CN101573423A - 半导体衬底加工用粘合片 - Google Patents

半导体衬底加工用粘合片 Download PDF

Info

Publication number
CN101573423A
CN101573423A CNA2007800492748A CN200780049274A CN101573423A CN 101573423 A CN101573423 A CN 101573423A CN A2007800492748 A CNA2007800492748 A CN A2007800492748A CN 200780049274 A CN200780049274 A CN 200780049274A CN 101573423 A CN101573423 A CN 101573423A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive sheet
methyl
pressure sensitive
sensitive adhesive
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007800492748A
Other languages
English (en)
Inventor
新谷寿朗
山本晃好
浅井文辉
桥本浩一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101573423A publication Critical patent/CN101573423A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，提供几乎能够完全防止激光印字的消失、并且几乎能够完全防止衬底切割时胶糊残留的稳定的粘合片。一种半导体衬底加工用粘合片，具备：对紫外线和/或放射线具有透射性的基材、和由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，并且该粘合剂层的厚度为7～15μm。

Description

半导体衬底加工用粘合片
技术领域
本发明涉及半导体衬底加工用粘合片，更具体而言，涉及具备基材和含有特定成分的粘合剂层的半导体衬底加工用粘合片。
背景技术
一直以来，在切割、扩张半导体晶片和/或衬底，然后拾取半导体晶片和/或衬底的同时进行安装时，为了固定半导体晶片和/或衬底，使用半导体晶片和/或衬底加工用片。
这种片是在对紫外线和/或放射线具有透射性的基材上涂布由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，并在切割后对粘合剂层照射紫外线和/或放射线，使粘合剂层发生聚合固化反应，由此能够使粘合力降低，从而对半导体晶片、芯片或衬底等单个片进行拾取。
例如，关于这样的片，提出了一种半导体晶片加工用粘合片，其中，粘合剂层含有基础聚合物、分子量15000～50000的多官能聚氨酯丙烯酸酯类低聚物、聚酯类增塑剂和光聚合引发剂，并且将聚酯类增塑剂的含有比例相对于基础聚合物100重量份设为1～50重量份(例如，专利文献1等)。另外，提出了在粘合剂层中使用分子量约3000～约10000的多官能聚氨酯丙烯酸酯类低聚物(例如，专利文献2等)。
但是，最近在对安装有半导体芯片等的衬底进行树脂密封而形成的封装体中，使用一种衬底，其中，在作为粘合带粘贴面的密封树脂面上存在用激光印字而成的10～40μm深的标记。另外，切割后的芯片和/或封装体逐渐小芯片化。
对这种密封树脂表面上具有激光印字的半导体衬底进行切割时，在一直以来使用的粘合片中，粘合剂由于粘贴时以及切割时施加的压力、热而填埋到激光印字的凹部中，将用于作为文字进行识别所需要的树脂颗粒除去，结果发生印字消失、成品率大幅度降低这样的不良情况。
另外，通过实现小芯片化，芯片包装成筒状盘的情况增多，利用上述专利文献的方法进行切割时，芯片侧面发生胶糊残留，如果在该状態下包装成盘，则在取出时会产生本来要单个取出的芯片相连续粘连的不良情况，其结果，出现工序数变得非常多、成本增大的问题。
专利文献1：日本特开平6-49420号公报
专利文献2：日本特开昭62-153376号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供几乎能够完全防止激光印字的消失、并且几乎能够完全防止衬底切割时胶糊残留的稳定的粘合片。
本发明人从现有技术中的问题出发，发现了在这种粘合片中几乎能够完全防止激光印字的消失、并且几乎能够完全防止切割时衬底侧面的胶糊残留的方法，从而完成了本发明。
即，本发明的半导体衬底加工用粘合片，其特征在于，具备对紫外线和/或放射线具有透射性的基材、和由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，且该粘合剂层的厚度为7～15μm，所述粘合片的特征还在于，该粘合剂层至少包含丙烯酸酯共聚物与多异氰酸酯化合物和/或多缩水甘油基化合物和/或三聚氰胺化合物。
本发明的半导体衬底加工用粘合片，与作为被粘物的半导体衬底等中粘合片粘贴面的激光印字的凹部无关，通过薄的胶糊厚度和/或粘合剂层的高凝聚力，可以得到几乎能够完全防止由一系列工序中的压力或热导致印字消失的现象、并且几乎能够完全防止芯片侧面的胶糊残留的稳定的粘合片。
具体实施方式
本发明的半导体衬底加工用粘合片主要具备基材和粘合剂层而构成。
本发明中使用的基材，只要对紫外线和/或放射线具有透射性则没有特别限定，例如可以是使紫外线、X射线、电子束等放射线的至少一部分透过的基材，优选具有例如约75％以上、约80％以上、约90％以上的透射性的基材。具体而言，可以列举由聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交互)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、氟树脂、纤维素类树脂及它们的交联体等聚合物等形成的基材。这些基材可以是单层或多层结构。基材的厚度通常适宜为约5μm～约400μm，优选为20～300μm。
粘合剂层只要是由通过紫外线和/或放射线引起聚合固化反应而得到的粘合剂构成，则没有特别限定，可以使用任何种类的粘合剂。
本发明中的粘合剂可以使用通常使用的压敏粘合剂，优选包含具有碳-碳双键等紫外线和/或放射线固化性的官能团的化合物作为基础聚合物的粘合剂。作为基础聚合物，可以适当选择使用现有公知的粘合剂用基础聚合物，例如可以优选使用丙烯酸类聚合物或弹性体、具体而言为使(甲基)丙烯酸或其酯和能够与(甲基)丙烯酸或其酯共聚的单体等聚合而成的丙烯酸类聚合物、天然或合成橡胶等聚合物等。其分子量优选为300000～1500000、进一步优选为300000～1100000。分子量变得过小时，切割时容易产生切割偏移，变得过大时，有时难以得到与增粘剂或其它添加成分的相溶性。另外，可以使用日本专利第3797601号公报、上述专利文献1～2等中列举的基础聚合物。
构成基础聚合物的可共聚单体，可以列举：(甲基)丙烯酸的羟基烷基酯(例如，羟乙酯、羟丁酯、羟己酯等)；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸N-羟甲基酰胺；(甲基)丙烯酸烷氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)；N-乙烯基吡咯烷酮；丙烯酰吗啉；醋酸乙烯酯；苯乙烯；丙烯腈；N，N-二甲基丙烯酰胺、作为侧链中含有烷氧基的单体的例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基酯等各种可共聚单体。这些可共聚单体可以使用1种或2种以上的混合物。
基础聚合物不管其分子中是否具有碳-碳双键，可以任意含有具有碳-碳双键的成分、单官能性或多官能性成分或它们的混合物。为了进行交联，可以优选含有多官能和/或紫外线(放射线)固化性成分。作为这种成分，可以列举例如(甲基)丙烯酸酯类低聚物、单体等。
具体而言，可以列举：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等、以及聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量优选为约100～约30000的范围。这些成分可以使用1种或2种以上组合使用。
特别是聚氨酯类(甲基)丙烯酸酯类低聚物，优选分子内具有2～4个(优选2个)丙烯酰基的低聚物，例如，可以通过如下方法等制造，即：在保持于60～90℃的反应槽中首先使二异氰酸酯与多元醇反应，反应结束后，添加羟基(甲基)丙烯酸酯进一步使其反应。
作为二异氰酸酯，可以列举例如：甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、己二异氰酸酯、苯二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、四甲基二甲苯二异氰酸酯、萘二异氰酸酯等。
作为多元醇，可以列举例如：乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇等。
作为羟基(甲基)丙烯酸酯，可以列举例如：2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯等。
作为用作基础聚合物的弹性体，可以列举例如：天然橡胶、合成异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、丁基橡胶、聚异丁烯、聚丁二烯、聚乙烯基醚、有机硅橡胶、聚乙烯基异丁基醚、醋酸乙烯酯聚合物、氯丁二烯橡胶、腈橡胶、接枝橡胶、再生橡胶、苯乙烯-乙烯-丁烯嵌段共聚物、苯乙烯-丙烯-丁烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯共聚物、聚异丁烯-乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、或丙烯酸橡胶(丙烯酸烷基酯共聚物、丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷氧基烷基酯共聚物)等。
本发明中，特别是在使用丙烯酸类聚合物作为基础聚合物时，可以任意添加交联剂。交联剂能够使基础聚合物三维交联，并能够进一步赋予粘合剂层充分的凝聚力。作为交联剂，可以列举多异氰酸酯化合物、多缩水甘油基化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、多价金属螯合化合物等。其中，优选添加多异氰酸酯化合物、多缩水甘油基化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物中的任何1种或2种以上。特别是更优选与作为粘合剂的上述丙烯酸酯共聚物一同添加多异氰酸酯化合物、多缩水甘油基化合物、三聚氰胺化合物中的任何1种或2种以上。这些化合物通常用于增强粘合剂层的凝聚力，通过使用这些化合物，能够防止激光印字的消失，并且还能够防止芯片侧面的胶糊残留。
这些交联剂的配合比例，相对于基础聚合物100重量份优选为0.01～8重量份、特别优选为0.03～5重量份的范围。交联剂的配合比例过小时，无法充分发挥凝聚力，另一方面，过大时游离残留在粘合剂层中，可能成为污染半导体衬底的原因。
本发明的粘合片的胶粘剂层中，可以含有增粘剂、表面活性剂、通过紫外线照射而固化的多官能成分而形成。另外，可以添加软化剂、抗老化剂、固化剂、填充剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、(光)聚合引发剂等中的1种以上。
增粘剂优选羟值为120～230mg/g、更优选为120～210mg/g。羟值过大或过小时，可能无法对密封树脂在紫外线照射前赋予充分的胶粘性。另外，根据粘合片的粘贴面中的密封树脂等的种类、或者在该树脂表面上添加或附着的脱模剂的存在少时，紫外线照射后粘合力可能不降低到规定值。
增粘剂优选相对于基础聚合物100(重量)份使用0.1～70份、进一步优选使用1～50份。增粘剂的比例过小时，粘合力升高效果可能减小，另一方面，过大时粘合片的保存稳定性容易降低，可能难以得到长期稳定的特性。
作为含有羟基并具有特定羟值的增粘剂，可以列举例如：萜烯酚树脂、松香酚树脂、烷基酚树脂等。
作为萜烯酚树脂，可以列举：α-蒎烯-酚树脂、β-蒎烯-酚树脂、双戊烯-酚树脂、萜烯双酚脂等。通过使用萜烯酚树脂，得到对基础聚合物的高相溶性，因此能够在胶带保存中几乎没有粘合剂的变化而维持长期稳定的品质。
增粘剂通常使用分子量低于基础聚合物的增粘剂，可以列举例如分子量约数万以下、约1万以下、约数千以下的增粘剂。增粘剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
表面活性剂可以使用离子性表面活性剂及非离子性表面活性剂的任意一种。可以列举例如：酯型、醚型、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚乙二醇、羧酸型、磺酸型、氨基酸型、胺型等各种表面活性剂。从粘合剂中的相溶性方面考虑，优选分子量为2000以下、进一步优选为1500以下。但是，当具有与粘合剂亲和性良好的分子结构时，不受上述限制。特别是使用季铵盐型时，能够赋予抗静电效果。这些表面活性剂可以仅使用1种或2种以上混合使用。
其中，优选含有酯型、即酯化合物或其衍生物的表面活性剂，其碳原子数优选为10以上。对表面上脱模剂存在少的被粘物而言，能够实现防止飞散和拾取性二者。进一步优选具有15以上烷基的酯化合物。该化合物的烷基的碳原子数过小时，含有其的粘合剂的初期粘合力有容易降低的倾向。从工业上的易获得性、分子量分布的广度、耐热性(即熔点的上限为约110℃)等观点考虑，该碳原子数实质上的上限优选为约50～约60。这种酯化合物的熔点优选为40℃以上。这是为了即使在高温下长期保存也能够稳定存在。其结果是，将粘合层中使用了本发明的粘合组合物的片粘贴在被粘物上，即使在高温下长期保存，也能够抑制它们之间胶粘性的增加。
作为此类酯化合物，可以例示例如：具有碳原子数10以上、优选15以上的烷基的高级醇与羧酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸等酸的酯化合物(单酯、二酯、三酯)。其中，可以优选使用高级醇与磷酸的单酯、二酯或三酯。作为高级醇，可以列举例如：硬脂醇(碳原子数18)、1-二十二烷醇(碳原子数22)、1-二十四烷醇(碳原子数24)、1-二十六烷醇(碳原子数26)、1-二十八烷醇(碳原子数28)、1-二十九烷醇(碳原子数29)、蜂花醇(碳原子数30)、三十一烷醇(碳原子数31)、虫蜡醇(碳原子数32)、三十三烷醇(碳原子数33)、1-三十四烷醇(碳原子数34)、1-三十五烷醇(碳原子数35)、1-四十四烷醇(碳原子数44)等。上述酸中，作为羧酸，可以列举例如：甲酸、乙酸、苯甲酸等单羧酸、草酸、琥珀酸、丙三羧酸等多元羧酸等。
高级醇的酯化合物，通过将高级醇与羧酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸等酸在有机溶剂中、盐酸等酸催化剂存在下加热回流并将生成的水进行脱水来制造。另外，作为酯化合物或其衍生物，可以使用具有碳原子数10以上、优选15以上的烷基的羧酸与醇的酯化合物。
作为其它类型的表面活性剂，可以适当选择使用市售的、在半导体工艺等中不造成污染的表面活性剂。
本发明中，表面活性剂、例如酯化合物或其衍生物相对于基础聚合物100重量份优选配合0.02～8重量份、进一步优选配合0.05～2重量份。配合量变得过小时，实质上无法期待添加效果，相反过大时，紫外线照射前的初期胶粘力低而无法期待作为粘合组合物的作用、或与粘合剂的相溶性变差，因此有时污染剥离后的被粘物表面。表面活性剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
作为软化剂，可以列举例如：增塑剂、聚丁烯、液状增粘剂树脂、聚异丁烯低聚物、聚乙烯基异丁基醚低聚物、羊毛脂、解聚橡胶、工艺用油或硫化油等。软化剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
作为抗老化剂，可以列举：酚类抗老化剂(例如，2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚、1，1-双-(4-羟基苯酚)环己烷等)、胺类抗老化剂(例如，苯基-β-萘胺等)、苯并咪唑类抗老化剂等(例如，巯基苯并咪唑等)、2，5-二叔丁基对苯二酚等。抗老化剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
作为橡胶类粘合剂的固化剂，可以列举：异氰酸酯、硫及硫化促进剂、聚烷基酚、有机过氧化物等。作为异氰酸酯，可以列举例如：苯二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、己二异氰酸酯或环己烷二异氰酸酯。作为硫及硫化促进剂，可以列举例如：噻唑类硫化促进剂、亚磺酰胺类硫化促进剂、秋兰姆类硫化促进剂、二硫代酸盐类硫化促进剂等。作为聚烷基酚，可以列举例如：丁基酚、辛基酚、壬基酚等。作为有机过氧化物，可以列举例如：过氧化二铬、过氧化酮、过氧化缩酮、过氧化氢、过氧化二烷基、过氧化酯或过氧化二碳酸酯等。固化剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
作为填充剂，可以列举例如：锌白、氧化钛、二氧化硅、氢氧化铝、碳酸钙、硫酸钡、淀粉、粘土或滑石粉等。填充剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
光聚合引发剂通过照射紫外线而激发、活化并产生自由基，具有使多官能低聚物通过自由基聚合而固化的作用。具体而言，可以列举：4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮类光聚合引发剂；苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯偶姻类光聚合引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4’-甲基二苯硫醚、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类光聚合引发剂；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类光聚合引发剂；α-酰氧基酯、酰基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯、苯偶酰、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4’，4″-二乙基异二苯代酚酞等特殊光聚合引发剂等。
光聚合引发剂的配合比例优选相对于基础聚合物100重量份为0.1～15重量份、特别优选为0.5～10重量份的范围。光聚合引发剂的配合比例过小时，紫外线和/或放射线照射对多官能低聚物或单体的固化作用不足，粘合力的降低不充分。过大时，在加热或荧光灯下的稳定性变差。光聚合引发剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
作为聚合引发剂，可以列举过氧化氢、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物等过氧化物类。优选单独使用，但是也可以与还原剂组合作为氧化还原类聚合引发剂使用。作为还原剂，可以列举例如：亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化盐、三乙醇胺等胺类、醛糖、酮糖等还原糖等。另外，可以使用2，2’-偶氮双-2-甲基丙基脒酸盐、2，2’-偶氮双-2，4-二甲基戊腈、2，2’-偶氮双-N，N’-二亚甲基异丁基脒酸盐、2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮双-2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺等偶氮化合物。它们可以单独使用，也可以2种以上组合使用。聚合引发剂可以单独使用一种，也可以多种组合使用。
本发明中，在基材上形成粘合剂层来制造半导体晶片或半导体衬底加工用粘合片的方法，可以列举如下方法：将构成粘合剂层的成分直接或溶解于适当的有机溶剂中后通过涂布或散布等涂布到基材上，在例如80～100℃下进行约30秒～约10分钟加热处理等，由此使其干燥。
粘合剂层的厚度优选为7～15μm、更优选为8～15μm。偏离该范围时，激光印字的消失有增多的倾向，无论是怎样提高凝聚力的粘合剂层，也可能由于切割时刀片带入的粘合剂而在芯片侧面残留微量的胶粘剂。另外，有时无法追随树脂表面的凹凸，由于接触面积的降低而产生切割时芯片飞散这样新的品质不良。
本发明的半导体晶片加工和/或衬底加工用粘合片可以通过通常使用的方法使用。例如可以列举下述方法：将半导体晶片和/或衬底粘贴而固定后，用旋转圆刀片将半导体晶片或衬底切割成元件小片(芯片)。然后，从加工用粘合片的基材一侧照射紫外线和/或放射线，接着，使用专用工具将晶片加工用粘合片扩张(扩大)成放射状，将芯片间隔扩宽为一定的间隔，然后，通过将芯片用针等上推的同时用真空吸笔等进行吸附等来拾取，同时进行安装。
另外，本发明的粘合片可以在半导体晶片、半导体衬底、用铅条及密封树脂等将单个或多个芯片等分别或一体密封而成的密封树脂衬底等各种被粘物上使用。另外，被粘物的粘贴面不限于半导体，可以是金属、塑料、玻璃、陶瓷等无机物等各种材料。另外，本发明的粘合片特别是对于具有表面上存在由激光等形成的印字的被粘面的被粘物等能够良好地利用。
以下，进一步具体说明本发明的半导体衬底加工用粘合片的实施例及比较例，但本发明不限于此。
实施例1
将由丙烯酸甲酯20重量份、丙烯酸10重量份和丙烯酸-2-乙基己酯80份共聚而得到的重均分子量70万的共聚物(固体成分35％)100重量份、多官能丙烯酸酯类低聚物(日本合成化学制UV-1700)100重量份、作为增粘剂的萜烯酚树脂(ヤスハラケミカル公司制YSポリスタ一N125)25重量份、作为交联剂的三聚氰胺化合物(商品名“J-820-60N”、大日本油墨化学工业制)0.01重量份、光聚合引发剂(汽巴精化制、イルガキユア651)5重量份混合，制备形成粘合剂层的树脂溶液。
将该溶液涂布到有机硅剥离处理后的厚度38μm的聚酯膜上，使干燥后的厚度为7μm，并在150℃下干燥5分钟。
然后，层压作为基材的150μm的聚乙烯膜，制作半导体加工用片。
通过50℃加热使得到的半导体晶片加工用粘合片熟化4天以上，并进行后述评价。将其结果示于表1。
实施例2
制作实施例1的粘合剂片时，以干燥后的厚度为13μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例3
制备实施例1的粘合剂溶液时，配合缩水甘油基化合物(商品名：“TETRAD-C”，三菱瓦斯化学公司制)0.02重量份作为交联剂，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例4
配合实施例1的粘合剂时，配合交联剂0.03重量份，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例5
配合实施例1的粘合剂时，配合多异氰酸酯化合物(商品名：“コロネ一ト-L”，日本聚氨酯工业公司制)5重量份作为交联剂，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例6
配合实施例1的粘合剂时，配合多异氰酸酯化合物(商品名：“コロネ一ト-HL”，日本聚氨酯工业公司制)8重量份作为交联剂，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制备粘合片，并进行后述评价。
实施例7
制作实施例6的粘合片时，以干燥后的厚度为7μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例6同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例8
制作实施例4的粘合片时，以干燥后的厚度为7μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例4同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例9
制作实施例6的粘合片时，以干燥后的厚度为20μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例6同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例10
制作实施例4的粘合片时，以干燥后的厚度为20μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例4同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例11
制备实施例1的粘合剂溶液时，配合缩水甘油基化合物(商品名：“TETRAD-C”，三菱瓦斯化学公司制)0.006重量份作为交联剂，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例12
制作实施例11的粘合片时，以干燥后的厚度为725μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例11同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例13
制作实施例1的粘合片时，以干燥后的厚度为6μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
实施例14
制作实施例7的粘合片时，以干燥后的厚度为6μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例7同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例1
制作实施例9的粘合片时，以干燥后的厚度为25μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例9同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例2
制作实施例10的粘合片时，以干燥后的厚度为25μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例10同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例3
制备实施例1的粘合剂溶液时，配合多异氰酸酯化合物(商品名：“コロネ一ト-HL”，日本聚氨酯工业公司制)0.002重量份作为交联剂，制备粘合组合物，并以干燥后的厚度为15μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例4
制作比较例3的粘合片时，以干燥后的厚度为5μm的方式进行涂布，除此以外，通过与比较例3同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例5
制作实施例1的粘合片时，以干燥后的厚度为5μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例1同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
比较例6
制作实施例7的粘合片时，以干燥后的厚度为5μm的方式进行涂布，除此以外，通过与实施例7同样的操作制作粘合片，并进行后述评价。
胶带粘贴
在嵌入有半导体芯片的衬底的密封树脂面(树脂面上有深15μm的激光印字的类型)上，使用日东精机制M-286N粘贴装置，以速度20mm/秒、胶带温度55℃贴合实施例及比较例中制造的粘合片。
切割
使用DISCO制DFG-651切割机，并使用转数：38000rpm、刀厚：300μm的树脂刀片，设定粘合剂层及基材的切入总量为90μm，以速度40mm/秒、切割时水量：1.5L/分钟的条件进行切割。此时，对切割成的5000个封装体确认侧面胶糊残留、激光印字消失及PKG飞散的发生率。
将这些结果示于表1及表2。
表1
Figure A20078004927400181
表2
Figure A20078004927400182
产业上的利用可能性
本发明在半导体晶片、例如硅晶片、锗晶片、镓-砷晶片、电路衬底、陶瓷衬底、金属衬底以及用密封树脂将它们密封而成的密封树脂衬底等广范围的加工中都能够利用。

Claims (2)

1.一种半导体衬底加工用粘合片，其特征在于，具备：对紫外线和/或放射线具有透射性的基材、和由紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂层，该粘合剂层的厚度为7～15μm。
2.如权利要求1所述的半导体衬底加工用粘合片，其中，该粘合剂层至少由丙烯酸酯共聚物与多异氰酸酯化合物和/或多缩水甘油基化合物和/或三聚氰胺化合物形成。
CNA2007800492748A 2007-01-05 2007-12-20 半导体衬底加工用粘合片 Pending CN101573423A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007000362A JP2008163276A (ja) 2007-01-05 2007-01-05 半導体基板加工用粘着シート
JP000362/2007 2007-01-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101573423A true CN101573423A (zh) 2009-11-04

Family

ID=39588410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007800492748A Pending CN101573423A (zh) 2007-01-05 2007-12-20 半导体衬底加工用粘合片

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100028662A1 (zh)
EP (1) EP2100934A4 (zh)
JP (1) JP2008163276A (zh)
KR (1) KR20090122915A (zh)
CN (1) CN101573423A (zh)
TW (1) TW200842177A (zh)
WO (1) WO2008081725A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010053192A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
JP5537789B2 (ja) 2008-10-01 2014-07-02 日東電工株式会社 レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
JP5717420B2 (ja) * 2010-11-30 2015-05-13 日立マクセル株式会社 切削加工用粘着テープ
JP2012186315A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Nitto Denko Corp 薄膜基板の製造方法
JP2012201846A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着テープ
WO2013035206A1 (ja) 2011-09-09 2013-03-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 電子装置用シール剤組成物
US10526511B2 (en) 2016-12-22 2020-01-07 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers
JP7401975B2 (ja) * 2019-03-27 2023-12-20 リンテック株式会社 ワーク加工用粘着シート

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5187007A (en) * 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
JPS62153376A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 F S K Kk ウェハダイシング用粘着シート
US5143961A (en) * 1987-06-29 1992-09-01 H. B. Fuller Licensing & Financing Inc. Hot melt adhesive comprising water soluble polyalkyloxazoline and water insoluble polymer
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JP3491911B2 (ja) 1992-07-29 2004-02-03 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP3797601B2 (ja) 2001-10-01 2006-07-19 日東電工株式会社 固定用粘着シート
US20040185243A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-23 Hideyuki Kakinuma Pre-applied outer layer material for automotive interior trim and method for production of automotive interior trim
JP2005050953A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体基板加工用粘着テープ
JP2005229040A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 半導体基盤固定用粘着シート
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4776189B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4809595B2 (ja) * 2004-08-03 2011-11-09 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体装置製造方法
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP5057697B2 (ja) * 2006-05-12 2012-10-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート
JP2008013692A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法。
JP4805765B2 (ja) * 2006-09-12 2011-11-02 電気化学工業株式会社 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法。

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008163276A (ja) 2008-07-17
TW200842177A (en) 2008-11-01
EP2100934A1 (en) 2009-09-16
EP2100934A4 (en) 2013-09-18
KR20090122915A (ko) 2009-12-01
WO2008081725A1 (ja) 2008-07-10
US20100028662A1 (en) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101165131B (zh) 半导体晶片和/或基板加工用粘合片
CN101573423A (zh) 半导体衬底加工用粘合片
CN101215448B (zh) 半导体基板加工用粘合片
KR102169223B1 (ko) 필름상 접착제, 반도체 접합용 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR100907982B1 (ko) 점착필름 형성용 조성물에 의한 반도체 패키지용 점착필름을 포함하는 다이싱 다이본드 필름
EP1070347B1 (en) Semiconductor wafer processing tapes
KR100696287B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 보호방법
KR100735720B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법
KR100921855B1 (ko) 다이싱 다이본딩 필름, 칩상 워크의 고정 방법, 및 반도체장치
US20080160300A1 (en) Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same
JP4925173B2 (ja) ダイシング用粘着シート、及びそれを用いた被切断体の加工方法
CN102131878A (zh) 粘合带或片
KR20100100787A (ko) 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
CN101831253A (zh) 无基材压敏粘合片、其生产方法及使用其的研磨方法
KR101483308B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP4707805B2 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
KR101280648B1 (ko) 다이싱용 점착 시트 및 그것을 이용한 다이싱 방법
KR100735719B1 (ko) 반도체웨이퍼 표면보호용 점착필름 및 상기 점착필름을사용하는 반도체웨이퍼의 보호방법
JP2020098918A (ja) フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101191115B1 (ko) 수성 점착제 조성물, 그의 제조 방법, 점착 시트 및 이를사용한 백그라인딩 방법
JP4025223B2 (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3594581B2 (ja) 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
JP3710457B2 (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2006054437A (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2004214521A (ja) 半導体ウェハ裏面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20091104

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication