CN102031564A - 氮化镓衬底 - Google Patents

氮化镓衬底 Download PDF

Info

Publication number
CN102031564A
CN102031564A CN2010101949650A CN201010194965A CN102031564A CN 102031564 A CN102031564 A CN 102031564A CN 2010101949650 A CN2010101949650 A CN 2010101949650A CN 201010194965 A CN201010194965 A CN 201010194965A CN 102031564 A CN102031564 A CN 102031564A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
gan
interarea
gan substrate
face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010101949650A
Other languages
English (en)
Inventor
八乡昭广
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN102031564A publication Critical patent/CN102031564A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供不易断裂且能提高制造成品率的氮化镓衬底。氮化镓衬底(10)由例如具有2英寸直径和1cm厚度的GaN单晶锭制作。主面(12)相对于GaN单晶的C面的倾斜角(θ)为20°以上、160°以下。氮化镓衬底(10)的断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。根据这样的氮化镓衬底(10)，能够使裂纹不易产生，从而能够减少断裂。

Description

氮化镓衬底
技术领域
本发明涉及氮化镓衬底。
背景技术
由氮化物半导体单晶构成的衬底(参考日本特开2006-044982号公报)已经公开。该衬底具有AlXGa1-XN(0≤X≤1)的组成。该衬底的断裂韧性值为(1.2-0.7X)MPa·m1/2以上。该衬底的主面积为20cm2以上。
发明内容
氮化镓(GaN)、InGaN等氮化镓基化合物半导体具有高的带隙能。因此，期待将氮化镓基化合物半导体用于发出蓝光或绿光这样短波长的光的发光元件的用途。通常，氮化镓基化合物半导体在由具有与氮化镓基化合物半导体的热膨胀系数接近的热膨胀系数的不同材料(Si、SiC、蓝宝石等)构成的衬底上，通过MBE(分子束外延，Molecular BeamEpitaxy)、MOCVD(金属有机化学气相沉积，Metal Organic ChemicalVapor Deposition)等方法生长。
但是，在使氮化镓基化合物半导体在由不同的材料构成的衬底上生长时，由于热膨胀系数的差异、晶格失配等而在衬底上产生应力。该应力引起器件的翘曲、薄膜的剥离、位错密度的增加，因此对器件特性带来不良影响。另一方面，在使氮化镓基化合物半导体在氮化镓衬底上生长时，氮化镓基化合物半导体的热膨胀系数和晶格常数与氮化镓衬底的热膨胀系数和晶格常数为彼此相同的水平，因此不发生上述的问题。因此，能得到良好的器件特性。
但是，在制造氮化镓衬底时，氮化镓衬底在由蓝宝石等不同材料构成的衬底上生长。因此，氮化镓衬底与现有的半导体衬底即硅衬底相比具有大量的结晶缺陷，因此容易断裂。另一方面，由于氮化镓结晶的生长速度的缓慢性和材料成本等，每片氮化镓衬底的成本高。因此，在氮化镓衬底的制造中，要求降低因断裂等导致的不合格品率。
另外，根据发光元件所要求的发光波长，有时使含有铟(In)的氮化镓基化合物半导体(InGaN、InAlGaN等)在氮化镓衬底上生长。In原子的直径比Ga原子的直径大，因此如果提高In的含量，则含有In的层的内部应变因晶格失配而增大。其结果是，在含有In的层的内部产生大的压电场，再结合概率降低，从而使发光效率被抑制得较低。
