CN101906621B - 矩形基座的不对称接地 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了在等离子体处理腔室(40)使用的接地基座(72)，其用于在支撑在该基座上并通过该基座接地的大矩形面板(74)上进行化学气相沉积。多个接地片(86)连接在基座的***和接地真空腔室之间以缩短RF电子的接地路径。柔性片允许基座垂直移动。所述片提供围绕所述***不对称的接地电导。所述片可均匀隔开但具有不同厚度或不同形状或从可用的接地点移除，由此提供不同RF电导。选择该不对称以改善沉积均匀性和PECVD所沉积膜的其他质量。

Description

矩形基座的不对称接地
本申请为申请人于2008年4月30日递交的申请号为200810094494.9并且发明名称为“矩形基座的不对称接地”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明主要涉及材料的等离子体处理。具体地，本发明涉及大矩形基座的电连接。
背景技术
为在硅晶圆上制造集成电路研发的多种制造技术已用于在玻璃和其他材料的大平板上制造显示器和其他电路。平板可形成为计算机或电视机显示器。近来，对使用相同类型设备来制造薄膜太阳能电池的兴趣不断增加。平板制造设备一直以来根据平板的尺寸和矩形形状而与晶圆制造设备区分。一些最早的平板具有一边尺寸为约500mm，但已有朝更大面板不断发展的趋势。具有尺寸2200mm×2500mm的一些最新设备工艺面板与300mm圆形晶圆的现有生产相对。由于这些面板具有55,000cm2的总面积，因此设备的这种生产称为55K。然而期望更大的面板。
制造平板显示器中使用的其中一种重要技术是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，等离子体增强化学气相沉积用于沉积典型的无定形氢化硅的半导体层和典型的无定形氢化氮化硅的绝缘层。无定形硅可以掺杂为任一传导体型从而形成晶体管或太阳能电池中所需的p-n结。该工艺还可用于沉积氧化硅和其他材料层。这些层的质量和均匀性，尤其是硅和氮化硅层，在商业应用中很重要。
发明内容
在化学气相沉积的工艺中支撑将由薄膜涂覆的衬底的基座在基座***不对称接地，例如与真空腔室的壁接地连接。接地可通过多个导电片(strap)在射频(RF)电导不同或围绕基座的***的分布方面的区别而实现。
本发明尤其有益于大尺寸的矩形基座，例如，大于1m，具有在相对高频率，例如，13.56MHz或以上提供给相对的激发电极的RF功率。
接地片可具有不同形状，由此得到不同的RF电导，即使所述片在基座***上以等间距连接或在基座***上均匀分布的接地点可仅部分占据(populated)接地片。
可选择接地的不对称以改善整个衬底上的沉积速率的均匀性。不对称还可改善其他的薄膜质量及薄膜均匀性，诸如无定形SiN:H中的硅-氢键的密度，应力或湿刻速率。根据一种设计规则，较高的片电导附加到与呈现低沉积速率的一侧的相对侧。
附图说明
图1是示意表示化学气相沉积使用的等离子体处理腔室的横截面视图，其示出在单个点处的接地基座的作用；
图2是化学气相沉积使用的等离子体处理腔室的横截面视图并示出多个***接地点；
图3是标准的接地片的平面视图；
图4是基座的平面视图，其示出多个***接地点；
图5是示出将基座的***连接到底腔室壁的一个接地片的局部剖视图；
图6是示出使用对称***接地的沉积速率分布图；
图7到图11是本发明可使用的不同形状和尺寸接地片的平面视图；
图12、13和14是示意性说明不对称接地矩形基座的三个实施方式的平面视图；
图15是说明基座的常规对称接地和不对称接地基座的图13和图14的两个实施方式的沉积分布图；
图16-18是分别说明对于图12-14的三个接地构造的氢化氮化硅中硅-氢键所占分数、应力和湿刻速率的围绕面板的分布图貌；
图19是类似于图15说明对于相同接地结构但不同沉积工艺的沉积分布图；
图20是说明对称接地矩形基座的平面视图；
图21和图22是说明矩形基座的不对称接地的两个实施方式的平面视图；
图23是说明对于图20-22的三个接地构造的沉积分布图；
图24是对于图20-22的三个接地结构的湿刻速率围绕面板的分布图貌。
具体实施方式
一种用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的典型沉积腔室包括紧邻支撑被涂覆面板的接地基座的喷头电极。用于沉积硅的工艺气体诸如硅烷(SiH4)和氢气(H2)通过宽喷头中的多个孔供应以向面板上方的处理空间均匀分布CVD前驱气体。用于沉积氮化硅的前驱气体的可选混合物是硅烷、氨(NH3)和氮气(N2)。RF电源，例如，在13.56MHz下工作，连接至喷头电极以将处理气体激发成等离子体并促使硅化学气相沉积到衬底上。接地基座充当为对于RF偏置喷头电极的反电极。基座可通过杆(stem)连接到升降机构以允许外部机械手将面板传送到基座上而然后提升面板更靠近喷头。
基座的接地通过接地围绕基座连接至外部升降机构的杆而非常容易实现。然而，Law等人已经在美国专利6,024,044中指出薄膜质量通过在基座***处的多个接地路径而改善。
需要***接地的精确理论很复杂且仅在研究中。在更基础的原理来看，由于金属基座的趋肤效应(skin effect)而必须使***接地。根据公知的趋肤效应，高频率辐射场可穿透进入高导电金属中仅较短的距离。相反地，电场根据进入金属中的深度t的指数函数e-t/δ下降，其中δ是趋肤深度，在非磁性材料中可计算为
δ = ρ πμcf ,
其中，ρ是金属的电阻率，μ是磁导率常数，c是光速，以及f是电磁辐射频率。对于2.8×10-6欧姆-厘米电阻率的铝和13.56MHz的RF频率，趋肤深度是约31微米，距离远小于典型的基座的厚度。然而由于增加的沉积速率，而期望更高的RF频率，但趋肤深度相应降低并且相关的接地效果增强。我们已经发现随着面板越来越大沉积非均匀性变得更差。
在图1的示意图中说明对于等离子体工艺腔室的金属趋肤深度的效果。真空腔室10电接地并包围支撑图中未示出的衬底的基座12。基座12通过连接至外部垂直的升降机构16的杆14而电接地连接真空腔室10。考虑到基座12的大尺寸和重量，同步操作的多个杆可分布在基座12的背部。气体源20将工艺气体供应给气体分配板背部中的歧管22或包含多个分散气孔26的喷头24，以将工艺气体均匀分配到喷头24和基座12之间的处理空间。该图放大了处理空间的高度，处理空间的高度通常比处理空间的宽度小很多。喷头24是导电的以充当为电极并与真空腔室10电绝缘。RF电源28连接至喷头24以将处理气体激发成在喷头24和基座12之间的RF等离子体30。
在产生RF等离子体30时，大量的RF电子与通常由铝组成的金属基座12电接地连接。然而，由于趋肤效应，RF电子不能直接穿透相对较厚的基座12，而是在薄表面层中沿迂回路径32流动到基座12的***34，下降到基座侧面，然后在基座12背部向内朝向杆14流动。RF接地电流流经的表面层的厚度，可以与趋肤深度近似，即，在铝中31微米。狭长的迂回路径32引起诸多可能的问题。如果路径32与RF波长可比，则驻波可能形成。在接地的真空腔室10与基座12的***34和底部之间存在电容耦合。当由于等离子体放电可能在***34和腔室壁之间发生以及可能夺走来自基座10和喷头24之间的等离子体30的功率，所以从该点到接地存在显著阻抗时，电容耦合在基座***34处出现尤其严重的问题。而且，在接地路径中长路径32引起电感。
最新的理论已经强调通过等离子体30的径向传导，由于等离子体中的较低波速该径向传导呈现甚至更大的趋肤效应。该领域的论文的例子包括Lieberman等人在Plasma Sources Science and Technology，vol.11，pp.283-293(2002)发表的“Standing wave and skin effects in large-area，high-frequency capacitive discharges”以及Chabert等人在ibid.，vol.15，pp.S130-S136(2006)发表的“Inductive heating and E to H transitions in highfrequency capacitive discharges”。
Blonigan等人最近在美国专利7,083,702中描述了更大且更多数量的***接地路径对于不断增大的基座的适宜性，在此引用该专利作为参考。55KPECVD腔室可包括总共50或更多接地片，所述接地片围绕基座的***均匀分布且柔性连接至真空腔室的底部。然而，均匀性和薄膜质量的问题仍然存在且需要解决。
图2的横截面视图中所示的大PECVD反应器40的实施例包括真空腔室42，该真空腔室42具有与底壁48整合的相对侧壁44，46。真空腔室42是金属的，典型地为铝，且电接地。形成在一个侧壁44中的装载端口(loading port)50连接至中央传送腔室以允许机械手将传送叶片上的面板传送至真空腔室42中。图中未示的狭缝阀在等离子体处理期间选择性密封装载端口50。可视端口52形成在相对的侧壁46中并用窗54密封以允许观察面板的装载和处理。窗玻璃典型地为电介质，与金属腔室壁相反。其他两个图中未示的腔室侧壁不包括显著影响真空腔室42内的导电条件的大孔。盖组件56被支撑在真空腔室42上并对真空腔室42密封，但可从离开真空腔室42提升用于腔室维护。盖组件56通常也电接地。真空泵57在真空腔室42的底部处连接真空腔室42的内部以将腔室内部抽吸到低托(Torr)范围。
气体分配板或喷头58通过悬架(hanger)60支撑在盖组件56上。气体源62向形成在喷头58和盖组件56顶部之间的歧管64供应处理气体。大量的气孔66形成在喷头58的宽区域上以将处理气体均匀注入到真空腔室42内的处理区68中。至少喷头58的前面是金属的，通常由铝制成，并与盖组件56和真空腔室42电绝缘，且通过RF电源70电偏置。在处理期间基座72支撑与跨越处理区68的喷头58相对的面板74或其他衬底。由于基座72支撑矩形面板，因此它也通常是矩形的。在沉积期间支撑在基座72上的阴影环75悬于面板74的***之上并可在一些结构中使用以确保面板74与基座72靠近并并列。Blonigan等人提供关于基座72的结构和组件的更详细描述。基座72安装在中央杆76上，该杆通过波纹管78与真空腔室42的底壁48密封以允许升降机构80，诸如电机驱动涡轮传动，在装载位置和处理位置之间垂直移动杆76和附接的基座72。在较低的装载位置，升降销82在基座72的表面上方伸出以容纳面板74，用于从传送面板74到***装载端口50的机械手叶片72以及传送面板74离开机械手叶片72。升降机构80然后升高基座72以提升面板74离开升降销82到基座的上支撑表面上，并进一步升高基座72到面板72与喷头58紧靠相对的处理位置。
基座72包括金属层，该金属层充当为与RF偏置喷头58相对的接地电极。因此，当RF电源70电偏置喷头58时，它将两个电极58，72之间处理区68中的处理气体激发为RF等离子体，其激活面板74上预期层的化学气相沉积涉及的化学反应。为了克服趋肤效应和其他相关的RF效应，多个接地片86连接在基座72的***和接地真空腔室42的底壁48之间，充当为到RF电源70的大RF回路。接地片86必须为柔性的以容纳基座72在基座72的两个位置之间的垂直运动。杆76也接地但一般认为杆76接地主要有利于穿过杆到嵌入在基座72中的热电偶的电信号线的电屏蔽，其中基座被电加热至精确可控的温度。接地片86将RF电子直接分流(shunt)到腔室底壁48从而显著缩短接地路径并远离基座72移动电子。
图3的平面视图中示出在平放状态的标准接地片88。该标准接地片88具有宽度W，例如约10mm以及厚度约0.5mm，且由诸如铝的软金属组成使得标准接地片88为柔韧性的，并且当横向弯曲到标准接地片88的厚度时，不会施加明显的复原力。片厚度小于片宽度W的10％，但只要标准接地片88实质上大于趋肤深度，则片厚度对片88的RF电导具有相对比较小的影响。鉴于基座72和腔室壁的最大间隔，以及端管脚(end mount)的长度以及一些曲率，选择片88的长度L，例如，长度约400mm。对于大部分长度，标准接地片88是无图案的带形。然而，每端形成有两个安装耳状物90，在该两个安装耳状物之间形成有端部狭槽92，该端部狭槽的宽度精确啮合用于安装其的螺钉杆。
如图4的俯视平面图所示，基座72的上表面形成有与在基座72上将支撑的面板具有相同尺寸的一般矩形底座96。凹陷壁架98围绕底座96以支撑阴影环的底部，该阴影环在处理期间悬于面板的***之上。一般地矩形凹槽100形成壁架98中并一般围绕基座72均匀隔开。如图5的剖面侧视图所示，它们具有深度，该深度容纳贯穿每个凹槽100下方的两个通孔106的两个螺钉104头部102，每个凹槽100用于安装每个接地片88。螺钉104旋入成形夹具110和片端部狭槽92区域的螺纹孔108中以俘获耳状物90并从而俘获片88的上端。成形夹具110具有尖头端112，尖头端112具有向下倾斜的上侧部，从而随着尖头端112离开支撑片88弯曲。同样地，螺纹孔114机械加工在真空腔室42的底壁48中。具有向上倾斜侧部的尖头端118的第二成形夹具116通过贯穿片端部狭槽92的两个螺钉119和第二夹具116中的贯穿孔紧固，并旋入腔室底壁48的螺纹孔114中以俘获二者之间的接地片88的底端。
接地片电连接在基座的***和接地腔室主体之间。基座的***意在包括基座的外部横向侧面以及基座顶表面和底表面的最外部分，其中顶表面和底表面与侧面隔开从侧面到基座中心的距离的10％或20％内。还可能将接地片连接到接地腔室侧壁44，46，而不是连接到腔室底壁48。
已经发现定位接地片88以实质上位于壁架98或基座72***下方或不主要位于底座96和被支撑的面板74下方是有益的，即，以平行于矩形基座72的相关边的方向弯曲。这种朝侧向取向，与图2相反，图2中片86表示为朝基座72的中间弯曲，避免了与升降销的干扰并使接地电流远离基座72的底部。
然而，即使五十个接地片似乎也不能解决均匀性问题。具体地，对于氮化硅的沉积速率，典型地沿装载端口50(下文称为狭缝阀或S/V)和窗端口50(下文称为窗或W)之间的中心线的沉积分布以图6中所示的不对称图案变化。使用标准接地片的沉积速率靠近中心呈现明显最大值，以及朝窗和狭缝阀不对称降低。该数据通常表明越接近狭缝阀的一边上的沉积越多。Choi等人在2006年3月23日提交的且现在出版为美国公开的专利申请2007/0221128的美国专利申请11/389,603中公开了类似的沉积不均匀性但采用不同的方法来改善该不均匀性。
我们已经确定不对称接地配置影响沉积分布并可减少不对称沉积分布。虽然我们不受本发明的理论的理解限制，但我们认为装载端口和相关的狭缝阀引起电磁场的主要不对称，其需要不对称接地以补偿不对称的电磁场。我们现在认为其自身的可视端口不会引起进一步的不对称，但其用作参考点来描述应用本发明的腔室。
本发明的一个实施方式可应用于接地片的对称定位，其通过图4中凹槽100的均匀间隔表示。然而，不同类型的接地片将基座的不同部分连接到地以实现不对称接地。
在图7的平面视图中所示的宽接地片120，具有宽度W，显著大于图3的标准接地片88的宽度。例如，宽接地片120的宽度W可以是50mm，是标准接地片88的宽度的四倍。然而，宽接地片120的长度L可以相同。宽接地片120具有比定位在端部狭槽124的每侧上的图3的耳状物90更宽的耳状物122，该端部狭槽124具有与前文所述的端部狭槽92大约相同的宽度。因此，宽接地片120可具有通过图5的相同夹紧装置而夹紧的端部，并代替标准对称接地片88，而不改变基座72或夹具部件。可以认为宽接地片120增加了电导，即使在与宽接地片120增加的宽度成比例的RF频率下。由于宽接地片120填充不同尺寸的外形轮廓，宽接地片120具有与标准接地片88不同的形状，尽管宽接地片120与标准接地片88的全部特征在许多方面功能相似。
宽接地片120可合宜地具有与标准接地片88相同的厚度且由相同材料形成。然而，增加的宽度可能降低接地片的柔韧性或者接地片的电导可能必须稍微减小。因此，图8和图9的平面视图中所示的有孔接地片126，128可以具有与标准或宽接地片88，120相同的外部形状，但分别包括狭缝孔130或菱形孔132，狭缝孔130和菱形孔132都沿中间纵轴居中定位。对于50mm宽片，孔130、132的宽度可以是30mm。孔130、132减小片126中间的机械强度，并从而增加片柔韧性。可选地，颈状接地片134可以具有一个平坦边但具有切入另一边中的凹槽136，从而对于50mm宽片形成具有宽度30mm的颈138。颈状片134还具有增加的柔韧性。对于设计者来说，中间具有减小的横截面的其他形式的颈状或其他形状的片是显而易见的。孔和颈影响片电导，但如果孔和凹槽限制为轴长的相对小的中间部分，则片的电导将不会显著减小，而至少中间部分可容易弯曲以容纳基座的垂直运动。有孔的和颈状接地片126、128、130和132可以或可以不填充标准接地片88的相同的主要外形轮廓，但由于导入其中的几何特征其具有与该标准接地片的不同形状。
偏移的宽接地片140，如图11的平面视图中所示，包括窄耳状物142和宽耳状物144，并在二者之间形成端部狭槽146。端部狭槽146从片140的中间纵轴偏移，而前述实施方式的端部狭槽124表示为与中间纵轴对称。窄耳状物142的宽度近似对应安装螺钉102、119和基座72的壁架98的***之间的距离。有利地，窄耳状物142的宽度与图3的标准接地片88的对称耳状物90相同以允许较宽的不对称接地片代替具有相同夹具部件的较窄对称接地片。这种设计具有能在两个不同取向安装在基座72上的优势，所述优势取决于片140的哪一边被紧靠基座72安装。在一个取向，安装的片140几乎完全从基座72的边缘向内放置。在另一取向，安装的片140的大部分从基座72的边缘向外延伸放置。
接地或导电片的形状不限于所示的这些。Blonigan等人已经在前文引用的专利中公开了具有有限数量的连接更刚性部分的柔性接头的宽幕式片。平面形状的片不是必须的但有利于柔韧性。辫状片是可行的但引起真空抽吸的问题。
我们已经发现沉积均匀性可通过在围绕基座***的不同位置处安装不同形状的接地片而改善。在标准的或传统结构中，所有的接地片是图3的窄接地片88。已经尝试不同的不对称结构。在一个结构中，标示W-内(W-IN)并示意性在图12的平面图中所示，图11的50mm宽的偏移接地片140沿靠近可视端口52和窗54的基座72的整个边安装，一般用内部区域150来表示。另外，将它们的宽边安装在基座72的内部上。在W-内的结构中，标准10mm宽的接地片88安装在基座72的剩余三个边上。在近似相关但不同的结构中，表示W-外(W-OUT)并示意性在图13中的平面视图中所示，50mm宽的偏移接地片140沿靠近窗54和可视端口52的整个基座72安装，一般用外部区域152表示。然而，不同于W-内的结构，它们的宽边安装在基座72的外部使得它们局部悬于基座***之上。另外，标准10mm宽的接地片88安装在剩余的三个边。鉴于通常小尺寸的可视端口52，该结构的基本效果可能是将额外接地放置在装载端口50的相对侧上。两个所示的结构可以修改从而额外的接地仅沿窗侧面的一部分延伸。
在另一结构中，标示S-1/2并在图14的平面视图中示意性示出，50mm宽的偏移接地片140沿靠近狭缝阀和装载端口50的基座72的整个边安装，用端部区域154表示，并还沿更靠近狭缝阀的基座72的一半垂直边160、162安装，用侧边区域156、158表示。在该实施方式中，所有的接地片140的宽边安装在基座72的外部上。标准10mm-mm宽的接地片安装在基座72的剩余侧边区域上。所示的S-1/2结构可以以多种方式变型诸如，沿小于或大于一半垂直边160、162延伸的额外接地。在更复杂的修改中，垂直边160、162上的额外接地不均匀但从靠近窗侧边的大额外接地逐渐变细到没有朝狭缝侧边的任何额外接地。不对称接地的其他结构也是可能的。
三个接地结构可在其他相同的腔室条件下使用来沉积氢化的氮化硅薄膜。沉积膜的厚度在面板的窗和狭缝阀之间的中线上测得。沉积速率的分布在图15中示出。使用所有10mm宽的接地片的标准结构STD的沉积速率靠近中线呈现最小并且朝两侧增加。其中更宽的接地片放置窗侧上的W-外的结构一般呈现更高且略微平坦的沉积速率，但在狭缝阀侧边上具有略微更高的沉积。在其中更宽接地片放置在更靠近狭缝阀侧边的底座的二分之一处的S-1/2结构呈现一个窄峰，但在窗侧边上沉积速率呈现较宽的谷值以及在窗侧边上的窄谷值但较宽的峰。对于S-1/2结构的结果的不对称与所期望相反。
额外的不对称接地电容似乎一般增加沉积。用于解释该结果的一个测量将所有接地片的宽度求和，用于计算有效接地电导。五十个10mm宽的标准片具有总宽度500mm。如果W-外结构包括38个10mm宽的标准片和12个50mm宽的标准片，则总宽度是980mm，产生两倍STD结构的电导。S-1/2结构具有总宽度1500mm的相同数量的标准片且宽的片，产生三倍STD结构的电导。
虽然S-1/2结构的不对称接地显著增加沉积不对称，但是实验证明沉积不对称可以控制。然而，实验基于接地不对称的极端情形。接地量的更精确调整将减少产生沉积的不对称，同时补偿由标准结构产生的沉积不对称。
实验支持在一侧上的额外接地增加另一侧上的沉积速率的结论。
对于商业生产，沉积速率和沉积均匀性不是唯一的考虑因素。还必须考虑薄膜质量和薄膜均匀性。图16，17和18表示用三个所述结构生长的氢化的氮化硅薄膜的薄膜质量的三个测量。方框包含硅-氢键分数的测量值，应力和在中间、四个边，以及面板的两个拐角处测得的湿刻速率。最高值是对于STD接地片结构，中间值是对于W-外的结构，以及最低值是对于S-1/2结构。氢化的硅中的氢分数在图16中表示。一般地，期望低氢分数。薄膜的应力在图17中表示。一般地，期望低应力而不管压应力或拉应力。湿刻速率(WER)在图18中表示。一般地，高湿刻速率显示差的薄膜质量因此期望低WER。
不同工艺的结果表示来自于图15-18的工艺的显著不同的结果。例如，对于标准、W-外和S-1/2接地结构，SiN:H的PECVD的不同组的条件产生在图19的图中所示的沉积分布。这些结果更清楚地证实腔室一侧的额外接地降低该侧上的沉积速率但增加相对侧的沉积速率。
根据这些结果，我们认为S-1/2接地结构最具有前景。继续研究工作以构造所涉及工艺的最佳接地结构。然而，重要地，已经证实接地不对称可补偿并至少部分校正由腔室不对称引起的沉积不对称。
具有更复杂分布的更详细的实验已示出，证实进一步的改进。接地片的标准、均匀分布在图20的平面视图中示出，其中每个单独阴影线方框表示20mm宽的接地片170或更具体地表示在基座72上的接地点。在一组两个相对边上存在十二个接地片170，在另一组的两个相对垂直边上存在十四个接地片170，反应基座170的略微非方形形状。因而，总共存在52个接地片170。如图所示，接地片170的接地点沿各个边均匀分布但偏移各个角。该偏移容纳柔性接地片的较大弯曲，该接地片可延伸超过在畸变S形的数个接地点。金属真空腔室的底部上的接地点可以偏离基座72上的相应接地点。另外，柔性接地片允许腔室接地点定位在金属真空腔室的较低侧壁上。
接地片的不对称S-1/2分布在图21的平面视图中示出，其中每个双阴影线方框表示在面向狭缝阀的基座的一边上以及更靠近狭缝阀的基座壁的一半相对垂直边上的50mm宽的接地片172。50mm宽的接地片可以具有图11的接地片140的不对称形状，优选地接地片的宽边悬于基座72的一边之上。另一方面，20mm宽的接地片70保持在基座72与狭缝相对的一边上和远离狭缝阀的一半相对垂直边上。
接地片的更不对称的S-1/2+分布在图22的平面视图中示出，其中每个空方框表示在均匀分布的接地点处的任意接地片的缺失，即，空接地片174。与S-1/2分布比较，一半或近似一半的20mm接地片从相对狭缝阀的基座的一边和远离狭缝阀的一部分相对的垂直边上去除，并且仅保留一半数量的20mm接地片170，但更接近狭缝阀的接地点保持全部组装50mm接地片172。
应用在PECVD工艺中沉积SiNx的相同工艺配方来测试三个不同的接地结构，其中PECVD工艺使用比氢化硅的工艺更高的功率。对于三个接地结构，整个面板上的沉积速率分布在图23中示出。图20的具有均匀接地的标准(STD)结构示出在狭缝的侧边上的强而宽的沉积峰。图21的不对称S-1/2结构表现出在面板的中间上延伸的更宽的沉积峰，但靠近狭缝阀和相对的窗具有显著的谷值。图22的更不对称S-1/2+结构表现出更均匀的沉积分布。可以进一步优化接地结构。
薄膜性能的分布也很重要。图24示出对于图20-22的三个接地结构，在面板上的十二个位置处以埃(0.1nm)每分钟单位的湿刻速率值。每个方框包含对于STD、S-1/2和S-1/2+接地结构从上到下的点处的值。除了叙述接地结构不影响湿刻速率以及湿刻速率在面板上的二维图案中变化外，这些结果将不做详细讨论。可获得表面电阻、应力和测量Si-H和N-H原子键密度的傅立叶变换红外光谱学(FTIR)的薄膜特征的类似数据。所述具体的数据允许对于CVD设备的特定应用来选择优化的接地结构。
本发明不限于在两个独立区域内均匀分布的两种类型的均匀隔开接地。可以使用两种以上不同类型的接地片并且不同接地片可以分布在三个或更多区域中。接地不对称可以用不同于在均匀隔开的接地位置的不同处放置不同导电片的所述实施例的方式来实现。类似的结果可通过变化围绕基座***的接地位置的分布而获得，即，增加和减少均匀隔开且相同的接地片的标准结构中接地片的数量。即，可以变化接地片之间的分布和间隔来产生预期的接地不对称。在不均匀分布中，接地片可以是相同或不同类型。
本发明不限于由狭缝阀和可能的相对窗引起的不均匀。由于相对小尺寸的窗，与狭缝阀相关的装载端口可以仅造成需要补偿的所观察到的不均匀性。另外，可视端口或其他不对称腔室结构可以定位在垂直于狭缝阀壁的壁上，可能需要关于底座的垂直中心线不对称的接地。
不对称接地可用于补偿除了窗和狭缝外之外的腔室不对称。例如，其它类型的不连续可能形成在金属腔室壁中，尤其是电介质构件中。甚至非方形基座引起腔室内的不对称。另外，考虑到距离基座的中心的距离，接地可以沿基座的矩形边而变化。
本发明最有益于圆角限制于小于基座一边长度10％的大矩形基座，或者具有该小尺寸的其他次要非方形部件。然而，用于300mm和更大晶圆的圆形基座可由使用不对称***接地受益，因为所述腔室通常还包括在一般管形壁的一侧上的晶圆端口和狭缝阀。
接地片的柔韧性容纳基座的垂直运动。如果基座不移动，则片不需要是柔韧性的。接地不对称的要求程度取决于沉积不对称或被补偿的其他效应。所述实施方式使靠近窗和狭缝阀的整个边上以及在一半垂直壁之上的接地电导变化约四分之一。可能需要更少的不对称。一个限定是一个基座边缘的至少一半具有总接地电导，该基座与另一相同尺寸的基座边缘部分的电导相差至少50％或至少100％的分数。
虽然本发明描述用于等离子体腔室，其中基座和喷头都平行于地面水平延伸，但是类似的不对称接地可应用于其中基座和喷头垂直配置或至少明显相对水平倾斜的等离子体腔室。因此，基座不完全支撑面板但被设计为与面板靠近且并置以及与面板电耦合以确定面板电势。另外，在所述垂直配置中的升降机构实质上从而相对电极水平地来回移动而不是严格地提升面板。而且，在所述垂直配置中，结构不对称可能由在其底部边缘局部支撑面板的结构造成。
虽然本发明在上下文中描述在零电势下连接到主体的接地片，但是不对称导电片可以连接到固定的非零电势或变化的电势。具体地，本发明可应用于其中喷头通常接地且基座RF供电使得多个导电片将基座***连接到RF电源的等离子体刻蚀腔室。
本发明允许对不昂贵且容易制造的接地片进行简单修改而改善均匀性和薄膜质量。另外，对腔室接地的修改可在该领域中进行并不同工艺进行不同修改。

Claims (14)

1.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的第二电极，所述第二电极与第一电极相对，并配置为与被处理的矩形衬底并列；以及
围绕所述第二电极的***不均匀分布的多个导电片，所述多个导电片将所述***连接到预定电势的主体，并对围绕所述***的主体产生不对称接地电导。
2.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的第二电极，所述第二电极与第一电极相对，并配置为与被处理的矩形衬底并列；以及
具有围绕所述第二电极的***不均匀分布的不同形状的多个导电片，并且所述多个导电片将所述第二电极的所述***连接到预定电势的主体，沿着平行于所述***的相关部分的方向弯曲，并对围绕所述***的主体产生不对称接地电导。
3.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的真空腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的矩形第二电极，所述矩形第二电极与第一电极相对，配置为与被处理的矩形衬底并列；以及
连接到所述矩形第二电极的***和预定电势的主体的多个导电片，所述多个导电片沿所述***不均匀地设置，并产生围绕所述***变化的不对称接地电导。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理腔室，其特征在于，选择所述不对称接地电导以具有改善沉积均匀性的变化。
5.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的真空腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的第二电极，所述第二电极与第一电极相对，配置为与被处理的矩形衬底并列，并具有第一组两个相对且平行的边和垂直于所述第一组边的第二组两个相对且平行的边；
沿所述第一组边不均匀地设置的多个第一导电片，所述多个第一导电片将所述第二电极的第一组边连接到预定电势的主体；以及
将所述第二电极的第二组边连接到所述主体的多个第二导电片，其中所述第一导电片和所述多个第二导电片对围绕所述第二电极的***的主体产生不对称接地电导。
6.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，所述第一导电片沿所述第一组边以不均匀分布设置。
7.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，所述第二导电片沿所述第二组边以均匀分布设置。
8.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，所述腔室进一步包括连接到所述第二电极的升降机构，以移动所述第二电极靠近和远离所述第一电极，其中所述第一导电片和所述第二导电片是柔韧性的并响应所述第二电极的移动而弯曲。
9.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，选择所述不对称接地电导以具有改善等离子体增强化学气相沉积均匀性的变化。
10.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的第二电极，该第二电极与第一电极相对，并配置为与被处理的矩形衬底并列，并且所述第二电极具有第一组两个相对且平行的边和垂直于所述第一组边的第二组两个相对且平行的边；
沿所述第一组边不均匀地设置的多个第一导电片，所述多个第一导电片将所述第二电极的第一组边连接到预定电势的主体，其中所述预定电势是非零电势或者变化的电势；以及
将所述第二电极的第二组边连接到所述主体的多个第二导电片，其中所述第一和第二导电片对围绕所述第二电极的***的主体产生不对称电导。
11.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述第一导电片沿所述第一组边以不均匀分布设置。
12.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述第二导电片沿所述第二组边以均匀分布设置。
13.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述腔室进一步包括连接到所述第二电极的升降机构，以移动所述第二电极靠近和远离所述第一电极，其中所述第一和第二导电片是柔韧性的并响应所述第二电极的移动而弯曲。
14.一种等离子体处理腔室，包括：
包括侧壁和后壁的腔室；
所述腔室内的第一电极；
所述腔室内的矩形第二电极，所述矩形第二电极与第一电极相对，配置为与被处理的矩形衬底并列；以及
连接到所述第二电极的***和预定电势的主体的多个导电片，所述多个导电片沿所述***不均匀地设置以对围绕所述第二电极的***的主体产生不对称电导。
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101374583B1 (ko) * 2007-03-01 2014-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ 셔터
US7972470B2 (en) * 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
US7988815B2 (en) * 2007-07-26 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements
TWI421360B (zh) * 2007-12-06 2014-01-01 Intevac Inc 雙面濺射蝕刻基板之系統與方法（一）
KR101166988B1 (ko) * 2007-12-25 2012-07-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 챔버의 전극에 대한 비대칭 ｒｆ 구동
CN101933402B (zh) * 2008-01-31 2013-03-27 应用材料公司 用于等离子体腔室的电极的多相射频电源
US20100136261A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Modulation of rf returning straps for uniformity control
KR20110099122A (ko) * 2008-12-03 2011-09-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 균일성 제어를 위한 ｒｆ 리터닝 스트랩들의 변조
KR101534024B1 (ko) * 2008-12-10 2015-07-08 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN102365906B (zh) * 2009-02-13 2016-02-03 应用材料公司 用于等离子体腔室电极的rf总线与rf回流总线
US8466697B2 (en) * 2009-04-28 2013-06-18 Lam Research Corporation Arrangements for detecting discontinuity of flexible connections for current flow and methods thereof
CN102460649B (zh) * 2009-05-13 2015-03-11 应用材料公司 经阳极处理的喷头
JP2010287639A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US8360003B2 (en) * 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
WO2011041332A2 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 Applied Materials, Inc. Off-center ground return for rf-powered showerhead
KR101127757B1 (ko) * 2009-12-02 2012-03-23 주식회사 테스 서셉터 접지유닛, 이를 이용하여 서셉터 접지의 가변방법 및 이를 갖는 공정챔버
JP5782226B2 (ja) * 2010-03-24 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101924488B1 (ko) * 2010-05-12 2018-12-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 공간이 한정된 ｐｅｃｖｄ 챔버
JP5375763B2 (ja) * 2010-07-27 2013-12-25 三菱電機株式会社 プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法
CN102810770B (zh) * 2011-05-31 2015-03-04 中微半导体设备(上海)有限公司 实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
JP5824330B2 (ja) * 2011-11-07 2015-11-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9508530B2 (en) 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
CN104024477B (zh) * 2011-11-23 2016-05-18 朗姆研究公司 多区域气体注入上电极***
CN102543641B (zh) * 2012-01-20 2015-07-08 中微半导体设备(上海)有限公司 实现等离子体刻蚀腔体弹性接触的连接器件
WO2013122954A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Linear pecvd apparatus
US8911588B2 (en) * 2012-03-19 2014-12-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selectively modifying RF current paths in a plasma processing system
US9245720B2 (en) * 2012-06-12 2016-01-26 Lam Research Corporation Methods and apparatus for detecting azimuthal non-uniformity in a plasma processing system
KR102101192B1 (ko) * 2012-07-27 2020-04-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 조면화된 기판 지지부
KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TW201437423A (zh) * 2013-02-21 2014-10-01 Applied Materials Inc 用於注射器至基板的空隙控制之裝置及方法
KR102193652B1 (ko) * 2013-03-11 2020-12-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 공정 챔버 리드
CN103474319B (zh) * 2013-09-12 2015-11-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种减少晶圆葡萄球状缺陷的离子注入机
US20150211114A1 (en) * 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
JP6233209B2 (ja) * 2014-06-30 2017-11-22 豊田合成株式会社 サセプターとその製造方法
CN104368288A (zh) * 2014-11-25 2015-02-25 三明学院 低真空低温射频感性耦合等离子体反应器及其使用方法
TW201629264A (zh) 2015-01-22 2016-08-16 應用材料股份有限公司 用於間隙偵測的智能止動器及控制機制
CN104947072B (zh) * 2015-05-14 2017-12-05 昆山龙腾光电有限公司 在基板上制作氧化硅薄膜的方法以及薄膜晶体管阵列基板的制作方法
KR20180006496A (ko) 2015-06-05 2018-01-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터 포지션 및 회전 장치, 및 사용 방법들
TWI723024B (zh) 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
KR102099382B1 (ko) * 2015-10-07 2020-04-13 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR102142557B1 (ko) * 2016-06-21 2020-08-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf 리턴 스트랩 차폐 커버
WO2018121897A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 Evatec Ag Vacuum plasma workpiece treatment apparatus. pr1610
KR102399343B1 (ko) * 2017-05-29 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 화학기상 증착장치
EP3588533A1 (en) * 2018-06-21 2020-01-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Plasma source and method of operating the same
CN111326389B (zh) * 2018-12-17 2023-06-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
CN111326387B (zh) 2018-12-17 2023-04-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
KR20200093754A (ko) * 2019-01-29 2020-08-06 주성엔지니어링(주) 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치
WO2020222764A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Applied Materials, Inc. Ground strap assemblies
US11549183B2 (en) * 2019-05-24 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Showerhead with inlet mixer
CN110289235B (zh) * 2019-07-09 2021-07-09 北京北方华创微电子装备有限公司 开盖装置和半导体加工设备
CN112447475B (zh) * 2019-09-05 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置
JP7401279B2 (ja) 2019-12-06 2023-12-19 株式会社アドバンテック 対象物を加熱及び冷却するためのステージ
US11443921B2 (en) * 2020-06-11 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Radio frequency ground system and method
KR20220031849A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
CN114203506B (zh) * 2020-09-18 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其方法
JP7458337B2 (ja) 2021-02-09 2024-03-29 株式会社アドバンテック 対象物を加熱及び冷却するためのステージ
TWI817606B (zh) * 2022-07-13 2023-10-01 友威科技股份有限公司 雙電極連續式電漿製程系統

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6024044A (en) * 1997-10-09 2000-02-15 Applied Komatsu Technology, Inc. Dual frequency excitation of plasma for film deposition
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
CN1752281A (zh) * 2004-09-21 2006-03-29 应用材料股份有限公司 制程处理室中阴极的射频接地
CN1826679A (zh) * 2003-06-12 2006-08-30 应用材料公司 用于大面积衬底等离子体反应器的rf电流回路

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US602404A (en) * 1898-04-12 John mueller
JPH08306670A (ja) 1995-05-09 1996-11-22 Sony Corp プラズマアッシング装置
JPH1079350A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
US6358376B1 (en) 2000-07-10 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Biased shield in a magnetron sputter reactor
ES2367752T3 (es) * 2002-10-29 2011-11-08 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Procedimiento y dispositivo para generar plasma uniforme de alta frecuencia sobre un area de gran superficie.
US7354288B2 (en) * 2005-06-03 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Substrate support with clamping electrical connector
US20070221128A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Soo Young Choi Method and apparatus for improving uniformity of large-area substrates
US8004293B2 (en) * 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
US8381677B2 (en) * 2006-12-20 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on PECVD process chamber wall
US8080479B2 (en) * 2007-01-30 2011-12-20 Applied Materials, Inc. Plasma process uniformity across a wafer by controlling a variable frequency coupled to a harmonic resonator
KR101374583B1 (ko) * 2007-03-01 2014-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ 셔터
US7972470B2 (en) * 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
US20080289686A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Tae Kyung Won Method and apparatus for depositing a silicon layer on a transmitting conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
US7964430B2 (en) * 2007-05-23 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Silicon layer on a laser transparent conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
US8142606B2 (en) * 2007-06-07 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same
US20080302303A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a uniform silicon film with flow gradient designs
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
JP5745394B2 (ja) * 2008-03-20 2015-07-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板支持体、プラズマ反応装置、および、サセプターを形成する方法
CN102177769B (zh) * 2008-10-09 2016-02-03 应用材料公司 大等离子体处理室所用的射频回流路径
TWI558843B (zh) * 2009-02-04 2016-11-21 應用材料股份有限公司 用於電漿製程的接地回流路徑
US9508530B2 (en) * 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6024044A (en) * 1997-10-09 2000-02-15 Applied Komatsu Technology, Inc. Dual frequency excitation of plasma for film deposition
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
CN1826679A (zh) * 2003-06-12 2006-08-30 应用材料公司 用于大面积衬底等离子体反应器的rf电流回路
CN1752281A (zh) * 2004-09-21 2006-03-29 应用材料股份有限公司 制程处理室中阴极的射频接地

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