功率开关和第一电阻，所述第二功率开关分别与所述外部使能信号、第一电阻的一端和所述第一电流镜连接，所述第一电阻的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述第二功率开关为P型MOSFET晶体管，其栅极与所述外部使能信号连接，源极与所述第一电阻连接，漏极与所述输入电压源连接；当外部使能信号大于所述第二功率开关的开启阈值电压时，所述第二功率开关管导通，流过所述第一电阻的电流为所述第一电流，以作为输入至所述线性调节电路的偏置电流的来源，输入至所述线性调节电路。

7.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括一反馈电路，所述反馈电路分别与启动电路和第一电流镜连接；当所述外部使能信号大于所述开启电路的开启阈值时，开始产生所述第一电流，经过第一电流镜输出第一镜像电流；所述反馈回路接收所述第一镜像电流，并产生一数值基本恒定的第二电流。

8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括第二电流镜，其分别与所述第一电流镜、输入电压源和所述反馈电路连接，用以将所述反馈电路产生的所述第二电流进行镜像处理以得到第二镜像电流，然后再输入至所述线性调节电路，作为线性调节电路的偏置电流。

9.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述反馈电路进一步包括一双极型晶体管、第二电阻、第三功率开关和第四功率开关；

所述双极型晶体管的基极与所述第一电阻的另一端连接，发射极接地，基极与所述第二电阻的一端连接；

所述第二电阻的另一端连接至所述第三功率开关的栅极和第四功率开关源极的公共连接点；

所述第三功率开关的源极接地，漏极连接至所述第一电流镜；

所述第四功率开关的栅极连接至所述第一电流镜，漏极连接至所述第二电流镜；

当外部使能信号大于所述第二功率开关和所述双极型晶体管的两者的开启电压之和时，所述开启电路开始启动，以在第一电流镜的第一侧产生所述第一电流，所述第三功率开关和第四功率开关接收所述第一电流，然后通过负反馈操作对所述第三功率开关的栅极电压进行箝位，以在第四功率开关侧产生所述第二电流，所述第二电流与所述第三功率开关的阈值电压成正比，与所述第二电阻和所述双极型晶体管的导通电阻之和成反比例关系。

10.根据权利要求9所述的驱动电路，其特征在于，所述双极型晶体管为NPN型双极型晶体管，所述第三功率开关和第四功率开关为P型MOSFET晶体管。

11.一种具有零关断电流的驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤（1）：接收外部使能信号，并判断外部使能信号；

步骤（2）：

（2A）：当外部使能信号的电压小于开启阈值电压时，芯片不启动，即没有供给芯片内部的电压输出，也没有驱动内部逻辑的内部使能信号输出；

（2B）：当外部使能信号的电压大于开启阈值电压时，开始产生第一电流；

步骤（3）：线性调节电路根据所述第一电流，以在第一输出端产生一基本恒定的输出电压；

步骤（4）：外部使能信号和所述输出电压驱动第一功率开关，以在第二输出端产生驱动内部逻辑的内部使能信号。

12.根据权利要求11所述的驱动方法，其特征在于，所述步骤（2）后进一步包括，对所述第一电流进行镜像处理以得到第一镜像电流，所述第一镜像电流作为输入至线性调节电路的偏置电流。

13.根据权利要求11所述的驱动方法，其特征在于，

步骤（2）中所述开启阈值为第二功率开关的阈值电压，当外部使能信号小于第二功率开关的阈值电压时，所述第二功率开关保持关断，没有第一电流产生；

当外部使能信号大于第二功率开关的阈值电压时，所述第二功率开关导通，然后通过一输入电阻产生所述第一电流。

14.根据权利要求12所述的驱动方法，其特征在于，所述步骤（2）后进一步包括，所述第一镜像电流启动一反馈电路，通过反馈操作实现对反馈电路的箝位，以产生一基本恒定的第二电流。

15.根据权利要求14所述的驱动方法，其特征在于，进一步包括，对所述第二电流进行镜像处理以得到第二镜像电流，所述第二镜像电流作为输入至所述线性调节电路的偏置电流。

16.根据权利要求14所述的驱动方法，其特征在于，所述反馈电路包括连接在第一电流镜和第二电流镜之间的第三功率开关和第四功率开关；

当外部使能信号大于开启阈值电压时，第三功率开关和第四功率开关接收所述第一镜像电流，然后通过负反馈操作对第三功率开关的栅极电压进行箝位，以在第二电流镜侧以产生基本恒定的偏置电流给所述线性调节电路。

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