CN101859862B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能增加不由发光元件再吸收的荧光的比例，减少由发光元件再吸收的散射光的比例，从而提高亮度的发光装置。构成发光元件(2)的外表面的各面与粘接构件(3)或密封构件4接触。粘接构件(3)和密封构件(4)包含荧光体。从发光元件(2)的各面出射的出射光由荧光体变换为荧光。因此，能增加荧光的比例，并能够减少不从出射光变换为荧光的散射光的比例。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及例如作为照明光源或背光光源使用，能取得所希望的色彩的光源的发光装置。 
背景技术
因为地球变暖、环境对策，家电制品的节能化正在进展。例如，照明设备等从发光效率更良好的白炽灯向荧光管切换。为了更节能，把LED(发光二极管)作为光源的装置正在制品化，但是为了提高作为光源全体的全光束，使用具有非常多的LED芯片或者大型的LED芯片的装置，成本上升，即使算上与荧光管相比能半永久使用的优点，还是变成非常昂贵的，妨碍普及。 
LED的现状下的发光效率提高到100～150lm/W，但是如上所述，在成本方面，单位价格的全光束不足，发光效率的进一步提高是必要的。而且，为了提高发光效率，光损失的降低是重要的。 
作为以往的发光装置的LED例如如特开2004-356116号公报所示，在表面形成有阳极、阴极布线图案的绝缘基板上搭载LED芯片，形成在LED芯片的表面上的P、N侧电极和阳极、阴极布线由金线电连接。LED芯片由透明的环氧树脂等进行模片结合(ダイボンド)。 
LED芯片是发出在450nm具有峰值波长的蓝色光的LED芯片，层叠蓝宝石基板上的GaN系的半导体层，在芯片的表面一侧相面对地形成P侧电极、N侧电极。 
LED芯片的周围受到LED芯片的光，由发出在长波长例如525nm具有峰值波长的黄色光的荧光体的透明树脂密封。 
可是，在所述以往的发光装置中，从LED芯片发出的光在所述的芯片构造中，蓝宝石基板是透明的，所以不仅从芯片的上表面，从侧面或背面一侧，LED芯片的发出光泄漏。 
向背面一侧的光的一部分虽然也根据材料，但是其一部分会由布线图案吸收，其一部分反射，并回到LED芯片内，再吸收，或者从上表面或侧面取出。 
向侧面一侧的光由密封树脂中的荧光体变换，变为荧光，或者不由荧光体变换，成为散射光。荧光和散射光向四面八方放射，所以向密封树脂外部取出。此外，向绝缘基板表面的光因为该绝缘基板不是100％的反射率，所以多少会产生因透过引起的光损失。此外，再度回到LED芯片内，并根据情况由活性层再吸收。 
向绝缘基板或布线图案表面的光，通过在绝缘基板或布线图案的材料变更等中，使用反射率高的材料，能降低光损失。例如在布线图案使用银(对于可见光，98％的反射率)，或者对绝缘基板，使用AlN基板(对于可见光，93％的反射率)。 
关于由LED芯片再吸收的光，波长影响，从LED芯片放出，吸收不变换为荧光的散射光。 
此外，LED芯片如上所述，使用环氧树脂进行模片结合，但是有时该环氧树脂蔓延到LED芯片的侧面，包含荧光体的密封树脂不直接覆盖芯片侧面。 
因为模片结合粘接剂(例如不含荧光体的环氧树脂)和密封LED芯片的包含荧光体的密封树脂之间存在的折射率差等，所以在模片结合粘接剂和密封树脂的界面，从LED芯片侧面放出的光被反射，不向荧光变换，并作为散射光，返回到LED芯片，由LED芯片再吸收。此外，从LED芯片侧面放出的光是向基板方向的光的情况下，在LED芯片侧面的模片结合粘接剂(例如，不包含荧光体的环氧树脂)中，不散射，原封不动向基板大量反射，但是，如上所述，基板不是100％的反射率，所以从实验等就知道多少存在因透过引起的光损失。 
发明内容
因此，本发明的课题在于，提供一种能够增加未由发光元件吸收的荧光的比例，减少由发光元件再吸收的散射光的比例，减少光损伤，从而提高亮度的发光装置。 
为了解决所述课题，本发明的发光装置的特征在于，包括： 
基板； 
配置在该基板上的发光元件； 
把该发光元件固定在所述基板上的具有透光性的粘接构件； 
密封所述发光元件和所述粘接构件，并且具有透光性，包含荧光体的密封构件； 
