CN102077103A - 半导体测定装置以及方法 - Google Patents

半导体测定装置以及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102077103A
CN102077103A CN2009801254178A CN200980125417A CN102077103A CN 102077103 A CN102077103 A CN 102077103A CN 2009801254178 A CN2009801254178 A CN 2009801254178A CN 200980125417 A CN200980125417 A CN 200980125417A CN 102077103 A CN102077103 A CN 102077103A
Authority
CN
China
Prior art keywords
detector
unit
electronic
electronic unit
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801254178A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102077103B (zh
Inventor
清水寿治
藤森昭一
青木秀宪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Pioneer Corp
PFA Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Pioneer FA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp, Pioneer FA Corp filed Critical Pioneer Corp
Publication of CN102077103A publication Critical patent/CN102077103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102077103B publication Critical patent/CN102077103B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明用于同时测定多个电子部件的电特性。本发明的半导体测定装置(1)具备:搭载单元(100),搭载多个电子部件(500);第1移动单元(110),能够使搭载单元与搭载电子部件的面平行地移动;第1探测器(200),通过与一个电子部件接触而测定特性;第2探测器(300),通过与其他电子部件接触而测定特性;第2移动单元(320),能够使第2探测器与搭载电子部件的面平行地移动;第3移动单元(110),能够使搭载单元在与搭载所述电子部件的面正交的方向上移动。第1移动单元移动搭载单元,以使一个电子部件与第1探测器相对。第2移动单元移动第2探测器,以使第2探测器与其他电子部件相对。第3移动单元移动搭载单元,以使第1和第2探测器分别与所对应的电子部件接触。

Description

半导体测定装置以及方法
技术领域
本发明涉及半导体测定装置以及方法的技术领域,将探针与经切断处理分割而成的芯片等电子部件接触而测量电特性。
背景技术
以往,为了对如在半导体晶片上形成的多个半导体芯片等电子部件各自的电特性进行测定,使用通过探针实施触针而测定该电子部件的电特性的具备探测器的半导体测定装置。根据这种测定,可在装配工序之前排除被判定为特性不良的半导体芯片,其结果实现降低成本、提高生产率等。
通常使用如下的探测装置:通过将搭载有作为测定对象的芯片的工作台相对于固定配置在探测装置中的具有探针的探测卡移动,从而使设于芯片的电极部等测定部位能够与探测器的探针进行触针。这种背景下,大多通过探测器对芯片测定电特性的同时,通过如光电探测器等光学测定装置对芯片实施测定。这种光学测定装置必须被配置成能够测定探测器探针的触针位置。因此,制成固定探测器并使搭载芯片的工作台相对于该探测器移动的结构,从而能将这种光学测定装置也固定配置。所以这种情况有助于很好地防止探测装置机构的复杂化。
如上所述,作为使用这种探测装置的背景要求提高生产率。为了实现生产率的提高,在测定作为测定对象的芯片的电特性时,不仅要求正确,还要求快速。鉴于这些情况,例如已提出具备多个测定用探测器且可同时测量多个芯片的电特性的结构的探测装置。
关于这种具备多个探测器的探测装置,为了简化只考虑具备两个探测器的探测装置的情况。根据这种探测装置的动作,在1次的接触中相邻的两个芯片分别与所对应的探测器的探针进行触针。此时,以一个探测器的探针与所对应的一个芯片的电极部的触针位置为基准实施位置对准。此时,预先通过手动校准调整另一个探测器的探针的位置,以使能够与另一个芯片的电极位置进行触针。因此,即使以一个探测器与一格芯片为基准进行位置对准,其他探测器与所对应的芯片之间也能够进行触针。
专利文献1:日本特开平11-219988号公报
发明内容
然而,当芯片位置相对于校准时假定的芯片位置正确时虽然没有任何问题,但是当相对于作为基准的芯片位置发生偏移时存在不能进行正确的触针的问题。此时,若根据芯片位置信息进行探测器位置的再校准,则导致测定时间延长,这在要求加快工序的方面考虑不优选。
并且,芯片排列中有时存在污损的芯片、不存在芯片的部位的情况。此时,若根据作为基准的探测器实施了位置对准或为了使探针触针而调整了工作台的高度,从而与其他探测器对应的芯片上发生这种污损、缺失,则会导致探针上产生污损的技术问题。
本发明是鉴于这种课题作出的,其目的在于提供一种探测装置,能够应对意外的芯片位置变化而切实地进行触针,且能够很好地防止由于芯片的污损、缺陷等而在探针上产生污损的问题。
为了解决上述课题,本发明的一种半导体测定装置,测定电子部件的电特性,具备:搭载单元,搭载多个所述电子部件;第1移动单元,能够使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;第1探测器,被固定于该半导体测定装置,通过与一个电子部件接触而测定电特性;第2探测器,通过与不同于所述一个电子部件的其他电子部件接触而测定电特性;第2移动单元,能够使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;以及第3移动单元,能够使所述搭载单元向减小或增大所述第1探测器与搭载所述电子部件的面的距离的方向移动,所述第1移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对,所述第2移动单元能够移动所述第2探测器,以使该第2探测器与所述其他电子部件的测定部位相对,所述第3移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
为了解决上述课题,本发明的一种半导体测定装置的半导体测定方法,该半导体测定装置具备第1探测器和第2探测器,该第1探测器和第2探测器与搭载于搭载单元上的多个电子部件的测定部位接触而测定所述电子部件的电特性,包括:第1移动工序,使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对;第2移动工序,使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使所述第2探测器与不同于所述一个电子部件的其他电子部件的测定部位相对;以及第3移动工序,移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式的探测装置的结构例的概略图。
图2为表示通过本发明的实施方式的探测装置的动作测定芯片的顺序的概略图。
图3为表示本发明的实施方式的探测装置的基本动作的流程的流程图。
图4为表示本发明的实施方式的探测装置的基本动作的一个具体例的示意图。
图5为表示本发明的实施方式的探测装置的基本动作的一个具体例的示意图。
标号说明
1…探测装置
100…工作台
110…工作台位置调整部
200…第1探测器
210…第1探针
220…第1探测器基部
300…第2探测器
310…第2探针
320…第2探测器位置调整部
330…第2探测器基部
400…控制部
500…芯片
510…粘接片
具体实施方式
