CN101895271B - 弹性波谐振器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种弹性波谐振器,这种弹性波谐振器利用非泄漏型弹性波,不仅所进行交叉宽度加权使得横模波纹造成的杂散波难产生,而且能提高反谐振频率的Q值和抗电性,并能谋求减小片规模和提高设计自由度。其中弹性波谐振器(1)在压电基片(2)上形成IDT电极(3),对IDT电极(3)进行交叉宽度加权,使得弹性波传播方向上出现多个交叉宽度的极大值,或者交叉宽度加权中所作加权使得位于与弹性波传播方向正交的方向外侧的一对包络线内至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向设置多个从IDT电极(3)的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分(A1、A2、B1、B2)。
Description
本发明申请是国际申请号为PCT/JP2007/053058,国际申请日为2007年2月20日,进入中国国家阶段的申请号为200780009239.3,名称为“弹性波谐振器”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及利用弹性表面波或弹性边界波的弹性波谐振器;详细而言,本发明涉及对IDT电极进行交叉宽度加权的单端口型弹性波谐振器。
背景技术
以往已提出利用弹性表面波或弹性边界波的各种弹性波谐振器。例如,专利文献1揭示图16和图17所示的弹性表面波谐振器。图16所示的弹性表面波谐振器501是专利文献1中作为已有例示出的利用乐甫波(Love Wave)的弹性表面波谐振器。此弹性表面波谐振器501在压电基片502上形成IDT电极503。IDT电极503是标准型IDT电极。弹性表面波谐振器501中,利用乐甫波的谐振特性,但存在产生横模造成的杂散波的问题。
因此,专利文献1中,作为能抑制横模造成的杂散波的结构,揭示具有图17所示电极结构的单端口型的弹性表面波谐振器511。弹性表面波谐振器511在IDT电极512的弹性表面波传播方向两侧,配置反射器513、514。而且,如图中所示,对IDT电极512进行交叉宽度加权,使得弹性表面波传播方向中央部中交叉宽度变大,并且往弹性表面波传播方向的端部,交叉宽度变小。
弹性表面波谐振器511通过对IDT电极512进行上述交叉宽度加权,抑制横模造成的响应,得到良好的谐振特性。专利文献1:日本国专利第2645674号公报
如专利文献1所记载,利用乐甫波的单端口型弹性表面波谐振器中,通过上文所述那样对IDT电极进行交叉宽度加权,能实质上抑制横模造成的杂散波。但是,上述交叉宽度加权存在IDT电极512的中央部分的交叉宽度极其大的问题。即,使IDT电极的交叉部的面积恒定时,与图16所示的IDT电极503相比,图17所示的IDT电极512由于上述那样进行交叉宽度加权,在弹性表面波传播方向中央,电极指的交叉宽度非常大。即,最大交叉宽度变大,所以电极指变长,使消耗功率集中在IDT电极513的中央。因此,抗电性容易恶化。
此外,由于最大交叉宽度变大,还使IDT电极513不得不加大与弹性表面波传播方向正交的方向的尺寸。
再有,上述弹性表面波谐振器511中,又存在反谐振频率的Q值不够高的问题。
再者,专利文献1记载的弹性表面波谐振器511利用乐甫波。这种乐甫波或瑞利波(Rayleigh Wave)等远比声速慢,波容易闷在IDT内,所以容易产生横模。利用比声速慢的非泄漏型乐甫波或瑞利波的弹性表面波时,难以通过调整压电基片的结晶方位来抑制形成杂散波的横模。
本发明根据上述已有技术的现状,其目的在于提供一种利用乐甫波和瑞利波等非泄漏型弹性波而不容易受横模等引起的杂散波的影响,并能提高反谐振频率的Q,从而能得到良好的谐振特性的弹性波谐振器。
发明内容
根据本申请第1发明,提供一种具有压电基片、以及形成在所述压电基片上的IDT电极的单端口型的弹性波谐振器,其中,对所述IDT电极进行交叉宽度加权,使得弹性波传播方向出现多个交叉宽度的极大值。
根据本申请第2发明,提供一种具有压电基片、以及形成在所述压电基片上的IDT电极的单端口型的弹性波谐振器,其中,对所述IDT电极进行交叉宽度加权,所进行的交叉宽度加权使得位于与该交叉宽度加权的弹性波传播方向正交的方向的外侧的一对包络线内至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向上设置多个随着往弹性波传播方向的一个方向行进从IDT电极的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分。
本发明弹性波谐振器的某特定方面中,将所述IDT电极的交叉区的面积表示为S、电极指的对的数量表示为b时,将交叉宽度区的面积为S、电极指的对的数量为b的相当的标准型IDT电极的交叉宽度取为aλ(λ是弹性波的波长)时,使用a/b=r表示的纵横比r为0.08以上。
本发明的弹性波谐振器中,所述包络线倾斜部分的形状并非特别加以限定,但本发明的特定方面中为直线状,另一特定方面中为曲线状。
本发明弹性波谐振器又一特定方面中,所述IDT电极的弹性波传播方向上,将至少一方的端部的交叉宽度取为最大交叉宽度的50%以下。
本发明弹性波谐振器再一特定方面中,使用弹性表面波作为所述弹性波,由此构成弹性表面波谐振器。
又,作为所述弹性表面波,虽然无专门加以限定,但适合使用非泄漏型弹性表面波的标准型IDT中容易产生横模的弹性表面波,例如瑞利波或乐甫波。
第1发明的弹性波谐振器中,对IDT电极进行交叉宽度加权,使得弹性波传播方向上出现多个交叉宽度的极大值。所以,能减小电极指前端部分的弹性波散射、衍射造成的损耗,从而可提高反谐振频率的Q值。此外,在使交叉区的面积恒定时,与以往的进行交叉宽度加权的弹性表面波谐振器相比,还能减小IDT电极最大交叉宽度,也就是能减小纵横比,因此能缓解IDT电极轴向的电功率集中。因而,能提高抗电性。
同样,第2发明中,对IDT电极也进行交叉宽度加权,所进行的交叉宽度加权使得位于与该交叉宽度加权的弹性波传播方向正交的方向的外侧的一对包络线内至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向上设置多个从IDT电极的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分。所以,能减小电极指前端部分的弹性波散射、衍射造成的损耗,从而可提高反谐振频率的Q值。
此外,在使交叉区的面积恒定时,与以往的进行交叉宽度加权的弹性表面波谐振器相比,还能减小IDT电极最大交叉宽度,因此能缓解长电极中心的电功率集中,可提高抗电性。
即,本申请的第1、第2发明,在对IDT电极进行交叉宽度加权的单端口型弹性波谐振器中,利用交叉宽度加权不仅能减小横模等造成的波纹,而且能提高反谐振频率的Q值,并能提高抗电性。
本发明中,所述纵横比取为0.08以上时,能有效提高反谐振频率的Q值。再者,纵横比r的上限取决于片规模,纵横比过分大时,弹性波谐振器的规模变大,欠佳。但是,对提高所述反谐振频率的Q值而言,纵横比为0.08以上为佳,为0.12以上更好。再者,对抗电性而言,通过在弹性波传播方向重复由交叉宽度加权进行加权的部分而提高,因此纵横比为0.08以上时,抗电性并不怎么降低。即,将纵横比取为为0.08以上时,能提高反谐振频率的Q值,而不怎么使抗电性降低。
附图说明
图1(a)是是示出本发明实施方式1的弹性表面波谐振器的电极指的图解俯视图,(b)是该弹性表面波谐振器的图解主剖视图。
图2是示出实施方式1、变换例、第1比较例和第2比较例的弹性表面波器件的纵横比与分谐振频率的Q值的关系的图。
图3是示出实施方式1和已有例的弹性表面波器件的抗电性的图。
图4(a)是以图解方式示出标准型IDT电极的俯视图,(b)是从(a)所示的IDT电极使纵横比增大的标准型IDT电极的图解俯视图,(c)是示出进行交叉宽度加权以改善(b)所示IDT电极的横模波纹的已有IDT电极的图解俯视图。
图5是示出为实施方式1的比较准备的已有弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图。
图6是示出具有标准型IDT电极的已有弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图7是示出加权成具有1个实质上完整的菱形的交叉区并且纵横比为0.06的已有弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图8是示出加权成具有1个实质上完整的菱形的交叉区并且纵横比为0.14的已有弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图9是示出加权成具有1个实质上完整的菱形的交叉区并且纵横比为0.25的已有弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图10是示出弹性表面波传播方向两侧端部的交叉宽度为最大交叉宽度的20%且纵横比为0.06的实施方式1的弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图11是示出弹性表面波传播方向两侧端部的交叉宽度为最大交叉宽度的20%且纵横比为0.14的实施方式1的弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图12是示出弹性表面波传播方向两侧端部的交叉宽度为最大交叉宽度的20%且纵横比为0.25的实施方式1的弹性表面波谐振器的谐振特性的图。
图13是示出实施方式1的变换例的弹性表面波谐振器的电极结构加权成完整菱形并使2个菱形在弹性表面波传播方向的端部上交叉宽度为0的弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图。
图14是说明另一例本发明弹性表面波谐振器的IDT电极用的图解俯视图。
图15是说明又一例本发明弹性表面波谐振器的IDT电极用的图解俯视图。
图16是示出一例已有弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图。
图17是示出另一例已有弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图。
标号说明:
1是弹性表面波谐振器,2是压电基片,3是IDT电极,4、5是反射器,21是弹性表面波谐振器,23是IDT电极,31是弹性表面波谐振器,33是IDT电极,41是弹性表面波谐振器,43是IDT电极,51是弹性表面波谐振器,53是IDT电极。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的具体实施方式,从而阐明本发明。
图1(a)、(b)是示出本发明一实施方式的弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图和该弹性表面波谐振器的图解主剖视图。弹性表面波谐振器1具有压电基片2。压电基片2在本实施方式中由126度Y切割X传播的LiNbO3基片组成。不过,压电基片2也可由其它方位的LiNbO3或LiTaO3等其它压电单晶构成。压电基片2还可由压电陶瓷构成,又可具有绝缘体上叠积压电薄膜的结构。
在所述压电基片2上形成IDT电极3。而且,在IDT电极3的弹性表面波传播方向两侧配置反射器4、5。
如图1(a)所示,IDT电极3具有一对梳状电极,而且进行交叉宽度加权,使得弹性表面波传播方向上出现多个交叉宽度的极大值。换句话说,对IDT电极3进行交叉宽度加权,在与弹性表面波传播方向正交的方向的外侧具有第1包络线A和第2包络线B。包络线是指通过连接一电位的多根电极指的前端而形成的虚拟线。本实施方式中,此包络线A、B在与弹性表面波传播方向正交的方向具有随着往弹性波传播方向的一个方向行进从IDT电极3的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部A1、A2、B1、B2。即,包络线倾斜部分A1随着从IDT电极3的反射器4侧往反射器5侧移动,在与IDT电极的弹性表面波传播方向正交的方向,从中央侧往外侧移动。包络线倾斜部分A2也相同。因而,包络线A具有多个包络线倾斜部分。
本实施方式中,包络线B也具有多个包络线倾斜部分B1、B2。
实施方式1的弹性表面波谐振器1中,将被包络线A、B包围的交叉区形成得具有2个菱形的区域。不过,如图1(a)所示,进行交叉宽度加权,形成2个相连的实质上菱形的形状,而菱形的端部上菱形的2条边不完全对接。具体而言,进行交叉宽度加权,使图1(a)的箭头号F、G、H所示的部分(即1个菱形区)中,在弹性表面波传播方向的两侧的端部交叉宽度不为0,而具有最大交叉宽度的20%的交叉宽度。将此端部上的交叉宽度减小到能使横模杂散波减小的程度即可,以最大交叉宽度的50%以下为佳,最大交叉宽度的25%以下更好。
再者,反射器4、5具有将往与弹性表面波传播方向正交的方向延伸的多根电极指在两端短路的结构。
本实施方式中,在弹性表面波的波长为λ时,利用厚度0.05λ的Cu膜形成所述IDT电极3、反射器4和5。不过,也可利用Al、Ag等其它金属或合金形成IDT电极3和反射器4、5。还可利用叠积多层金属膜的叠层金属膜形成IDT电极3和反射器4、5。
本实施方式中,叠积改善温度特性用的绝缘膜6,使其覆盖IDT电极3。绝缘膜6在本实施方式中由厚度0.27λ的SiO2膜构成。SiO2膜具有正频率温度系数,而LiNbO3基片具有负频率温度系数。所以,通过叠积SiO2组成的绝缘膜6,抑制弹性表面波谐振器1的频率因温度而变化,改善温度特性。
再者,也可不必设置改善温度特性用的绝缘膜6,还可利用SiO2以外的绝缘材料形成改善温度特性用的绝缘膜6。
本实施方式的弹性表面波谐振器1的特征为:对上文所述那样对IDT电极3进行交叉宽度加权。由此,能使反谐振频率的Q值提高,而且使抗电性提高并能提高弹性表面波谐振器1的设计自由度。进一步详细说明这点。
如图1(a)所示,对IDT电极3进行交叉宽度加权,使包络线A、B包围的交叉区成为沿弹性表面波传播方向排列2个菱形的形状。因此,在弹性表面波传播方向出现2处交叉宽度的极大值,换句话说,在包络线A、B的至少一方设置2处所述包络线倾斜部分A1、A2、B1、B2。
根据下文的理由,利用这种加权能改善反谐振频率的Q值。
电极指的前端和前端外侧的间隙中,弹性表面波进行散射,衍射成其它表面波或体波,造成损耗。因此,可认为反谐振频率的Q值劣化。针对这点,本实施方式中,所述包络线A、B具有多个包络线倾斜部分,所以能控制此倾斜,利用这点使所述衍射损耗减小,可认为反谐振频率的Q值得到提高。
即,取图4(a)~(c)为例进行说明,则IDT111的纵横比为0.06、交叉宽度为10λ的情况下,为了提高反谐振频率Q值,如图4(b)所示,可做成交叉宽度为20λ且纵横比为0.25的IDT电极112。而且,为了抑制横模杂散波,如图4(c)所示,在所进行加权使得包络线包围的交叉区为菱形的情况下,使纵横比恒定为0.25时最大交叉宽度为40λ,非常大。据此,虽然反谐振Q值良好,但交叉宽度变成非常大,所以可认为设计自由度极其小,而且抗电性降低。
针对这点,上述实施方式中,为了使图4(b)所示的IDT电极112和交叉区的面积S相等并抑制横模杂散波,进行加权成具有2个菱形部分的交叉区,从而不仅能提高反谐振频率Q并减小横模杂散波,而且能减小纵横比,并且能提高抗电性。而且,由于纵横比得到减小,能减小与弹性表面波传播方向正交的方向的片规模,并能提高设计自由度。
再者,参照图4(a)~(c)说明纵横比r的含义。纵横比是指用归一化交叉宽度/对的数量表示的比率。归一化交叉宽度是用表面波的波长λ将交叉宽度L归一化后的a(=L/λ)。如图4(a)所示,未实施交叉宽度加权的标准型IDT电极111中,交叉宽度在IDT电极111内为恒定。因而,给出交叉宽度和电极指的对的数量,就直接求出纵横比r=交叉宽度/对的数量。与此相反,如图4(c)所示,进行交叉宽度加权的IDT电极113中,交叉宽度沿弹性表面波传播方向变化。即,IDT电极113中,在IDT电极113的中央,交叉宽度最大,成为最大交叉宽度。而且,随着从IDT电极113的中央往弹性表面波传播方向外侧行进,交叉宽度变小。所以,不能用交叉宽度/对的数量直接求出纵横比r。
因此,IDT113的情况下,将IDT电极113的交叉区的面积表示为S时,设想该交叉区的面积S和电极指的对的数量相同的相当的标准型IDT电极12。换句话说,将IDT电极113的交叉区的面积S(即包络线C、D包围的部分的面积)取为S。于是,IDT电极112中,该交叉区的面积为S。IDT电极112和IDT电极113的电极指的对的数量均为b。所以,将IDT电极112的电极指的归一化交叉宽度表示为a时,用a/b表示IDT电极112的纵横比r,并且IDT电极113具有用a/b=r表示的纵横比。
即,将交叉区的面积S与IDT电极113相等的标准型IDT电极112的纵横比取为IDT电极113的纵横比r。这样,将交叉区的面积S相等且电极指的对的数量相等的标准型IDT电极112的纵横比用作IDT电极113的纵横比,是由于如上文所述,IDT电极113的交叉宽度沿表面波传播方向变化,并非恒定。
现在,如图5所示,准备除对IDT电极103进行的交叉宽度加权使得交叉区为1个菱形外其它组成与上述实施方式的弹性波谐振器相同的已有的弹性表面波谐振器101,作为比较例的弹性表面波谐振器。
然后,在比较例的弹性表面波谐振器和实施方式1的弹性表面波谐振器中,使纵横比变化,并分别测量反谐振频率的Q值。
图6~图12中示出使具有标准型IDT电极的弹性表面波谐振器、以及上述比较例的弹性表面波谐振器101和上述实施方式1的弹性表面波谐振器1的纵横比变化时的谐振特性。图6示出使用具有与上述实施方式的弹性表面波谐振器相同的交叉区的面积S并且各电极指的对的数量相等的标准型IDT电极的弹性表面波谐振器的谐振特性。图7~图9是示出上文所述那样为比较而准备的已有例的弹性表面波谐振器101中分别将纵横比取为0.06、0.14和0.25时的各谐振特性的图。
图10~图12是示出实施方式1的弹性表面波谐振器中将纵横比取为0.06、0.14和0.25时的各谐振特性的图。
如图6所示,判明具有标准型IDT电极的弹性表面波谐振器如箭头号E所示那样,在谐振频率与反谐振频率之间出现横模引起的大波纹。
另一方面,如图7~图12所示,判明上述已有例和实施方式的弹性表面波谐振器抑制谐振频率与反谐振频率之间出现的波纹。此外,如分别对图7~图9与图10~图12进行比较所表明,还判知:纵横比相同时,与已有例的弹性表面波谐振器相比,上述实施方式的弹性表面波谐振器的反谐振频率的峰尖锐,反谐振频率的Q值高。即,判明如果纵横比相同,与已有例相比,利用本实施方式的弹性表面波谐振器能提高反谐振频率的Q值。例如,判明图9所示的谐振特性具有已有例中将纵横比取为0.25时的特性,但此反谐振频率附近的谐振特性与图11所示纵横比为0.14的实施方式弹性表面波谐振器的谐振特性等同。
图2是示出上述那样定义的纵横比与反谐振频率的Q值的关系的图。示出实施方式1的结果、后文阐述的实施方式1的变换例的结果、图5所示比较例1的弹性表面波谐振器101和作为该弹性表面波谐振器101的变换例的比较例2的弹性表面波谐振器的结果。如比较图2的实施方式1的结果和上述比较例1的弹性表面波谐振器的结果所表明,判知根据实施方式1,与相当的比较例1的弹性表面波谐振器相比,不管纵横比怎样,都能提高反谐振频率的Q值。又,如图2所表明,判知纵横比变大时反谐振频率的Q值变高。
因而,判明:根据本实施方式,与为比较而准备的已有弹性表面波谐振器101相比,如果纵横比相同则能提高反谐振频率的Q值,并且使反谐振频率的Q值相同时能减小纵横比。例如,由图2判明:打算使反谐振频率的Q值为1000时,已有的弹性表面波谐振器的纵横比为0.25左右,而根据本实施方式则能减小为0.15左右,能将交叉宽度减小约20%。因而,判明能减小纵横比,所以利用这点能进一步缩短最长的电极指的长度,可提高抗电性。
又,图3是示出实施方式1的弹性表面波谐振器的击穿功率和作为所述比较例1准备的已有弹性表面波谐振器的击穿功率的图。此击穿功率是通过以下列方法测量用多个弹性表面波谐振器1、101构成的梯型滤波器的击穿功率而得到的值。再者,将弹性表面波谐振器1、101分别用作具有3个串联臂谐振器和2个并联臂谐振器的梯型滤波器的串并臂谐振器,其它谐振器由已有的菱形加权的谐振器构成。
然后,对上述那样安排后得到的各梯型滤波器从输入侧加电,将达到串并臂谐振器的IDT电极击穿的功率当作击穿功率。
如图3所表明,判知:根据实施方式1,与相当的已有的弹性表面波谐振器101相比,能将击穿功率从1.7瓦(W)提高到1.95瓦,能提高约15%的抗电性。
能这样提高抗电性,是由于交叉区的面积S相等时,最大交叉宽度变小。即,使弹性表面波谐振器1的交叉区的S与弹性表面波谐振器101的交叉区的面积S相等时,弹性表面波谐振器1的最大交叉宽度(即最长电极指处在的部分的交叉宽度),实际上小于图5所示弹性表面波谐振器的中央的最大交叉宽度。另一方面,通电的功率集中在最长的电极指的中央,即集中在构成最大交叉宽度的电极指的中央。而且,弹性表面波谐振器101中,最长的电极指的长度变长,所以所述功率集中容易产生击穿。
针对这点,上述实施方式的弹性表面波谐振器1中,不仅最长的电极指的长度短,而且将最长的电极指按照2个菱形的交叉宽度加权配置在2处,因而使消耗功率的集中得到分散。所以,难产生电极指的击穿,有效提高抗电性。
再者,本申请发明人利用图11和图12查明即使进行加权从而具有由2个菱形包围的交叉区,也充分取得减小横模引起的波纹的效果。
图13是示出本发明实施方式1的变换例的弹性表面波谐振器的电极结构的图解俯视图。
图13所示变换例的弹性表面波谐振器21中,IDT电极23具有往弹性表面波传播方向排列菱形的2个交叉区的形状,这点与弹性表面波谐振器1实质上相同,但这里在各菱形的弹性表面波传播方向两侧的端部,将交叉宽度取为0。即,箭头号I、J、K所示的部分中,将交叉宽度取为0。这样将菱形的多个交叉区往弹性表面波传播方向串联的情况下,可在弹性表面波传播方向两端将交叉宽度取为0。
将除上述那样进行加权外与实施方式1相同地构成的变换例的弹性表面波谐振器21的纵横比与反谐振频率的Q值的关系在图2中一起示出。又,为了比较,准备具有1个菱形的交叉区但将弹性表面波传播方向两端的交叉宽度取为实质上0的弹性表面波谐振器。即,准备所进行交叉宽度加权形成实质上准确的菱形的比较例2的弹性表面波谐振器,测量其纵横比和反谐振频率的Q值。将结果在图2中一起示出。
如图2所表明,判知具有菱形的交叉区的情况下,即使所作加权使得弹性表面波传播方向两侧中交叉宽度为实质上0时,通过按照本发明往弹性表面波传播方向配置多个交叉区,也能有效提高反谐振频率的Q值。
又,如图2中比较实施方式1的结果和上述变换例的结果所表明,判知与实施方式1相比,上述变换例那样在菱形交叉区的弹性表面波传播方向将交叉宽度取为0,也就是取为准确的菱形,从而能进一步有效提高反谐振频率的Q值。
如图2所表明,还判知实施方式1和上述变换例中都将纵横比取为为0.08以上,则与纵横比等同的已有例相比,能有效提高反谐振频率的Q值。因而,纵横比r以0.08以上为佳。将纵横比取为0.12以上,则能得到相当的已有例得不到的Q值,因而将所述纵横比取为0.12以上更好。
再者,实施方式1中,所述包络线A、B为直线状,因而沿弹性表面波传播方向配置多个菱形的交叉区,但所述包络线也可以是曲线状。图14所示变换例的弹性表面波谐振器31对IDT电极所进行交叉宽度加权,使其具有正弦曲线状的包络线。这里,也沿弹性表面波传播方向配置由包络线L、M包围的2个交叉区。
又,图15所示的弹性表面波谐振器41中,IDT电极43的交叉宽度加权,其包络线N、O分别具有曲线状,使得沿弹性表面波传播方向配置的2个交叉区为椭圆形。
这样,本发明在IDT电极的交叉宽度加权中,包络线的形状可以是直线状,也可以是曲线状。
又,上述实施方式和变换例中,说明了利用瑞利波的弹性表面波谐振器,但也可利用乐甫波等其它非泄漏型弹性表面波,或者也可以是不仅利用弹性表面波而且利用弹性边界波的单端口型弹性波谐振器。
而且,本发明中,如上文所述,在IDT电极加权中,所进行交叉宽度加权使得弹性波传播方向上出现多个交叉宽度的最大值即可,或者只要构成一对包络线内至少一方的包络线在与弹性波传播方向正交的方向设置多个从IDT电极的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分即可,对所述包络线倾斜部分的形状和交叉区的平面形状无专门限定。
Claims (8)
1.一种弹性波谐振器,是具有压电基片以及形成在所述压电基片上的IDT电极的、单端口型弹性波谐振器,其特征在于,
对所述IDT电极进行交叉宽度加权,所进行的交叉宽度加权使得位于与该交叉宽度加权的弹性波传播方向正交的方向的外侧的一对包络线中的至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向上设置多个随着往弹性波传播方向的一个方向行进从IDT电极的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分,
将所述IDT电极的交叉区的面积表示为S、电极指的对的数量表示为b时,将交叉宽度区的面积为S、电极指的对的数量为b的标准型IDT电极的交叉宽度取为aλ时,使用a/b=r表示的纵横比r为0.08以上,其中λ是弹性波的波长。
2.如权利要求1中所述的弹性波谐振器,其特征在于,
所述包络线倾斜部分为直线状。
3.如权利要求1中所述的弹性波谐振器,其特征在于,
所述包络线倾斜部分为曲线状。
4.如权利要求1至3中任一项所述的弹性波谐振器,其特征在于,
所述IDT电极的弹性波传播方向上,将至少一方的端部的交叉宽度取为最大交叉宽度的50%以下。
5.如权利要求1至3中任一项所述的弹性波谐振器,其特征在于,
使用弹性表面波作为所述弹性波,由此构成弹性表面波谐振器。
6.如权利要求4所述的弹性波谐振器,其特征在于,
使用弹性表面波作为所述弹性波,由此构成弹性表面波谐振器。
7.如权利要求5中所述的弹性波谐振器,其特征在于,
使用瑞利波或乐甫波作为所述弹性表面波。
8.如权利要求6中所述的弹性波谐振器,其特征在于,
使用瑞利波或乐甫波作为所述弹性表面波。
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