CN102044611A - 半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件可包括发光结构、电极、欧姆层、电极层、粘合层和沟道层。所述发光结构可包括化合物半导体层。电极可设置在发光结构上。欧姆层可设置在发光结构下。电极层可包括在欧姆层下的反射金属。粘合层可设置在电极层下。沟道层可沿着发光结构的底部边缘设置。

Description

半导体发光器件及其制造方法
技术领域
本文公开了一种半导体发光器件及其制造方法。
背景技术
半导体发光器件及其制造方法是已知的。然而，它们具有多种缺点。
发明内容
本发明的一个实施方案涉及一种半导体发光器件，包括：粘合层；设置在所述粘合层上的电极层；设置在所述电极层上的欧姆层；和设置在所述欧姆层上的发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中沟道层沿着所述发光结构的底边缘设置在所述粘合层上，所述欧姆层的端部在所述沟道层下延伸。
本发明的另一个实施方案涉及一种半导体发光器件，包括：粘合层；设置在所述粘合层上的电极层；设置在所述电极层上的欧姆层；和设置在所述欧姆层上的发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中覆盖层设置在所述粘合层上，沟道层设置在所述覆盖层之上并且沿着所述发光结构的底边缘延伸。
本发明的一些实施方案还涉及包括本发明半导体发光器件的半导体发光器件封装。
附图说明
将参考以下附图详细描述实施方案，其中相同附图标记表示相同元件，其中：
图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；
图1A是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；
图2是图1的半导体发光器件沿着线II-II的剖面图；
图3至13是说明制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法的剖面图；
图14是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；
图15是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；
图16是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；
图17是图16的半导体发光器件沿着线XVII-XVII的剖面图；和
图18是根据一个实施方案的半导体发光器件封装的剖面图。
具体实施方式
以下，将具体描述根据本发明实施方案，实施方案的具体例子将在附图中图示说明。可能的话，相同附图标记表示相同元件。
在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构称为在衬底、层(或膜)、区域、垫或图案“上/下”时，其可以直接在所述衬底、层(或膜)、区域、垫或图案“上/下”，或者可以存在中间层。此外，关于各层的  “上/下”的描述基于附图来进行。在附图中，各元件的尺寸出于图示说明清楚的目的可以被放大，并且各元件尺寸可能不同于其实际尺寸。
由于其物理和化学特性，III～V族氮化物半导体被用作发光器件如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的核心材料。III～V族氮化物半导体的实例是具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的氮化物半导体。
LED是用作光源或者利用化合物半导体的特性将电转化成光从而变换信号的半导体器件。基于氮化物半导体的LED或LD被广泛地用于发光器件中以及用作各种产品例如移动电话的键盘发光单元、电子显示板和照明器件的光源。
图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的剖面图。图2是图1的半导体发光器件沿着线II-II的剖面图。
参考图1和2，半导体发光器件100可包括发光结构135、沟道层140、欧姆层150、电极层160、粘合层170和导电支撑元件175。
半导体发光器件100可用化合物半导体如III-V族化合物半导体形成。半导体发光器件100可发射可见光区域的光如蓝、绿和红光，并且可发出紫外区域的光。半导体发光器件100可在实施方案的技术范围内改变形状和结构。
发光结构135可包括第一导电型半导体层110、有源层120和第二导电型半导体层130。第一导电型半导体层110可利用例如掺杂了第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。例如，III-V族化合物半导体可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的至少一种。例如，如果第一导电型半导体层110由N型半导体形成，则第一导电型掺杂剂可选自V族元素。第一导电型半导体层110可形成为具有单层或多层结构；但是实施方案不限于此。
电极115可设置在第一导电型半导体层110上。电极115可分支为图案形式；但是实施方案不限于此。第一导电型半导体层110的顶表面可形成为具有粗糙图案112，以改善光提取效率。此外，电极115的顶表面也可形成为具有粗糙图案，但是实施方案不限于此。
有源层120可设置在第一导电型半导体层110之下。有源层120可形成为具有例如单量子阱或多量子阱结构。有源层120可由例如III-V族化合物半导体形成以具有阱层和势垒层的周期结构。例如，有源层120可形成为具有InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒层。
导电覆层(未示出)可在有源层120上和/或之下形成。例如导电覆层可由AlGaN基半导体形成。
第二导电型半导体层130可设置在有源层120之下。第二导电型半导体层130可利用例如掺杂了第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。例如，III-V族化合物半导体可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的至少一种。例如，如果第二导电型半导体层130由P型半导体形成，则第二导电型掺杂剂可选自III族元素。第二导电型半导体层130可形成为具有例如单层或多层结构；但是实施方案不限于此。
发光结构135可进一步包括第三导电型半导体层134，所述第三导电型半导体层134可以是第一导电型，设置于第二导电型半导体层130之下，如图1A所示。第三导电型半导体层可与第二导电型半导体层130的极性相反。并且，第一导电型半导体层110可为P型半导体层，第二导电型半导体层130可为N型半导体层。因此，发光结构135可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构或P-N-P结结构中至少一种。
沟道层140和欧姆层150可设置在第二导电型半导体层130或第三导电型半导体层134之下。下文中，为方便描述，假定第二导电型半导体层130设置为发光结构135的最底层。
沟道层140可沿着第二导电型半导体层130和粘合层170的外边缘形成。此处，发光结构135的边缘区域105是可以暴露出沟道层140和/或绝缘层180的沟道区域。
沟道层140的内部区域D0可接触第二导电型半导体层130的底边缘，沟道层140的外侧部分可延伸到发光结构135的外壁或边缘。沟道层140可以沿着第二导电型半导体层130的底边缘形成为例如圈、环或框形式。沟道层140可形成为封闭环的形状。
沟道层140可由例如氧化物、氮化物或绝缘材料中至少一种形成。例如，沟道层140可由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2的至少一种形成。
沟道层140在即使发光结构135的外壁暴露于湿气时也可防止电短路的发生，使得半导体发光器件抗高湿度性强。当沟道层140由透明材料形成时，辐射激光束可在激光切割过程中透射，从而防止金属材料由于激光辐射而发生碎裂。因此，可防止发光结构135的侧壁中的层间短路。
沟道层140可在粘合层170和发光结构135的各层110/120/130的外壁之间提供预定间隔。
欧姆层150可设置在沟道层140内侧和第二导电型半导体层130之下。欧姆层150可与第二导电型半导体层130欧姆接触。例如，欧姆层150可以由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO来实施。即，欧姆层150可选择性使用导电氧化物和金属。例如，欧姆层150可使用ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种形成为例如单层或多层结构。
欧姆层150的端部152可与沟道层140的内底部接触。欧姆层150的端部152可以不暴露在芯片的外部，其与粘合层170的外壁间隔开预定距离D1。因此可以防止欧姆层150和其他层之间界面处的剥落。并且，欧姆层150的端部152可以作为盖型形成在沟道层140的内端部之下，从而保护沟道层140的内端部(内表面)。
而且，电流阻挡层145可设置在第二导电型半导体层130之下。电流阻挡层145可在欧姆层150中、在欧姆层150与第二导电型半导体层130之间或者在电极层160和欧姆层150之间形成。
电流阻挡层145可形成为具有比电极层160或粘合层170低的电导率。例如，电流阻挡层145可由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2中至少一种形成。如果电极层160由Ag形成，则电流阻挡层145可由例如ITO、ZnO或SiO2形成。
电流阻挡层145可形成为对应于电极115的形状。并且，电流阻挡层145可在对应于电极115的区域中形成。电流阻挡层145的尺寸可根据电流分布变化。
电极层160可设置在欧姆层150之下以用作反射层。电极层160可由选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及它们的组合中之一形成。而且，电极层160可使用金属材料和导电氧化物材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为多层结构。例如，电极层160可由例如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni形成。
电极层160可在欧姆层150之下形成，以使其端部162不与欧姆层150接触。因此，由于沟道层140的氧化物材料(例如ITO和SiO2)和电极层160的金属(例如Ag)之间的接触引起粘合力下降的问题可以减少，芯片可靠性得到改善。电极层160可反射由发光结构135入射的光，从而提高光提取效率。
粘合层170可设置在电极层160之下。粘合层170可包括阻挡金属或接合金属。例如，粘合层170可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag或Ta中的至少一种。
粘合层170可设置在电极层160和沟道层140之下。粘合层170可在芯片的外壁处暴露。粘合层170可接触电极层160、欧姆层150的端部152和沟道层140以提高层之间的粘合力。
导电支撑元件175可设置在粘合层170之下。导电支撑元件175可以是利用例如铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)或者载体晶片(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、GaN和SiGe)形成的基础衬底。导电支撑元件175也可用例如导电片形成。
发光结构135的边缘可以是倾斜的。绝缘层180可以沿着发光结构135的边缘形成。绝缘层180可具有设置在沟道层140上的底部182和设置在第一导电型半导体层110周围的顶部184。因此，对绝缘层180的粘合力可提高并且可防止发光结构135的层间短路。
参考图2，沟道层140的内部部分可设置在半导体区域E1中。另外，沟道层140的外部部分可设置在半导体区域E1之外的区域C1和C2中。电流阻挡层145可设置在欧姆层150的内部区域中，例如对应于图1的电极115的区域中。
图3至13是说明制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法的剖面图。参考图3和4，衬底101可装载到生长设备上，并且II-VI族化合物半导体可在其上形成为层或图案形状。生长设备可以是例如PVD(物理气相沉积)设备、CVD(化学气相沉积)设备、PLD(等离子体激光沉积)设备、双型热蒸发器、溅射设备或MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备之一，但实施方案不限于此。
衬底101可由选自蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电材料和GaAs中的至少一种形成。在衬底101的顶表面可形成粗糙图案。并且，基于II-VI族化合物半导体的层或图案，例如ZnO层(未示出)、缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层(未示出)的至少一个可在衬底101上形成。缓冲层或未掺杂半导体层可利用III-V族化合物半导体形成。缓冲层可以减小与衬底101的晶格常数差，未掺杂半导体层可由例如未掺杂的GaN基半导体形成。
第一导电型半导体层110可在衬底101上形成。有源层120可在第一导电型半导体层110上形成。第二导电型半导体层130可在有源层120上形成。
第一导电型半导体层110可利用例如掺杂了第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。例如，III-V族化合物半导体可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的至少一种。例如，如果第一导电型半导体层110由N型半导体形成，则第一导电型掺杂剂可选自V族元素。第一导电型半导体层110可形成为具有例如单层或多层结构；但实施方案不限于此。
有源层120可在第一导电型半导体层110上形成。有源层120可形成为具有例如单量子阱或多量子阱结构。有源层120可由例如III-V族化合物半导体形成以具有阱层和势垒层的周期结构。例如，有源层120可形成为具有InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒层的周期结构。    
导电覆层可在有源层120上和/或之下形成。例如导电覆层可由AlGaN基半导体形成。
第二导电型半导体层130可在有源层120上形成。第二导电型半导体层130可由例如掺杂了第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。例如，III-V族化合物半导体可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的至少一种。例如，如果第二导电型半导体层130由P型半导体形成，则第二导电型掺杂剂可选自III族元素。第二导电型半导体层130可形成为具有例如单层或多层结构；但是实施方案不限于此。
第一导电型半导体层110、有源层120和第二导电型半导体层130可构成发光结构135。并且，第三导电型半导体层134例如N型半导体层或P型半导体层可在第二导电型半导体层130上形成。因此，发光结构135可形成为包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中至少一种。
沟道层140可在各芯片边界区域(沟道区域)中形成。沟道层140可使用例如掩模图案在各芯片区域周围形成。沟道层140可以形成为例如圈、环或框的形式。沟道层140可由例如氧化物、氮化物或绝缘材料中至少一种形成。例如，沟道层140可由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2的至少一种形成。例如，沟道层140可通过例如溅射法或沉积法形成。
参考图4和5，电流阻挡层145可在第二导电型半导体层130上形成。电流阻挡层145可用例如掩模图案来形成。电流阻挡层145可由与沟道层140相同的材料或不同的材料形成。形成的顺序可以根据这种材料差异而改变。
电流阻挡层145可形成为具有比第二导电型半导体层130低的电导率。例如，电流阻挡层145可由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2中至少一种形成。电流阻挡层145可用例如掩模图案形成。另外，电流阻挡层145可形成为对应于电极的区域。电流阻挡层145可形成为与电极图案相同的形状；但实施方案不限于此。
参考图5和6，  欧姆层150可在第二导电型半导体层130上形成，以与第二导电型半导体层130欧姆接触。欧姆层150可在第二导电型半导体层130和电流阻挡层145上形成以减小接触电阻。与相邻区域相比，电流阻挡层145可具有小的电流流经其中，从而提供扩散形式的电流。
欧姆层150的端部152可形成为与沟道层140交迭。在一个芯片区域中，欧姆层150的端部152可与沟道层140的内端部交迭预定宽度D2，从而保护沟道层140的内端部。欧姆层150的端部152可不暴露在芯片的外部，其与芯片边界或壁间隔开预定距离D1。
参考图6和图7，电极层160可在欧姆层150上形成。电极层160可具有反射功能，可以反射入射光，从而改善光提取效率。电极层160可由例如选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及它们的组合中之一形成。而且，电极层160例如可使用金属材料和导电氧化物材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为多层结构。例如，电极层160可由IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni形成。
电极层160可在欧姆层150上形成，以使其端部162不与沟道层140接触。因此，由于沟道层140的氧化物材料(例如ITO和SiO2)和电极层的金属(例如Ag)之间的接触引起粘合力下降的问题可以减少，芯片可靠性得到改善。
参考图7和8，粘合层170可在电极层160上形成。粘合层170可包括例如阻挡金属或接合金属。例如，粘合层170可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag或Ta中的至少一种。
粘合层170可在电极层160和沟道层140上形成。粘合层170可在芯片的边界区域中形成。粘合层170可接触电极层160、欧姆层150的端部152和沟道层140以提高层之间的粘合力。
导电支撑元件175可在粘合层170上形成。导电支撑元件175可以是利用例如铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)或者载体晶片(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、GaN和SiGe)形成的基础衬底。导电支撑元件175可以例如与粘合层170接合，可以由镀层形成，或者可以以导电片形式附着。
参考图8至10，导电支撑元件175成为基底，移除衬底101。例如，衬底101可通过例如激光剥离(LLO)法移除。LLO法可向衬底101辐射预定波长的激光束以移除衬底101。如果另一个半导体层(例如缓冲层)或气隙存在于衬底101和第一导电型半导体层110之间，则衬底101可使用例如湿蚀刻剂移除。
如果沟道层140由透明材料形成，当激光发射激光束到衬底101和半导体层之间的界面或者两个半导体层之间的界面时，辐射的激光束可穿透沟道层140，从而防止由于激光辐射而在沟道区域产生金属碎片，和防止发光结构135的各层的外壁剥离。
可对已移除了衬底101的第一导电型半导体层110的表面实施基于ICP/RIE(感应耦合等离子体/反应性离子蚀刻)的抛光工艺。参考图10和11，芯片间边界区域的发光结构135(例如沟道区域)可通过例如隔离蚀刻法移除。可蚀刻通过隔离蚀刻法移除的区域105以暴露出在芯片边界区域中的沟道层140，但是实施方案不限于此。发光结构135的侧表面A1可以是倾斜的。
然后，可对第一导电型半导体层110的顶表面实施蚀刻过程以形成粗糙图案112。粗糙图案112可改善光提取效率。
参考图11至13，绝缘层180可在发光结构135周围形成。绝缘层180可在芯片周围形成。即，底部182可在沟道层140上形成，顶部184围绕第一导电型半导体层110的顶表面形成。绝缘层180可在发光结构135围绕形成，从而防止层110、120和130之间的短路。并且，绝缘层180和沟道层140可防止湿气渗透到芯片中。
电极115可在第一导电型半导体层110上形成。电极115可形成为预定图案。绝缘层180和电极115的形成可在芯片分离之前或之后进行，但实施方案不限于此。粗糙图案可在电极115的顶表面中形成，但实施方案不限于此。
然后，所得的结构可通过芯片边界分割成单独的芯片。芯片的分离可用例如激光或断裂过程来实施。
图14是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图。参考图14，半导体发光器件100A可包括设置于沟道层140和粘合层170之间的电极层160A。电极层160A可形成为具有比发光结构135更大的长度和/或宽度，从而改善光反射效率。
而且，电极层160A可在欧姆层150和沟道层140下形成，并且可在芯片外部暴露出。欧姆层150可形成为具有比半导体层小的长度和/或宽度，电极层160A可形成为具有比半导体层大的长度和/或宽度。与前述实施方案不同的是，该实施方案的电极层160A可延伸到芯片的外部或者延伸到芯片的外边缘，从而改善光反射效率。
图15是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图。参考图15，半导体发光器件100B可包括设置在发光结构135下的欧姆层150A、沟道层140、电极层160A、粘合剂层170和导电支撑元件175。
欧姆层150A可与第二导电型半导体层130的底部欧姆接触，并且可延伸到芯片外部或者延伸到芯片外边缘。欧姆层150A可从第二导电型半导体层130延伸到沟道层140的底部。
欧姆层150A可在电极层160A下形成。因此，欧姆层150A和电极层160A可在沟道层140下形成为堆叠结构，并且在芯片的外部暴露出。
图16是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图。图17是图16的半导体发光器件沿着线XVII-XVII的剖面图。
参考图16和17，半导体发光器件100C可包括设置于沟道层140和电极层160B之间的覆盖层155。覆盖层155可由对沟道层140的材料具有良好粘合力的材料形成，例如选自Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、Al、Ir和Rh中一种或更多种的混合金属。即，覆盖层155可用作粘合层以改善金属与氧化物之间的粘合力，从而减小芯片外部的剥离。覆盖层155可在沟道层140和电极层160B之间形成，从而增加对电极层160B的粘合力。
并且，覆盖层155的内端部可通过沟道层140和欧姆层150B之间的空隙与第二导电型半导体层130的底表面接触。因此，第二导电型半导体层130可接触欧姆层150B、沟道层140、电流阻挡层145和覆盖层155。因此，可以通过芯片外的沟道层140保护第二导电型半导体层130，并且可通过芯片内的欧姆层150B和覆盖层155提供电流。
覆盖层155可具有比欧姆层150B高的电导率，从而扩散电流到芯片外部。另外，覆盖层155可与欧姆层150B间隔开，或者形成为与欧姆层150B的底部交迭。这种修改可以在发明内容的技术范围之内实现。并且，电极层160B和/或粘合剂层170可与覆盖层155的底表面接触。
参考图17，覆盖层155可沿着欧姆层150B和沟道层140之间的区域形成为例如圈、环或框的形状。覆盖层155的内端可形成为具有粗糙图案。在这种情况下，欧姆层150B可交替接触沟道层140B和覆盖层155。
图18是根据一个实施方案的半导体发光器件封装的剖面图。参考图18，根据本实施方案的发光器件封装包括主体20、第一引线电极31、第二引线电极32、半导体发光器件100和模制元件40。第一引线电极31和第二引线电极32可设置在主体20上。半导体发光器件100可与第一引线电极31和第二引线电极32电连接。模制元件40可配置为模制半导体发光器件100。主体20可形成为包括例如硅材料、合成树脂或金属材料，并且可在半导体发光器件100周围形成倾斜表面。
第一引线电极31和第二引线电极32可彼此不电连接，并向半导体发光器件100供电。而且，第一引线电极31和第二引线电极32可反射从半导体发光器件100发出的光，从而提高光效率。而且，第一引线电极31和第二引线电极32可用于散出半导体发光器件100产生的热。
半导体发光器件100可设置在主体20上，或者设置在第一引线电极31或第二引线电极32上。半导体发光器件100可通过例如导线与第一引线电极31电连接，可以例如以芯片键合构型与第二引线电极32连接。
模制元件40可模制半导体发光器件100，以保护半导体发光器件100。而且，磷光体材料可包含在模制元件40中以改变从半导体发光器件100中发出的光的波长。
根据实施方案的半导体发光器件可封装在例如半导体衬底、介电衬底或陶瓷衬底(如树脂材料或硅)中，可以用作例如指示装置、照明装置或显示装置的光源。而且，每个实施方案不限于此并且可选择性应用于其他实施方案。
如上所述，本文公开的实施方案可改善光提取效率。而且，本文公开的实施方案可根据金属和非金属层之间以及半导体层下的各金属层之间的结合来改善可靠性。
本文公开的实施方案可应用于提供光的任意发光器件。
本文公开的实施方案提供能够改善设置在包括化合物半导体层的发光结构之下的各层之间的粘合力的半导体发光器件及其制造方法。
根据本文公开的一个实施方案，提供一种半导体发光器件，可包括：包括化合物半导体层的发光结构；在发光结构上的电极；在发光结构下的欧姆层；在欧姆层下包括反射金属的电极层；在电极层下的粘合层；和沿着发光结构底边缘设置的沟道层。
根据本文公开的另一个实施方案，提供一种制造半导体发光器件的方法，可包括：在衬底上形成包括化合物半导体层的发光结构；沿着发光结构的上边缘形成透明沟道层；在发光结构上形成欧姆层；在欧姆层上形成包括反射金属的电极层；在电极层上形成粘合层；移除衬底；蚀刻发光结构以暴露出沟道层；和在发光结构上形成电极。
在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示与该实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与其它的实施方案相关联均在本领域技术人员的范围之内。
虽然已经参考大量说明性实施方案描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件，包括：
粘合层；
设置在所述粘合层上的电极层；
设置在所述电极层上的欧姆层；和
设置在所述欧姆层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中沟道层沿着所述发光结构的底边缘设置在所述粘合层之上，和其中所述欧姆层的端部在所述沟道层下延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述欧姆层的端部与所述粘合层的外壁间隔开预定距离。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层的端部不与所述欧姆层接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层或所述欧姆层中的至少之一具有比所述发光结构更大的长度和宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层或所述欧姆层中的至少之一延伸到所述半导体发光器件的外壁。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括反射材料。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括设置在所述欧姆层和所述发光结构之间的电流阻挡层。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述粘合层接触所述沟道层的下表面。
9.一种半导体发光器件封装，包括权利要求1所述的发光器件。
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件封装，包括：
主体，所述半导体发光器件设置于其中；
多个引线电极，其与所述半导体发光器件电连接；和
模制元件，其配置为模制所述半导体发光器件。
11.一种半导体发光器件，包括：
粘合层；
设置在所述粘合层上的电极层；
设置在所述电极层上的欧姆层；和
设置在所述欧姆层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中覆盖层设置在所述粘合层上，沟道层设置在所述覆盖层之上并且沿着所述发光结构的底边缘延伸。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层由对所述沟道层材料具有良好粘合力的材料形成。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层的材料包括选自Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、Al、Ir和Rh中一种或更多种的混合金属。
14.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层的内端部与所述第一导电型半导体层的底表面接触。
15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层的外边缘延伸到所述半导体发光器件的外壁。
16.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层具有比所述欧姆层高的电导率。
17.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述覆盖层形成为圈、环或框的形状。
18.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述粘合层与所述沟道层的下表面接触。
19.一种半导体发光器件封装，包括权利要求11所述的发光器件。
20.根据权利要求19所述的半导体发光器件封装，包括：
主体，所述半导体发光器件设置于其中；
多个引线电极，其与所述半导体发光器件电连接；和
模制元件，其配置为模制所述半导体发光器件。
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