本发明的半导体测定装置的实施方式是一种测定电子部件的电特性的半导体测定装置,具备:搭载单元,搭载多个所述电子部件;第1移动单元,能够使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;第1探测器,被固定于该半导体测定装置,通过与一个电子部件接触而测定电特性;第2探测器,通过与不同于所述一个电子部件的其他电子部件接触而测定电特性;第2移动单元,能够使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;以及第3移动单元,能够使所述搭载单元向减小或增大所述第1探测器与搭载所述电子部件的面的距离的方向移动,所述第1移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对,所述第2移动单元能够移动所述第2探测器,以使该第2探测器与所述其他电子部件的测定部位相对,所述第3移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
根据本发明的半导体测定装置的实施方式,向装置中固定配置的第1探测器传送配置于搭载单元上的电子部件,从而将第1探测器的探针与电子部件的电极部分触针,测定电子部件的电特性。具体地说,通过第1移动单元,在与配置电子部件的面平行的面上进行搭载单元的位置对准,以使搭载单元上的一个电子部件的电极部分到达第1探测器的触针位置。在此,作为电子部件典型的是在半导体晶片上通过光刻処理等形成电极部分的图案的芯片,将该半导体晶片通过切断处理而分割成单个芯片并搭载于搭载单元上。
然后,通过第3移动单元的动作,进行搭载单元的高度方向(即与配置电子部件的面正交的方向)上的位置对准,使该一个电子部件的电极部分与第1探测器的探针触针。由此,本实施方式的半导体测定装置测定电子部件的电特性。
根据本实施方式,尤其是配置有第2探测器,其被配置成能够同时测定与第1探测器对应的一个电子部件不同的其他电子部件的电特性。该第2探测器典型的是将其位置对准成能够与多个电子部件中的与上述一个电子部件相邻的电子部件的电极部分进行触针。因此,优选的是,通过将一个电子部件位置对准成能够与第1探测器的探针触针,能够使与该一个电子部件相邻的其他电子部件的电极部分与第2探测器的探针触针。
此时,例如,由于传送中的振动等任何原因而使所配置的各电子部件的相对位置关系发生偏移时,存在多个探测器和与该探测器分别对应的电子部件的位置对准不能准确进行的可能性。例如,一个电子部件和与该一个电子部件相邻的其他电子部件的相对位置关系发生偏移时,即使以该一个电子部件与第1探测器为基准进行位置对准,由于在该其他电子部件与第2探测器的位置关系上还是会发生偏移,所以无法实施第2探测器的确实的触针。
考虑到所述情况,本实施方式的第2探测器被构成为通过第2移动单元的动作能够在与电子部件排列的面平行的面内移动。根据这种第2移动单元的动作,当确认到与第2探测器对应的其他电子部件的位置和与第1探测器对应的位置的电子部件之间的相对位置关系有偏移时,能够移动第2探测器使探针与该电子部件的电极部分确实地触针。即,对于电子部件位置的偏移,可通过移动第2探测器而修正为能够触针的位置关系。
在此,电子部件位置的偏移表示与第1探测器对应的一个电子部件的相对位置偏移。因此,即使在与第2探测器对应的其他电子部件的位置与通过校准而调整的位置相等的情况下,例如在与第1探测器对应的一个电子部件的位置从通过校准而调整的位置发生偏移时,由于利用第1移动单元进行的位置对准而将一个电子部件位置调整成与第1探测器对应,导致与第2探测器对应的其他电子部件的位置发生偏移。对于这种第2探测器的相对偏移,也能通过第2移动单元的动作进行第2探测器的位置对准而进行修正。
另外,虽然在本实施方式中未特别举出,但在一般的半导体测定装置中具备对应于各探测器的探针的触针位置实施光学特性测定的光电探测器。这种光电探测器的可测定范围典型的是数cm左右,而考虑排列的电子部件的大小以及电子部件相互间隔为数百μm左右的情况,可知通过一个光电探测器能够同时测定相邻的多个电子部件。因此,根据本发明的半导体测定装置的实施方式,即使在具备这种光电探测器的结构中,也不需要用于使该光电探测器根据探测器的测定位置进行移动的特别的机构。
并且,本实施方式的第2探测器表示不同于第1探测器的至少一个以上的探测器。例如,作为本发明的半导体测定装置实施方式的一个方式,如后述可以具备多个第2探测器。此时,对应于多个第2探测器具备各自独立进行动作的多个第2移动单元。因此,即使在使用两个以上的探测器时,也能够准确地进行各探测器和所对应的电子部件进行触针的位置对准。
如上所述,根据本发明的半导体测定装置的实施方式,设有:在装置中固定配置的第1探测器;能够在平行于电子部件的排列面的面内以及正交的方向上移动的搭载单元;以及能够在平行于电子部件的排列面的面内移动的第2探测器。因此,对应于第1探测器的测定位置传送搭载电子部件的搭载单元时,第2探测器的测定位置和所对应的电子部件间的位置发生偏移的情况下,也能够通过第2移动单元调整第2探测器的位置,进行偏移修正。因此,即使在电子部件的排列发生偏移的情况下,也能够同时使用多个探测器对电子部件进行触针。另外,还电子部件的排列偏移也多少能够进行修正,所以多少能够缓和对电子部件的排列的精度要求值。
本发明的半导体测定装置的实施方式的一个方式中,还具备第4移动单元,能够使所述第2探测器向减小或增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离的方向移动,不存在所述其他电子部件时,所述第4移动单元增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离。
根据该方式,通过第4移动单元的动作能使第2探测器向减小或增大与电子部件间的距离的方向上移动。因此,可通过第4移动单元的动作来确定第2探测器所具备的探针是否与所对应的电子部件进行触针。
该方式中,特别是在如上述通过第3移动单元使搭载单元接近各探测器而实施一个触针测定时,不存在与第2探测器对应的测定用电子部件的情况下,第4移动单元使第2探测器的位置远离电子部件。此时,使第2探测器远离的动作是指,分离至至少在探针的前端部即使考虑因振动等原因也不接触原本电子部件所存在的位置、原本电子部件所存在的搭载单元上的部分的程度的距离。
