CN101942196B - 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 - Google Patents

含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN101942196B
CN101942196B CN2009100892188A CN200910089218A CN101942196B CN 101942196 B CN101942196 B CN 101942196B CN 2009100892188 A CN2009100892188 A CN 2009100892188A CN 200910089218 A CN200910089218 A CN 200910089218A CN 101942196 B CN101942196 B CN 101942196B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
cdse quantum
composite material
silicone resin
silicon resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009100892188A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101942196A (zh
Inventor
付绍云
杨洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Original Assignee
Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS filed Critical Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority to CN2009100892188A priority Critical patent/CN101942196B/zh
Publication of CN101942196A publication Critical patent/CN101942196A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101942196B publication Critical patent/CN101942196B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及的含CdSe量子点的硅树脂复合材料由无色透明的硅树脂和均匀分散于该硅树脂之内的CdSe量子点颗粒构成的纳米复合材料;该复合材料中的CdSe量子点与硅树脂的质量比为0.1-10;其制备步骤是将不同粒径的CdSe量子点颗粒溶于有机溶剂中,得CdSe量子点溶液;同时将硅树脂溶于合适的溶液中得硅树脂溶液;然后按复合材料中CdSe含量取相应的CdSe量子点溶液与硅树脂溶液均匀混合,真空使溶剂挥发完全,然后置于烘箱,固化成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料;该复合材料具一定的透明性和良好的发光性能,适用于光电器件、LED固体照明器件或户外霓虹灯的表面封装。

Description

含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途
技术领域
本发明涉及一种硅树脂纳米复合材料及制法和用途,更具体地说,本发明涉及一种含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,即LED)是一种有望取代目前大量实用的荧光灯管或灯泡的高效固体光源。传统LED实现白光化技术是在LED芯片上涂敷荧光粉然后再用环氧树脂进行封装,而荧光粉的光散射作用会加速封装树脂材料的老化而缩短LED的使用寿命,同时,封装结构的限制常常导致LED空间色度不均匀的问题。
量子点(Quantum Dots,即QD)粒径非常小,只有几个纳米,完全可以避免传统荧光粉所引起的光散射作用,而且能够根据尺寸变化可产生不同颜色的单色光,甚至白光,这是传统荧光粉根本无法实现的。将量子点加入基体材料中,不仅仅能增加量子点的稳定性,而且能避免荧光粉涂覆不均而引起的空间色度不均匀的问题。
CdSe是II-VI族半导体材料的重要一员,其体相的禁带宽度为1.72eV,因此CdSe量子点随着粒径的变化,其发射光的波长可以覆盖从蓝到红几乎整个可见光区。而硅树脂与环氧树脂相比,能有良好的耐光热老化性,因此,制备含CdSe量子点的硅树脂复合材料具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种含CdSe量子点的硅树脂复合材料。
本发明的另一目的是提供一种制备上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料的方法。
本发明的再一目的是提供一种上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料的用途。
本发明的技术方案如下:
本发明提供的含CdSe量子点的硅树脂复合材料,其由无色透明的硅树脂和均匀分散于该无色透明的硅树脂的CdSe量子点组成;所述CdSe量子点含量为所述硅树脂复合材料的0.1-10wt%。
所述CdSe量子点的粒径为1.5-9nm。所述的硅树脂为溶剂型硅树脂或无溶剂型硅树脂,其在可见光区的透光率为85%-99.9%。
本发明提供的含CdSe量子点颗粒的硅树脂复合材料的制备方法,其步骤如下:
1)将CdSe量子点颗粒溶于有机溶剂中得含CdSe量子点的有机溶剂;所述有机溶剂为正己烷、甲苯、氯仿或二氯甲烷;
2)将无色透明的硅树脂溶于有机溶剂中得硅树脂溶液;所述有机溶剂为乙醇、丙酮或甲苯;
3)然后将步骤1)所得含CdSe量子点的有机溶剂与步骤2)所得硅树脂溶液均匀混合,真空下使有机溶剂完全挥发,之后置于烘箱,固化成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料;所述CdSe量子点含量为所述硅树脂复合材料的0.1-10wt%。
所述CdSe量子点的粒径为1.5-9nm。所述的硅树脂为溶剂型硅树脂或无溶剂型硅树脂,其在可见光区的透光率为85%-99.9%。
本发明的含CdSe量子点的硅树脂复合材料用于光电器件、LED固体照明器件或户外霓虹灯的表面封装。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
1、本发明的含CdSe量子点的硅树脂复合材料及其制备方法,通过制备含有无机纳米发光颗粒的复合材料,实现了材料的光致发光。
2、本发明提供的方法制备的含CdSe量子点颗粒的硅树脂复合材料在可见光区具有一定的透明性。
3、本发明提供的方法制备的含CdSe量子点的硅树脂复合材料用于LED的封装时无需使用荧光粉,可以避免传统荧光粉所引起的光散射作用,延长LED的使用寿命;同时改善空间色度的均匀性;而且本发明制备含CdSe量子点的硅树脂复合材料的方法简单、易操作。
具体实施方式
下面结合实施例(但不限于所举实施例)进一步描述本发明:
实施例1
将0.01g粒径为1.5nm的CdSe量子点颗粒分散于2mL正己烷中,得含CdSe量子点的正己烷溶液;将10g透光率为99%的无溶剂型硅树脂(道康宁OE6665)溶于2mL丙酮得硅树脂丙酮溶液;然后将上述两种溶液均匀混合后,真空下使溶剂挥发完全,然后置于烘箱,150℃下固化1h成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料(其荧光发射位置在蓝光区域);
本实施例制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料,CdSe量子点含量为制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料的0.1wt%;
将未固化前的上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料注入LED模具中可封装基于InGaN/GaN的近紫外发光二极管芯片,150℃下固化1h后,得到可发白光的发光二极管。
实施例2
将0.05g粒径为3nm的CdSe量子点颗粒分散于2mL甲苯中,得CdSe量子点的氯仿溶液;将10g透光率为85%的溶剂型硅树脂(常州嘉诺FJN-9802)溶于2mL丙酮得硅树脂丙酮溶液;然后将上述两种溶液均匀混合后,涂膜,溶剂挥发完全后,180℃下烘干1h,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料(CdSe量子点含量为制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料的0.5wt%),其荧光发射位置在蓝光区域。
将未固化前的上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料涂覆于滤光片上,常温固化,则采用此滤波片可实现紫外光到蓝光的光源转换。
实施例3
将0.2g粒径为4nm的CdSe量子点颗粒分散于5mL氯仿中,得CdSe量子点的氯仿溶液;将10g透光率为95%的非溶剂型硅树脂(广州康尔佳有机硅材料有限公司KE560)溶于5mL乙醇得硅树脂丙酮溶液;然后将上述两种溶液均匀混合后,真空使溶剂挥发完全后,常温固化成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料(CdSe量子点含量为制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料为2wt%),其荧光发射位置在绿光区域。
将未固化前的上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料涂覆于滤光片上,常温固化,则采用此滤波片可实现紫外光到绿的光源转换。
实施例4
将0.5g粒径为5nm的CdSe量子点颗粒分散于2mL甲苯中,得CdSe量子点的氯仿溶液;将8g透光率为85%的溶剂型硅树脂(深圳安品AP-268)溶于2mL甲苯,得硅树脂的甲苯溶液;然后将上述两种溶液均匀混合后,涂膜,溶剂挥发完全后,160℃下固化15min,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料(CdSe量子点含量为制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料为5wt%),其荧光发射位置在黄光区域。
将未固化前的上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料均匀涂覆于紫外霓虹灯的玻璃管壁上,160℃下固化15min,得到黄光霓虹灯。
实施例5
将0.5g粒径为9nm的CdSe量子点颗粒分散于3mL二氯甲烷中,得CdSe量子点的二氯甲烷溶液;将5g透光率为90%的溶剂型硅树脂(杭州凌志LZ5301)溶于3mL乙醇,得硅树脂的丙酮溶液;然后将上述两种溶液混合均匀,真空使溶剂挥发完全后150℃固化1h固化成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料(CdSe量子点含量为制得的含CdSe量子点的硅树脂复合材料为10wt%),其荧光发射位置在红光区域。
将未固化前的上述含CdSe量子点的硅树脂复合材料均匀涂覆于紫外霓虹灯的玻璃管壁上,150℃固化1h,得到红光霓虹灯。

Claims (3)

1.一种含CdSe量子点颗粒的硅树脂复合材料的制备方法,其步骤如下:
1)将CdSe量子点颗粒溶于有机溶剂中得含CdSe量子点的有机溶剂;所述有机溶剂为正己烷、甲苯、氯仿或二氯甲烷;
2)将无色透明的硅树脂溶于有机溶剂中得硅树脂溶液;所述有机溶剂为乙醇、丙酮或甲苯;
3)然后将步骤1)所得含CdSe量子点的有机溶剂与步骤2)所得硅树脂溶液均匀混合,真空下使有机溶剂完全挥发,之后置于烘箱,固化成型,得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料;所述CdSe量子点含量为所述硅树脂复合材料的0.1-10wt%。
2.按权利要求1所述的含CdSe量子点颗粒的硅树脂复合材料的制备方法,其特征在于,所述CdSe量子点的粒径为1.5-9nm。
3.按权利要求1所述的含CdSe量子点颗粒的硅树脂复合材料的制备方法,其特征在于,所述的硅树脂为溶剂型硅树脂或无溶剂型硅树脂,其在可见光区的透光率为85%-99.9%。
CN2009100892188A 2009-07-09 2009-07-09 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 Expired - Fee Related CN101942196B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100892188A CN101942196B (zh) 2009-07-09 2009-07-09 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100892188A CN101942196B (zh) 2009-07-09 2009-07-09 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101942196A CN101942196A (zh) 2011-01-12
CN101942196B true CN101942196B (zh) 2012-06-13

Family

ID=43434409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100892188A Expired - Fee Related CN101942196B (zh) 2009-07-09 2009-07-09 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101942196B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102618035B (zh) * 2011-01-26 2013-10-16 中国科学院理化技术研究所 可发射白色荧光的CdSe量子点硅树脂复合材料及制法
KR101936116B1 (ko) * 2011-07-14 2019-01-10 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
CN103343005B (zh) * 2013-07-13 2015-05-13 上海洞舟实业有限公司 一种高稳定碳纳米荧光染色剂
CN108922958B (zh) * 2018-08-01 2024-03-15 苏州星烁纳米科技有限公司 白光led及显示装置
CN111273484B (zh) * 2020-03-11 2023-08-22 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种无阻隔膜量子点膜

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101338187A (zh) * 2007-07-05 2009-01-07 中国科学院理化技术研究所 一种光致发光透明环氧纳米复合材料及其制备方法和用途

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101338187A (zh) * 2007-07-05 2009-01-07 中国科学院理化技术研究所 一种光致发光透明环氧纳米复合材料及其制备方法和用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Hsueh-Shih Chen et al.InGaN-CdSe-ZnSe Quantum Dots White LEDs.《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》.2006,第18卷(第1期),第193-195页. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101942196A (zh) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101942196B (zh) 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途
CN101649114B (zh) 含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途
US9142732B2 (en) LED lamp with quantum dots layer
JP5340191B2 (ja) 光半導体装置
EP3427308B1 (en) Led module, device comprising at least one led module and a method of manufacturing led module
KR100693463B1 (ko) 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
KR101585430B1 (ko) 형광체용 나노하이브리드 복합체, 그를 이용한 광학 모듈 및 그의 제조방법
TW201142355A (en) Composite film for light emitting apparatus, light emitting apparatus and method for fabricating the same
CN103489996A (zh) 白光led封装工艺
CN107579146B (zh) 一种白光led用“汉堡包”结构荧光薄膜的制备方法
CN104752591B (zh) 碳量子点浓度调控的彩色平面显示薄膜及其制作方法
TW202018968A (zh) 複合量子點材料、製備方法及其顯示裝置
CN102869502A (zh) 可剥离型光转换发光膜
JP2010206208A (ja) 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法
KR101413660B1 (ko) 발광다이오드용 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 그 제조 방법
CN104119679B (zh) 硅树脂复合材料及其制造方法、照明器件、应用
KR20130125107A (ko) 디스플레이 형광체용 나노하이브리드 복합체 및 이의 제조방법
CN105047796B (zh) 一种全周光led光源及其制备方法
CN100483760C (zh) 一种白色发光二极管的封装方法
Li et al. Study on the photoluminescence intensity, thermal performance, and color purity of quantum dot light-emitting diodes using a pumping-light absorber
Zhou et al. Quantum dots electrostatically adsorbed on the surface of SiO2 nanoparticle-decorated phosphor particles for white light-emitting diodes with a stable optical performance
TWI473305B (zh) Light emitting diode structure
Cai et al. Enhancing Optical Performance for White Light-Emitting Diodes Using Quantum-Dots/Boron Nitride Hybrid Reflective Structure
TWI628812B (zh) Method for manufacturing solid state light emitter
KR101847467B1 (ko) 광변환 특성, 점접착층을 가지는 복합형 광변환 시트

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120613

Termination date: 20170709