CN101789494A - 有机电致发光器件和显示单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了有机电致发光器件和显示单元，所述有机电致发光器件能够以廉价的结构实现高发光效率和高可靠性。所述有机电致发光器件包括有机层，所述有机层在阳极和阴极之间，所述有机层包括发光层。所述阳极具有包括第一层和第二层的层叠结构，上述第一层由铝或包含铝作为主要成分的合金构成，上述第二层设置在第一层和有机层之间并由包含铝作为主要成分的合金构成，并且第一层的电阻低于第二层的电阻。在本发明中，由于阳极具有包括第一层和第二层的层叠结构，因而从发光层发出的光能够以高反射率反射。此外，即使阳极与辅助配线在同一层形成，也能降低阳极表面的凹凸不平。因此，能够以廉价结构实现高发光效率和高可靠性。

Description

有机电致发光器件和显示单元
相关申请的交叉参考
本申请包含与2009年1月22日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2009-012180和2009年2月25日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2009-042084相关的主题，在此将该两个日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及在阳极和阴极之间设有包含发光层的有机层的有机电致发光器件以及包括这种有机电致发光器件的显示单元。
背景技术
利用了有机材料的电致发光(EL)现象的有机电致发光器件(所谓的有机EL器件)具有层叠结构，在该层叠结构中，有机层设在阳极和阴极之间，该有机层中的有机空穴输运层、有机发光层等相互层叠起来。作为能够通过低电压直流驱动来进行高强度发光的发光器件，有机电致发光器件已经引起人们的关注。
图16示出了上述有机电致发光器件中的顶部出射型有机电致发光器件的截面结构示例。有机电致发光器件101的结构是：光反射性阳极103、有机层104和透光性阴极105按此次序在具有例如薄膜晶体管(TFT)等驱动电路的驱动基板102上层叠起来。例如，有机层104的结构是：空穴输运层104A、发光层104B和电子输运层104C从阳极103侧依次层叠起来。
因此，使得所发出的光能够从包括驱动电路的驱动基板102的相对侧(阴极105侧)出射。因此，这种结构有利于提高发光部的开口率。由于开口率的提高，因而即使当施加到有机电致发光器件的电流密度保持较低时，仍能获得足够的发光亮度。因此，可改善寿命特性。
于是，在有机电致发光器件101中，设置在驱动基板102侧上的阳极103被用作反射电极，阴极105被用作透明或半透明电极。为了让所发出的光从阴极105侧有效地出射，阳极103应当由具有高反射率的材料制成。
作为构成这种阳极103的材料，例如在日本专利申请公开公报No.2003-77681和日本专利申请公开公报No.2003-234193中所述的那样，已经提出了可以使用银(Ag)或包含银的合金。另外，例如在日本专利申请公开公报No.2003-234193中所述的那样，还提出了可以使用包含铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)或铂(Pt)作为辅助金属的铝(Al)合金。此外，例如在日本专利申请公开公报No.2006-79836中所述的那样，还提出了可以使用以功函数比铝的功函数更小的元素(例如钕(Nd))作为辅助金属的铝合金。
在使用铝(Al)合金作为阳极的情况下，为了弥补耐热性和凸起电阻(hillock resistance)，可以采用铝以外的包含例如稀土元素(Nd)或高熔点金属等的材料。上述高熔点金属的示例包括钽(Ta)、钛(Ti)、镍(Ni)、钨(W)或硅(Si)。特别是更适合采用的是包含Al和Nd的AlNd基合金、AlTa基合金、AlNi基合金(例如，AlCNi合金)或AlSi基合金。
在驱动包括有机电致发光器件的显示单元时，存在着显示部的中心处的亮度降低的缺点。因此，作为用于克服此缺点的解决方案，在某些情况下形成有辅助配线。鉴于上述原因，这种辅助配线要求是低电阻材料，所以铝比铝合金更合乎需要。然而，为了实现简化工艺步骤和降低成本，要求在形成阳极时让辅助配线与阳极在同一层中(在同一工艺步骤中)形成。
铝合金的电阻比铝的电阻高。因而，必须增大辅助配线的膜厚，以便减小由具有相同配线宽度的铝合金形成的辅助配线的电阻。此外，在增大辅助配线的膜厚的情况下，在同一工艺步骤中形成的阳极的膜厚也相应的增大；然而，在阳极的膜厚增大的情况下，阳极表面的粗糙度劣化。结果，反射率(发光效率)、可靠性等都会降低。
也就是说，与使用铝单质的情况相比，在铝合金被用作阳极时具有以下优点：即，获得了优良的耐热性和凸起电阻，此外，可获得与使用铝单质时的情况相等的高反射率。同时，与使用铝单质的情况相比，也存在着电阻高的缺点。因此，当为了实现简化工艺步骤和降低成本而在同一工艺步骤中形成阳极和辅助配线时，难以实现高发光效率和高可靠性。
发明内容
本发明期望提供一种能够以廉价的结构实现高发光效率和高可靠性的有机电致发光器件，以及包括这种有机电致发光器件的显示单元。
根据本发明的实施方案，提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括在阳极和阴极之间且具有发光层的有机层。此外，所述阳极具有包括第一层和第二层的层叠结构，所述第一层由铝(Al)或包含铝作为主要成分的合金构成，所述第二层设置在所述第一层和所述有机层之间且由包含铝作为主要成分的合金构成。所述第一层的电阻低于所述第二层的电阻。
根据本发明的实施方案，提供了一种包括前述有机电致发光器件的显示单元。
对于本发明的有机电致发光器件和显示单元的实施方案，在具有层叠结构的阳极中，由包含铝作为主要成分的合金构成的第二层设置在包括发光层的有机层侧。因此，从发光层发出的光以高反射率反射。此外，把由铝(Al)或包含铝作为主要成分的合金构成的、且电阻比第二层的电阻低的第一层设置在上述第二层的与有机层相对的这一侧上。因此，例如，即使阳极与辅助配线形成在同一层时，仍可以将整个阳极的膜厚保持为较小，从而降低了阳极表面的凹凸不平。
根据本发明的有机电致发光器件和显示单元的实施方案，由于阳极具有包括前述第一层和前述第二层的层叠结构，因而从发光层发出的光能够以高反射率反射。此外，例如，即使阳极与辅助配线形成在同一层时，也能降低阳极表面的凹凸不平。因此，能够以廉价结构实现高发光效率和高可靠性。
本发明的其它及更多目的、特征和优点将在下文中更清楚地描述。
附图说明
图1是示出了本发明实施方案的有机电致发光器件的结构的截面图。
图2是示出了上述实施方案改进例的有机电致发光器件的结构的截面图。
图3是示出了包括图1所示有机电致发光器件的显示单元的结构示例的截面图。
图4A和图4B是用于说明对保护层的电腐蚀的截面示意图。
图5是示出了在本发明实施例和对比例的有机电致发光器件中的特性数据的表。
图6是示出了在本发明实施例和对比例的有机电致发光器件中的驱动时间和相对亮度之间关系的特性图。
图7是示出了图6的被放大部分的特性图。
图8是示出了包括上述实施方案的显示单元的模块的示意结构的平面图。
图9是示出了图8所示模块中的显示单元的驱动电路结构的平面图。
图10是示出了图9所示像素驱动电路的示例的等效电路图。
图11是示出了上述实施方案的显示单元的第一应用例的外观的立体图。
图12A和图12B是示出了上述实施方案的显示单元的第二应用例的外观的立体图。
图13是示出了上述实施方案的显示单元的第三应用例的外观的立体图。
图14是示出了上述实施方案的显示单元的第四应用例的外观的立体图。
图15A至图15G是上述实施方案的显示单元的第五应用例的外观的立体图。
图16是用于说明现有的有机电致发光器件的结构的截面图。
具体实施方式
下面参照附图按照以下顺序详细说明本发明的实施方案：
1.第一实施方案(有机电致发光器件的阳极具有三层结构的示例)改进例(有机电致发光器件的阳极具有两层结构的示例)
实施例
2.模块和电子装置的应用例
1.第一实施方案
有机电致发光器件的结构示例(顶部出射型的示例)
图1示出了本发明实施方案的有机电致发光器件(有机电致发光器件4)的截面结构。有机电致发光器件(有机EL器件)4例如用于诸如彩色显示器等显示单元中。有机电致发光器件4例如包括在基板40上依次层叠起来的阳极41、包括发光层53的有机层50以及阴极61。下面说明从发光层53发出的光(以下称为所发出的光)从阴极61侧出射的顶部出射型有机电致发光器件的情况。
基板40例如由诸如玻璃、硅基板或膜状挠性基板等透明基板构成。
阳极41
阳极41具有第一阳极层41A(第一层)、作为中间层的保护层41B、第二阳极层41C(第二层)从基板40侧依次层叠起来的三层结构。优选的是，所形成的阳极41能够反射可见光(发光层53所发出的光)的基本全波长成分。
第一阳极层41A由铝(Al)或包含铝作为主要成分的合金制成。特别地，第一阳极层41A更优选由铝制成。第一阳极层41A的电阻低于随后说明的第二阳极层41C的电阻。
第二阳极层41C由包含铝作为主要成分的合金制成。第二阳极层41C合金的辅助成分优选含有至少一种具有比该合金的主要成分的功函数小的功函数的元素，因为这种元素具有高反射率且价格相对低廉。上述合金的这种辅助成分的示例包括选自下组中的至少一种：作为稀土元素的钕(Nd)或者作为高熔点金属的钽(Ta)、钛(Ti)、镍(Ni)、钨(W)、硅(Si)。此外，辅助成分的浓度优选是10wt％以下，因为这样就可获得良好的反射率，并且电导率变高，且与基板40的附着特性变高。此外，在这种情况下，在制造有机电致发光器件4时，反射率被良好且稳定地保持着，因此可获得高加工精度和化学稳定性。利用这种结构，与前述的第一阳极层41A相比，第二阳极层41C具有更优良的热稳定性和凸起电阻，并且第二阳极层41C具有与前述的第一阳极层41A的反射率几乎相等的高反射率。换句话说，在第二阳极层41C中，热稳定性和凸起电阻高于第一阳极层41A的热稳定性和凸起电阻，并且第二阳极层41C具有几乎与第一阳极层41A相等的高反射率。
保护层41B是在成膜过程中起到阻断热应力作用的中间层。因此，可以防止形成凸起，并可以提高耐热性。这种保护层41B由钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)或镍(Ni)构成，或者由包含上述这些元素作为主要成分的合金构成。
改进例
例如，在如图2所示的有机电致发光器件5的阳极41-1中，不必要设置保护层41B。也就是说，阳极41-1具有第一阳极层41A和第二阳极层41C从基板40侧依次层叠起来的两层结构。
有机层50
有机层50具有空穴注入层51、空穴输运层52、发光层53和电子输运层54从阳极41侧依次层叠起来的层叠结构。
空穴注入层51用来将阳极41中产生的空穴有效地注入到空穴输运层52中。空穴注入层51例如由4，4′，4″-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯胺((2-TNATA)构成。具体地，空穴注入层51可包含下式1所示的化合物。
式1
Figure G2010100010645D00071
在上述式1中，R1～R6各自独立地代表：氢；卤素；羟基；氨基；芳氨基；具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰基；具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰酯基；具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷基；具有20个以下碳原子的取代或未取代的链烯基；具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷氧基；具有30个以下碳原子的取代或未取代的芳基；具有30个以下碳原子的取代或未取代的杂环基；或者选自氰基、硝基、异氰基、甲硅烷基之一的取代基。相邻的Rm(m为1～6)能够通过环状结构相互结合。X1～X6各自独立地代表碳原子或氮原子。
空穴输运层52用来提高空穴注入效率。该空穴输运层52例如由4，4′-双(N-1-萘基-N-苯基氨基)联苯(α-NPD)构成。
通过施加电场，从阳极41侧注入的部分空穴和从阴极61侧注入的部分电子之间发生电子-空穴复合，由此使发光层53发光。发光层53含有诸如苯乙烯胺衍生物、芳胺衍生物、苝衍生物、香豆素衍生物、吡喃基染料或三苯胺衍生物等有机材料。
电子输运层54用来提高向发光层53的电子注入效率。该电子输运层54例如由8-羟基喹啉铝(Alq3)制成。
还可在阴极61与有机层50中的电子输运层54之间设置有用于提高电子注入效率的电子注入层(未示出)。该电子注入层的材料示例包括碱金属氧化物、碱金属氟化物、碱土金属氧化物和碱土氟化物，例如Li2O、Cs2O、LiF、CaF2等。
阴极61
阴极61是用来施加电场到发光层53的电极之一。阴极61由透光性材料(具有对从发光层53发出的光的透光性的材料)制成。因此，发光层53所发出的光和被阳极41的表面反射的所发出的光通过阴极61出射到外部。在阴极61中，在发光层53侧形成有由功函数较小的材料制成的层。在阴极61中，第一阴极层61A和第二阴极层61B从发光层53侧依次层叠。
第一阴极层61A由透光性良好、功函数较小且能够有效地将电子注入到电子输运层54的材料制成。这种材料的示例包括碱金属氧化物、碱金属氟化物、碱土金属氧化物和碱土氟化物，例如Li2O、Cs2O、LiF、CaF2等。
此外，第二阴极层61B由诸如薄膜MgAg电极材料或Ca电极材料等具有透光性和良好电导率的材料制成。此外，特别地，在有机电致发光器件4具有让所发出的光在阳极41和阴极61之间共振然后出射的腔结构的情况下，第二阴极层61B可由厚度为10nm的诸如Mg-Ag(9∶1)等半透明反射材料制成。
根据需要，阴极61可具有把作为密封电极的第三阴极层(未示出)层叠在第二阴极层61B上的结构，该密封电极用于防止电极劣化。
阴极61的各层(第一阴极层61A、第二阴极层61B以及在需要时设有的第三阴极层)的形成方法的示例包括真空蒸发法、溅射法和等离子体CVD(化学气相沉积)法。
有机电致发光器件的制造方法的示例
前述的有机电致发光器件4例如可按如下方法制造。
首先，通过蒸发法或溅射法等方法将由前述材料制成的阳极41形成在基板40上；随后，在阳极41上形成有机层50。此时，首先通过诸如旋涂法等湿式工艺把由前述材料制成的空穴注入层51形成在阳极41上；随后，通过诸如真空蒸发法等气相法把各自由前述材料制成的空穴输运层52、发光层53和电子输运层54按此顺序层叠在空穴注入层51上。由此，形成了有机层50。最后，通过蒸发法等把第一阴极层61A和第二阴极层61B按此顺序层叠在电子输运层54上，从而形成阴极61。由此，制成了图1所示的有机电致发光器件4。
在本例中，是通过例如真空蒸发法等气相法来形成有机层50中的空穴输运层52、发光层53和电子输运层54。然而，也可以通过湿式工艺来形成这些层。
显示单元的结构示例
随后，参照图3、图4A和图4B，对包括前述有机电致发光器件4的显示单元(有机EL显示单元)的示例进行说明。图3示出了这种显示单元1的截面结构。
显示单元1适合用作薄型有机EL显示器，并且是对以矩阵形态布置的多个像素分别驱动以进行显示的有源矩阵型显示单元。在显示单元1中，用于构成红(R)、绿(G)和蓝(B)各像素的前述有机电致发光器件4(有机EL显示器件10)整体上以矩阵形态依次设置在例如由玻璃等制成的驱动侧基板10上。也就是说，作为R像素的有机电致发光器件4R(有机EL器件10R)、作为G像素的有机电致发光器件4G(有机EL器件10G)和作为B像素的有机电致发光器件4B(有机EL器件10B)在整体上以矩阵形态依次设置着。此外，在驱动侧基板10之上，形成有包括用于驱动前述有机EL器件10R、10G和10B的TFT 11的像素驱动电路(稍后详细说明)和平坦化层12。前述的有机EL器件10R、10G和10B设置在平坦化层12上。驱动侧基板10之上的有机EL器件10R、10G和10B被密封侧基板20隔着保护膜30和粘合层31密封住。
TFT11是通过有源矩阵法来驱动有机EL器件10R、10G、10B的驱动元件，可以是底栅型或顶栅型。TFT 11的栅极连接到扫描线驱动电路。TFT 11的源极和漏极(未示出)连接到配线层11B，且例如由氧化硅或磷硅酸盐玻璃(Phospho-Silicate Glass，PSG)构成的层间绝缘膜11A介于二者之间。配线层11B例如通过由铝(Al)单质或铝合金构成的单层膜、钛(Ti)/铝层叠膜或者钛/铝/钛三层膜来制成。平坦化层12形成在TFT11、层间绝缘膜11A及布线层11B上面。
平坦化层12用来使形成有TFT11的驱动侧基板10的表面平坦化，并使得均匀地形成有机EL器件10R、10G和10B各层的膜厚。平坦化层12由绝缘材料制成。作为这种绝缘材料，例如，可使用诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或酚醛树脂等有机材料，或者可使用诸如氧化硅(SiO2)等无机材料。在平坦化层12中为每个像素都设有接触孔12a。第一电极13(阳极41)被埋入到接触孔12a中，因此保证了与前述配线层11B的电连接。
在有机EL器件10R、10G和10B中，例如，将第一电极13(阳极41)和辅助配线14布置在平坦化层12上；然后，像素间绝缘膜15、包括前述发光层53的有机层16(有机层50)以及第二电极(阴极61)按此顺序层叠在第一电极13(阳极41)及辅助配线14上。如前所述，有机层16和第二电极18作为各像素共有的层设置在所有像素上。
对应于各像素的第一电极13布置在平坦化层12上。
辅助配线14可以抑制第二电极18中的电压降。辅助配线14与第一电极13电绝缘，但辅助配线14与第二电极18电连接。例如，辅助配线14被布置在平坦化层12上与第一电极13邻近的区域中。同时，设置在辅助配线14上的像素间绝缘膜15和有机层16中设有向下穿透像素间绝缘膜15和有机层16直至达到辅助配线14的接触孔16A。通过接触孔16A，辅助配线14与第二电极18电连接。这种辅助配线14被布置在像素之间的像素间区域中，并被布置在围绕着以矩阵形态布置的所有像素区域(即，显示区域)的***区域中。
在本实施方案中，辅助配线14由与第一电极13(阳极41)相同的材料制成。因此，由于辅助配线14与第一电极13(阳极41)由相同的材料制成，所以辅助配线14和第一电极13能够在同一步骤中图形化地形成，这使得步骤数目减少。因而，能够实现简单的工艺和较低的成本并获得简单的结构。
此外，在这种情况下，例如，如图4A所示，辅助配线14中的保护层41B的侧面更优选被像素间绝缘膜15覆盖。因此，具体地，在用钼作为保护层41B的情况下，可避免阳极41和辅助配线14的电腐蚀，因而能够防止第二阳极层41C的反射率降低。也就是说，在相反的情况下，如图4B所示，在辅助配线14中的保护层41B的侧面暴露出来的情况下，在阳极41和辅助配线14中会产生电腐蚀，因而第二阳极层41C的反射率会降低。
像素间绝缘膜15分别用于使第一电极13与第二电极18电绝缘以及使第一电极13与辅助配线14电绝缘。该像素间绝缘膜15例如由诸如氧化硅(SiO2)和聚酰亚胺等绝缘材料制成。像素间绝缘膜15中设有与第一电极13对应的孔15A和与辅助配线14对应的孔15B。在孔15A中，有机层16和第二电极18按此顺序层叠；在孔15B中，埋入有第二电极18。也就是说，在有机EL器件10R、10G和10B中与孔15A对应的区域成为发光区域。孔15B起到作为前述接触孔16A的一部分的作用。
有机层16形成得覆盖住像素间绝缘膜15的侧面和顶面并且覆盖住通过孔15A而暴露出来的第一电极13的顶面。然而，有机层16在像素间绝缘膜15的孔15B正上方的部分附近是隔离开的，并且构成接触孔16A的一部分。
保护膜30由透明的电介质体制成。保护膜30例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)等构成。粘合层31例如由热固化树脂或紫外线固化树脂等制成。
密封侧基板20用于将有机EL器件10R、10G和10B与粘合层31密封在一起。该密封侧基板20由对于有机EL器件10R、10G和10B中生成的光(所发出的光LR、LG和LB)呈透明性的诸如玻璃等材料制成。密封侧基板20设有分别与有机EL器件10R、10G和10B的排列对应的红色光滤光片、绿色光滤光片和蓝色光滤光片(未示出)。因此，分别在有机EL器件10R、10G和10B中产生的白光作为三原色光出射出来，被每一层反射的外部光被吸收掉，并且对比度得到了改善。上述各颜色滤光片可设置在驱动侧基板10上。此外，在各颜色滤光片之间可设置有黑矩阵。
有机电致发光器件的作用和效果
随后，说明本实施方案的有机电致发光器件4的作用和效果。
在有机电致发光器件4中，当电压施加在阳极41和阴极61之间且电场施加到有机层50上时，来自阳极41的空穴从空穴注入层51有效地注入到空穴输运层52；空穴输运层52将注入过来的空穴有效地输运到发光层。同时，来自阴极61的电子通过电子输运层54有效地输运到发光层53。从阳极41侧移动过来的空穴和从阴极61侧移动过来的电子在发光层53中复合，因此发出光。发光层53所发出的光和被阳极41的表面反射的该所发出的光通过阴极61透射并出射。
在这种情况下，在由层叠结构构成的阳极41中，用以铝作为主要成分的合金制成的第二阳极层41C被设置在包括发光层53的有机层50侧，因此发光层53所发出的光以高反射率被反射。此外，由铝构成的或包含铝作为主要成分的并且具有比第二阳极层41C的电阻更低的电阻的第一阳极层41A设置在第二阳极层41C的与有机层53相对的侧上。因而，例如，即使阳极41与辅助配线14在同一层形成，也可使整个阳极41保持小的膜厚，并且使阳极41表面的凹凸不平(粗糙度)降低。
如上所述，在本实施方案中，阳极41具有包括前述第一阳极层41A和前述第二阳极层41C的层叠结构，因而从发光层53发出的光能够以高反射率被反射。此外，例如，即使阳极41与辅助配线14在同一层形成，也能减少阳极41表面的凹凸不平。因此，能够以廉价的结构实现高发光效率和高可靠性。
此外，在在第一阳极层41A和第二阳极层41C之间设置有保护层41B的情况下，阻断了在成膜过程中的热应力，能够防止形成凸起(hillock)，并且能够提高耐热性。
实施例
下面详细描述本发明的实施例。
实施例1～4
图1所示的有机电致发光器件4(或图2所示的有机电致发光器件5)通过以下工序制造出来。在各实施例和后述的对比例中，作为阳极41(或阳极41-1)，使用了图5所示的材料和层叠结构。
首先，将阳极41或阳极41-1形成在尺寸为25mm×25mm且由玻璃制成的基板40上。
在实施例1中，形成了具有两层结构的阳极41-1，该两层结构包括含有镧系元素钕(Nd)的铝合金层。具体地，如图5所示，阳极41-1由作为第一阳极层41A(下层)的Al层(膜厚：150nm)和作为第二阳极层41C(上层)的Al-Nd层(膜厚：100nm)构成。
此外，在实施例2和3中，形成了具有三层结构的阳极41，该三层结构包括含有镧系元素钕(Nd)的铝合金层。具体地，如图5所示，作为保护层41B(中间层)的钼(Mo)被***到作为第一阳极层41A(下层)的Al层(膜厚：150nm)和作为第二阳极层41C(上层)的Al-Nd层(膜厚：100nm)之间。保护层41B的膜厚在实施例2中是50nm，在实施例3中是25nm。
此外，在实施例4中，形成了具有三层结构的阳极41，该三层结构包括含有镧系元素钕(Nd)的铝合金层。具体地，如图5所示，作为保护层41B(中间层)的钼(Mo)被***到作为第一阳极层41A(下层)的Al层(膜厚：150nm)和作为第二阳极层41C(上层)的Al-Nd层(膜厚：80nm)之间。保护层41B的膜厚是50nm。
接着，使用具有上述实施例1～4所形成结构的阳极41或阳极41-1，制成了有机电致发光器件的单元，在该单元中，除了尺寸为2mm×2mm的发光区域以外的其他部分被聚酰亚胺膜所形成的绝缘膜(未示出)掩盖着。
之后，在各个实施例的阳极41和阳极41-1上形成空穴注入层51。此时，如图5所示，蒸发及沉积下式2所示的材料(蒸发率：0.2至0.4nm/sec)，形成具有8nm膜厚的空穴注入层51。
式2
Figure G2010100010645D00141
接着，在空穴注入层51上形成由空穴输运层52、发光层53和电子输运层54层叠起来而得到的有机层50；之后，在有机层50上形成具有两层结构的阴极61。具体地，作为第一阴极层61A，通过真空蒸发法形成具有大约0.3nm膜厚的LiF；然后，作为第二阴极层61B，通过真空蒸发法形成具有9nm膜厚的MgAg。由此，完成了图1和图2所示的有机电致发光器件4和有机电致发光器件5的制作。
对比例1和对比例2
在对比例1和2中，按照类似于实施例1～4制作有机电致发光器件4和5的方法，制作出具有用于代替阳极41或41-1的铝合金单层阳极的有机电致发光器件。
评价结果1
对于按照上述工序制造的实施例1～4及对比例1和2的有机电致发光器件，对它们各自的发光效率进行测量。测量结果列于图5中。图5中的各个发光效率(cd/A)是在电流密度为10mA/cm2的情况下测得的值。
从前述的结果可以确定的是，在如实施例1～4所示阳极具有由Al和Al合金构成的两层结构的情况和阳极具有把Mo作为中间层(保护层)夹在中间的三层结构的情况下，都能获得与对比例1和2中由Al合金构成的单层结构的发光效率相等的发光效率。
此外可确定的是，由于该阳极对450nm或650nm波长的光的反射率是85％以上的高反射率值，因此发光层53中所发出的光有效地出射到外部。
评价结果2
对于实施例1～4及对比例1和2的有机电致发光器件，测量它们各自的驱动时间和相对亮度之间的关系。测量结果也列于图5的“可靠性”一列中，并在图6和图7(图6中由符号P3表示的部分的放大图)中进行图示说明。有机电致发光器件的可靠性表示在电流密度为90mA/cm2的状态下经过600小时后的相对亮度。
从前述结果可以确定的是，在如实施例1～4所示阳极具有由Al和Al合金构成的两层结构和阳极具有把Mo作为中间层(保护层)夹在中间的三层结构的两种情况下，都能获得优胜于对比例2中的Al合金(膜厚：500nm)的可靠性。
此外，如图6和图7所示，可确定的是与实施例1、3和4相比，实施例2的可靠性特别高。
评价结果3
实施例1～4及对比例1和2中的阳极各自的方块电阻是通过四端子法测量的。该测量结果在图5中的“方块电阻”这一列示出。在实施例1～4的所有层叠结构中，方块电阻为0.2Ω/□以下。因此，可确定的是，在阳极具有层叠结构的情况，即使膜厚小于Al合金(对比例2)的500nm，仍可获得与Al合金(对比例2)相等的低电阻。
根据评价结果1～3，在阳极具有由低电阻的纯铝和具有优良的热稳定性和凸起电阻且具有高反射率的铝合金构成的层叠结构的情况下，可以减小膜厚但也能获得低电阻以及高发光效率。此外，由于膜厚减小，因此阳极表面的凹凸不平减小，并提高了可靠性。因而，使用简单的结构就能实现高发光效率和高可靠性。
2.模块和电子装置的应用例
以下将说明包括在前述实施方案和前述实施例中描述的有机电致发光器件4的显示单元1的模块以及电子装置的应用例。
显示单元1适用于例如电视机、数码相机、笔记本电脑、诸如移动电话等便携式终端装置、摄像机等任何领域的电子装置。即，显示单元1适合于用于把从外部输入的视频信号或在内部产生的视频信号显示成图像或视频的任何领域中的电子装置。
模块
显示单元1作为例如图8所示的模块被装配在诸如下文所述的第一至第五应用例等各种电子装置。在该模块中，例如在驱动侧基板10的侧边设置有从密封侧基板20露出来的区域210，通过信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的延长线在该露出来的区域210中形成外部连接端子(未示出)。该外部连接端子可设有用于输入和输出信号的挠性印刷电路(FPC)220。
在驱动侧基板10中，例如，如图9所示，形成有显示区域110以及作为用于显示视频的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。在显示区域110中，形成有像素驱动电路140。在显示区域110中，有机EL器件10R、10G和10B整体上以矩阵形态布置着。
如图10所示，在低于第一电极13的层中形成有像素驱动电路140。像素驱动电路140包括驱动晶体管Tr1、写晶体管Tr2以及在驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2之间的电容器(保持电容)Cs。此外，像素驱动电路140具有在第一电力线(Vcc)和第二电力线(GND；地)之间与驱动晶体管Tr1串联起来的有机EL器件10R(或10G，10B)。也就是说，该像素驱动电路140是有源驱动电路。驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2由普通的薄膜晶体管(TFT)构成。它们二者的结构没有被特别限制，例如可以是逆错列结构(所谓的底栅型)或错列结构(顶栅型)。
在像素驱动电路140中，有多条信号线120A在列方向上布置着，并有多条扫描线130A在行方向上布置着。每条信号线120A和每条扫描线130A之间的每个交叉部对应于有机EL器件10R、10G和10B(亚像素)之一。每条信号线120A都与信号线驱动电路120连接。图像信号通过信号线120A从信号线驱动电路120提供给写晶体管Tr2的源极。每条扫描线130A都连接到扫描线驱动电路130。扫描信号通过扫描线130A从扫描线驱动电路130依次提供给写晶体管Tr2的栅极。
第一应用例
图11示出了应用了前述实施方案等的显示单元1的电视机的外观。该电视机例如具有包括前面板310和滤光玻璃320的图像显示屏部300。
第二应用例
图12A和12B示出了应用了前述实施方案等的显示单元1的数码相机的外观。该数码相机例如具有用于闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440。
第三应用例
图13示出了应用了前述实施方案等的显示单元1的笔记本电脑的外观。该笔记本电脑例如具有主体510、用于进行字符等的输入操作的键盘520和用于显示图像的显示部530。
第四应用例
图14示出了应用了前述实施方案等的显示单元1的摄像机的外观。该摄像机例如具有主体610、设置在主体610的前侧面且用于拍摄被摄对象的镜头620、拍摄开始/停止开关630和显示部640。
第五应用例
图15A至15G示出了应用了前述实施方案等的显示单元1的移动电话的外观。在该移动电话中，例如，上部壳体710和下部壳体720通过接合部(铰链部)730相互接合。该移动电话设有显示器740、副显示器750、图片灯760和照相机770。
尽管参照前述的实施方案、实施例和应用例已经说明了本发明，但本发明不限于前述的实施方案等，并可进行各种改进。
例如，在前述实施方案等中，已经说明了第一阳极层41A由铝单质构成的情况。然而，如果第一阳极层41A具有比第二阳极层41C更低的电阻，则包含铝作为主要成分的合金可用作第一阳极层41A。
此外，在前述的实施方案等中，已经主要说明了构成有机层50的空穴注入层51、空穴输运层52、发光层53和电子输运层54分别由单层形成的情况，然而，各层也可由多层形成。
此外，各层的材料、厚度、成膜方法、成膜条件等不限于在前述实施方案等中说明的那些，也可采用其它的材料、厚度、成膜方法和成膜条件。
此外，在前述的实施方案等中，已经说明了顶部出射型有机电致发光器件，然而，本发明也可应用于底部出射型有机电致发光器件。在这种情况下，基板由透明材料制成，并且阳极、有机层和阴极按照与前述实施方案相同的方式依次层叠在该透明基板上。然而，在这种情况下，作为反射电极的阴极具有如前述实施方案中所说明的阳极那样的层叠结构，而阳极是透明电极。具体地，在这种情况下的阴极中，例如，第二阴极层(与第二阳极层41C对应的层)和第一阴极层(与第一阳极层41A对应的层)从有机层侧依次层叠。可替换地，第一阴极层(与第一阳极层41A对应的层)和第二阴极层(与第二阳极层41C对应的层)从有机层侧依次层叠。此外，根据需要，可以在第一阴极层和第二阴极层之间形成有保护层(中间层)。在具有上述结构的底部出射型有机电致发光器件中，所得到的效果与前述实施方案的效果类似。
此外，在前述的实施方案等中，已经说明了包括有三层(红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层)来作为有机层50的发光层53的情况；但用于发射白光的发光层的结构不限于此。也就是说，可采用两种互补颜色的两个发光层的结构，例如橙光发光层和蓝光发光层的结合，蓝绿光发光层和红光发光层的结合，等等。此外，在前述的实施方案中，已经说明了将三层在厚度方向上层叠起来的情况。但是，各颜色发光层可以通过与R、G和B各像素对应地旋涂每个像素来独立地形成。
此外，在前述的实施方案等中已经描述了有源矩阵型显示单元。然而，本发明可应用于无源型显示单元。
本领域技术人员应当理解的是，依据设计要求和其他因素，可在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims (16)

1.一种有机电致发光器件，其包括有机层，所述有机层在阳极和阴极之间，所述有机层包括发光层，
其中，所述阳极具有包括第一层和第二层的层叠结构，所述第一层由铝或包含铝作为主要成分的合金构成，所述第二层设置在所述第一层和所述有机层之间并由包含铝作为主要成分的合金构成，并且
所述第一层的电阻低于所述第二层的电阻。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述阳极具有在所述第一层和所述第二层之间的保护层。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其中所述保护层由钼、钛、铬或镍构成，或者由包含上述这些元素作为主要成分的合金构成。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述第二层具有比所述第一层的热稳定性更高的热稳定性和比所述第一层的凸起电阻更高的凸起电阻。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述第二层的合金的辅助成分包含至少一种具有比该合金的主要成分的功函数小的功函数的元素。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其中所述第二层的合金的辅助成分包含钕、钽、钛、镍、钨、硅中的至少一种元素。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述阳极、所述有机层和所述阴极向上依次层叠，并且
所述阴极由具有对从所述发光层发出的光的透光性的材料制成。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述有机层中与
所述阳极接触的层含有下式1所示的化合物：
式1
Figure F2010100010645C00021
这里，R1～R6各自独立地代表氢、卤素、羟基、氨基、芳氨基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰酯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的链烯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的杂环基，或者代表选自氰基、硝基、异氰基、甲硅烷基之一的取代基；m为1～6的相邻Rm能够通过环状结构相互结合；以及X1～X6各自独立地代表碳原子或氮原子。
9.一种显示单元，其包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括有机层，所述有机层在阳极和阴极之间，所述有机层包括发光层，
其中，所述阳极具有包括第一层和第二层的层叠结构，所述第一层由铝或包含铝作为主要成分的合金构成，所述第二层设置在所述第一层和所述有机层之间并由包含铝作为主要成分的合金构成，并且
所述第一层的电阻低于所述第二层的电阻。
10.如权利要求9所述的显示单元，其中所述阳极具有在所述第一层和所述第二层之间的保护层。
11.如权利要求9所述的显示单元，其中所述保护层由钼、钛、铬或镍构成，或者由包含上述这些元素作为主要成分的合金构成。
12.如权利要求9所述的显示单元，其中所述第二层具有比所述第一层的热稳定性更高的热稳定性和比所述第一层的凸起电阻更高的凸起电阻。
13.如权利要求9所述的显示单元，其中所述第二层的合金的辅助成分包含至少一种具有比该合金的主要成分的功函数小的功函数的元素。
14.如权利要求9所述的显示单元，其中所述第二层的合金的辅助成分包含钕、钽、钛、镍、钨、硅中的至少一种元素。
15.如权利要求9所述的显示单元，其中所述阳极、所述有机层和所述阴极向上依次层叠，并且
所述阴极由具有对从所述发光层发出的光的透光性的材料制成。
16.如权利要求9所述的显示单元，其中，所述有机层中与所述阳极接触的层包含下式1所示的化合物：
式1
Figure F2010100010645C00031
这里，R1～R6各自独立地代表氢、卤素、羟基、氨基、芳氨基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的羰酯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的链烯基、具有20个以下碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30个以下碳原子的取代或未取代的杂环基，或者代表选自氰基、硝基、异氰基、甲硅烷基之一的取代基；m为1～6的相邻Rm能够通过环状结构相互结合；以及X1～X6各自独立地代表碳原子或氮原子。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738194A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 乐金显示有限公司 有机电致发光显示装置
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107871825A (zh) * 2017-10-30 2018-04-03 周燕红 一种有机发光器件及制备方法
CN110611041A (zh) * 2019-08-21 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN113416190A (zh) * 2021-08-04 2021-09-21 华南理工大学 基于吡唑并[2,3-f][1,10]菲啰啉-2,3-二腈的有机电致发光材料及应用
CN114183724A (zh) * 2020-09-15 2022-03-15 株式会社小糸制作所 灯具单元以及车辆用灯具

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080139790A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Jennings Philip A Chimeric antibodies
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
WO2012161139A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2012243740A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP6023404B2 (ja) * 2011-05-24 2016-11-09 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法
JP2012243742A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
KR101284736B1 (ko) * 2012-01-25 2013-07-17 한국전자통신연구원 광원 장치
JP6111455B2 (ja) * 2012-03-12 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル、表示装置および電子機器
JP5906159B2 (ja) * 2012-09-13 2016-04-20 株式会社神戸製鋼所 有機ＥＬ素子のアノード電極用Ａｌ合金膜、有機ＥＬ素子およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
WO2014179547A1 (en) 2013-05-03 2014-11-06 Magna Internatonal Inc. Aluminum spot welding method
JP6211873B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR102136789B1 (ko) * 2014-06-17 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US11309512B2 (en) 2017-03-30 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device and method for manufacturing organic EL display device
CN110931650A (zh) * 2019-11-22 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机电致发光二极管器件、显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607876A (zh) * 2003-09-19 2005-04-20 索尼株式会社 有机发光器件、其制造方法以及显示器单元
CN1747615A (zh) * 2004-09-07 2006-03-15 索尼株式会社 有机电致发光器件和显示装置
CN1934727A (zh) * 2004-03-19 2007-03-21 伊斯曼柯达公司 改进稳定性的有机发光器件
JP2008226494A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Mt Picture Display Co Ltd 電極及び表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501217B2 (en) * 1998-02-02 2002-12-31 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
JP3804858B2 (ja) 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2003234193A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 有機発光素子およびその製造方法そして有機発光素子の陽極を有する基材
US6917158B2 (en) * 2002-03-08 2005-07-12 City University Of Hong Kong High-qualty aluminum-doped zinc oxide layer as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices
KR100527193B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의제조방법
KR100546662B1 (ko) * 2003-08-05 2006-01-26 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
US6963081B2 (en) * 2003-09-30 2005-11-08 Osram Otpo Semiconductors Gmbh Interfacial trap layer to improve carrier injection
JP4823685B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-24 京セラ株式会社 Ｅｌ装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607876A (zh) * 2003-09-19 2005-04-20 索尼株式会社 有机发光器件、其制造方法以及显示器单元
CN1934727A (zh) * 2004-03-19 2007-03-21 伊斯曼柯达公司 改进稳定性的有机发光器件
CN1747615A (zh) * 2004-09-07 2006-03-15 索尼株式会社 有机电致发光器件和显示装置
JP2008226494A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Mt Picture Display Co Ltd 電極及び表示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738194A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 乐金显示有限公司 有机电致发光显示装置
CN102738194B (zh) * 2011-04-01 2015-07-08 乐金显示有限公司 有机电致发光显示装置
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107768545B (zh) * 2017-09-28 2020-09-11 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107871825A (zh) * 2017-10-30 2018-04-03 周燕红 一种有机发光器件及制备方法
CN110611041A (zh) * 2019-08-21 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN114183724A (zh) * 2020-09-15 2022-03-15 株式会社小糸制作所 灯具单元以及车辆用灯具
CN113416190A (zh) * 2021-08-04 2021-09-21 华南理工大学 基于吡唑并[2,3-f][1,10]菲啰啉-2,3-二腈的有机电致发光材料及应用

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