通常,切断处理后的电子部件大多搭载于在搭载单元上所展开的粘接片上,以防止因搭载单元的振动等而发生位置移动。此时,探测器的探针若接触不存在电子部件的部分上,则探针上将附着粘接剂,存在接下来通过与电子部件触针而进行的特性测定无法正确进行的可能。而且,附着于探针的粘接剂有可能附着到电子部件,导致电子部件因污损而引起品质下降。并且,电子部件的厚度是非常薄的数百μm,因此出于与电子部件接触检查的目的使探针和搭载单元相互接近时,若在此处不存在电子部件,则因稍微的振动很容易发生探针的前端部与搭载单元的触针。
另外,测定用的电子部件典型的是以从圆形的晶片切取的状态进行配置,所以大多配置为圆形。因此,对照第1探测器进行配置有电子部件的搭载单元的位置对准时,例如在圆的周缘部上没有与第2探测器对应的电子部件的情况较多。
根据这种具备第4移动单元的半导体测定装置的实施方式,在对照第1探测器进行电子部件的位置对准的情况下没有对应于第2探测器的测定用电子部件时,进行使第2探测器远离搭载单元的探测器的退避动作。因此,能够很好地回避在第2探测器的探针上发生污损、破损。
另外,在该方式中确认是否存在与第2探测器对应的电子部件时,可以根据通过任何传感器而获取的有关电子部件排列的信息而实施,或者,也可以根据存储于后述的储存单元的电子部件位置信息适当地确认。
本发明的半导体测定装置的实施方式的另一方式,还具备判别单元,判别所述其他电子部件是否为测定对象电子部件,在判别为所述其他电子部件不是测定对象电子部件时,所述第4移动单元增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离。
根据该方式,进行第2探测器所对应的电子部件是否为测定对象的判别。然后,第4移动单元在对应的测定用电子部件被判别为不是测定对象的电子部件时,进行如上述的第2探测器的退避动作。在此,不是测定对象的电子部件是指,出于测定例如在制造工序中产生了污损、不良的电子部件,或者材料、制造工序等特性的目的而形成的TEG(Test Element Group)电子部件等不需要利用探测器测定的电子部件。对于这些电子部件利用探针的触针而进行测定时,不仅在作业时间上带来损失,而且工序上也不优选。并且,由于将探针与污损电子部件触针,将导致探针污损、破损。
另外,该方式的判别单元典型的是含有相机等撮像单元的结构,通过获取各电子部件的图像信息,分析该图像信息,对是否为测定对象进行判别。并且,还可以用其它任何手段进行判别,例如根据存储在后述的记录单元中的电子部件位置信息中预先包含的电子部件相关的信息进行。
通过如此构成,对于如上述的不需要利用触针测定的电子部件,使第2探测器退避,从而能很好地回避这种不良情况。另外,作为这种判别污损电子部件的电子部件信息,虽然典型的是通过光学方法获取的电子部件排列的图像信息等,但通过其它任意方法只要是能够进行电子部件的判别的信息,则可以使用任意信息。
本发明的半导体测定装置的实施方式的其他的方式中,所述第2探测器为多个探测器,所述第2移动单元为多个移动单元,与该多个探测器分别对应,分别移动所对应的探测器以与相互不同的所述其他电子部件的测定位置相对。
该方式中的第2探测器是指多个探测器,各探测器能够各自实施第2移动单元的移动动作。即,该方式的半导体测定装置的实施方式具备第1探测器和第2探测器组这样的多个探测器,相对于在装置上固定配置的第1探测器,第2探测器组的各探测器能够在与电子部件的排列面平行的面内移动。
因此,在一次的触针定时,能够同时对多个电子部件实施测定。并且,作为基准的第1探测器以外的第2探测器组能够分别进行用于修正偏移的移动,所以能获取高精度的测定结果。并且,还具有能够很好地缓和电子部件的排列精度要求值的效果。
另外,该方式中,可以对应于各第2探测器设置多个第4移动单元,对各第2探测器分别实施如上述的退避动作。
本发明的半导体测定装置的实施方式的其它方式中,还具备储存单元,储存搭载于所述搭载单元上的所述多个电子部件的位置信息,所述第1移动单元根据所述位置信息移动所述搭载单元,所述第2移动单元根据所述位置信息移动所述第2探测器。
根据该方式,通过参照预先获取的表示电子部件排列中的各电子部件位置的位置信息,实施第1移动单元、第2移动单元以及第4移动单元等的动作。通过如此构成,比较的容易地实施第1探测器与电子部件的位置对准,或者第2探测器与电子部件的位置对准。
这种位置信息典型的是在将电子部件搭载于搭载单元之际,利用相机等撮像单元而获取图像信息以及分析该图像信息而获取的。然而,除此之外利用其它的手段而适当地获取也没有任何问题。
本发明的半导体测定方法的实施方式中,一种半导体测定装置的半导体测定方法,该半导体测定装置具备第1探测器和第2探测器,该第1探测器和第2探测器与搭载于搭载单元上的多个电子部件的测定部位接触而测定所述电子部件的电特性,所述半导体测定方法的特征在于,包括:第1移动工序,使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对;第2移动工序,使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使所述第2探测器与不同于所述一个电子部件的其他电子部件的测定部位相对;以及第3移动工序,移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