按照与构成所述发光元件的外表面的各面中除了所述基板侧的下表面的面接触、并且与所述发光元件的基板侧的下表面或者接触或者隔开间隔的方式，配置包含荧光体的荧光体含有区域； 
所述荧光体由所述发光元件的出射光激励，放出比该出射光波长更长的荧光，在所述沟槽的横向所述发光元件跨所述沟槽，在所述沟槽的纵向所述沟槽从所述发光元件露出。 
根据本发明的发光装置，按照与构成所述发光元件的外表面的各面中除了所述基板侧的下表面的面接触、并且与所述发光元件的基板侧的下表面或者接触或者隔开间隔的方式配置荧光体含有区域，所以从发光元件的各面出射的出射光立刻由荧光体含有区域的荧光体变换为荧光。因此，能增加来自发光元件的出射光中，由荧光体变换为荧光的比例，能减少从出射光不变换为荧光的散射光的比例。 
因此，能够增加未由发光元件再吸收的荧光的比例，减少由发光元件再吸收的散射光的比例，减少光损失，并能够提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述粘接构件包含所述荧光体，相当于所述荧光体含有区域的一部分，所述粘接构件与所述发光元件的所述基板侧的下表面和所述发光元件的侧面接触。 
根据本实施例的发光装置，所述粘接构件包含荧光体，相当于所述荧光体含有区域的一部分，所述粘接构件与所述发光元件的所述基板侧的下表面和所述发光元件的侧面接触，所以所述粘接构件能在粘接发光元件的任务和把发光元件的出射光变换为荧光的任务中同时使用。因此，能增大来自发光元件的出射光中成为荧光的光的比例，减少散射光的比例，减少光损失，提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述发光元件有多个； 
多个发光元件配置在单一的所述基板上；并且由单一的所述密封构件密封。 
根据本实施例的发光装置，所述多个发光元件配置在所述单一的基板上，所以能够与所述多个发光元件相对应提高亮度，并且由所述单一的密封构件密封，所以与由多个密封构件密封，存在这些界面的折射、反射的情况相比，不存在由折射、反射引起的损失，能够提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，相邻的所述发光元件之间的距离是100μm～200μm。 
根据本实施例的发光装置，所述相邻的发光元件之间的距离是100μm～200μm，所以能谋求小型化和亮度提高。与此相对，如果低于100μm，则所述相邻的发光元件之间的包含所述荧光体的粘接构件的体积减少，荧光的比例下降，亮度下降，而如果超过200μm，在单一的基板上配置的发光元件的数量减少，亮度下降。 
此外，在一个实施例的发光装置中，在所述基板上设置与所述发光元件电连接的金电极。 
根据本实施例的发光装置，在所述基板上设置反射率高的金电极，所以来自所述发光元件的出射光由反射率高的金电极反射，能提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述基板在与所述发光元件相面对的面具有沟槽，该沟槽的纵向的长度比所述发光元件的底面的所述沟槽的纵向长度更长，所述沟槽的一部分不由所述发光元件的底面覆盖。 
根据本实施例的发光装置，所述基板在与所述发光元件相对的面具有沟槽，所以能从所述发光元件的所述基板侧的下表面，经由沟槽，取出所述发光元件的出射光，能提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，在所述沟槽内配置所述粘接构件。 
根据本实施例的发光装置，在所述沟槽内配置所述粘接构件，所以能把所述发光元件牢固地固定在所述基板上。此外，所述粘接构件包含荧光体的情况下，通过该沟槽内的包含荧光体的粘接构件，把出射光变换为荧光，能够增大荧光的比例，提高亮度。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述基板在所述发光元件一侧的面具有与所述发光元件一致而重叠的重叠部分，在该重叠部分的至少一对相面对的边的外侧设置沟槽； 
在该沟槽内配置所述粘接构件，该粘接构件不包含所述荧光体。 
