CN102034919A - 高亮度大功率led及其制作方法 - Google Patents

高亮度大功率led及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102034919A
CN102034919A CN2010105091102A CN201010509110A CN102034919A CN 102034919 A CN102034919 A CN 102034919A CN 2010105091102 A CN2010105091102 A CN 2010105091102A CN 201010509110 A CN201010509110 A CN 201010509110A CN 102034919 A CN102034919 A CN 102034919A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
nano
indium oxide
tin indium
large power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105091102A
Other languages
English (en)
Inventor
陈林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Real Faith Lighting Co., Ltd.
Original Assignee
陈林
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 陈林 filed Critical 陈林
Priority to CN2010105091102A priority Critical patent/CN102034919A/zh
Publication of CN102034919A publication Critical patent/CN102034919A/zh
Priority to CN2011103031224A priority patent/CN102361056A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及LED技术领域，特指高亮度大功率LED及其制作方法，它包括有基板和晶粒，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜，在将晶粒固定在基板之前，先将均匀分散于可挥发溶剂中，然后注入基板内，烘烤使可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层，固晶后将氧化铟锡微透镜盖于基板上，并贴光控制膜或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层为高效反射层，提升光通量，降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜将点光源变成面光源，使光线均匀分布，又配合光控制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散热效率。

Description

高亮度大功率LED及其制作方法
技术领域：
本发明涉及LED技术领域，特指高亮度大功率LED及其制作方法。
背景技术：
LED是一种半导体发光器件，被广泛的用做指示灯、显示屏等。白光LED被誉为替代荧光灯和白炽灯的***照明光源。LED改变了白炽灯钨丝发光与荧光灯三基色粉发光的原理，利用电场发光，具有光效高、无辐射、寿命长、低功耗和环保的优点。形成白光LED的一种传统方式是蓝光或紫外芯片激发覆着在芯片上面的荧光粉，芯片在电驱动下发出的光激励荧光粉产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光。随着LED应用的不断拓展，对LED封装的发光效率要求也越来越高，而发光效率是决定LED封装的最重要的参数。
目前，LED包括基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电极，其一般做法是先将晶粒固定在基板内，然后将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上，接着将荧光胶水注入基板内，最后烘烤使荧光胶水固化制成产品。但是现有的大功率LED封装结构较复杂，封装有严重的散热问题，散热效率不佳，，LED芯片无法有效提升光通量，而想要采取特定发光角度时还需使用透镜，如此这种封装结构降低良率，增加成本。因此，如何提高LED封装的光通量同时又能解决散热问题成为业界急待解决的关键问题。
发明内容：
本发明的目的就是针对现有技术存在的不足而提供一种能够增加光通量、并提高散热效率的高亮度大功率LED，还提供了这种高亮度大功率LED的制作方法，旨在解决现有的LED封装光通量低、散热效率低的问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电极，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶粒的氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜。
所述纳米玻璃层的厚度为1～3μm。
所述导线为金线。
所述光控制膜厚度为50～100nm。
本发明还公开高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步骤：
A、将纳米玻璃均匀分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；
B、对基板进行电浆表面处理；
C、将基板的特定区域点红胶；
D、将纳米玻璃溶液注入基板内；
E、烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层；
F、去除红胶；
G、将晶粒固定在基板内；
H、将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上；
I、将荧光胶水注入基板内；
J、将氧化铟锡微透镜盖于基板上；
K、烘烤；
L、在氧化铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜。
步骤E中基板在100～150℃的温度下烘烤5～15分钟。
步骤A中所述可挥发溶剂为醇类溶剂，如甲醇、乙醇等，其中纳米玻璃溶液包括以下重量百分比的组分：
醇99～99.9％
纳米玻璃0.1～1％
分散剂0～0.01％。
所述分散剂为纳米级脂肪酸。
步骤L中所述光控制膜厚度为50～100nm。
本发明有益效果在于：本发明包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电极，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶粒的氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜，在将晶粒固定在基板之前，先将均匀分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液，然后将纳米玻璃溶液注入基板内，烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层，固晶后将氧化铟锡微透镜盖于基板上，并在氧化铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层为高效反射层，提升光通量，降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜将点光源变成面光源，使光线均匀分布，又配合光控制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散热效率。
附图说明：
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式：
下面结合附图对本发明作进一步的说明，见图1所示：
实施例1
高亮度大功率LED包括有基板1和晶粒2，晶粒2固定安装在基板1内，晶粒2通过导线3连接基板1的电极，导线3为金线，电阻低，减少发热量。基板1的内表面涂覆有纳米玻璃层4，纳米玻璃层4的厚度为1～3μm，厚度为1～3μm时具有较佳的综合性能，如可以是1μm、1.5μm、2μm、3μm等，优选为2μm。基板1上盖设有遮罩住晶粒2的纳米级氧化铟锡微透镜5，氧化铟锡微透镜5与晶粒2之间设有荧光胶7，氧化铟锡微透镜5的外侧表面设有光控制膜6，光控制膜6厚度为50～100nm，如可以是50nm、75nm、90nm、100nm等，优选为75nm。
采用上述封装结构的高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步骤：
1、将纳米玻璃均匀分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；
2、对基板1进行电浆表面处理；
3、用点胶机将基板1的特定区域点红胶，该特定区域为电极的区域；
4、用点胶机将将纳米玻璃溶液点入基板1内；
5、基板1在100～150℃的温度下烘烤5～15分钟，使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板1的内表面形成纳米玻璃层4；
6、去除红胶；
7、将晶粒2固定在基板1内；
8、将导线3的两分别焊接在晶粒2和基板1电极上；
9、将荧光粉加胶水混合配备成荧光胶水；
10、将荧光胶水用点胶机点入基板1内；
11、用自动盖透镜机将氧化铟锡微透镜5盖于基板1上；
12、烘烤使荧光胶水固化；
13、在氧化铟锡微透镜5上贴光控制膜6或镀光学膜。
其中，可挥发溶剂为醇类溶剂，纳米玻璃溶液包括重量分的组分：甲醇98.99、纳米玻璃1、纳米级脂肪酸0.01。
本发明在将晶粒2固定在基板1之前，先将均匀分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液，然后将纳米玻璃溶液注入基板1内，烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板1的内表面形成纳米玻璃层4，固晶后将氧化铟锡微透镜5盖于基板1上，并在氧化铟锡微透镜5上贴光控制膜6或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层4为高效反射层，提升光通量，降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜5将点光源变成面光源，使光线均匀分布，又配合光控制膜6控制出光角度，可有效增加光通量至160-180Lm，并提高散热效率。
实施例2
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分：乙醇99、纳米玻璃0.99、纳米级脂肪酸0.01。
实施例3
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分：甲醇99.9、纳米玻璃0.1。
实施例4
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分：乙醇99.89、纳米玻璃0.1、纳米级脂肪酸0.01。
当然，以上所述仅是本发明的较佳实施例，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。

Claims (9)

1.高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电极，其特征在于：所述基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶粒的氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜。
2.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于：所述纳米玻璃层的厚度为1～3μm。
3.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于：所述导线为金线。
4.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于：所述光控制膜厚度为50～100nm。
5.高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、将纳米玻璃均匀分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；
B、对基板进行电浆表面处理；
C、将基板的特定区域点红胶；
D、将纳米玻璃溶液注入基板内；
E、烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层；
F、去除红胶；
G、将晶粒固定在基板内；
H、将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上；
I、将荧光胶水注入基板内；
J、将氧化铟锡微透镜盖于基板上；
K、烘烤；
L、在氧化铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜。
6.根据权利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于：步骤E中基板在100～150℃的温度下烘烤5～15分钟。
7.根据权利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于：步骤A中所述可挥发溶剂为醇类溶剂，其中纳米玻璃溶液包括以下重量百分比的组分：
醇99～99.9％
纳米玻璃0.1～1％
分散剂0～0.01％。
8.根据权利要求7所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于：所述分散剂为纳米级脂肪酸。
9.根据权利要求5-8任意一项所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于：步骤L中所述光控制膜厚度为50～100nm。
CN2010105091102A 2010-10-15 2010-10-15 高亮度大功率led及其制作方法 Pending CN102034919A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105091102A CN102034919A (zh) 2010-10-15 2010-10-15 高亮度大功率led及其制作方法
CN2011103031224A CN102361056A (zh) 2010-10-15 2011-09-30 高亮度大功率发光二极管及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105091102A CN102034919A (zh) 2010-10-15 2010-10-15 高亮度大功率led及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102034919A true CN102034919A (zh) 2011-04-27

Family

ID=43887521

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105091102A Pending CN102034919A (zh) 2010-10-15 2010-10-15 高亮度大功率led及其制作方法
CN2011103031224A Pending CN102361056A (zh) 2010-10-15 2011-09-30 高亮度大功率发光二极管及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103031224A Pending CN102361056A (zh) 2010-10-15 2011-09-30 高亮度大功率发光二极管及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN102034919A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222665A (zh) * 2011-06-14 2011-10-19 符建 带薄型复眼透镜的集成led模块
CN102324459A (zh) * 2010-10-15 2012-01-18 广东昭信灯具有限公司 一种led灯封装结构及其制备方法
CN102361056A (zh) * 2010-10-15 2012-02-22 广东昭信灯具有限公司 高亮度大功率发光二极管及其制造方法
CN104379987A (zh) * 2012-08-02 2015-02-25 日亚化学工业株式会社 波长转换装置
CN108011006A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 一种白光led封装方法
CN110050223A (zh) * 2016-12-14 2019-07-23 亮锐控股有限公司 光转换器件
CN113203055A (zh) * 2021-05-11 2021-08-03 吴远 一种提高灯带流明等级的防水灯带

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103148388A (zh) * 2012-12-20 2013-06-12 杭州临安恒星照明电器有限公司 Led芯片全角度节能灯
CN104895885B (zh) * 2015-05-19 2017-11-03 浙江水晶光电科技股份有限公司 一种组立件的固化方法和装置
CN110112129B (zh) * 2019-06-05 2024-04-02 福建天电光电有限公司 一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP5416946B2 (ja) * 2008-11-05 2014-02-12 株式会社東芝 蛍光体溶液
CN201853739U (zh) * 2010-10-11 2011-06-01 蒋梦孜 高效反射led封装结构
CN102005532A (zh) * 2010-10-15 2011-04-06 陈林 高效反射led封装结构及其封装方法
CN102034919A (zh) * 2010-10-15 2011-04-27 陈林 高亮度大功率led及其制作方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324459A (zh) * 2010-10-15 2012-01-18 广东昭信灯具有限公司 一种led灯封装结构及其制备方法
CN102361056A (zh) * 2010-10-15 2012-02-22 广东昭信灯具有限公司 高亮度大功率发光二极管及其制造方法
CN102222665A (zh) * 2011-06-14 2011-10-19 符建 带薄型复眼透镜的集成led模块
CN102222665B (zh) * 2011-06-14 2013-01-23 符建 带薄型复眼透镜的集成led模块
CN104379987A (zh) * 2012-08-02 2015-02-25 日亚化学工业株式会社 波长转换装置
CN104379987B (zh) * 2012-08-02 2017-07-28 日亚化学工业株式会社 波长转换装置
CN110050223A (zh) * 2016-12-14 2019-07-23 亮锐控股有限公司 光转换器件
CN110050223B (zh) * 2016-12-14 2022-05-24 亮锐控股有限公司 光转换器件
CN108011006A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 一种白光led封装方法
CN108011006B (zh) * 2017-11-28 2020-06-30 广州市安亿仕电子科技有限公司 一种白光led封装方法
CN113203055A (zh) * 2021-05-11 2021-08-03 吴远 一种提高灯带流明等级的防水灯带
CN113203055B (zh) * 2021-05-11 2024-01-19 东莞市百形科技有限公司 一种提高灯带流明等级的防水灯带

Also Published As

Publication number Publication date
CN102361056A (zh) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102034919A (zh) 高亮度大功率led及其制作方法
CN204348759U (zh) 集成阵列封装式植物生长灯单元、器件及其植物生长灯
CN102945914A (zh) 一种用于光学波长转换的荧光玻璃涂层及白光发光装置
CN101030610B (zh) 大功率发光二极管及其荧光粉涂布方法
CN105810780A (zh) 一种白光led芯片的制备方法
CN204348757U (zh) 荧光转换植物生长灯单元、植物生长灯器件及植物生长灯
CN105627113A (zh) 大功率led植物生长灯单元及植物生长灯
CN101629707A (zh) 一种led灯及其封装方法
CN204348751U (zh) 表贴器件形式的植物生长灯单元、器件及其植物生长灯
CN102252192A (zh) 一种yag荧光led球泡灯
CN103361054A (zh) 氮化物红色荧光粉合成方法及led植物生长灯
CN102095092A (zh) Led的晶圆级封装结构及其封装方法
CN202067827U (zh) 高亮度大功率led
CN205264743U (zh) 一种量子点led结构
CN102005532A (zh) 高效反射led封装结构及其封装方法
CN202917484U (zh) 具有远程荧光粉膜的cob结构
CN203553164U (zh) 高显色led灯丝
CN202109275U (zh) Yag荧光led球泡灯
CN207165565U (zh) 一种cob光源结构
CN201893374U (zh) 一种集成式led光源散热装置
CN101071833A (zh) 发光二极管
CN206349391U (zh) 免封装多面取光白光led灯粒
CN201853739U (zh) 高效反射led封装结构
CN204885156U (zh) 一种led光源模块
TWI703745B (zh) 一種ｌｅｄ燈及其增加流明的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: GUANGDONG REAL FAITH LIGHTING CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: CHEN LIN

Effective date: 20111012

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 523000 DONGGUAN, GUANGDONG PROVINCE TO: 528251 FOSHAN, GUANGDONG PROVINCE

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20111012

Address after: 528251 Guangdong Province, Foshan City Nanhai Pingzhou Shawei Industrial District South Street No. 21

Applicant after: Guangdong Real Faith Lighting Co., Ltd.

Address before: 523000 Guangdong Province, Dongguan City Wancheng District BBK District 8 Building No. 88

Applicant before: Chen Lin

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20110427