根据本发明的半导体测定方法的实施方式,可以获得与上述本发明的半导体测定装置的实施方式中所能获得的各种效果相同的效果。另外,对应于上述本发明的半导体测定装置的实施方式的各种方式,也可以对本发明的半导体测定方法的实施方式采取各种方式。
如上所述,根据本发明的半导体测定装置,具备:搭载单元、第1探测器、第2探测器、第1移动单元、第2移动单元以及第3移动单元。根据本发明的半导体测定装置,具备:第1移动工序、第2移动工序以及第3移动工序。因此,在电子部件的排列上发生偏移,对照第1探测器进行电子部件的位置对准的情况下,即使对应于第2探测器的电子部件位置发生偏移时,也能很好地进行偏移修正且能实施高精度的测定。
实施例
下面,参照附图对实施本发明的最优选方式进行说明。
(1)基本结构例
首先,参照图1对本发明的半导体测定装置的实施方式的一个具体例的探测装置的基本结构例进行说明。在此,图1为表示本实施例的探测装置的基本结构例的示意图。
如图1所示,探测装置1的基本结构例包括工作台100、工作台位置调整部110、第1探测器200、第2探测器300、控制部400以及光电探测器410而构成。根据这种探测装置1,能够测定作为本实施例中的电子部件的一个具体例的芯片500的电特性。
工作台100为本实施例的搭载单元的一个具体例。工作台位置调整部110为附属于工作台100或者一体化設置的具备致动器的移动单元,是本实施例中的第1移动单元以及第3移动单元的一个具体例。工作台位置调整部110与控制部400连接,受到基于芯片500的排列位置信息的移动控制,使工作台100在与芯片500的排列面平行的面内以及与芯片500的排列面正交的方向上移动。工作台100上展开有粘接片510,在其上搭载多个芯片500。
第1探测器100是通过第1探测器基部220而固定配置于探测装置1中的探测卡(Probe card),具备多个探针210。该探针210与芯片500的电极部分进行触针而测定芯片500的电特性。
具体为,将直行于芯片排列的方向假定为Z轴,通过与该Z轴正交且相互直行的X轴和Y轴、以及XY平面内的旋转动作而将搭载于工作台100上的芯片500与第1探测器200的探针210进行位置对准。之后,使工作台100在Z轴方向上移动,以使芯片500与探针210接触,从而通过探针210的触针进行芯片500的电特性测定。
芯片500通常是从圆形的半导体晶片切取的,因此如图2所示大多呈圆形的排列。因此,工作台位置调整部110,以例如按照图2所示的测定顺序对芯片500进行测定的方式使工作台100移动,将各芯片相对于探针210进行位置对准。
另外,第1探测器200的探针210可相对于第1探测器200移动。因此,在芯片500的测定之前,例如可通过手动的校准(Teaching)作业以能与芯片500的电极部分适当地触针的方式进行探针210的位置对准。
与第1探测器200同样,第2探测器300具备多个探针310,是通过第2探测器基部330被配置在探测装置1中的探测卡。本实施例的第2探测器300基本上被配置在对于与通过第1探测器200进行触针的芯片相邻的芯片能够进行触针的位置。
第2探测器300还具备第2探测器位置调整部320,与上述工作台100同样地,通过第2探测器位置调整部320的动作,能够在XYZ轴上移动以及在XY平面内旋转移动。该第2探测器位置调整部320与控制部400连接,根据控制部400的控制进行第2探测器300的移动。
控制部400例如为公知的CPU(Central Processing Unit)等処理装置,具备作为本实施例中的储存单元的一个具体例的存储器等,且通过与探测装置1的各部连接而进行对其动作的控制、测定结果的获取等。
例如,控制部400分别与工作台位置调整部110以及第2探测器位置调整部320连接,控制其移动动作的实施和移动量。此时,控制部400根据存储器所存储的芯片500的位置信息而控制这种位置调整部的移动动作(即位置对准)。
并且,控制部400与第1探测器200以及第2探测器300连接,进行校准时的探针210以及310的动作控制、各探测器上芯片500的测定结果的获取等。并且,从光电探测器410获取芯片500的测定结果。
光电探测器410被配置成对于第1探测器200以及第2探测器300的各探针210以及310与芯片500的触针部分能够实施芯片500的光学特性的测定。本实施例中,光电探测器410被配置成能够测定探针210的触针位置附近的位置对准状态。因此,对于被位置对准成与探针210能够进行触针的芯片500,能够很好地测定其光学特性。
(2)基本动作例
接着,参照图3对本实施例的探测装置1的基本动作的例子进行说明。图3为表示探测装置1的基本动作流程的流程图的一例。
首先,如流程图所示,获取芯片位置信息(步骤S101)。此时,例如可以利用相机等撮像装置获取芯片的位置信息,也可以通过读取预先获取的芯片位置信息而获取。
接着,根据控制部400的控制,通过工作台位置调整部110的动作,移动工作台100进行位置对准,以搭载的芯片500中的测定开始芯片到达第1探测器200的探针210的触针位置(步骤S102)。通常,选择如图2的芯片排列中位于最左上的芯片等周缘部的芯片作为测定开始芯片。
另外,此时,在第2探测器300的探针310的触针位置上,不同于该测定开始芯片的芯片被位置对准。
然后,实施各探针的位置对准(所谓的校准),以使第1探测器200的探针210和测定开始芯片的电极部分相互接触,第2探测器300的探针310和所对应芯片的电极部分相互接触(步骤S103)。
之后,通过工作台位置调整部110的动作调整工作台100的高度,使芯片的电极部分与分别对应的探针触针,从而测定各芯片的电特性(步骤S104)。
接着,对照第1探测器200进行下一个测定芯片的位置对准(步骤S105)。在此,下一个测定芯片是指检查顺序上的下一个芯片,表示除了由于污损、破损或其它任意原因而被判定为不是测定对象芯片的芯片以外的未测定的芯片。因此,选择通过第2探测器300进行测定的芯片之外的下一个芯片。
位置对准后,基本上向第2探测器300的探针310的测定位置上也传送芯片。此时,根据如包含于位置信息中的芯片制造信息等,进行该芯片是否存在不良的判定(步骤S106)。在此,芯片上存在的不良是指由于污损、破损等任何原因被排除在测定对象之外的芯片,或者已经被测定的芯片,或者在芯片的排列上芯片缺失(即,没有配置的芯片)的情况等。并且,在此所述的不良不包括仅从探针310发生位置偏移的情况。
向第2探测器300位置传送的芯片发生这种不良时,根据控制部400的控制,通过第2探测器位置调整部320,第2探测器300从工作台100远离(步骤S107)。参照图4对此时的各部的动作进行说明。图4为表示确认到生成这种不良的芯片时的、第2探测器300的退避动作的例的概略图。
如图4(a)所示,通常,第2探测器300的探针310的前端部被调整成与探针210同等程度的高度,以与第1探测器200的探针210同时能够与所对应的芯片的电极部分进行触针。因此,在一次触针动作中,能够进行各探测器的测定。
另一方面,如图4(b)或图4(c)所示,没有对应芯片的情况或者对应芯片被污损的情况等芯片发生不良时,第2探测器位置调整部320通过使第2探测器300从工作台100远离而使探针310的圆端部不与工作台100、粘接片510或污损芯片发生触针地进行退避。此时,第2探测器位置调整部320远离至即使存在振动等也足够远的距离,由此即使用于测定的工作台100的高度被调整的情况下,探针310的前端部也不与工作台100、粘接片510或污损芯片接触。并且,这种第2探测器的退避动作优选的是与步骤S105的位置对准平行实施。
第2探测器300退避后,传送有成为测定对象的芯片500时,使第2探测器300的位置恢复至校准后的初始状态,使其能够再次进行触针。
而传送到第2探测器300的位置上的芯片500没有如上述的不良时,接着进行该芯片的位置是否存在偏移的判定(步骤S108)。此时,芯片的位置偏移典型的是指第2探测器300的探针310位置与该芯片500上的电极部分的位置的偏移。检测出这种位置偏移时,根据控制部400的控制,进行第2探测器位置调整部320的位置对准,以调整为探针310的前端部确实与该芯片500的电极部分相对(步骤S109)。参照图5对此时的各部的动作进行说明。图5为表示确认到产生了这种位置偏移的芯片500时的、第2探测器300的位置对准动作的例的示意图。
根据本实施例的探测装置1,通过校准作业,第1探测器200的探针210在与芯片500的排列面平行的面内进行位置对准,以能够与成为第1探测器200的测定对象的芯片500的电极部分进行触针。同时,第2探测器300的探针310的前端部在与芯片500的排列面平行的面内进行位置对准,以能够与成为第2探测器的测定对象的芯片500的电极部分进行触针。因此,在上述的芯片的测定动作中,通过调整工作台100的高度,如图5(a)所示,各探测器能够对接触1的两个芯片500适当地实施测定。
另一方面,由于在对应于第1探测器200的芯片和对应于第2探测器300的芯片之间发生位置偏移,接触2的芯片在如图4(a)所示的通过校准而被调整的第2探测器300上无法实施适当的触针。另外,这种位置的偏移例如可通过在步骤S 101中获取的芯片的位置信息而进行确认。
当确认到这种位置偏移时,控制部400使第2探测器位置调整部320进行动作,进行第2探测器300的位置的微调整以使能够实施适当的触针。
例如,如图5(b)所示的接触2中,与第1探测器200的对应芯片相比,第2探测器300的对应芯片向图面下方发生了偏移,所以将第2探测器位置向图面下方进行微调整。
并且,在图5(b)以及图5(c)所示的接触3中,两个芯片位置与别的进行接触的芯片相比较近且在与工作台100的前进方向(即,芯片的传送方向)正交的方向上芯片位置相互存在偏移。在步骤S105的位置对准工序中,由于第1探测器200的对应芯片被调整成到达第1探测器200的测定位置,所以对于这种接触,使第2探测器300向图面下方以及左方进行微调整。
如此,对于与第1探测器200的对应芯片的相对偏移,实施第2探测器300的位置的微调整,所以能够很好地进行芯片排列上的偏移的修正。并且,这种第2探测器的位置调整优选的是与步骤S105的位置对准平行实施。
然后,与步骤S104同样地调整工作台100的高度,通过各探测器对所对应芯片的电特性实施测定(步骤S110)。
这种一系列位置对准以及测定动作基本上实施到工作台100上不存在未测定的芯片为止,或者停止为止。
如上说明,根据本发明的探测装置的实施例,即使具备多个探测器的情况下,对于与基准的第1探测器的对应芯片间的芯片相对偏移,能通过第2探测器位置的微调整而进行修正。因此,即使是生成这种偏移的芯片的排列,也能对多个芯片同时进行高精度的测定。
并且,在对应于第2探测器的芯片上发生不良时,或不存在芯片时,也能通过使第2探测器从工作台远离的退避动作而适当地回避因第2探测器的探针与污损芯片、粘接片发生触针而导致污损、破损的情况。
并且,这种第2探测器的位置调整、退避动作优选与测定用芯片的传送(即位置对准)平行实施,这样构成时,能够抑制因第2探测器的位置调整、退避动作而导致的作业时间的增加。
本发明并不局限于上述实施例,在不超出权利要求范围以及可从说明书全部内容获取的发明要旨或思想的范围内可以进行适宜的变更,而伴随这种变更的半导体测定装置以及方法也包括于本发明的技术范围。
例如,在上述的基本结构例以及基本动作例中,对具备两个探测器的探测装置进行了说明,但具备三个以上的探测器的探测装置也被包括在本发明的技术范围内。