作为用于解决上述问题的技术，正在研究使含有In的氮化镓基化合物半导体在从GaN结晶的C面大幅倾斜的主面上生长的技术。这是因为，通过使含有In的氮化镓基化合物半导体在从C面大幅倾斜的主面上生长，能够降低含有In的层中产生的压电场。
但是，根据本发明人的研究，表明了下述事实。即，具有从GaN结晶的C面大幅倾斜的主面的氮化镓衬底，即使具有对于具有作为C面的主面的氮化镓衬底来说充分的断裂韧性，也容易断裂。
本发明的目的在于提供不易断裂且能够提高制造成品率的氮化镓衬底。
本发明的氮化镓衬底具有主面，主面相对于衬底结晶的C面的倾斜角为20°以上、160°以下，氮化镓衬底的断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。
根据本发明，能够得到不易断裂的氮化镓衬底。在主面相对于衬底结晶的C面的倾斜角为20°以上、160°以下时，只要断裂韧性为1.36MN/m3/2以上，则不易产生裂纹，断裂减少。
另外，上述氮化镓衬底的主面也可以沿[1-100]方向倾斜。根据本发明人进行的实验，在主面向[1-100]方向倾斜时，与主面向[11-20]方向倾斜时相比，更不易产生裂纹，断裂进一步减少。
另外，上述氮化镓衬底的主面的形状可以是以[11-20]方向为长度方向、以与[11-20]方向垂直的方向为宽度方向的细长形状。根据本发明人的实验，衬底在[11-20]方向上较长时，与在垂直于[11-20]方向的方向上较长时相比，更不易产生裂纹，断裂进一步减少。
另外，氮化镓衬底的主面与衬底结晶的C面所成的角可以为75°±4°以内。通过使用具有这样的主面的氮化镓衬底，可以适合制造短波长的发光元件(特别是激光二极管)。此时，氮化镓衬底可以具有沿与[11-20]方向垂直的方向的解理面。在此，解理面是指用于构成例如激光的共振端面的切割面。通常，具有作为C面的主面的衬底的解理方向为[1-100]方向和[11-20]方向。但是，本发明人发现，具有从C面倾斜的主面的氮化镓衬底的解理特性随着倾斜角而变化。氮化镓衬底的主面与衬底结晶的C面所成的角为75°±4°以内时，相比[11-20]方向氮化镓衬底更容易沿着与[11-20]方向垂直的方向解理。因此，在制作例如激光二极管这样需要镜面的半导体元件时，优选将氮化镓衬底沿着与[11-20]方向垂直的方向解理。
本发明的上述目的和其它目的、特征以及优点，通过以下参考附图进行的本发明优选实施方式的详细说明可以更容易地理解。
如上所述，根据本发明的一个方面，提供不易断裂且制造成品率高的氮化镓衬底。
附图说明
图1是示意地表示一个实施方式的氮化镓衬底的剖面图。
图2是表示实施例1中的衬底的断裂韧性值与裂纹的产生情况的图表。
图3是表示实施例2中的衬底加工时的断裂情况的图表。
具体实施方式
下面，在参考附图的同时使用图1～图3详细地说明本发明的氮化镓衬底的实施方式。另外，在附图说明中对相同的要素赋予相同的标记，并省略重复的说明。
图1是示意地表示一个实施方式的氮化镓衬底的剖面图。图1所示的氮化镓衬底10是从例如具有2英寸(1英寸可换算为2.54cm)的直径且具有1cm的厚度的GaN单晶锭上切下来的。该氮化镓衬底10优选由六方晶或立方晶的GaN单晶构成。作为六方晶的GaN单晶，可以列举具有纤锌矿结构的GaN单晶。六方晶的GaN单晶中，存在称为C面的(0001)面、称为M面的(1-100)面、称为A面的(11-20)面、称为R面的(01-12)面和称为S面的(10-11)面。
氮化镓衬底10具备进行了镜面研磨的主面12。主面12上形成有器件。作为器件，可以列举例如LED、激光二极管等发光元件。主面12从构成氮化镓衬底10的GaN单晶的C面恰好倾斜预定的角度。在本实施方式中，主面12相对于GaN单晶的C面的倾斜角(即，主面12的垂直向量V与c轴所成的角θ)，为能使压电场的影响有效得到抑制的20°以上、160°以下，例如为23°、75°等数值。特别是在使用氮化镓衬底10制造短波长的发光元件(特别是激光二极管)时，为了抑制压电场的产生，优选主面12相对于GaN单晶的C面的倾斜角为75°。此时，只要实质上为同等的倾斜角即75°±4°以内都允许。
