CN101740699B - 半导体发光器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- -1 oxonium ion Chemical class 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- WXXSNCNJFUAIDG-UHFFFAOYSA-N riociguat Chemical compound N1=C(N)C(N(C)C(=O)OC)=C(N)N=C1C(C1=CC=CN=C11)=NN1CC1=CC=CC=C1F WXXSNCNJFUAIDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述化合物半导体层上的点式导电层；和所述点式导电层上的电极层。
Description
对相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.119和35U.S.C.365要求韩国专利申请No.10-2008-0115563(2008年11月20日提交)的优先权；该专利申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本公开内容涉及半导体发光器件。
背景技术
第III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而广泛用作发光器件如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的主要材料。通常，第III-V族氮化物半导体包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。
LED是一种利用化合物半导体的特性将电信号转变成红外线或光来发送/接收信号的半导体器件。LED还用作光源。
使用这种氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD用作用于各种产品例如移动电话的键盘发光部分、电子广告牌和照明设备等的光源。
发明内容
实施方案提供一种包括在发光结构下方的点式导电层的半导体发光器件。
实施方案提供一种能够通过在发光结构和电极层之间形成含Ag的超导层(super-conductive layer)来提高空穴注入效率的半导体发光器件。
实施方案提供一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括在发光结构上的点式超导层和所述点式超导层上的欧姆接触层和/或电极层。
一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述化合物半导体层上的点式导电层；和所述点式导电层上的电极层。
一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述化合物半导体层下方的电极；所述化合物半导体层上包含Ag的点式超导层；所述点式超导层上的欧姆接触层；和所述欧姆接触层上的电极层。
一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述化合物半导体层上形成且包括含Ag的纳米尺寸点的欧姆接触层；所述化合物半导体层下方的电极；所述欧姆接触层上的电极层；和所述电极层上的导电支撑构件。
一个或更多个实施方的细节在附图和下文的说明中阐述。通过参考所述说明书和附图以及权利要求，其它特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视图；
图2是图1中显示的欧姆接触层和点式导电层的空穴注入图；
图3～7是显示制造图1中所示半导体发光器件的程序的截面图；
图8～10是显示制造图1中所示点式导电层的程序的截面图；
图11是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；和
图12是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据实施方案的半导体发光器件。在实施方案的说明中，术语各层之“上/上方”或“下/下方”将参照附图来描述，并且各层的厚度也不限于附图中显示的厚度。
在实施方案的说明中，应当理解，当称层(或膜)、区域、图案或结构在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一极板或另一图案之“上/上方”和“下/下方”时，它可以“直接”或“间接”在所述另一衬底、层(或膜)、区域、极板或图案上。
图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视图，图2是图1中显示的欧姆接触层和点式导电层的空穴注入图。
参照图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、点式导电层140、欧姆接触层150、电极层155、导电支撑构件160和电极117。
半导体发光器件100包括基于多个化合物半导体如第III-V族元素的化合物半导体层的LED，并且LED可以包括发射蓝光、绿光或红光的彩色LED或UV LED。从LED发射的光可以在实施方案的技术范围内利用各种半导体来实现。
所述化合物半导体层包括发光结构135。发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。
第一导电半导体层110可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，它们是掺杂有第一导电掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体。当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂如Si、Ge、Sn、Se、Te。第一导电半导体层110可具有单层或多层。但是实施方案不限于此。
电极117形成于第一导电半导体层110的下方。电极117可具有预定的形状并可以以预定的图案来提供。但是实施方案不限于此。电极117可以位于第一导电半导体层110下表面的中央部分处以有利于供给电流。
电极117可用作电极垫，并且可包括选自Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag和Au中的一种。但是实施方案不限于此。
可在第一导电半导体层110的下表面上设置粗糙图案。但是实施方案不限于此。
有源层120形成于第一导电半导体层110上，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层120可具有利用第III-V族元素的化合物半导体材料的阱层和势垒层的结构。例如，有源层120可具有InGaN阱层和GaN势垒层的结构。可以在有源层120的上方和/或下方形成导电覆层，导电覆层可包括AlGaN-基层。
第二导电半导体层130形成于有源层120上，并且可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，它们是掺杂有第二导电掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂如Mg和Zn。第二导电半导体层130可具有单层或多层。但是实施方案不限于此。
发光结构135可包括在第二导电半导体层130上的N型半导体层或P型半导体层。此外，第一导电半导体层110可提供作为P型半导体层，第二导电半导体层130可提供作为N型半导体层。发光结构135可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少其一。
点式导电层140在发光结构135上形成，欧姆接触层150在点式导电层140上形成。
点式导电层140在第二导电半导体层130上形成以提高第二导电半导体层130的功函数。
点式导电层140可包括利用氧化物、含Ag的氧化物或含Ag的超导材料的导电材料。例如点式导电层140可包括Ag2O等。为了方便起见，点式导电层140将作为利用Ag2O材料的点层来解释。
点式导电层140是用臭氧处理的Ag2O点层，并且具有约5.3eV或更低(～5.3eV)的功函数。点式导电层140的功函数高于欧姆接触层150的功函数，使得可以改善有源层120的空穴注入效率。如果空穴注入效率改善，则也可以改善有源层120中的光提取效率。
例如，点式导电层140可具有约5nm(纳米尺寸)或更小的直径，并且点的尺寸可以根据约5.3eV或更低的功函数和空穴注入效率而变化。
欧姆接触层150在点式导电层140上形成，并且可以包括具有欧姆特性的籽金属(seed metal)。欧姆接触层150可以作为层或图案(例如矩阵型)提供。例如，欧姆接触层150可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种。但是实施方案不限于此。
欧姆接触层150可具有约4.8eV或更低(～4.8eV)的功函数，或者可以包含功函数低于点式导电层140的功函数的材料。欧姆接触层150可以省去。欧姆接触层150可包括点式导电层。
电极层155在欧姆接触层150或点式导电层140上形成。电极层155可用作反射电极层。例如，电极层155可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf及其组合中的一种。
导电支撑构件160在电极层155上形成。导电支撑构件160可用作基础衬底，并且包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W和载体晶片(carrier wafer)如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe和GaN-基晶片和Ga2O3-晶片。导电支撑构件160可以通过电镀法形成，或者可以形成为板状。但是实施方案不限于此。导电支撑构件160可以具有约30μm至约150μm的厚度。但是实施方案不限于此。
参照图1和2，欧姆接触层150的功函数V1为约4.8eV或更低，点式导电层140的功函数V2为约5.3eV或更低，其高于欧姆接触层150的功函数V1。
当欧姆接触层150的空穴注入势垒D1用D1表示，且点式导电层140的空穴注入势垒D2用D2表示时，在欧姆接触层150的空穴注入势垒D1和点式导电层140的空穴注入势垒D2之间存在差D3(D1-D2)。在该情况下，通过点式导电层140注入第二导电半导体层130的带B1的空穴注入效率可以因为差D3而改善。也就是说，点式导电层140设置在发光结构135上，使得可以改善空穴注入效率。
空穴从最高占据分子轨道(HOMO)能级转移，电子从最低未占据分子轨道(LUMO)能级转移。功函数可以定义为使电子从费米能级移动到真空能级以使电子可***而需要的能量。HOMO能级和LUMO能级之间的能量差可以与功函数对应。
HOMO能级对应于导带，是指电子成键轨道中的最高能级。LUMO代表真空能级，是指电子非成键轨道中的最低能级。
如果施加具有第二极性的功率，则在第二导电半导体层130上对准的点式导电层140可以改善注入第二导电半导体层130中的空穴注入效率。
图3～7是显示制造图1中所示半导体发光器件的程序的截面图。
参照图3，将衬底101装入生长设备上，并且在衬底101上生长第II至VI族元素的化合物半导体层。
生长设备可包括电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备、等离子体激光沉积(PLD)设备、双型热蒸发器设备、溅射设备和金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备。但是实施方案不限于此。
衬底101可包括选自蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电衬底和GaAs中的一种。衬底101可以在其上表面上形成凹凸图案。此外，可以在衬底101上形成利用第II-VI族元素化合物半导体的层过图案。例如，可以在衬底101上形成ZnO层(未显示)、缓冲层(未显示)和未掺杂的半导体层(未显示)中的至少一种。
缓冲层和未掺杂的半导体层可以包括第III-V族元素的化合物半导体。缓冲层降低与衬底101的晶格常数差，未掺杂的半导体层可包括未掺杂的GaN-基半导体。
包括化合物半导体层的发光结构135形成于衬底101上。发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。第一导电半导体层110在衬底101或其他半导体层上形成，有源层120在第一导电半导体层110上形成，第二导电半导体层130在有源层120上形成。
第一导电半导体层110可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，它们是掺杂有第一导电掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体。当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层110可具有单层或多层。但是实施方案不限于此。
有源层120形成于第一导电半导体层110上方，并且可以具有单量子或多量子阱结构。有源层120可具有利用第III-V族元素的化合物半导体材料的阱层和势垒层的结构。例如，有源层120可具有InGaN阱层和GaN势垒层的结构。
可以在有源层120的上方和/或下方形成导电覆层，并且导电覆层可包括AlGaN-基体。
第二导电半导体层130形成于有源层120上，并且可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种，它们是掺杂有第二导电掺杂剂的第III-V族元素的化合物半导体。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电型掺杂剂可包括P型掺杂剂如Mg和Zn。第二导电半导体层130可具有单层或多层。但是实施方案不限于此。
此外，可以在第二导电半导体层130上形成第三导电半导体层，例如N型半导体层或P型半导体层。因此，发光结构135可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。
此外，可以在第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130上方和/或下方形成其它半导体层。但是实施方案不限于此。
点式导电层140在第二导电半导体层130上形成。详细地，点式导电层140可包括利用氧化物、含Ag的氧化物或含Ag的超导材料的导电材料。例如点式导电层140可包括Ag2O等。为了方便起见，点式导电层140将作为利用Ag2O材料的点层来解释说明。
在下文中，将描述制造Ag2O点层(即点式导电层140)的方法。首先，通过溅射方法将Ag+沉积在第二导电半导体层130上。接着，将样品装入臭氧室中，并且在将O2供给到臭氧室的同时灯(例如UV灯)发光到样品上，因此在臭氧室中存在各种物质如O2、O3和氧离子。此时，Ag+与诸如O2、O3和氧离子的物质反应，因此存在Ag2O点形式的Ag+。因此，将具有约4.3eV或更低的低功函数的Ag转变成具有约5.3eV或更低的功函数的Ag2O。
例如，点式导电层140可具有约5nm(纳米尺寸)或更小的直径，并且点的尺寸可以根据约5.3eV或更低的功函数和空穴注入效率而变化。
参照图4，欧姆接触层150在点式导电层140上形成，并且可以通过利用具有欧姆特性的籽金属以层或图案(例如矩阵)的形式提供。欧姆接触层150的一部分可以直接连接至第二导电半导体层130。
欧姆接触层150可包括选自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种。
欧姆接触层150可具有约4.8eV或更低(～4.8eV)的功函数，或者可以包含功函数低于点式导电层140的功函数的材料。欧姆接触层150可以省去。也就是说，电极层155可以在点式导电层140上形成而不形成欧姆接触层150。在该情况下，电极层155可包括功函数低于点式导电层140的功函数的材料。欧姆接触层150的功函数为约4.8eV或更低。
参照图5，电极155在欧姆接触层150或点式导电层140上形成。电极155可用作反射电极层。例如，电极层155可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf及其组合中的一种。电极层155的一部分可直接连接至点式导电层140或第二导电半导体层130。
导电支撑构件160在电极层155上形成。导电支撑构件160可用作基础衬底，并且可包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W和载体晶片如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe和GaN-基晶片和Ga2O3-晶片。导电支撑构件160可以通过电镀法形成，或者可以形成为板状。但是实施方案不限于此。导电支撑构件160可以具有约30μm至约150μm的厚度。但实施方案不限于此。
参照图5和6，在将导电支撑构件160置于基底之后，除去衬底101。衬底101可以通过物理和/或化学法除去。
根据称为激光剥离法(LLO)的物理法，将用具有预定范围波长的激光辐照到衬底101上，使得衬底101与第一导电半导体层110分离。根据化学法，当在衬底101和第一导电型半导体层110之间形成其它半导体层(例如缓冲层)时，利用湿蚀刻溶液除去缓冲层，使得衬底101与第一导电半导体层110分离。
在除去衬底101之后，使第一导电型半导体层110经受利用感应耦合等离子体/反应性离子蚀刻(ICP/RIE)的蚀刻过程。
参照图7，在通过隔离蚀刻相对于芯片之间的边界区域(即通道区域)部分除去发光结构135之后，将半导体发光器件100分成芯片单元。
电极117在第一导电半导体层110下方形成。电极117可以具有预定的形状，并且可以作为预定的图案来提供。但是实施方案不限于此。电极117可作为电极垫。但是实施方案不限于此。
第一导电半导体层110在其下表面上形成有粗糙图案115。但是实施方案不限于此。
电极117和粗糙图案115可以在进行隔离蚀刻之前或之后形成，或者在进行芯片分离过程之后形成。但是实施方案不限于此。
在通过隔离蚀刻过程将芯片彼此区分之后，通过断裂过程将芯片分成单个芯片。粗糙图案形成过程、隔离蚀刻过程和断裂过程可变化。但是实施方案不限于此。
根据半导体发光器件100，点式导电层140设置在化合物半导体层110、120和130与欧姆接触层150或电极层155之间，因此注入电极层155的空穴移动穿过欧姆接触层150和点式导电层140。因此，以没有点式导电层140的结构相比，通过点式导电层140注入的空穴的量可以增加。
图8～10是显示制造图1中所示点式导电层的程序的截面图。
参照图8和9，将与Ag混合的导电层140A沉积在第二导电半导体层130的表面上。接着，如果导电层140A经历热退火过程，则除去导电层140A的薄层，Ag通过团聚以纳米点的形式保留下来。该点可以具有约5nm或更小的直径。
然后，在第二导电半导体层130上的Ag纳米点经受热处理过程。详细地，将样品装入臭氧室中，并且在将O2供给到臭氧室的同时灯发光到样品上，因此在臭氧室中存在各种物质如O2、O3和氧离子。此时，Ag+与诸如O2、O3和氧离子物质反应，因此形成Ag2O点的点式导电层140。因此，将具有约4.3eV或更低的低功函数的Ag转变成具有约5.3eV或更低的功函数的Ag2O。
参照图10，欧姆接触层150在点式导电层140上形成，并且可以作为层或图案(例如，矩阵型)来提供。后续过程以在上文中已经有描述。欧姆接触层150连接至第二导电半导体层130。
图11是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。在第二实施方案中，将用相同的附图标记表示与第一实施方案相同的元件，并且，为了避免冗余，将省去其说明。
参照图11，半导体发光器件100A包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、点式导电层140、沟道层145、欧姆接触层150、电极层155、导电支撑构件160和电极117。
沟道层145沿第二导电半导体层130上表面的外周部分形成，并且沟道层145的外侧暴露于发光结构135的外部。沟道层145设置在LED芯片的沟道区137上。
沟道层145沿第二导电半导体层130和第二电极层155之间的外周部分形成，并且可具有环形、带型或框型。此外，沟道层145可以以连续的图案如闭环形式提供。
点式导电层140在第二导电半导体层130的上部内侧区域上形成，并且沟道层145在第二导电半导体层130的外侧区域上形成。
沟道层145可包括透射性绝缘材料或透射性导电材料。例如，沟道层145可包括选自SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种。沟道层145形成为透射性绝缘层或透射性导电层。
除了上述材料之外，通道层145还可以包括允许激光穿过的材料或当激光穿过其中时不产生碎片的材料。此外，沟道层145可包括能够增强与第二导电半导体层130的粘合力的材料。沟道层145可具有约2μm或更小的厚度。但是实施方案不限于此。
根据上述配置，由于沟道层145，导致可以增加电极层155和第二导电半导体层130之间的间隔。
在制造过程中辐照的激光穿过沟道层145，使得可以防止发光结构横向脱层。此外，沟道层145可防止由电极层155或导电支撑构件160产生的金属碎片朝半导体层110、120和130的外侧移动。而且，沟道层145可防止湿气渗入半导体层110、120和130的外侧。
图12是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。在第三实施方案中，将用相同的附图标记表示与第一和第二实施方案相同的元件，并且，为了避免冗余，将省去其详细说明。
参照图12，半导体发光器件100B包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、点式导电层140、沟道层145A、欧姆接触层150、电极层155、导电支撑构件160和电极117。
沟道层145A沿第二导电半导体层130上表面的外周部分形成，并且沟道层145A的外侧暴露于发光结构135的外部。
沟道层145A沿第二导电半导体层130和第二电极层155之间的外周部分形成，并且可具有环形、带型或框型。此外，沟道层145A可以以连续的图案如闭环形式提供。
点式导电层140在第二导电半导体层130的上部内侧区域上形成，并且沟道层145A在第二导电半导体层130的外侧区域上形成。
例如，沟道层145A可包括选自SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种。沟道层145A形成为透射性绝缘层。
除了上述材料之外，沟道层145A还可以包括允许激光穿过的材料或当激光穿过其中时不产生碎片的材料。此外，沟道层145A可包括能够增强与第二导电半导体层130的粘合力的材料。沟道层145A可具有约2μm或更小的厚度。但是实施方案不限于此。
根据上述配置，由于沟道层145A，导致可以增加电极层155和第二导电半导体层130之间的间隔。
在制造过程中辐照的激光穿过沟道层145A，使得可以防止发光结构横向脱层。此外，沟道层145A可防止由电极层155或导电支撑构件160产生的金属碎片朝半导体层110、120和130的外侧移动。而且，沟道层145A可防止湿气渗入半导体层110、120和130的外侧。
突起147从沟道层145A的底部向下突出。突起147从第二导电半导体层130的上表面相第一导电半导体层110延伸，使得第一导电半导体层110通过突起147露出。突起147的下端148与第一导电半导体层110接触。
沟道层145A的突起147可具有带状或环状，并且可以以连续的图案来提供。突起147可在远离半导体层110、120和130外壁约1μm至约5μm的范围内的区域中形成。突起147的范围可根据芯片的尺寸而变化。
沟道层145A的突起147可将发光结构135分成有源区A1和无源区A2。有源区A1上的半导体层110、120和130正常运行，而无源区A2上的半导体层110、120和130不正常运行。
发光结构135的外周部位因为沟道层145A的突起147而钝化，使得即使在半导体层110、120和130的外周部分中出现短路，有源区A1也正常运行，此外，沟道层145A的突起147可防止湿气渗入芯片外侧。沟道层145A的突起147可形成为具有凹凸部的单构型或双构型，由此增强与发光结构135的粘合力。
第一至第三实施方案中的特征可选择性地应用于其它实施方案。这可以在实施方案的技术范围内修改。此外，在上述实施方案中描述的点式导电层的特征可应用于横向式半导体发光器件和垂直式半导体发光器件。
一个实施方案提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：形成包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在发光结构下方形成点式导电层；和在点式导电层下方形成第一电极层。
实施方案可改善发光结构下方的功函数。
实施方案可改善注入发光结构的空穴注入效率。
实施方案可改善垂直式半导体发光器件的光效率。
实施方案可改善半导体层和其它层之间的粘合力。
实施方案可防止多个化合物半导体层之间层间短路。
实施方案可防止多个化合物半导体层之间由湿气渗入引起的短路。
实施方案可改善垂直式半导体发光器件的可靠性。
实施方案可提供半导体发光器件例如LED。
实施方案可改善半导体发光器件的电可靠性。
实施方案可提高半导体发光器件的光效率。
根据一些实施方案，封装有半导体发光器件的光源可用于照明、指示、显示等领域中。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开说明书、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和/或结构进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或结构进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。
Claims (12)
1.一种半导体发光器件，包括：
包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；
在所述多个化合物半导体层下方的电极；
在所述多个化合物半导体层上的包含Ag的点式超导层；
在所述点式超导层上的欧姆接触层；和
在所述欧姆接触层上的电极层，
其中所述欧姆接触层的一部分直接连接至所述第二导电半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中在所述有源层下方形成的所述第一导电半导体层是N型半导体层，在所述有源层和所述点式导电层之间的所述第二导电半导体层是P型半导体层。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括反射电极层，所述欧姆接触层包括层或图案。
4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，还包括在所述电极层上的导电支撑构件。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述点式超导层包含具有纳米尺寸点的Ag2O。
6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述点式超导层包含Ag2O材料或功函数高于所述欧姆接触层的氧化物材料。
7.根据权利要求4所述的半导体发光器件，包括：
沿所述P型半导体层和所述电极层之间的外周部分形成的透射性绝缘层；和
具有闭环形状且从所述透射性绝缘层底部向下延伸至所述N型半导体层的突起。
8.根据权利要求4所述的半导体发光器件，还包括沿所述P型半导体层和所述电极层之间的外周部分形成的透射性导电层，其中所述透射性导电层的外侧从所述P型半导体层的外侧向外延伸。
9.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述N型半导体层在其下表面上形成有粗糙图案。
10.一种半导体发光器件，包括：
包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；
在所述多个化合物半导体层上形成且包括含Ag的纳米尺寸点的欧姆接触层；
在所述化合物半导体层下方的电极；
在所述欧姆接触层上的电极层；和
在所述电极层上的导电支撑构件。
11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述纳米尺寸点包含Ag2O材料，并且直接连接至作为P型半导体层的所述第二导电半导体层。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述电极层的一部分直接连接至所述纳米尺寸点。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2008-0115563 | 2008-11-20 | ||
| KR1020080115563A KR100992772B1 (ko) | 2008-11-20 | 2008-11-20 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101740699A CN101740699A (zh) | 2010-06-16 |
| CN101740699B true CN101740699B (zh) | 2013-10-02 |
Family
ID=41606639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102261113A Active CN101740699B (zh) | 2008-11-20 | 2009-11-20 | 半导体发光器件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8106404B2 (zh) |
| EP (1) | EP2190039B8 (zh) |
| KR (1) | KR100992772B1 (zh) |
| CN (1) | CN101740699B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101449005B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101064091B1 (ko) * | 2009-02-23 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101077772B1 (ko) | 2009-09-07 | 2011-10-27 | 서울옵토디바이스주식회사 | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101034144B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| KR20120039412A (ko) * | 2010-10-15 | 2012-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| KR101125025B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101926499B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2018-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| TW201430937A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-08-01 | Lextar Electronics Corp | 用於製造發光二極體的基板結構及發光二極體的製造方法 |
| CN114236334B (zh) * | 2021-11-05 | 2023-10-10 | 严群 | 通过光激发增强电流注入led电致发光性能检测*** |
| CN116525642B (zh) * | 2023-07-05 | 2024-01-09 | 季华实验室 | 显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109048B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-09-19 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| KR100593543B1 (ko) | 2003-09-30 | 2006-06-28 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100580634B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
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| KR101203137B1 (ko) | 2004-10-22 | 2012-11-20 | 학교법인 포항공과대학교 | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4999696B2 (ja) | 2004-10-22 | 2012-08-15 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
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| KR100634306B1 (ko) | 2005-03-28 | 2006-10-16 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
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| KR100809227B1 (ko) | 2006-10-27 | 2008-03-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법 |
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| DE102007019776A1 (de) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente |
-
2008
- 2008-11-20 KR KR1020080115563A patent/KR100992772B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-11-19 EP EP09176489.4A patent/EP2190039B8/en active Active
- 2009-11-19 US US12/622,174 patent/US8106404B2/en active Active
- 2009-11-20 CN CN2009102261113A patent/CN101740699B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101026215A (zh) * | 2006-02-16 | 2007-08-29 | Lg电子株式会社 | 具有垂直结构的发光器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8106404B2 (en) | 2012-01-31 |
| EP2190039A3 (en) | 2014-01-22 |
| KR20100056656A (ko) | 2010-05-28 |
| CN101740699A (zh) | 2010-06-16 |
| EP2190039B1 (en) | 2021-07-21 |
| KR100992772B1 (ko) | 2010-11-05 |
| US20100123149A1 (en) | 2010-05-20 |
| EP2190039B8 (en) | 2021-09-01 |
| EP2190039A2 (en) | 2010-05-26 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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