Claims (6)

1.一种半导体测定装置,测定电子部件的电特性,其特征在于,
具备:搭载单元,搭载多个所述电子部件;
第1移动单元,能够使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;
第1探测器,被固定于该半导体测定装置,通过与一个电子部件接触而测定电特性;
第2探测器,通过与不同于所述一个电子部件的其他电子部件接触而测定电特性;
第2移动单元,能够使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动;以及
第3移动单元,能够使所述搭载单元向减小或增大所述第1探测器与搭载所述电子部件的面的距离的方向移动,
所述第1移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对,
所述第2移动单元能够移动所述第2探测器,以使该第2探测器与所述其他电子部件的测定部位相对,
所述第3移动单元能够移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
2.根据权利要求1所述的半导体测定装置,其特征在于,
还具备第4移动单元,能够使所述第2探测器向减小或增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离的方向移动,
不存在所述其他电子部件时,所述第4移动单元增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离。
3.根据权利要求2所述的半导体测定装置,其特征在于,
还具备判别单元,判别所述其他电子部件是否为测定对象电子部件,
在判别为所述其他电子部件不是测定对象电子部件时,所述第4移动单元增大所述第2探测器与搭载所述电子部件的面的距离。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体测定装置,其特征在于,
所述第2探测器为多个探测器,所述第2移动单元为多个移动单元,该多个移动单元与该多个探测器分别对应,并分别移动所对应的探测器以与相互不同的所述其他电子部件的测定位置相对。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体测定装置,其特征在于,
还具备储存单元,储存搭载于所述搭载单元上的所述多个电子部件的位置信息,
所述第1移动单元根据所述位置信息移动所述搭载单元,
所述第2移动单元根据所述位置信息移动所述第2探测器。
6.一种半导体测定装置的半导体测定方法,该半导体测定装置具备第1探测器和第2探测器,该第1探测器和第2探测器与搭载于搭载单元上的多个电子部件的测定部位接触而测定所述电子部件的电特性,所述半导体测定方法的特征在于,包括:
第1移动工序,使所述搭载单元在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使一个电子部件的测定部位与所述第1探测器相对;
第2移动工序,使所述第2探测器在与搭载所述电子部件的面平行的面内移动,以使所述第2探测器与不同于所述一个电子部件的其他电子部件的测定部位相对;以及
第3移动工序,移动所述搭载单元,以使所述第1探测器和所述一个电子部件接触,并且所述第2探测器和所述其他电子部件接触。
CN200980125417.8A 2009-04-14 2009-04-14 半导体测定装置以及方法 Expired - Fee Related CN102077103B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/057510 WO2010119507A1 (ja) 2009-04-14 2009-04-14 半導体測定装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102077103A true CN102077103A (zh) 2011-05-25
CN102077103B CN102077103B (zh) 2013-06-05