构成氮化镓衬底10的GaN单晶的断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。如本实施方式这样主面12相对于GaN单晶的C面的倾斜角为20°以上、160°以下时，由后述的实验结果可知，只要GaN单晶的断裂韧性为1.36MN/m3/2以上，则不易产生裂纹，断裂减少，因此能得到不易断裂的氮化镓衬底10。
GaN单晶的断裂韧性可以通过掺杂剂浓度来调节。用于实现上述断裂韧性的氮化镓衬底10的掺杂剂浓度，例如在掺杂氧原子而具有n导电型时，为3×1020cm-3以下。另外，通过使氮化镓衬底10的掺杂剂浓度为3×1020cm-3以下，能够在不破坏GaN单晶的结晶性的情况下维持器件特性。另外，氮化镓衬底10的掺杂剂浓度的下限为例如1×1016cm-3。这是因为当氮化镓衬底10的掺杂剂浓度低于1×1016cm-3时，掺杂剂浓度的控制变得困难。氮化镓衬底10的断裂韧性的大小，可以通过测定将金刚石的压头(维氏压头)压入氮化镓衬底10的表面(例如主面12)而产生的裂纹的长度而得知。此时，断裂韧性的大小KIc通过以下的数学式(1)求出。
KIc＝0.016×(E/H)0.5×(P/c1.5)…(1)
另外，在数学式(1)中，KIc为断裂韧性值(单位MN/m3/2)，E为杨氏模量，H为维氏硬度，P为载荷，c为裂纹长度。
另外，优选主面12从GaN单晶的C面向[1-100]方向(即m轴方向)倾斜。这是因为，由后述的实验结果可知，在主面12向[1-100]方向倾斜时，与主面12向[11-20]方向倾斜时相比，更不易产生裂纹，断裂进一步减少。
在此，主面12向[1-100]方向倾斜，是指主面12的垂直向量包含在由GaN单晶的c轴向量和[1-100]方向向量(即m轴向量)构成的平面内，且为该垂直向量与c轴向量形成大于0°的角度的状态。另外，在主面12从GaN单晶的C面向[1-100]方向倾斜时，氮化镓衬底10优选具有沿与[11-20]方向垂直的方向的解理面。通常，具有作为C面的主面的衬底的解理方向为[1-100]方向和[11-20]方向。但是，由后述的实验结果可知，当氮化镓衬底10具有从C面倾斜的主面12时，氮化镓衬底10的解理特性随着倾斜角而变化。主面12与GaN单晶的C面所成的角为75°±4°以内时，相比[11-20]方向氮化镓衬底10更容易沿着与[11-20]方向垂直的方向解理。在制作例如激光二极管这样需要镜面的半导体元件时，优选沿着与[11-20]方向垂直的方向解理。
对氮化镓衬底10的形状的例子进行说明。例如，主面12为细长形状，以[11-20]方向为长度方向，以与[11-20]方向垂直的方向为宽度方向。这样的氮化镓衬底10的尺寸的例子是：长度方向的长度为15mm，宽度方向的宽度为10mm，厚度为500μm。这样，使氮化镓衬底10的[11-20]方向的长度比与[11-20]方向垂直的方向的氮化镓衬底10的宽度长即可。由后述的实验结果可知，氮化镓衬底10的长度方向为[11-20]方向时，与氮化镓衬底10的长度方向为与[11-20]方向垂直的方向时相比，更不易产生裂纹，断裂进一步减少。
(实施例1)
准备掺杂了氧原子的、具有2英寸直径和1cm厚度的GaN锭。该GaN锭具有作为六方晶结构中的(0001)面(即C面)的主面。该GaN锭的比电阻为1Ω·cm以下。该GaN锭的载流子浓度为1×1017cm-3以上。在本实施例中，通过使杂质的掺杂量彼此不同，准备具有彼此不同的断裂韧性的两个GaN锭IA、IB。
通过将上述GaN锭IA、IB切片，制作11片具有500μm的厚度的衬底。此时，以从[1-100]方向(即m轴方向)倾斜0°、18°、23°和75°的倾斜角将GaN锭IA、IB切片。然后，将分别具有上述倾斜角的衬底各制作1片，测定它们的断裂韧性。
另外，在本实施例中，计数不产生具有10μm以上长度的裂纹的衬底的片数，将这样的衬底在半数以上(50％以上)的情况判断为良好。图2是表示分别具有0°、18°、23°和75°的倾斜角的各衬底的断裂韧性的测定结果和裂纹判定结果的图表。如图2所示，可知主面从GaN单晶的C面倾斜的倾斜角为23°以上、且断裂韧性值为1.36以上时，能够有效地控制裂纹的产生。
(实施例2)
准备实施例1中使用的GaN锭IB。将该GaN锭IB从[11-20]方向(即a轴方向)切片，并且使该切割面相对于C面向[11-20]方向倾斜，准备切割面相对于C面的倾斜角分别为23°、75°的两种衬底WA、WB各10片。另外，从[1-100]方向将GaN锭IB切片，并且使该切割面相对于C面向[1-100]方向倾斜，准备切割面相对于C面的倾斜角分别为23°、75°的两种衬底WC、WD各10片。这些衬底WA～WD的切片后的厚度为500μm，然后，通过进行磨削和研磨使衬底WA～WD的厚度为400μm。
图3是表示衬底WA～WD各10片中经过加工没有断裂的衬底的数量的图表。如图3所示，具有向[11-20]方向(a轴方向)倾斜的主面的衬底WA、WB与具有向[1-100]方向(m轴方向)倾斜的主面的衬底WC、WD相比，无论倾斜角的大小，衬底WC、WD均比衬底WA、WB的裂纹产生少，且不易断裂。
(实施例3)
对上述实施例2中制作的、具有向[1-100]方向倾斜75°的主面的衬底WB施加载荷。此时，使用动态微小硬度计(岛津制作所制，DUH-201S)。另外，以三角锥形的Berkovich压头的棱线在衬底WB的表面上投影的方向(换言之，是从与衬底WB的表面垂直的方向观察时，该表面上产生的压痕的凹线延伸的方向)与[11-20]方向(a轴方向)和与[11-20]方向垂直的方向一致的方式施加载荷。此时，将载荷设定为100gF(1gF可换算为9.80665g·m/s2)，将载荷保持时间设定为2秒。
在本实施例中，通过施加上述载荷在衬底WB上产生了裂纹，无论Berkovich压头的朝向，裂纹均沿着与[11-20]方向垂直的方向延伸。因此可知，相比[11-20]方向(a轴方向)衬底WB更容易沿着与[11-20]方向垂直的方向断裂。
(实施例4)
准备衬底WE、WF、WG、WH各5片。衬底WE具有从C面向[1-100]方向倾斜23°的主面，[11-20]方向的长度为10mm，与[11-20]方向垂直的方向的长度为5mm。衬底WF具有从C面向[1-100]方向倾斜23°的主面，[11-20]方向的长度为5mm，与[11-20]方向垂直的方向的长度为10mm。衬底WG具有从C面向[1-100]方向倾斜75°的主面，[11-20]方向的长度为10mm，与[11-20]方向垂直的方向的长度为5mm。衬底WH具有从C面向[1-100]方向倾斜75°的主面，[11-20]方向的长度为5mm，与[11-20]方向垂直的方向的长度为10mm。
测定衬底WE～WH上产生的、具有10μm以上深度的划痕的数量。然后，对衬底WE～WH各5片，分别计算划痕数的平均值。计算以[11-20]方向为长度方向的衬底WE的划痕数的平均值AE与以垂直于[11-20]方向的方向为长度方向的衬底WF的划痕数的平均值AF之比(AE/AF)，为0.78。同样地计算以[11-20]方向为长度方向的衬底WG的划痕数的平均值AG与以垂直于[11-20]方向的方向为长度方向的衬底WH的划痕数的平均值AH之比(AG/AH)，为0.65。由此可知，衬底的长度方向为[11-20]方向时，不易产生裂纹。
在上述的实施方式和实施例中，对氮化镓衬底具有向[1-100]方向倾斜的主面的情况以及具有向[11-20]方向倾斜的主面的情况进行了说明，但本发明中，氮化镓衬底的主面也可以向其它方向倾斜。
在优选的实施方式中对本发明的原理进行了图示说明，但本领域技术人员应当了解，本发明可在不脱离其原理的范围内对配置及细节加以变更。本发明并不限定于本实施方式中所公开的特定构成。因此，请求保护权利要求书请求的范围及根据其精神范围而得到的所有修改及变更。

Claims (5)

1.一种氮化镓衬底，其中，具有主面，所述主面相对于衬底结晶的C面的倾斜角为20°以上、160°以下，断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。
2.如权利要求1所述的氮化镓衬底，其中，主面向[1-100]方向倾斜。
3.如权利要求2所述的氮化镓衬底，其中，主面的形状为以[11-20]方向为长度方向、以与[11-20]方向垂直的方向为宽度方向的细长形状。
4.如权利要求2所述的氮化镓衬底，其中，主面与衬底结晶的C面所成的角为75°±4°以内。
5.如权利要求4所述的氮化镓衬底，其中，具有沿与[11-20]方向垂直的方向的解理面。
CN2010101949650A 2009-09-30 2010-05-31 氮化镓衬底 Pending CN102031564A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009227768A JP5381581B2 (ja) 2009-09-30 2009-09-30 窒化ガリウム基板
JP2009-227768 2009-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102031564A true CN102031564A (zh) 2011-04-27

Family

ID=42735293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101949650A Pending CN102031564A (zh) 2009-09-30 2010-05-31 氮化镓衬底

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8183668B2 (zh)
EP (1) EP2305860B1 (zh)
JP (1) JP5381581B2 (zh)
CN (1) CN102031564A (zh)
TW (1) TW201111565A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5365454B2 (ja) * 2009-09-30 2013-12-11 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス
WO2014097931A1 (ja) 2012-12-17 2014-06-26 三菱化学株式会社 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法
CN113692459B (zh) * 2019-03-29 2024-07-09 三菱化学株式会社 GaN基板晶片和GaN基板晶片的制造方法
JP7397760B2 (ja) * 2020-06-09 2023-12-13 株式会社東芝 発電素子

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8633093B2 (en) * 2001-04-12 2014-01-21 Sumitomo Electric Industries Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate
US6773504B2 (en) * 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
US6379985B1 (en) * 2001-08-01 2002-04-30 Xerox Corporation Methods for cleaving facets in III-V nitrides grown on c-face sapphire substrates
JP3841092B2 (ja) * 2003-08-26 2006-11-01 住友電気工業株式会社 発光装置
JP2006044982A (ja) 2004-08-04 2006-02-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体単結晶基板とその合成方法
WO2006130696A2 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Technique for the growth and fabrication of semipolar (ga,al,in,b)n thin films, heterostructures, and devices
JP4518209B1 (ja) * 2009-09-07 2010-08-04 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶基板、エピ層付ｉｉｉ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
DE112006001847B4 (de) * 2005-07-11 2011-02-17 Cree, Inc. Ausrichtung von Laserdioden auf fehlgeschnittenen Substraten
US7915714B2 (en) * 2006-04-27 2011-03-29 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and wafer
JP5003033B2 (ja) * 2006-06-30 2012-08-15 住友電気工業株式会社 ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
KR20090064379A (ko) * 2006-10-16 2009-06-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체의 제조 방법, 결정 성장 속도 증가제, 질화물 단결정, 웨이퍼 및 디바이스
JP5332168B2 (ja) * 2006-11-17 2013-11-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP4986714B2 (ja) * 2007-05-30 2012-07-25 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4572963B2 (ja) * 2008-07-09 2010-11-04 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系半導体発光素子、及びエピタキシャルウエハ
JP4375497B1 (ja) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
JP5040977B2 (ja) * 2009-09-24 2012-10-03 住友電気工業株式会社 窒化物半導体基板、半導体装置およびそれらの製造方法
KR100976819B1 (ko) * 2010-02-10 2010-08-20 (주)더리즈 반도체 기판 및 이를 이용한 발광소자
US8471366B2 (en) * 2011-11-30 2013-06-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor substrate
JP2013243217A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011073931A (ja) 2011-04-14
US8183668B2 (en) 2012-05-22
EP2305860B1 (en) 2019-06-26
JP5381581B2 (ja) 2014-01-08
EP2305860A3 (en) 2011-07-13
EP2305860A2 (en) 2011-04-06
US20120208355A1 (en) 2012-08-16
TW201111565A (en) 2011-04-01
US20110073871A1 (en) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101488545B1 (ko) Ｉｉｉ 족 질화물 반도체 결정의 제조 방법, ｉｉｉ 족 질화물 반도체 기판 및 반도체 발광 디바이스
JP6514915B2 (ja) 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法
US8310029B2 (en) Group III nitride semiconductor free-standing substrate and method of manufacturing the same, group III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same
US10316431B2 (en) Method of growing group III nitride crystals
EP1790759A1 (en) NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INCLUDING Ga, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SUBSTRATE AND DEVICE USING THE CRYSTAL
JP5282978B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板
US9518340B2 (en) Method of growing group III nitride crystals
CN102031564A (zh) 氮化镓衬底
JP2013230971A (ja) Ｌｄ用ｉｉｉ族窒化物半導体基板及びそれを用いたｌｄ用ｉｉｉ族窒化物半導体エピタキシャル基板
WO2013058352A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶
JP4340866B2 (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法
KR20170121176A (ko) C 면 GaN 기판
Zuo et al. Growth of AlN single crystals on 6H‐SiC (0001) substrates with AlN MOCVD buffer layer
WO2023037896A1 (ja) ＳｃＡｌＭｇＯ４基板を用いたＭＢＥ法による窒化物半導体自立基板の作成方法
JP2001158691A (ja) サファイヤ基板
JP5929434B2 (ja) ＡｌＮ系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
Feng et al. Anisotropy in electron mobility and microstructure of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Rojo et al. Progress in the preparation of aluminum nitride substrates from bulk crystals
JP2013116848A (ja) ＧａＡｓ系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
JP2013199412A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
KR20090084533A (ko) 질화갈륨 베이스 기판 및 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법
JP2006261649A (ja) 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法
JP2012136418A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110427