根据本实施例的发光装置，在所述基板的沟槽内配置不包含所述荧光体的粘接构件，所以用沟槽能吸收粘接构件的体积，能防止粘接构件向发光元件的侧面的爬上。因此，能增加不由发光元件再吸收的荧光的比例，减少由发光元件再吸收的散射光的比例。因此，该发光装置的亮度高。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述基板的所述重叠部分包含所述荧光体，相当于所述荧光体含有区域的一部分。 
根据本实施例的发光装置，所述基板的所述重叠部分包含所述荧光体，相当于所述荧光体含有区域的一部分，所以能够把所述基板兼用作支撑发光元件的任务和把发光元件的出射光变换为荧光的任务。因此，该发光装置的亮度高。 
此外，在一个实施例的发光装置中，所述粘接构件的构成要素的树脂的折射率和所述密封构件的构成要素的树脂的折射率相同。 
根据本实施例的发光装置，所述粘接构件的所述树脂的折射率和所述密封构件的树脂的折射率相同，所以没有在所述粘接构件和所述密封构件的界面的折射、反射，能降低光的损失。因此，该发光装置的亮度高。 
根据本发明的发光装置，按照与构成所述发光元件的外表面的各面中除了所述基板侧的下表面的面接触并且与所述发光元件的基板侧的下表面接触，或者隔开间隔的方式，配置荧光体含有区域，所以能增加不由发光元件再吸收的荧光的比例，减少由发光元件再吸收的散射光的比例，能减少光损失，提高亮度。 
附图说明
从以下的详细的说明和附图，能更充分地理解本发明。附图只是用于说明，不限制本发明。在附图中， 
图1A是表示本发明的发光装置的第1实施方式的剖面图。 
图1B是发光装置的俯视图。 
图2是图1A的A部的放大图。 
图3是表示本发明的发光装置的第2实施方式的剖面图。 
图4A是表示本发明的发光装置的第3实施方式的俯视图。 
图4B是图4A的A-A剖面图。 
图4C是图4A的B-B剖面图。 
图5是图4C的B部的放大图。 
图6是表示本发明的发光装置的第4实施方式的剖面图。 
图7是表示本发明的发光装置的第5实施方式的剖面图。 
图8A是表示基板的制作方法的第一步骤的剖面图。 
图8B是表示基板的制作方法的第二步骤的剖面图。 
图8C是表示基板的制作方法的第三步骤的剖面图。 
图9是图8B的第一基板部的俯视图。 
图中： 
1、1A、1B-基板；2-发光元件；3、3A-粘接构件；4-密封构件；5-荧光体；6-金电极；7-引线；8-树脂部；10-沟槽；20-沟槽；21-第一基板部；21a-孔部；22-第二基板部；25-重叠部分；L0-出射光；L1-荧光；d-相邻的发光元件之间的距离。 
具体实施方式
下面，根据图示的实施例，详细说明本发明。 
(第1实施方式) 
图1A是表示本发明的发光装置的第1实施方式的剖面图。图1B是表示发光装置的俯视图。另外，在图1B中，省略图1A的金电极6而描述。 
如图1A和图1B所示，该发光装置作为照明光源或背光光源使用，能取得所希望的色彩的光源。 
该发光装置具有基板1、配置在该基板1上的发光元件2、把该发光元件2固定在所述基板1上的粘接构件3、密封所述发光元件2和所述粘接构件3的密封构件4。 
所述基板1例如由包含玻璃纤维的环氧树脂构成。所述发光元件2例如是蓝色LED元件。 
所述粘接构件3具有透光性，例如由包含荧光体的环氧树脂构成。所述密封构件4具有透光性，例如由包含荧光体的环氧树脂构成。所述粘接 构件3的环氧树脂的折射率和所述密封构件4的环氧树脂的折射率相同。因此，没有在所述粘接构件3的环氧树脂和所述密封构件4的环氧树脂的界面的反射、折射，光损失减少。 
在所述基板1设置与所述发光元件2电连接的金电极6。设置在发光元件2的上表面的电极通过引线7连接在金电极6上。该金电极6相对于可见光，具有超过98％的反射率，反射率极高。 
所述粘接构件3与所述发光元件2的所述基板1一侧的下表面(也称作背面，或者底面)的全体和所述发光元件2的各侧面的一部分接触。另外，粘接构件3也可以覆盖发光元件2的各侧面的全体。此外，粘接构件3也可以覆盖发光元件2的各侧面的全体，并且覆盖到发光元件2的上表面的周围，但是也可以避开设置在发光元件2的上表面的P侧电极、N侧电极的引线接合区。 
所述粘接构件3的环氧树脂理想的是触变(チクソ)性高的、用分配器(デイスペンサ一)在所述基板1上涂敷时，形成为半球状。成为以发光元件2的自重，发光元件2掩埋在粘接构件3中的状态，能容易地用环氧树脂覆盖到发光元件2的侧面。 
所述粘接构件3的荧光体的添加量以给定的上限添加，从而粘接强度不下降。 
所述密封构件4与所述发光元件2的所述基板1一侧的上表面的全体和所述发光元件2的各侧面的一部分接触。即密封构件4与发光元件2的、未与粘接构件3接触的面接触。 
作为所述密封构件4的构成要素的树脂层的折射率如上所述，与作为粘接构件3的构成要素的树脂层的折射率相等，在彼此的树脂层的界面不反射。密封构件4包含荧光体，该荧光体与粘接构件3的荧光体相同。 
所述发光元件2例如是俯视图为正方形的六面体，构成发光元件2的外表面的各面，在各面的至少一部分，与包含荧光体的荧光体含有区域接触。即所述粘接构件3相当于所述荧光体含有区域的一部分，所述密封构件4相当于所述荧光体含有区域的一部分。荧光体含有区域以包围发光元件2的周围的方式与发光元件2的各面接触。另外，所述发光元件2的平面形状也可以代替正方形，为长方形、圆形、椭圆形等其他形状。 
所述荧光体例如是YAG系黄色荧光体、BOS系黄色荧光体、红色荧光体或者绿色荧光体。该荧光体由所述发光元件2的出射光激励，放出比出射光波长更长的荧光。 
而且，如图2所示，从所述发光元件2的各面出射的(虚线的箭头所示的)出射光L0由所述荧光体5变换为(实线的箭头所示的)荧光L1。所述发光元件2的各面的大部分分别与包含荧光体5的粘接构件3以及密封构件4接触，所以能增加荧光L1的比例，能减少未从出射光L0变换为荧光L1的散射光的比例。 
因此，能够增加不由发光元件2再吸收的荧光L1的比例，减少由发光元件2再吸收的散射光的比例，减少光损失，提高亮度。 
此外，所述粘接构件3相当于所述荧光体含有区域的一部分，所述粘接构件3与发光元件2的下表面以及侧面接触，所以能够把所述粘接构件3兼用作粘接发光元件2的任务以及把发光元件2的出射光L0变换为荧光L1的任务。因此，能提高亮度。 
此外，金电极6设置在所述基板1上，所以能用金电极6把来自发光元件2的出射光L0反射，能提高亮度。 
(第2实施方式) 
图3表示本发明的发光装置的第2实施方式。如果说明与所述第1实施方式的不同点，则在第2实施方式中，发光元件2有多个。另外，在表示第2实施方式的图3中，关于与图1A以及1B所示的第1实施方式的构成要素相同的构成要素，付与和图1A以及1B所示的构成要素相同的参照编号，省略详细的说明。 
如图3所示，多个发光元件2，2配置在单一的基板1上，并且由单一的密封构件4密封。相邻的发光元件2之间的距离d是100μm～200μm。 
因此，由于所述多个发光元件2，2配置在所述单一的基板1上，所以能够与所述多个发光元件2相对应提高亮度。此外，所述多个发光元件2，2由所述单一的密封构件4所密封，所以与用多个密封构件多层密封的情况相比，没有层间的界面的反射、折射，光损伤少，因此，能提高亮度。因此，将所述多个发光元件2，2在所述单一的基板1上配置，而能够对 应于多个发光元件2，2，提高亮度的事实，与用单一的密封构件4密封多个发光元件2，2，没有层间的折射、反射的事实相辅相承，能极大提高亮度。 
此外，相邻的发光元件2之间的距离d是100μm～200μm，所以能谋求小型化和亮度提高。而如果低于100μm，所述相邻的发光元件2之间的所述粘接构件3的体积(厚度)减少，由粘接构件3中的荧光体把从发光元件2放出的光变换为荧光光的比例下降，发光元件2的再吸收的损失增加，亮度下降，而如果超过200μm，在单一的基板1上配置的发光元件2的数量必须减少，或者发光装置全体的尺寸大型化。 
(第3实施方式) 
图4A和图4B和图4C表示本发明的发光装置的第3实施方式。如果说明与所述第1实施方式的不同点，则在第3实施方式中，基板的结构不同。另外，在第3实施方式的图4A、图4B和图4C中，关于与图1A以及1B所示的第1实施方式的构成要素相同的构成要素，付与和图1A以及1B所示的构成要素相同的参照编号，省略详细的说明。 