Family

ID=42982191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980125417.8A Expired - Fee Related CN102077103B (zh) 2009-04-14 2009-04-14 半导体测定装置以及方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4646271B1 (zh)
CN (1) CN102077103B (zh)
WO (1) WO2010119507A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102713651A (zh) * 2010-12-07 2012-10-03 日本先锋公司 半导体检测装置
CN102980742A (zh) * 2011-08-25 2013-03-20 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
CN107526014A (zh) * 2016-06-22 2017-12-29 致茂电子(苏州)有限公司 测试装置及测试方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114295948B (zh) * 2020-10-07 2023-11-14 台湾爱司帝科技股份有限公司 电子元件测量设备、电子元件测量方法及发光二极管的制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5605844A (en) * 1995-03-31 1997-02-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inspecting method for semiconductor devices
JP2000346896A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Nidec-Read Corp 基板検査装置
CN1782716A (zh) * 2004-11-29 2006-06-07 冲电气工业株式会社 探针板、使用其的检查方法及由该方法检查的半导体装置
JP2006145402A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の同時測定方法
US20060202359A1 (en) * 2005-02-11 2006-09-14 Wintec Industries, Inc. Apparatus and method for predetermined component placement to a target platform
CN101271145A (zh) * 2007-03-23 2008-09-24 东京毅力科创株式会社 检查装置和检查方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2837829B2 (ja) * 1995-03-31 1998-12-16 松下電器産業株式会社 半導体装置の検査方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5605844A (en) * 1995-03-31 1997-02-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inspecting method for semiconductor devices
JP2000346896A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Nidec-Read Corp 基板検査装置
JP2006145402A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の同時測定方法
CN1782716A (zh) * 2004-11-29 2006-06-07 冲电气工业株式会社 探针板、使用其的检查方法及由该方法检查的半导体装置
US20060202359A1 (en) * 2005-02-11 2006-09-14 Wintec Industries, Inc. Apparatus and method for predetermined component placement to a target platform
CN101271145A (zh) * 2007-03-23 2008-09-24 东京毅力科创株式会社 检查装置和检查方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102713651A (zh) * 2010-12-07 2012-10-03 日本先锋公司 半导体检测装置
CN102713651B (zh) * 2010-12-07 2015-05-20 日本先锋公司 半导体检测装置
CN102980742A (zh) * 2011-08-25 2013-03-20 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
CN102980742B (zh) * 2011-08-25 2015-06-03 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
CN107526014A (zh) * 2016-06-22 2017-12-29 致茂电子(苏州)有限公司 测试装置及测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010119507A1 (ja) 2012-10-22
JP4646271B1 (ja) 2011-03-09
WO2010119507A1 (ja) 2010-10-21
CN102077103B (zh) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10748800B2 (en) Chip bonding apparatus and method
CN101285865B (zh) 探针针尖位置检测方法及装置、对准方法以及探针装置
JP2963603B2 (ja) プローブ装置のアライメント方法
US10299386B2 (en) Placement machine and method for equipping a substrate with unhoused chips
KR101774670B1 (ko) 본딩 장치 및 본딩 방법
US7501843B2 (en) Movement amount operation correction method for prober, movement amount operation correction processing program, and prober
TWI444631B (zh) A detection device, a detection method and a recording medium
US9297849B2 (en) Test system and method for wafer including optical component
JP2013137224A (ja) マルチチッププローバ、そのコンタクト位置補正方法、制御プログラムおよび可読記録媒体
US20040062104A1 (en) Semiconductor handler interface auto alignment
CN102967605A (zh) 电路板的标记检知及偏移量检知的方法及其置件方法
CN102077103B (zh) 半导体测定装置以及方法
CN103426787B (zh) 检查半导体封装的印刷电路板的方法
JP2013191741A (ja) プローブ装置及びプローブ装置のプローブカード装着方法
JP2016183893A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置、電子部品搬送装置の位置決め装置および電子部品搬送装置の位置決め方法
CN101527275A (zh) 晶片背面定位***
KR20130117191A (ko) 작업유닛 이송장치
TWI584399B (zh) Electronic parts conveyor and electronic parts inspection device
KR100982343B1 (ko) 웨이퍼 프로버의 스테이지 오차 측정 및 보정 장치
JP2006318965A (ja) 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイス検査装置
JP2008117968A (ja) プローバ
KR101325634B1 (ko) 반도체 패키지용 회로기판의 검사방법
JP4984332B2 (ja) Icパッケージ基板検査装置
KR20200125275A (ko) 반도체 소자 이송 장치의 검사 방법
JPH05136249A (ja) ウエーハの自動位置合わせ装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: PIONEER FA Corp.

Patentee after: PIONEER Corp.

Address before: Kanagawa

Co-patentee before: Pioneer Fa Corp.

Patentee before: PIONEER Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: PFA Co.

Patentee after: PIONEER Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: Pioneer Fa Corp.

Patentee before: PIONEER Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180830

Address after: Saitama Prefecture, Japan

Co-patentee after: SHINKAWA Ltd.

Patentee after: PFA Co.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: PFA Co.

Patentee before: PIONEER Corp.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130605

Termination date: 20190414

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee