CN101866875B - 一种利用层转移和离子注入技术制备sgoi材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey结构的多层材料,其中0<x<1,0<y<1,Si1-xGex为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex和Si1-yGey薄膜的厚度,使其都小于临界厚度,以保证这两层薄膜都是完全应变的。然后使用层转移的方法将Si1-xGex/Si/Si1-yGey转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上,形成Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。使用选择性腐蚀的方法去掉顶层的Si1-yGey,最后通过离子注入及退火,使得材料中的Si1-xGex发生弛豫,相应的顶层Si发生应变,得到Si/Si1-xGex/SiO2/Si的SGOI材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)的方法,更确切地说是一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法,属于微电子与固体电子学技术领域。
背景技术
制备更小尺寸、更高性能的器件一直是半导体工业发展的目标和方向,随着半导体技术的发展,单纯依靠硅材料已经无法制备出足够高速,低功耗的晶体管。从90nm工艺开始,应变硅(sSi)技术和绝缘体上硅(SOI)技术成为推动摩尔定律的两大利器。现在结合了应变硅和SOI技术的绝缘体上应变硅技术受到了大家的日益重视,它被认为是下一代CMOS工艺的优选衬底材料之一。
绝缘体上应变硅材料一般分成两种,一种是应变硅材料直接结合到硅衬底的绝缘层上,形成sSi/SiO2/Si的三明治结构(sSOI);另一种是应变硅和绝缘层之间还有一层SiGe层,形成sSi/SiGe/SiO2/Si的四层结构(SGOI)。sSOI中张应力的存在有利于提高电子迁移率,但是对空穴迁移率的提升作用并不明显,而SGOI作为一种双沟道材料,由于应变硅层中的张应力和SiGe层中的压应力的共同作用,材料中的电子和空穴迁移率同时得到提高。
对于制备SGOI材料,已有一类公知的方法报道,较为典型的方法可以参考Taraschi等人于2004年发表在Solid-State Electronics的第48卷第8期1297-1305页的文章,题目为“Strained Si,SiGe,and Ge on-insulator:reviewof wafer bonding fabrication techniques”。在该篇文章中介绍了使用层转移制备SGOI材料的方法。在所述的方法中,首先外延弛豫SiGe材料,然后将弛豫的SiGe材料转移到SiO2/Si结构的支撑衬底上。为了外延弛豫S iGe材料,需要先在体硅上外延几个微米的渐变缓冲层,材料外延往往需要几个甚至十几个小时的时间。
为此,本发明拟将介绍一种制备SGOI材料的新方法。首先制备应变SiGe材料,在应变材料转移到SiO2/Si结构的支撑衬底上后,通过离子注入和退火工艺使其弛豫,不仅使材料外延时间缩短而且使所制备的材料性能提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备SGOI材料的方法。包括如下步骤:首先在体硅衬底上(Sisub)使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex三种不同的薄膜,其中0<x<1,0<y<1。依据外延材料中x,y值的不同,选择外延的Si1-yGey、Si1-xGex薄膜的厚度,使其都小于临界厚度,(现在研究和实验已经发现,在Si衬底上外延SiGe薄膜的时候,存在一个临界厚度,当外延的SiGe薄膜厚度小于该临界厚度的时候,SiGe材料是完全应变的,该临界厚度随SiGe材料中Ge的组分的增加而降低。临界厚度与Ge组分x的关系为hc≈0.0234/(1+0.04x)2×ln(hc/4)),对于Si1-yGey、Si1-xGex之间外延的Siepi则可以是任意厚度。外延完成后,得到Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey/Sisub结构的多层材料,Si1-xGex为外延材料的上表面,Siepi为外延的Si,Sisub为衬底硅材料。将该材料同另一片表面已经制备出SiO2的Si衬底材料键合,得到Sisub/Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。通过研磨的方法,去掉Sisub,得到Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的材料。其中Si1-yGey上面可能还存在部分的Sisub,选择合适的第一种化学溶液,采用选择性腐蚀的方法,去掉Si1-yGey上面存在的Sisub,腐蚀停止在Si1-yGey表面上。然后选择合适的第二种化学溶液,采用选择性腐蚀的方法,腐蚀掉剩余的Si1-yGey,腐蚀停止在Siepi材料上,即得到Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si材料。使用较低剂量(1×1015cm-2~3×1016cm-2)的H+、He+或者其他离子注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2材料中靠近Si1-xGex的地方,在700~1100℃温度下进行退火,一方面增加键合强度,另一方面使得Si1-xGex材料发生弛豫,最终形成了SGOI材料。或通过研磨或刻蚀方法先去掉Siepi层,然后再注入和退火,则需在Si1-xGex材料上外延一层新的Si薄层(详见实施例1)。相对于传统方法需要外延几微米甚至十几微米的缓冲层,使用本发明制备SGOI只需要外延0.1-0.5微米左右的薄膜,可以大大节省外延时间,降低成本。
在一个优选实施例中,外延制备出Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey/Sisub结构的多层材料后,将一定剂量的H+或者He+离子注入到Si1-yGey材料中,然后同另一片表面已经制备出SiO2的Si衬底材料键合,形成Sisub/Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。将该材料在400~600℃温度下退火,使得材料在H+或者He+离子注入射程附近发生层分离,得到Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的材料。选择合适的化学溶液,采用选择性腐蚀的方法,腐蚀掉剩余的Si1-yGey,腐蚀停止在Siepi材料上,即得到Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si材料。使用较低剂量(1015cm-21016cm-2)的H+、He+或者其他离子注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2材料中靠近Si1-xGex的地方,在700~1100℃温度下进行退火,一方面增加键合强度,另一方面使得Si1-xGex材料发生弛豫,最终形成了SGOI材料,或通过研磨或刻蚀方法先去掉Siepi层,然后再注入和退火,则需在Si1-xGex材料上外延一层新的Si薄层(详见实施例2)。
附图说明
图1为本发明涉及的体硅衬底上外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex截面示意图,1为体硅衬底,2为Si1-yGey层,3为Siepi层,4为Si1-xGex层。
图2为本发明涉及的外延材料同支撑衬底材料进行键合后的截面示意图。5为SiO2层,6为支撑硅衬底层。
图3为本发明涉及的进行研磨后的材料截面示意图。
图4为本发明涉及的进行了选择性腐蚀后的材料截面示意图。
图5为本发明涉及的SGOI的材料截面示意图。7为上表面产生了应变的硅层,8为H+、He+的离子注入区。
图6为本发明涉及的H+或者He+以5×1016cm-2~1×1017cm-2的剂量注入到外延薄膜后的材料截面示意图。9为注入H+或者He+聚集区。
具体实施方式
下列实施例将有助于理解本发明,但并不限制本发明的内容。
实施方式1
1、在体硅衬底上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex三种不同的薄膜,其中0<x<1,0<y<1。依据外延材料中x,y值的不同,选择外延的Si1-yGey、Si1-xGex薄膜的厚度,使其都小于临界厚度,对于Si1-yGey、Si1-xGex之间外延的Siepi则可以是任意厚度,x的优选范围为0<x≤0.30,y的优选范围为0<y≤0.20,作为一个最优值,x为0.25,y为0.15(见附图1)。
2、取另一片的硅衬底材料,通过热氧化,或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD),或者其他方法在硅衬底表面制备出SiO2,SiO2厚度一般在200nm~1um。
3、将步骤1制备的材料同步骤2制备的材料键合(见附图2)。
4、通过研磨的方法,将步骤3得到的材料去掉体硅Si,使用所述的第一种化学溶液为包括TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide四甲基氢氧化氨)或KOH溶液在内的化学溶液,选择性腐蚀掉表面剩余的Si,刻蚀停止在Si1-yGey层(见附图3)。
5、使用所述的第二种化学溶液为包括体积配比为HNO3∶H2O∶HF(0.5%)=40∶20∶5在内的化学溶液(其中HF(0.5%)表示水∶HF=200∶1)刻蚀掉步骤4剩余的Si1-yGey层,刻蚀作用停止在Siepi外延层上(见附图4)。
6、使用H+、He+或者其他离子以1×1015cm-2~3×1016cm-2的剂量注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2中靠近Si1-xGex的地方,在700~1100℃温度下进行退火,一方面增加键合强度,另一方面使得Si1-xGex材料发生弛豫,相应Si1-xGex材料上面的Siepi材料产生应变,完成SGOI材料的制备。其中,优选注入离子为H+或者He+,优选注入剂量为1×1016m-2(见附图5)。
7、如果在步骤5之后用的研磨或刻蚀方法去掉了Siepi层,则通过化学气相沉积的方法,在步骤6弛豫的Si1-xGex上面外延一层新的Si薄层,由于该层是在Si1-xGex上外延,Si层将保持张应变。
实施方式2
1、在体硅衬底上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex三种不同的薄膜,其中0<x<1,0<y<1。依据外延材料中x,y值的不同,选择外延的Si1-yGey、Si1-xGex薄膜的厚度,使其都小于临界厚度,对于Si1-yGey、Si1-xGex之间外延的Siepi则可以是任意厚度(见附图1),x的优选范围为0<x≤0.30,y的优选范围为0<y≤0.20,作为一个最优值,x为0.25,y为0.15。
2、将H+或者He+以5×1016cm-2~1×1017cm-2的剂量,选择合适的能量,从步骤1制备的材料的上表面注入到外延材料的Si1-yGey层中(见附图6),作为一个优选值,H+或He+注入剂量为6×1016cm-2。
3、取一片新的硅衬底材料,通过包括热氧化。或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD),在内的方法在硅衬底表面制备出SiO2,SiO2厚度一般在200nm~1um。
4、将步骤2制备的材料同步骤3制备的材料键合。
5、将步骤4得到的材料在400~600℃温度下退火,使得材料在H+或者He+离子注入射程附近发生层分离。
6、使用体积配比为HNO3∶H2O∶HF(0.5%)=40∶20∶5的化学溶液或者其他高SiGe∶Si刻蚀比的化学溶液作为选择性腐蚀溶液,刻蚀掉步骤5剩余的Si1-yGey层,刻蚀作用停止在Siepi外延层上。
7、使用H+、He+或者其他离子以1×1015cm-2~3×1016cm-2的剂量注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2中靠近Si1-xGex的地方,在700~1100℃温度下进行退火,一方面增加键合强度,另一方面使得Si1-xGex材料发生弛豫,相应Si1-xGex材料上面的Siepi材料产生应变,完成SGOI材料的制备。在该工艺中,优选注入离子为H+或者He+,优选注入剂量为1×1016cm-2。
8、如果在步骤6之后用研磨或刻蚀方法去掉了Siepi层,则通过化学气相沉积的方法,在步骤7弛豫的Si1-xGex上面外延一层新的Si薄层,由于该层是在Si1-xGex上外延,Si层将保持张应变。
Claims (7)
1.一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法,其特征在于采用下述A或B两种方法中任一种:
方法A
①在衬底硅材料上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex三种不同的薄膜,其中0<x<1,0<y<1,依据外延材料中x,y值的不同,选择外延的Si1-yGey、Si1-xGex薄膜的厚度,使其都小于临界厚度;而Si1-yGey、Si1-xGex之间外延的Siepi层的厚度是任意厚度;外延完成后,得到Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey/Sisub结构的多层材料,Si1-xGex为外延材料的上表面,Siepi为外延的Si,Sisub为衬底硅材料;
②将步骤1制备的多层材料同另一片表面已经制备出SiO2的硅衬底材料键合,得到Sisub/Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料;
③通过研磨的方法,去掉Sisub,得到Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的材料,采用选择性腐蚀的方法,去掉Si1-yGey上面存在的Sisub,使腐蚀停止在Si1-yGey表面上;
④然后选择化学溶液,采用选择性腐蚀的方法,腐蚀掉Si1-yGey,使腐蚀停止在Siepi材料上,即得到Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si材料;
⑤使用1×1015cm-2~3×1016cm-2低剂量的H+或He+离子注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2材料中靠近Si1-xGex的地方,在700~1100℃温度下进行退火,增加键合强度的同时,使得Si1-xGex材料发生弛豫,相应Si1-xGex材料上面的Siepi材料发生应变,最终形成了SGOI材料;
方法B
①在体硅衬底Sisub上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-yGey、Siepi、Si1-xGex三种不同的薄膜,其中0<x<1,0<y<1,依据外延材料中x,y值的不同,选择外延的Si1-yGey、Si1-xGex薄膜的厚度,使其都小于临界厚度;而Si1-yGey、Si1-xGex之间外延的Siepi层的厚度是任意厚度;外延完成后,得到Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey/Sisub结构的多层材料,Si1-xGex为外延材料的上表面,Siepi为外延的Si,Sisub为衬底硅材料;
②在外延制备出Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey/Sisub结构的多层材料后,将5×1016cm-2~1×1017cm-2的低剂量的H+或者He+离子注入到Si1-yGey材料中;
③然后同另一片表面已经制备出SiO2的硅衬底材料键合,形成Sisub/Si1-yGey/Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料;
④将步骤3制备的多层材料在400~600℃温度下退火,使得材料在H+或者He+离子注入射程附近发生层分离,得到Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的材料;
⑤选择化学溶液,采用选择性腐蚀的方法,腐蚀掉剩余的Si1-yGey,使腐蚀停止在Siepi材料上,即得到Siepi/Si1-xGex/SiO2/Si材料;
⑥再使用1×1015cm-2~3×1016cm-2剂量的H+或He+离子注入到Si1-xGex/SiO2材料的界面上,或者注入到SiO2材料中靠近Si1-xGex处,在700~1100℃温度下进行退火,增加键合强度的同时使得Si1-xGex材料发生弛豫,相应Si1-xGex材料上面的Siepi材料发生应变,最终形成了SGOI材料。
2.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于方法A或方法B中0<x≤0.30,0<y≤0.25。
3.按权利要求2所述的制备方法,其特征在于方法A或方法B中x=0.25,y=0.15。
4.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于方法A或B中另一片硅衬底材料表面的SiO2是通过热氧化或等离子体增强化学气相沉积方法制备的,厚度为200nm-1μm。
5.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
①在方法A的步骤4之后用研磨或刻蚀方法去掉Siepi层,则通过化学气相沉积的方法,在步骤5弛豫的Si1-xGex上面外延一层新的Si薄层,Si薄层将保持张应变;
②在方法B的步骤5之后用研磨或刻蚀方法去掉Siepi层,则通过化学气相沉积的方法,在步骤6弛豫的Si1-xGex上面外延一层新的Si薄层,Si薄层将保持张应变。
6.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
①方法A步骤3中采用包括TMAH或KOH溶液的化学溶液选择性腐蚀衬底硅材料;
②方法A步骤4和方法B步骤5所述的选择化学溶液包括体积比为HNO3∶H2O∶0.5%HF=40∶20∶5在内的化学溶液作为选择性腐蚀液,其中0.5%HF表示水∶HF=200∶1。
7.按权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
①方法A步骤5中H+或He+注入剂量为1×1016cm-2;
②方法B步骤2中H+或He+注入剂量为6×1016cm-2;
③方法B步骤6中H+或He+注入剂量为1×1016cm-2。
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