如图4A和图4B和图4C所示，基板1A在与发光元件2相面对的面具有截面为矩形的沟槽10。在该沟槽10内配置粘接构件3。另外，在图4A中，省略金电极6。另外，所述沟槽10的截面形状也可以代替矩形，是半圆形、V字形状、U字形状等。 
所述沟槽10的纵向(長手方向)的长度，比所述发光元件2的底面的、所述沟槽10的纵向的长度更长，所述沟槽10的两端部不由所述发光元件的底面覆盖而露出。即沟槽10是细长的形状，沟槽10的纵向的长度比在俯视图中是正方形的发光元件2的长度更长，并且沟槽10的横向(短手方向)的长度比发光元件2的长度更短。即从发光元件2的上表面方向观察的情况下，在沟槽10的横向，发光元件2跨沟槽10，在沟槽10的纵向，沟槽10从发光元件2露出。另外，沟槽10的数量可以是1个，或者可以是多个。此外，在图4A中，所述沟槽10的两端部从发光元件2露出，但是也可以只是沟槽(不图示)的一方的端部从发光元件2露出。 
所述粘接构件3填充在沟槽10内，并且在沟槽10的周围附近的所述基板1A上的部分也涂敷。所述基板1A例如使用对于可见光，反射性高的 材料。该材料例如是AlN等。 
而且，如图5所示，从发光元件2的下表面出射的出射光L0的一部分由填充在沟槽10中的粘接构件3的荧光体5变换为荧光L1。该荧光L1在沟槽10的内表面反射，反射光的一部分回到发光元件2，反射光的其他部分从沟槽10取出到外部。回到发光元件2的荧光L1不由发光元件2吸收而被反射，取出到外部。此外，由荧光体5变换的荧光L1由基板1A的表面反射，取出到外部。因此，荧光L1都取出到外部。 
因此，所述基板1A在与所述发光元件2相面对的面具有沟槽10，所以能经由沟槽10，从所述发光元件2的所述基板1A侧的下表面取出所述发光元件2的出射光L0，能提高亮度。 
此外，在所述沟槽10内配置有所述粘接构件3，所以能牢固地在所述基板1A上固定所述发光元件2。 
(第4实施方式) 
图6表示本发明的发光装置的第4实施方式。如果说明与所述第3实施方式的不同点，则在第4实施方式中，填充在基板的沟槽中的树脂不同。另外，在第4实施方式的图6中，关于与图4A、图4B和图4C所示的第3实施方式的构成要素相同的构成要素，付与和图4A、图4B和图4C所示的构成要素相同的参照编号，省略详细的说明。 
如图6所示，在基板1A的沟槽10内，不是填充粘接构件3，而是填充树脂部8。该树脂部8不包含荧光体，例如由透明的环氧树脂构成。 
因此，在沟槽10内不容易填充粘接构件3的情况下，能在沟槽10内预先填充树脂部8。此外，通过填充树脂部8，能防止向粘接构件3的热变形引起的粘接强度的下降。 
(第5实施方式) 
图7表示本发明的发光装置的第5实施方式。如果说明与所述第1实施方式的不同点，则在第5实施方式中，基板的结构不同。另外，在表示第5实施方式的图7中，关于与图1A以及1B所示的第1实施方式的构成要素相同的构成要素，付与和图1A以及1B所示的构成要素相同的参照编号，省略详细的说明。 
如图7所示，基板1B在发光元件2一侧的面具有与发光元件2一致 而重叠的重叠部分25。重叠部分25在俯视图中是矩形。在重叠部分25的一对相面对的边的外侧设置有沟槽20。另外，沟槽20也可以设置在重叠部分25的至少一对的相面对的边的外侧。 
在沟槽20内配置有粘接构件3A。该粘接构件3A不包含荧光体5，由环氧树脂构成。 
所述粘接构件3的触变性低。因此，在重叠部分25涂敷粘接构件3A，搭载发光元件2的时候，从发光元件2的下表面伸出的多余的粘接构件3A不覆盖发光元件2的侧面，溢出到沟槽20。 
另外，粘接构件3A能够不覆盖发光元件2的侧面地溢出到沟槽20，另外，如果能稳定进行模片结合，重叠部分25就没必要是与发光元件2完全相同的尺寸，可以稍微小，也可以稍微大。 
所述发光元件2的侧面由包含荧光体5的密封构件4覆盖。从发光元件2的侧面出射的出射光的一部分迅速由荧光体5变换为荧光。另外，所述粘接构件3A的树脂(环氧树脂)和密封构件4的树脂(环氧树脂)对于可见光，具有相同的折射率，消除在界面的反射、折射，减少光损失。也能够使所述粘接构件3A的树脂和密封构件4的树脂的关于可见光的折射率不同。 
所述重叠部分25的表面侧的部分21包含荧光体5，相当于荧光体含有区域的一部分。在除了沟槽20外的基板1B的表面侧，荧光体5被分散而达到一定的厚度。另外，也可以在基板1B的全体分散荧光体5。 
荧光体含有区域的一部分(重叠部分25和密封构件4的一部分)以包围发光元件2的周围的方式与发光元件2的各面接触，并且荧光体含有区域的其他部分(密封构件4的其他部分)以包围发光元件2的周围的方式与发光元件2的各面隔开间隔配置。 
如果说明所述基板1B的制作方法，就如图8A所示，生成包含荧光体5的第一基板部21。该第一基板部21成为上述的表面一侧的部分21。 
然后，如图8和图9所示，在第一基板部21，通过模具(金型)的冲压(打つ拔き)，在所述重叠部分25的一对相对边的外侧形成孔部21a，21a。 
然后，如图8C所示，在不包含荧光体5的第二基板部22接合所述第 一基板部21，烧结，生成所述基板1B。这时，由所述孔部21a形成所述沟槽20。 
因此，在所述基板1B的沟槽20内配置有不包含所述荧光体5的粘接构件3A，所以能用沟槽20吸收粘接构件3A的体积，能防止粘接构件3A向发光元件2的侧面的上爬(言い上げる)。因此，能够增加不由发光元件2再吸收的荧光L1的比例，减少由发光元件2再吸收的散射光的比例。 
所述基板1B的所述重叠部分25包含所述荧光体5，相当于所述荧光体含有区域的一部分，所以能够使所述基板1B兼用作支撑发光元件2的任务和把发光元件2的出射光L0变换为荧光L1的任务中。因此，该发光装置能提高亮度。 
另外，本发明并不局限于上述的实施例。例如，也可以组合所述第1实施方式～第5实施方式的特征。此外，虽然荧光体含有区域与构成发光元件的外表面的各面接触，但是也可以按照与构成发光元件的外表面的各面中除了基板侧的下表面(基板搭载面)的面接触、并且与发光元件的基板侧的下表面(基板搭载面)隔开间隔的方式，配置荧光体含有区域。 
以上说明了本发明的实施例，但是显然它可以进行各种变更。这样的变更不应该视为是脱离本发明的精神和范围，对于业内人士，自然清楚的变更全部包含在接着描述的权利要求书的范围中。 

Claims (6)

1.一种发光装置，其特征在于，
包括：
基板；
配置在该基板上的发光元件；
把该发光元件固定在所述基板上的具有透光性的粘接构件；以及
密封所述发光元件和所述粘接构件，并具有透光性，且包含荧光体的密封构件，
以与构成所述发光元件的外表面的各面中除了所述基板侧的下表面外的面相接触、并且与所述发光元件的基板侧的下表面或者接触或者隔开间隔的方式，配置包含荧光体的荧光体含有区域，
所述荧光体由所述发光元件的出射光激励，放出比该出射光波长更长的荧光，
所述粘接构件包含所述荧光体，相当于所述荧光体含有区域的一部分，
所述粘接构件与所述发光元件的所述基板侧的下表面和所述发光元件的侧面接触，
所述基板在与所述发光元件相对的面具有沟槽，该沟槽的纵向的长度比所述发光元件的底面的所述沟槽的纵向长度更长，所述沟槽的一部分不由所述发光元件的底面所覆盖，
在所述沟槽内填充所述粘接构件，
在所述沟槽的横向所述发光元件跨所述沟槽，在所述沟槽的纵向所述沟槽从所述发光元件露出。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光元件有多个；
该多个发光元件配置在单一的所述基板上，并且由单一的所述密封构件密封。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
相邻的所述发光元件之间的距离是100μm～200μm。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述基板上设置与所述发光元件电连接的金电极。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的发光装置，其特征在于，
作为所述粘接构件的构成要素的树脂的折射率和作为所述密封构件的构成要素的树脂的折射率相同。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
作为所述粘接构件的构成要素的树脂的折射率和作为所述密封构件的构成要素的树脂的折射率相同。
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