CN101783360A - 有机发光二极管显示器及光学构件 - Google Patents
有机发光二极管显示器及光学构件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101783360A CN101783360A CN201010003997A CN201010003997A CN101783360A CN 101783360 A CN101783360 A CN 101783360A CN 201010003997 A CN201010003997 A CN 201010003997A CN 201010003997 A CN201010003997 A CN 201010003997A CN 101783360 A CN101783360 A CN 101783360A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- common electrode
- emitting diode
- light emitting
- layer
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 52
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 107
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 claims description 27
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 12
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002983 circular dichroism Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N helicin Chemical group O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1C=O BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01003—Lithium [Li]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种OLED显示器及光学构件。OLED显示器包括在基底上的像素电极、在像素电极上的有机发射层、在有机发射层上的第一共电极、在第一共电极上的透射层、在透射层上的第二共电极、在第二共电极上的选择反射层、在选择反射层上的偏振板、在偏振板和第二共电极之间的相位延迟板。
Description
技术领域
实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地讲,实施例涉及一种通过有效地抑制外部光的反射来改善可视性的OLED显示器。
背景技术
OLED显示器包括多个OLED,OLED包括空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极。通过当电子和空穴结合产生激子且激子从激发态转变到基态时产生的能量来发光。
因此,与液晶显示器(LCD)不同,OLED显示器具有自发光特性,因为不需要单独的光源,所以可以减小OLED显示器的厚度和重量。另外,因为OLED显示器具有诸如功耗低、亮度高以及响应时间快的高质量特性,所以OLED显示器适合应用在移动电子装置中。
通常,OLED显示器的电极和金属布线反射外部光。由于外部光的反射,黑色表现及对比度会劣化,从而OLED显示器的显示特性劣化。
在本背景技术部分中公开的上述信息只是为了加强对本发明背景的理解,因此,其可能包含并未构成对于本领域的普通技术人员来说在本国内已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例因此涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器,该有机发光二极管(OLED)显示器基本上克服了因现有技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
因此,实施例的一个特征提供了一种减少外部光的反射的OLED显示器。
因此,实施例的另一个特征提供了一种具有改善的OLED显示器的可视性的OLED显示器。
因此,实施例的另一个特征提供了一种将被显示的光的损失最小化的OLED显示器。
通过提供一种OLED显示器可以实现上述和其他特征和优点中的至少一种,所述OLED显示器包括:像素电极,在基底上;有机发射层,在像素电极上;第一共电极,在有机发射层上;透射层,在第一共电极上;第二共电极,在透射层上;选择反射层,形成在第二共电极上;偏振板,在选择反射层上;相位延迟板,设置在偏振板和第二共电极之间。
选择发射层可以为胆甾液晶(CLC)层,相位延迟板可以设置在偏振板和CLC层之间。CLC层可以透射左旋圆偏振光和右旋圆偏振光中的一种,且反射另一种。
在穿过偏振板时线性偏振的光在穿过相位延迟板之后可以被圆偏振。
相位延迟板可以为1/4波长板,相位延迟板的光轴和偏振板的偏振轴之间的交叉角可以为45度。
选择反射层可以为双增亮膜(DBEF),相位延迟板可以设置在OLED和DBEF之间。
偏振板和DBEF可以具有相同的偏振轴。
在穿过DBEF时线性偏振的光可以在穿过相位延迟板时被圆偏振。
相位延迟板可以为1/4波长板,相位延迟板的光轴和偏振板的偏振轴之间的交叉角可以为45度。
第一共电极和第二共电极中的一个可以形成为透反射层。
透反射层可以由镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的至少一种的金属制成。
OLED显示器还可以包括像素限定层,像素限定层具有暴露像素电极的开口,且像素限定层形成在基底构件上。像素限定层可以具有黑色或灰色类的颜色。像素限定层可以设置在第一共电极下方。
相位延迟板可以在偏振板和选择反射层之间,或相位延迟板可以在第二共电极和选择反射层之间。
透射层可以直接在第一共电极上,第二共电极可以直接在透射层上。
通过提供一种与有机发光二极管(OLED)显示器一起使用的光学构件可以实现上述和其他特征和优点中的至少一种,有机发光二极管显示器包括在基底上的像素电极、在像素电极上的有机发射层、在有机发射层上的第一共电极、在第一共电极上的透射层、在透射层上的第二共电极,光学构件包括:选择反射层,位于与第二共电极相邻;偏振板,在选择反射层上;相位延迟板,在偏振板和第二共电极之间。
OLED显示器可以包括密封构件。光学构件可以在密封构件上或在密封构件和第二共电极之间。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,上述和其他特征和优点对于本领域的普通技术人将变得更加明显,其中:
图1示出了根据第一示例性实施例的OLED显示器的布局图;
图2示出了沿图1的线II-II截取的剖视图;
图3示出了传输到图1的OLED显示器中的光的路径;
图4示出了从图1的OLED显示器的OLED产生的光向外部发射的路径;
图5示出了根据第二示例性实施例的OLED显示器的剖视图;
图6示出了来自外部的光传输到图5的OLED显示器中的路径的剖视图;
图7示出了从图5的OLED显示器的OLED产生的光的发射路径的剖视图和构造示图。
具体实施方式
现在,将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,它们可以以不同的形式实施且不应解释为局限于这里所提出的实施例。相反,提供这些实施例以使本公开将是彻底和完全的,并且将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。
在附图中,为了示出的清晰起见,可夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是,当层或元件被称为“在”另一个层或基底“上”时,它可直接在另一个层或基底上,或也可以存在中间层。另外,应该理解的是,当层被称为“在”另一个层“下方”时,它可直接在下方,也可以存在一个或多个中间层。另外,应该理解的是,当层被称为“在”在两个层“之间”时,它可以为在两个层之间的唯一层,或也可存在一个或多个中间层。相同的标号始终代表相同的元件。
在多个示例性实施例中,通过标示相同的组成元件,在第一示例性实施例中代表性地描述了具有相同构造的组成元件,并且将只针对与第一示例性实施例的差异来描述其他的示例性实施例。
另外,在附图中,有机发光二极管(OLED)显示器示出为具有2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)型OLED显示器,在2Tr-1Cap结构中,一个像素包括两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器,但本发明不局限于此。因此,OLED显示器可以具有各种结构。例如,在OLED显示器的一个像素中可以设置三个或更多的TFT以及两个或更多的电容器,并且在OLED显示器中还可以设置单独的布线。这里,像素指用于显示图像的最小单位,OLED显示器利用多个像素来显示图像。
在下文中,将参照图1和图2来描述第一示例性实施例。
如图1和图2中所示,有机发光二极管(OLED)显示器100在一个像素中可以包括开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器80以及OLED70。另外,OLED显示器100可以包括沿一个方向排成行的栅极线151以及分别与栅极线151交叉并绝缘的数据线171和共电源线172。这里,可以通过栅极线151、数据线171和共电源线172的边界来限定一个像素。然而,像素的限定不局限于此。
OLED 70可以包括像素电极710、形成在像素电极710上的有机发射层720和形成在有机发射层720上的共电极730。这里,像素电极710可以为正(+)极,即,空穴注入电极,共电极730为负(-)极,即,电子注入电极。然而,实施例不局限于此。例如,根据OLED显示器100的驱动方法,像素电极710可以为负极,共电极730可以为正极。空穴和电子可以从像素电极710和共电极730分别地注入到有机发射层720中,并形成激子。当激子从激发态转变到基态时,发射光。
电容器80可以包括第一电容板158和第二电容板178,第一电容板158和第二电容板178之间设置有栅极绝缘层140。
开关薄膜晶体管10可以包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。驱动薄膜晶体管20可以包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。
开关薄膜晶体管10可以用作用于选择像素来发光的开关。开关栅电极152可以连接到栅极线151。开关源电极173可以连接到数据线171。开关漏电极174可以设置为与开关源电极173隔开一定距离,并且可连接到第一电容板158。
驱动薄膜晶体管20可以将驱动电源施加到像素电极710,以从所选像素中的OLED 70的有机发射层720发射光。驱动栅电极155可以连接到第一电容板158。驱动源电极176和第二电容板178可以分别地连接到共电源线172。驱动漏电极177可以通过接触孔182连接到OLED 70的像素电极710。
在上述的结构的情况下,可以通过施加到栅极线151的栅极电压驱动开关薄膜晶体管10,以将施加到数据线171的数据电压传输给驱动薄膜晶体管20。与从共电源线172传输到驱动薄膜晶体管20的共电压和从开关薄膜晶体管10传输的数据电压之间的电压差对应的电压可以存储在电容器80中。与存储在电容器80中的电压对应的电流可以通过驱动薄膜晶体管20流到OLED 70,从而OLED 70发射光。
另外,OLED显示器100可以包括像素限定层190、密封构件210和光学构件58。
像素限定层190可以具有暴露像素电极710的开口,像素电极710可以形成在与像素限定层190的开口对应的位置处。另外,像素限定层190可以为黑色或灰色类的颜色。因此,像素限定层190可以通过吸收光来抑制外部光的反射。在第一示例性实施例中,像素限定层190具有黑色或灰色类的颜色,但不局限于此。即,像素限定层190可以不着色。
密封构件210可通过附着到基底构件111且OLED 70位于它们之间与基底构件111密封在一起。密封构件210可以覆盖形成在基底构件111上的薄膜晶体管10和20以及OLED 70,使其与外部环境隔开来保护这些元件。这里,除了密封构件210和光学构件58的构造形成显示板110。由诸如玻璃或塑料的材料形成的绝缘基底可以用作密封构件210。
光学构件58可以在通过抑制外部光的反射来改善OLED显示器100的可视性的同时,将从OLED 70向外发射的光的损失最小化。光学构件58可以包括形成在OLED 70上的选择反射层585、形成在选择反射层585上的相位延迟板583和形成在相位延迟板583上的偏振板581。另外,根据图2中示出的第一示例性实施例,光学构件58可以形成在密封构件210上,但光学构件58的布置不局限于此。例如,光学构件58可以在密封构件210和OLED70之间。
偏振板581可以与其偏振轴对应地线性偏振光。更具体地讲,偏振板581可以传输与偏振轴一致的光且吸收所有其他的光。因此,已经穿过偏振板581的光相对于偏振轴线性地偏振。
相位延迟板583可以为具有从偏振板581的偏振轴旋转45度的光轴的1/4波长板。即,相位延迟板583的光轴和偏振板581的偏振轴之间的交叉角为大约45度。因此,通过穿过偏振板583而被线性偏振的光在穿过相位延迟板583之后被圆偏振。由于相位延迟板583的光轴和偏振板581的偏振轴之间的交叉角接近45度,导致线性偏振的光在穿过相位延迟板583之后变为基本上圆偏振的光。
胆甾液晶(CLC)可以用作选择反射层585。在下文中,在第一示例性实施例中,选择反射层585被称为CLC层。
CLC具有类似于近晶型液晶的层状结构,但纵向轴的分子类似于向列相液晶平行地排列。更具体地讲,薄且长的分子在一个平面中沿纵向方向平行地排列并向与对应的表面垂直的方向移动,从而分子轴的对齐方向以螺旋形状弯曲。因此,整个液晶层具有螺旋状的结构。因此,CLC具有独特的光学特性,包括光学旋转能(optical rotary power)、选择性光散射(selective lightscattering)、圆偏振和圆二色性(circular dichroism)。
因此,CLC层585可以选择地透射或反射圆偏振的光。根据示例性实施例的CLC层585透射右圆偏振光且反射左圆偏振光。
OLED显示器100的OLED 70还可以包括形成在共电极730上的透射层600和形成在透射层600上的附加共电极750。在下文中,共电极730被称为第一共电极,附加共电极750被称为第二共电极。这里,第一共电极730可以形成在有机发射层720和像素限定层190上。
第一共电极730和第二共电极750可以形成为透反射层(transflectivelayer)。然而,实施例不局限于此。即,第一共电极730和第二共电极750中的仅一个可以为透反射的,而另一个可以为透明的。
透射层600的两侧可以分别地附着到第一共电极730和第二共电极750,也就是,透射层600可以直接在第一共电极730上,且第二共电极750可以直接在透射层600上。即,在透射层600和第一共电极730之间或在透射层600和第二共电极750之间不存在具有空气的界面,也就是,透射层600可以直接在第一共电极730上,且第二共电极750可以直接在透射层600上。因此,大部分的外部光通过因第一共电极730和第二共电极750之间的反射而导致的相消干涉而被消除。为了第一共电极730和第二共电极750之间的光的有效的相消干涉,透射层600应该具有合适的折射率和厚度。随后将参照等式1更详细地描述透射层600的折射率和厚度。
如所描述的,OLED显示器100可以利用光学构件58、第一共电极730、透射层600、第二共电极750和像素限定层190来抑制外部光的反射,从而改善可视性。
在下文中,将参照图2更详细地描述根据第一示例性实施例的OLED显示器100的结构。图2示出的OLED显示器100着眼于驱动薄膜晶体管20、OLED 70和电容器80。
在下文中,将参照驱动薄膜晶体管20更详细地描述薄膜晶体管的结构。将只针对与驱动薄膜晶体管20的不同来说明开关薄膜晶体管10。
基底构件111可以为绝缘基底,例如,玻璃、石英、陶瓷、塑料等。然而,实施例不局限于此。因此,基底构件111可以由金属基底形成,例如,不锈钢。
缓冲层120可以形成在基底构件111上。缓冲层120可以防止杂质的渗透并使缓冲层120的表面平坦化。为了执行这样的功能,缓冲层120可以由各种材料形成。例如,硅氮化物(SiNx)层、二氧化硅(SiO2)层和硅氮氧化物(SiOxNy)层可用作缓冲层120。然而,根据基底构件111的类型和工艺条件,可省略缓冲层120。
驱动半导体层132可以形成在缓冲层120上。驱动半导体层132可以为例如多晶硅层。另外,驱动半导体层132可以包括未掺杂杂质的沟道区135和在沟道区135两侧处的掺杂有杂质的源区136和漏区137。例如,掺杂的离子材料可以为P型杂质,例如,诸如B2H6的包含硼(B)的材料。可根据薄膜晶体管的类型改变杂质。
在第一示例性实施例中,使用P型杂质的PMOS结构的薄膜晶体管可用作驱动薄膜晶体管20,但实施例不局限于此。例如,NMOS结构的薄膜晶体管或CMOS结构的薄膜晶体管可用作驱动薄膜晶体管20。
另外,虽然图2的驱动薄膜晶体管20为包括多晶硅层的多晶薄膜晶体管,但开关薄膜晶体管10(未在图2中示出)可以为多晶薄膜晶体管或包括非晶硅层的非晶薄膜晶体管。
栅极绝缘层140可以由硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)形成,且可以形成在驱动半导体层132上。包括驱动栅电极155的栅极布线可以形成在栅极绝缘层140上。栅极布线还可以包括栅极线151(在图1中示出)、第一电容板158(在图1中示出)和其他的布线。另外,驱动栅电极155可以与驱动半导体层132的至少一部分叠置,更具体地讲,可以与沟道区135叠置。
覆盖驱动栅电极155的层间绝缘层160可以形成在栅极绝缘层140上。栅极绝缘层140和层间绝缘层160可以共有暴露驱动半导体层132的源区136和漏区137的通孔。类似于栅极绝缘层140,层间绝缘层160可以包含硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)。
包括驱动源电极176和驱动漏电极177的数据布线可以形成在层间绝缘层160上。数据布线还可以包括数据线171、共电源线172、第二电容板178(在图1中示出)和其他的布线。另外,驱动源电极176和驱动漏电极177可以通过通孔分别地连接到驱动半导体层132的源区136和漏区137。
如所述的,驱动薄膜晶体管20可以包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177,驱动薄膜晶体管20的构造不局限于上述的实施例,且以本领域的普通技术人员可以实现来做各种修改。
覆盖数据布线171、172、176和177的平坦化层180可以形成在层间绝缘层160上。平坦化层180可以覆盖布线或其他的不连续构件(discontinuity)以平坦化层间绝缘层160,从而提高OLED 70的发光效率。另外,平坦化层180可以具有接触孔182,通过接触孔182可以部分地暴露漏电极177。平坦化层180可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂(polyphenylen ether resin)、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的至少一种形成。
OLED 70的像素电极710可以形成在平坦化层180上。像素电极710可以通过平坦化层180的接触孔182连接到漏电极177。
另外,具有暴露像素电极710的开口的像素限定层190可以形成在平坦化层180上。即,像素电极710可以与像素限定层190的开口对应地设置。
像素限定层190可以为黑色或灰色类的颜色。另外,像素限定层190可以由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂的树脂材料或包含在树脂中的颜料形成。
有机发射层720可以形成在像素电极710上并在像素限定层190的开口内。第一共电极730可以形成在像素限定层190和有机发射层720上。
如所述的,可以形成包括像素电极710、有机发射层720和第一共电极730的OLED 70。另外,在本发明的第一示例性实施例中,OLED 70还可以包括透射层600和第二共电极750。
透射层600可以形成在第一共电极730上。有机层或无机层可以用作透射层600。在根据第一示例性实施例的OLED显示器100中,有机层用作透射层600。另外,透射层600可以在合适的范围内具有平均的厚度。在这种情况下,根据透射层600的折射率确定透射层600的厚度。
第二共电极750可以形成在透射层600上。第一共电极730和第二共电极750可以为透反射的。用作第一共电极730和第二共电极750的透反射层可以由镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中至少一种形成。
另外,第一共电极730和第二共电极750可以具有足够的反射率以有效地发射从OLED 70产生的光并将外部光的反射最小化。例如,第一共电极730可以具有小于50%的反射率,第二共电极750可以具有小于30%的反射率。
另外,透射层600的两侧可以分别地附着到第一共电极730和第二共电极750。即,在透射层600和第一共电极730之间以及在透射层600和第二共电极750之间不存在具有空气的界面。另外,透射层600可以具有足够的厚度和折射率以在第一共电极730和第二共电极750之间通过光的反射产生相消干涉。
透射层600的厚度和折射率可以通过下面的从反射光的相消干涉得到的等式来确定。
等式1
d=λ/4ndcosθ这里,d表示两个反射面之间的距离。即,d表示第一共电极730和第二共电极750之间的距离,也表示透射层600的厚度。透射层600的折射率由n表示,θ表示光的入射角,λ表示反射光的波长。
将可见光的波长和用作透射层600的材料的折射率应用到等式1。另外,如果外部光的平均入射角为大约30度到45度,则可以计算透射层600的期望的平均厚度。即,根据用作透射层600的材料的类型,透射层600可设置为具有合适的厚度。选择地,如果透射层600具有期望的厚度,则可选择具有合适折射率的材料来形成透射层600。
根据上述的结构,通过第二共电极750传输到第一共电极730的外部光可以被第一共电极730部分地反射然后朝向第二共电极750传输。传输到第二共电极750的光可以部分地穿过第二共电极750并且被发射,剩余的光再次被反射且传输到第一共电极730。如所述的,在外部光在其间具有透射层600的第一共电极730和第二共电极750之间被反复地反射的同时,可出现相消干涉,使得大量的外部光可被消除。因此,通过抑制外部光的反射,OLED显示器100的可视性可得到改善。
另外,如上所述的,第一共电极730和第二共电极750可以为透反射的。然而,根据实施例的OLED显示器100不局限于此。因此,第一共电极730和第二共电极750中的一个可以为透射的。像素电极710可以形成为透射电极、透反射层和反射层中的一种。
根据形成像素电极710、第一共电极730和第二共电极750的材料,OLED显示器100可以分为顶部发光型、底部发光型和两侧发光型。根据第一示例性实施例的OLED显示器100为顶部发光型OLED显示器。即,OLED 70朝向第一共电极730和第二共电极750发射光以显示图像。
透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等。反射材料可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等。
有机发光层720可以由低分子有机材料或高分子有机材料形成。有机发光层720可以形成为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的至少一种的多层结构。即,HIL可以设置在作为正极的像素电极710上,HTL、发射层、ETL和EIL顺序地堆叠在HIL上。
密封构件210可以设置在OLED 70上。密封构件210可以与基底构件111相对地设置,密封构件210可以覆盖薄膜晶体管20和OLED 70。
光学构件58可以形成在密封构件210上。光学构件58可以包括顺序地排列在密封构件210上的CLC层585、相位延迟板583和偏振板581。光学构件58在改善OLED显示器100的可视性的同时,可以抑制外部光的反射,来将从有机发射层720发射到外部的光的损失最小化。
在下文中,参照图3和图4,将更详细地描述根据第一示例性实施例的OLED显示器100的光学构件58有效地抑制外部光的反射以及将发射到外部的光的损失减到最小的原理。
参照图3,首先将描述穿过光学构件58的外部光的路径。
外部光在穿过偏振板581之后沿偏振板581的偏振轴被线性偏振。线性偏振光在穿过相位延迟板583(即,1/4波长板)之后被圆偏振。在这种情况下,相位延迟板583的光轴相对于偏振板581的偏振轴旋转了45度。即,相位延迟板583的光轴和偏振板581的偏振轴之间的交叉角为45度。
如所述的,因为线性偏振光和相位延迟板583的光轴之间的交叉角为45度,所以线性偏振光在穿过相位延迟板583之后变成圆偏振光。在该具体的示例中,圆偏振光为右旋圆偏振光。然而,实施例不局限于此。因此,根据相位延迟板583的布置,从相位延迟板583输出的光可以被左旋圆偏振。
右旋圆偏振光穿过CLC层585,其中,CLC层585透射右旋圆偏振光且反射左旋圆偏振光。然而,实施例不局限于此。因此,CLC层585可以透射左旋圆偏振光且反射右旋圆偏振光。然而,在这种情况下,来自相位延迟板583的光应该为左旋圆偏振光。即,CLC层585应传输在已穿过偏振板581和相位延迟板583之后的被圆偏振的光。
已穿过CLC层585的右旋圆偏振光可以在第二共电极750和第一共电极730之间被反射,从而大量的光因相消干涉可被消除。另外,未被消除的右旋圆偏振光可以被第二共电极750、第一共电极730和像素电极710中的至少一个反射,并且被传输回CLC层585。在这种情况下,通过反射,右旋圆偏振光转变为左旋圆偏振光。左旋圆偏振光不能穿过CLC层585,因此被反射回第二共电极750,被反射回第二共电极750的左旋偏振光在第二共电极750和第一共电极730之间反射,使得大量的光因相消干涉再次被消除。
通过被第二共电极750、第一共电极730和像素电极710中的至少一个的反射,左旋圆偏振光转变回右旋圆偏振光。已穿过CLC层585的右旋圆偏振光在穿过相位延迟板583后被线性偏振,在这种情况下,线性偏振光的光轴方向与偏振板581的偏振轴基本相同。这里,线性偏振光的光轴方向和偏振板的偏振轴对于每个波长带而彼此稍微不同,即,它们不会精确地相同。平均来讲,可见光会具有与偏振板581的偏振轴的方向基本相同的方向。因此,线性偏振光可以穿过偏振板581并且向外部发射。
如所述的,外部光在穿过光学构件58之后,在第二共电极750和第一共电极730之间被反射几次且可因相消干涉而被明显地消除。因此,OLED显示器100可有效地抑制外部光的反射。
另外,如图2中所示,黑色或灰色类着色的像素限定层190可以吸收光,从而进一步地抑制了外部光的反射。
参照图4,现在将描述从有机发射层720向外部输出的光的路径。
从有机发射层720发射的光顺序地穿过第一共电极730、透射层600和第二共电极750,并传输到CLC层585。从有机发射层720输出的光具有各种相位。已穿过第二共电极750的右旋圆偏振光穿过CLC层585,并传输到相位延迟板583。左旋圆偏振光被反射,并传输到第二共电极750。已穿过CLC层585的光在穿过相位延迟板583之后被线性偏振。线性偏振光穿过偏振板581且向外部发射。传输到第二共电极750的光在被第二共电极750、第一共电极730或像素电极反射后,改变为右旋圆偏振光。另外,光不仅可被OLED 70的电极710、730和750反射,还可被其他金属布线反射。右旋圆偏振光可以顺序地穿过CLC层585、相位延迟板583和偏振板581且向外部发射。
如所述的,在根据第一示例性实施例的OLED显示器100的情况下,被反射且向外部发射的外部光的量可以相对地远小于由OLED 70产生且向外部发射的光的量。因此,OLED显示器100在有效地抑制外部光的反射的同时,可以将从有机发射层720向外部发射的光的损失最小化。
在下文中,将参照图5描述第二示例性实施例。
如图5中所示,根据第二示例性实施例的OLED显示器200的光学构件59可以包括偏振板591、选择反射层592和相位延迟板593。即,光学构件59可以包括顺序地排列在密封构件210上的相位延迟板593、选择反射层592和偏振板591。
双增亮膜(dual brightness enhancement film,DBEF)可用作选择反射层592。在下文中,在第二示例性实施例中,选择反射层592将被称为DBEF。
DBEF 592可以透射与DBEF 592的偏振轴一致的光,且可以反射与偏振轴不一致的光。即,偏振板591不同于DBEF 592之处在于偏振板591吸收与偏振轴不一致的光。
偏振板591的偏振轴可以与DBEF 592的偏振轴相同。另外,相位延迟板593的光轴和偏振轴的交叉角可以为45度。
另外,像素限定层190可以为黑色或灰色类的颜色。因此,像素限定层190可以通过吸收光来抑制外部光的反射。在本发明的第二示例性实施例中,像素限定层190具有黑色或灰色类的颜色,但不局限于此。即,像素限定层190可以不着色。
在上述的构造的情况下,OLED显示器200在通过有效地抑制外部光的反射来改善可视性的同时,可以将从有机发射层720向外部发射到外部的光的损失最小化。
在下文中,参照图6和图7,将更详细地描述根据第二示例性实施例的OLED显示器200的光学构件59有效地抑制外部光的反射以及将发射的光的损失最小化的原理。
参照图6,首先将描述穿过光学构件59的外部光的路径。
外部光在穿过偏振板591的同时相对于偏振板591的偏振轴线性地偏振。线性偏振光穿过DBEF 592而基本上没有损失,并且传输到相位延迟板593。线性偏振光在穿过相位延迟板593(为1/4波长板)后被圆偏振。在这种情况下,相位延迟板593的光轴相对于DBEF 592的偏振轴旋转45度。即,相位延迟板593的光轴和DBEF 592的偏振轴之间的交叉角为45度。
如所描述的,因为线性偏振光和相位延迟板593的光轴之间的交叉角为45度,所以线性偏振光在穿过相位延迟板593后改变为圆偏振光。在这种情况下,圆偏振光为右旋圆偏振光。然而,根据本发明的第二示例性实施例不局限于此。因此,已穿过相位延迟板593的光可以为左旋圆偏振光。
已穿过相位延迟板593的右旋圆偏振光可以在第二共电极750和第一共电极730之间被反射,使得大量的右旋圆偏振光可因相消干涉而被消除。另外,一部分右旋圆偏振光可以被第二共电极750、第一共电极730或像素电极710反射,然后传输回相位延迟板593。在这种情况下,右旋圆偏振光在被反射后转变为左旋圆偏振光。另外,左旋圆偏振光在穿过相位延迟板593的同时被线性偏振。现在,线性偏振光的轴向与DBEF 592的偏振轴垂直。因此,不能穿过DBEF 592的光被反射且穿过相位延迟板593,然后传输到第二共电极750。另外,线性偏振光在穿过相位延迟板593之后变为左旋圆偏振光。然后,左旋圆偏振光可以在第二共电极750和第一共电极730之间反射,使得大量的光可以因相消干涉而被消除。
被第二共电极750、第一共电极730或像素电极710反射的左旋圆偏振光变回为右旋圆偏振光。右旋圆偏振光在穿过相位延迟板593之后被线性偏振。在这种情况下,线性偏振光的光轴方向与DBEF 592的偏振轴基本相同。这里,线性偏振光的光轴方向和DBEF 592的偏振轴对于每个波长带而彼此稍微不同,使得它们不会精确地相同。平均而言,可见光可以具有与DBEF 592的偏振轴的方向基本相同的光轴。因此,线性偏振光可以基本上穿过DBEF592和偏振板591而向外部发射。
如所述的,外部光在穿过光学构件59后可以在第二共电极750和第一共电极730之间被多次反射,并且可因相消干涉而被显著地消除。因此,OLED显示器200可以有效地抑制外部光的反射。另外,如图5中所示,黑色或灰色类着色的像素限定层190可以吸收光,以有效地抑制外部光。
参照图7,现在将描述从有机发射层720向外部发射的光的路径。
从有机发射层720发射的光顺序地穿过第一共电极730、透射层600、第二共电极750,并且通过相位延迟板593传输到DBEF 592。在这种情况下,光具有各种相位。
在已穿过相位延迟板593的光中,具有与DBEF 592的偏振轴相同的分量的光穿过DBEF 592,同时,剩下的光被反射,然后传输到相位延迟板593。这里,穿过DBEF 592的光被线性偏振。线性偏振光在基本没有损失的情况下穿过偏振板591然后向外部发射。从DBEF 592反射的光穿过相位延迟板593并传输到第二共电极750。在这种情况下,大量的光在穿过相位延迟板593的同时可以被左旋圆偏振。另外,传输到第二共电极750的左旋圆偏振光在被反射到第二共电极750、第一共电极730或像素电极710的同时变为右旋圆偏振光。另外,光不仅可以被OLED 70的电极710、730和750反射,还可被其他金属布线反射。右旋圆偏振光可以顺序地穿过相位延迟板593、DBEF 592和偏振板591而向外部发射。
如所述的,在根据第二示例性实施例的OLED显示器200的情况下,被反射且向外部发射的外部光的量比从OLED 70产生且向外部发射的光的量相对少很多。因此,OLED显示器200在有效地抑制外部光的反射的同时,可以将从有机发射层720向外部发射的光的损失最小化。
这里,已经公开了示例性实施例,虽然采用了特定的术语,但它们只被使用并被解释为一般和描述性而不意在限制。因此,本领域的普通技术人员应该理解,在不脱离权利要求提出的本发明的精神和范围的情况下,可做各种形式和细节的改变。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
像素电极,在基底上;
有机发射层,在所述像素电极上;
第一共电极,在所述有机发射层上;
透射层,在所述第一共电极上;
第二共电极,在所述透射层上;
选择反射层,在所述第二共电极上;
偏振板,在所述选择反射层上;
相位延迟板,在所述偏振板和所述第二共电极之间。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述选择反射层为胆甾液晶层,所述相位延迟板在所述偏振板和所述胆甾液晶层之间。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述胆甾液晶层透射左旋圆偏振光和右旋圆偏振光中的一种,且反射另一种。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,在穿过所述偏振板之后而线性偏振的光在穿过所述相位延迟板之后被圆偏振。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述相位延迟板为1/4波长板,所述相位延迟板的光轴和所述偏振板的偏振轴之间的交叉角为45度。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述选择反射层为双增亮膜,所述相位延迟板在所述第二共电极和所述双增亮膜之间。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述偏振板和所述双增亮膜具有相同的偏振轴。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中,在穿过所述双增亮膜之后而线性偏振的光在穿过所述相位延迟板之后被圆偏振。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中,所述相位延迟板为1/4波长板,所述相位延迟板的光轴和所述偏振板的偏振轴之间的交叉角为45度。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一共电极和所述第二共电极中的一个形成为透反射层。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中,所述透反射层包含镁、银、钙、锂、铬和铝中的至少一种。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括像素限定层,所述像素限定层具有暴露所述像素电极的开口,所述像素限定层形成在所述基底上。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,其中,所述像素限定层具有黑色或灰色类的颜色。
14.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,其中,所述像素限定层设置在所述第一共电极下方。
15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述相位延迟板在所述偏振板和所述选择反射层之间。
16.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述相位延迟板在所述第二共电极和所述选择反射层之间。
17.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述透射层直接在所述第一共电极上,所述第二共电极直接在所述透射层上。
18.一种与有机发光二极管显示器一起使用的光学构件,所述有机发光二极管显示器包括在基底上的像素电极、在所述像素电极上的有机发射层、在所述有机发射层上的第一共电极、在所述第一共电极上的透射层、在所述透射层上的第二共电极,所述光学构件包括:
选择反射层,位于与所述第二共电极相邻;
偏振板,在所述选择反射层上;
相位延迟板,在所述偏振板和所述第二共电极之间。
19.如权利要求18所述的光学构件,其中,所述有机发光二极管显示器包括密封构件,所述光学构件在所述密封构件上。
20.如权利要求18所述的光学构件,其中,所述有机发光二极管显示器包括密封构件,所述光学构件在所述密封构件和所述第二共电极之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0005168 | 2009-01-21 | ||
KR1020090005168A KR100995067B1 (ko) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101783360A true CN101783360A (zh) | 2010-07-21 |
CN101783360B CN101783360B (zh) | 2012-03-21 |
Family
ID=42173877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010100039978A Active CN101783360B (zh) | 2009-01-21 | 2010-01-18 | 有机发光二极管显示器及光学构件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8125143B2 (zh) |
EP (1) | EP2211397A3 (zh) |
JP (1) | JP2010170988A (zh) |
KR (1) | KR100995067B1 (zh) |
CN (1) | CN101783360B (zh) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102709309A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 镜面可切换有机发光显示器及镜面可切换显示器 |
CN102790074A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN103187426A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
CN104319282A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板 |
WO2015043269A1 (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled像素结构和oled显示装置 |
CN104659056A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN106098742A (zh) * | 2016-08-18 | 2016-11-09 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 有机发光显示装置及制造方法 |
CN106158910A (zh) * | 2015-05-13 | 2016-11-23 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
TWI596758B (zh) * | 2013-06-07 | 2017-08-21 | 三星顯示器有限公司 | 發光顯示裝置及其製造方法 |
CN107272249A (zh) * | 2016-04-04 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN107564933A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置 |
CN107978689A (zh) * | 2016-10-24 | 2018-05-01 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
CN109445164A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110426859A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学膜片、显示组件以及显示装置 |
CN111429812A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-07-17 | 錼创显示科技股份有限公司 | 显示装置 |
CN112447813A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
WO2021102663A1 (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示组件、显示组件的制作方法、以及电子设备 |
WO2021189271A1 (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示器件及显示装置 |
WO2022053061A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 华为技术有限公司 | 一种oled显示模组及显示装置 |
CN114284320A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-05 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN114303362A (zh) * | 2019-08-28 | 2022-04-08 | Lg伊诺特有限公司 | 光学装置 |
WO2023028828A1 (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 华为技术有限公司 | 光学叠层结构、显示模组、终端及相关制备方法 |
WO2024031670A1 (en) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | Intel Corporation | Power efficient micro-led architectures |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101641713B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2016-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20110024970A (ko) * | 2009-09-03 | 2011-03-09 | 삼성전자주식회사 | 입체영상 표시 장치 |
KR101780250B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2017-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101784994B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
DE102011056836B4 (de) | 2011-06-22 | 2020-12-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung |
KR101243828B1 (ko) * | 2011-06-22 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101885698B1 (ko) | 2011-06-27 | 2018-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광투과율 제어가 가능한 표시장치 |
KR101472806B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2014-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 터치 패널을 포함하는 표시 장치 |
KR101480928B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2015-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR102034050B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 표시장치 |
JP6495897B2 (ja) * | 2013-06-06 | 2019-04-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 反射防止oled構成体 |
KR102203100B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2021-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102111502B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2020-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
CN103811532B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制作方法 |
KR102227476B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN105118400B (zh) * | 2015-09-29 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示装置 |
KR102472607B1 (ko) * | 2016-02-03 | 2022-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102608418B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10520782B2 (en) | 2017-02-02 | 2019-12-31 | James David Busch | Display devices, systems and methods capable of single-sided, dual-sided, and transparent mixed reality applications |
KR102568756B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10598838B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-03-24 | Intel Corporation | Pixel level polarizer for flexible display panels |
WO2021189288A1 (en) * | 2020-03-25 | 2021-09-30 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Display device and display equipment |
CN116097929A (zh) * | 2021-08-30 | 2023-05-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
WO2024010221A1 (ko) * | 2022-07-05 | 2024-01-11 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널을 포함하는 웨어러블 장치 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4713010B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001357979A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | El素子 |
JP2002151251A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 発光素子 |
JP4011292B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
US6879618B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-04-12 | Eastman Kodak Company | Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity |
JP3748406B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2006-02-22 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP4085846B2 (ja) | 2002-06-24 | 2008-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びこれを備えた電子機器 |
TWI266907B (en) * | 2002-07-24 | 2006-11-21 | Nitto Denko Corp | Polarizing device, optical thin film using the same, and image display device using the same |
JP4676678B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2011-04-27 | 日東電工株式会社 | 高輝度偏光板 |
JP4184189B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2008-11-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
KR100778170B1 (ko) * | 2003-10-24 | 2007-11-22 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 |
JP2005216582A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
KR20060006572A (ko) | 2004-07-16 | 2006-01-19 | 서은숙 | 절첩식 의자 |
JP4346087B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2009-10-14 | 日東電工株式会社 | 帯電防止性光学フィルム、帯電防止性粘着型光学フィルム、それらの製造方法および画像表示装置 |
JP2007095518A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR20070039433A (ko) * | 2005-10-08 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
US8217572B2 (en) * | 2005-10-18 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with prism layer |
US7800295B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
US8058783B2 (en) * | 2008-07-25 | 2011-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
KR101002663B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2010-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2009
- 2009-01-21 KR KR1020090005168A patent/KR100995067B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-11 JP JP2009258059A patent/JP2010170988A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-06 US US12/654,838 patent/US8125143B2/en active Active
- 2010-01-18 CN CN2010100039978A patent/CN101783360B/zh active Active
- 2010-01-20 EP EP10151225.9A patent/EP2211397A3/en not_active Withdrawn
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102790074A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN102790074B (zh) * | 2011-05-13 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN103187426A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
CN102709309A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 镜面可切换有机发光显示器及镜面可切换显示器 |
CN104241315B (zh) * | 2013-06-07 | 2018-11-09 | 三星显示有限公司 | 发光显示装置及其制造方法 |
TWI596758B (zh) * | 2013-06-07 | 2017-08-21 | 三星顯示器有限公司 | 發光顯示裝置及其製造方法 |
WO2015043269A1 (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled像素结构和oled显示装置 |
US9685489B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-06-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED pixel structure and OLED display device |
CN104659056A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN104319282B (zh) * | 2014-09-23 | 2018-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板 |
CN104319282A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板 |
WO2016045260A1 (zh) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制造方法 |
CN106158910B (zh) * | 2015-05-13 | 2022-01-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
CN106158910A (zh) * | 2015-05-13 | 2016-11-23 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
CN107272249A (zh) * | 2016-04-04 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN107272249B (zh) * | 2016-04-04 | 2022-02-01 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
US10700309B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-06-30 | Lg Display Co., Ltd. | Optical member for enhancing luminance and organic light-emitting display device having the same |
CN107564933B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-12-11 | 乐金显示有限公司 | 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置 |
CN107564933A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置 |
CN106098742A (zh) * | 2016-08-18 | 2016-11-09 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 有机发光显示装置及制造方法 |
CN107978689A (zh) * | 2016-10-24 | 2018-05-01 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
CN109445164A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110426859A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学膜片、显示组件以及显示装置 |
US11575111B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-07 | Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. | Optical film group, display assembly and display device |
CN114303362A (zh) * | 2019-08-28 | 2022-04-08 | Lg伊诺特有限公司 | 光学装置 |
US11729485B2 (en) | 2019-08-28 | 2023-08-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Optical device |
CN112447813A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
CN113228287A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-08-06 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示组件、显示组件的制作方法、以及电子设备 |
WO2021102663A1 (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示组件、显示组件的制作方法、以及电子设备 |
CN111429812A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-07-17 | 錼创显示科技股份有限公司 | 显示装置 |
WO2021189271A1 (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示器件及显示装置 |
CN113728437A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示器件及显示装置 |
WO2022053061A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 华为技术有限公司 | 一种oled显示模组及显示装置 |
WO2023028828A1 (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 华为技术有限公司 | 光学叠层结构、显示模组、终端及相关制备方法 |
CN114284320A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-05 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
WO2023109239A1 (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
WO2024031670A1 (en) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | Intel Corporation | Power efficient micro-led architectures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2211397A2 (en) | 2010-07-28 |
KR100995067B1 (ko) | 2010-11-18 |
EP2211397A3 (en) | 2014-06-25 |
CN101783360B (zh) | 2012-03-21 |
US20100182552A1 (en) | 2010-07-22 |
KR20100085732A (ko) | 2010-07-29 |
US8125143B2 (en) | 2012-02-28 |
JP2010170988A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101783360B (zh) | 有机发光二极管显示器及光学构件 | |
CN101661949B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
TWI646520B (zh) | 透明顯示裝置 | |
USRE48793E1 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
US10541388B2 (en) | Method for fabricating a display device are capable of substantially minimizing damage and carbonization of a substrate | |
CN101777575B (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
US20160087245A1 (en) | Organic light emitting diode device | |
CN102832352B (zh) | 塑料有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
KR101641713B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US11094892B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US9391126B2 (en) | Flat panel display and method of manufacturing the same | |
US20240118475A1 (en) | Polarization film and display device comprising the same | |
US9804312B2 (en) | Window for display device and display device including the same | |
CN105575993B (zh) | 有机发光显示装置及其制作方法 | |
KR20100024711A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102111502B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
KR20160066400A (ko) | 컬러편광판 및 이를 구비한 유기전계발광 표시소자 | |
CN115692425A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121105 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121105 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |