JP2006054437A - ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDF

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Daisuke Nakagawa
大助 中川
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Abstract

【課題】 ウエハー貼り付け予定部分にのみ接着剤層を積層するダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基材フィルム6上に粘着剤層が形成されておりさらに基材フィルム4が形成されその上にフィルム状接着剤層が形成され基材フィルム4と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムであり、接着剤層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−30℃以上60℃以下であることが好ましい。
【選択図】 図2

Description

本発明は、ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装
置の製造方法及び半導体装置に関する。
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高
密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでい
る。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などから
なる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子
に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次
いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基
板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エ
ポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着
され、半導体装置が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要
からウエハーの薄型化が進んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペー
ストの場合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がは
み出したり、硬化後のチップの反りのためパッケージに組込み時の信頼性が低下
したりするという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロ
セスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤を
ダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている
(例えば、特許文献1、2参照)。また、工程の短縮からダイシングシートとダ
イボンディングシート一体型のものも一部では使用されているがウエハー貼り付
け予定部分の接着剤層とウエハーリング貼り付け予定部分には粘着剤層には要求
される機能が異なり効率の良い構成が必要となっていた。
特開2002−353252号公報 特開2002−294177号公報
本発明の目的は、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシート
としての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができ、し
かも、ウエハー貼り付け予定部分であるダイボンディング用に接着剤層は厚みの
均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐える耐リフロー性
に優れた接着剤層が形成しウエハーリングが貼り付けられる部分にはウエハーリ
ング固定用の粘着剤が形成されているダイシングシート機能付きダイアタッチフ
ィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにあ
る。
本発明は、
(1) 基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状
接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィル
ム(II)と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きくウエ
ハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするダイシングシー
ト機能付きダイアタッチフィルム、
(2) フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−30℃
以上60℃以下である(1)項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム

(3) フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度が−30℃
以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる(1
)又は(2)項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
(4) アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である(2)又は(3)項記
載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
(5) アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体であ
る(2)(3)又は(4)項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
(6) 粘着剤層がアクリル酸共重合体からなる(1)〜(5)項のいずれか1
項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、
(7)基材フィルム(I)および基材フィルム(II)が光透過性基材からなる(
1)〜(6)項のいずれか1項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチ
フィルム、
(8)(A)(1)項記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの
接着剤層部分にシリコンウェハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる工程、
(B)基材フィルム(I)上に形成された粘着剤層にウエハーリングを貼り付け
る工程、
(C)該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(D)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層と基
材フィルム(II)との接触界面を硬化させる工程、
(E)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを基材
フィルム(II)から剥離し取り出すピックアップ工程、
(F)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工
程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
(9) (1)〜(8)項のいずれか1項に記載のダイボンディング用フィルム
状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装

である。
本発明によれば、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを
60℃以下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チ
ッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供でき
るダイボンディング用材料であり、ウエハーを貼り付ける部分とウエハーリング
貼り付け部分に別の粘接着剤層を設けることでリングフレームの接着剤による汚
染を防止することができ、またこれを用いた半導体装置は、これまでの液状エポ
キシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムは、基材フィルム(
I)上に粘着剤層が形成されておりさらに基材フィルム(II)が形成されその上
に接着剤層が形成され基材フィルム(II)と接着剤層の外径がウエハーの貼り付
け予定部分の外径より大きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さい
ことを特徴とする。
基材フィルム(II)上の接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分より大
きいことでウエハー全面にフィルム状接着剤が貼りつきウエハーリング貼り付け
予定部分の内径より小さいことでウエハーリングとフィルム状接着剤が貼り付く
事を防ぐことができる。
ウエハーリングとフィルム状接着剤が接するとフィルム状接着剤がウエハーリ
ングに貼りつきウエハーリングが汚染されるという問題が生じる恐れがある。
本発明の接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−30℃以上60℃
以下であることが好ましい。ガラス転移温度が60℃を超えると60℃以下での
貼り付け性が難しくなり−30℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が
悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−30
℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好
ましい。
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−30℃以
上60℃以下が好ましい。ガラス転移温度が−30℃を下回るとタック性が強す
ぎハンドリングが難しくなり、60℃を超えると60℃以下での貼り付け性が悪
くなる。
本発明に用いるアクリル酸共重合体としてはアクリル酸、アクリル酸エステル
、メタクリル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも1つをモノマー成
分とした共重合体が挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジル
メタクリレート、水酸基を有するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を
有するカルボキシメタクリレートを含む共重合体が好ましい。
これらアクリル酸共重合体の分子量は凝集力を高めることから10万以上が好
ましく、15万から100万であることがより好ましい。
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものである
ことが好ましい。ニトリル基を含有することにより、被着体との密着力を向上さ
せる効果がある。
本発明に用いられるエポキシ樹脂はモノマー、オリゴマ−及びポリマー全般を
いう。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチ
ルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル
変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独
でも混合して用いても良い。
これらのエポキシ樹脂の内では、融点が50〜150℃の結晶性エポキシ樹脂
が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノー
ル骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるため
に結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固
体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するもの
である。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温
速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度を示す。
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体100重量部に
対し好ましくはエポキシ樹脂10〜100重量部、より好ましくは30〜70重
量部である。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はシアネート基を有する有機
化合物を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノ
ールAジシアネート、ビスフェノールFジシアネート、ビス(4−シアネートフ
ェニル)エーテル、ビスフェノールEジシアネート シアネートノボラック樹脂
などが挙げられる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はフェノール樹脂を含んでい
てもよい。この場合、フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメ
チルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4'−スル
ホニルジフェノール及び、4,4'−イソプロピリデンジフェノール(通称ビス
フェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキ
シフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)
メタン及びこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒド
ロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)・製、ビスフェノール
F−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼン
ジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4
−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナ
フタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2'−ビフェノール
、4,4'−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げら
れる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は紫外線硬化型樹脂を含んで
もよく、紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物(C−1)が好ましい。
例えばアクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中
でもジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジア
クリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール
、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸1,10
−デカンジオール、ジメタクリル酸1,10−デカンジオール等の2官能アクリ
レート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロ
ールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタ
エリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル
酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの
内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が1〜
15のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。
本発明に用いる紫外線硬化型樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステ
ルから誘導される成分単位の含有量は、アクリル酸共重合体100重量部に対し
て、通常20〜55重量部、好ましくは30〜40重量部である下限値未満であ
ると粘着力に乏しくなり上限値を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上と
なり好ましくない。
また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリ
ル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の
特性を容易に制御することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤(C−2)を混在させることによ
り、基材から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を
硬化させ剥離しやすくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するた
めにも、重要な成分である。
このような光重合開始剤(C−2)としては、具体的にはベンゾフェノン、ア
セトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香
酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニル
サルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
本発明で用いられる紫外線硬化型樹脂は、好ましくは上記成分(C−1)〜(
C−2)からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定される
が、一般的には成分(C−1)100重量部に対して、成分(C−2)は好まし
くは1〜30重量部、より好ましくは3〜15重量部程度で用いることが好まし
い。1重量部未満であると光開始剤の効果が弱く30重量部を超えると反応性が
高くなり保存性が悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤には、フィラーを含有していてもよくそのフィラー
の平均粒径は0.1〜25μmであることが好ましい。平均粒径が0.1μm未
満であるとフィラー添加の効果が少なく、25μmを超えるとフィルムとしての
接着力の低下をもたらす可能性がある。
本発明のフィルム状接着剤に用いるフィラーとしては、銀、酸化チタン、シリ
カ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は0%〜30重量%が好ましく、30%を超えるとフィルム
としてもろくなり接着性が低下する。
本発明における粘着剤層の樹脂組成物はアクリル酸共重合体からなることが好
ましい。
粘着剤層のガラス転移温度は−30℃以上60℃以下であることが好ましい。
ガラス転移温度が60℃を超えるとウエハーリングを60℃以下での貼り付け性
が難しくなり−30℃を下回るとタック性が強すぎウエハーリングの取り外しが
難しくなる。
また、本発明の基材フィルム(I)及び基材フィルム(II)は光透過性基材か
らなることが好ましい。
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられ
るが、30〜70重量部、好ましくは40〜60重量部のポリプロピレン樹脂と
70〜30重量部、好ましくは60〜40重量部のポリスチレンブロックとビニ
ルイソプレンブロックからなる共重合体との混合物であることが好ましい。
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、20〜200μmであることが好
ましく、特に好ましくは25〜150μmである。
本発明において、フィルム状接着剤に用いる樹脂組成物は、未硬化時に十分な
粘接着性を有し、370nm以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を
含み、紫外線照射され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘
着性を持たなくなるという特徴を有することが好ましい。
本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの製造方法としては
、先ず離型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、
コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従
って、塗工し、乾燥させて接着剤層を形成しそこに光透過性基材を積層する。こ
れをハーフカットすることにより円形に得られたものの上に粘着剤層と光透過性
基材からなるもう一つのフィルムを積層することで光透過性基材、粘着剤層、光
透過性基材、接着剤層及び保護フィルムからなるダイシングシート機能付きダイ
アタッチフィルムを得ることができる。
このようにして形成される粘着剤層及び接着剤層の厚さは、好ましくは3〜1
00μmで、10〜75μmであることがより好ましい。厚さが3μm未満であ
ると粘接着剤としての効果が少なくなり、100μmを超えると製品の作成上難
しく厚み精度が悪くなる。
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明の
ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層を室温あるいは60
℃以下の温和な条件で貼付した後、ウエハーリングを粘着剤層に貼り付けた後ダ
イアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、光透過性基材を介してダイシング
装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチ
フィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チ
ップを得る。
続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィ
ルムの光透過性基材面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通常
、照度は20〜500mJ/cm2、さらに照射時間は、5〜600秒の範囲内
に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで
、光透過性基材と接着剤層界面で剥離する。
このようにして、ダイアタッチフィルムの接着層が固着されている半導体チッ
プを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着す
ることで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常
は、100〜300℃の加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは1
00〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすること
により、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリ
ードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。
この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは150〜25
0℃程度であり、加熱時間は通常は1〜240分間、好ましくは10〜60分間
である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、ア
クリルゴム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝
撃性、耐熱性を有する。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではない。
I)接着剤層成分
(A)アクリル酸共重合体樹脂成分
(A−1)エポキシ基含有アクリル酸共重合体(ナガセケムテックス(株)製、
商品名:SG80HDR、Tg:10℃、分子量Mw=350000)
(A−2)エポキシ基含有アクリル酸共重合体(ナガセケムテックス(株)製、
商品名:SGP3DR、Tg:12℃、分子量はMw=850000)
(B)エポキシ樹脂成分
(B−1)クレゾールノボラックエポキシ樹脂(商品名:EOCN−1020−
80、エポキシ当量:200g/eq、メーカー:日本化薬(株))
(C)紫外線硬化型樹脂
〔(C−1)(メタ)アクリル酸エステルモノマー〕1,6−ヘキサンジオール
ジメタクリレート(メーカー:共栄社化学(株))
〔(C−2)光重合開始剤〕2,2−ジメトキシキ−1,2−ジフェニルエタン
−1−オン(メーカー:チバガイギ(株))
(D)イミダゾール
(D−1)イミダゾール化合物(商品名:1B2MZ、メーカー:四国化成)
II)粘着剤層成分
アクリル酸共重合体成分
アクリル酸共重合体(ナガセケムテックス(株)製、商品名:SG70L、T
g:−17℃、分子量Mw=800000)
光透過性基材
ハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなるクリアテックCT−H
817(クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成した。
《実施例1》
表1に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、
ポリエチレンテレフタレート基材100μmに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤
を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすること
で保護フィルム(ポリエチレンテレフタレート基材)、フィルム状接着剤、及び
光透過性基材からなるシートを得た。このシートを使用ウエハーの外径よりも大
きくまたウエハーリングの内径よりも小さく円形にハーフカットした。一方、粘
着剤をポリエチレンテレフタレート基材100μm上に塗布し乾燥させたシート
に光透過性基材をラミネートしたあと先の円形にハーフカットしたシートの光透
過性基材側に粘着剤層形成された光透過性基材をラミネートし、ダイシングシー
ト機能付きダイアタッチフィルムを作製した。
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウ
エハーを貼り付け、粘着剤層にウエハーリングを貼り付け固定保持しダイシング
ソーを用いて、スピンドル回転数30,000rpm、カッティングスピード5
0mm/secで、5×5mm角のチップサイズにカットした。次いで、紫外線を
20秒で250mJ/cm2の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの残着し
た半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム
状接着剤を介して、42−アロイ合金のリードフレームに、180℃−1MPa
−1.0secの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及び
ダイアタッチフィルムとしての各項目の評価を行った。結果を表2、3に示す。
《実施例2》
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は、実施例1と同様の操
作を行った。
《比較例1》
表1に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、
ポリエチレンテレフタレート基材100μmに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤
を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすること
で保護フィルム(ポリエチレンテレフタレート基材)、フィルム状接着剤、及び
光透過性基材からなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを作製し
た。ウエハーリング貼り付け部分とウエハー貼り付け部分の接着剤層は同じ樹脂
組成物である。
Figure 2006054437
Figure 2006054437
Figure 2006054437
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
(1)ガラス転移温度
セイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、フィルム状接着剤を昇温
速度3℃/min、周波数10Hzで動的粘弾性を測定したときの緩和ピーク。
(2) ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィル
ム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
(3) ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半
導体チップを光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評
価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下のもの
(4)チッピング特性
○:チップのかけの幅が最大で30μm以下のもの。
△:チップのかけの幅が最大で30〜50μmのもの。
×:チップのかけの幅が最大で50μm以上のもの。
(5)ウエハーリング汚染
実施例1,2では粘着剤層に比較例では接着剤層にウエハーリングを貼り付け一
週間放置後取り外した時のウエハーリングへの接着剤の転写を目視で評価した。
ウエハーリングが汚染されていなければ○、汚染されていれば×の評価を行った

(6) ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを42−アロイ合金のリードフレーム
に180℃−1MPa−1.0secの条件でダイボンディングし、そのまま未
処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
(7) 吸湿後の接着性
上記(8)でダイボンディングした測定サンプルを85℃/85%RH/16
8時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価し
た。
○:剪断強度が1MPa以上
△:剪断強度が0.5〜1.0MPa
×:剪断強度が0.5MPa未満
本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの一例を示す平面図である。 図1のA−A'部分の断面図である。
符号の説明
1ウエハー
2ウエハーリング
3接着剤層
4基材フィルム(II)
5粘着剤層
6基材フィルム(I)

Claims (9)

  1. 基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフ
    ィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基
    材フィルム(II)と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大
    きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするダイシ
    ングシート機能付きダイアタッチフィルム。
  2. フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が
    −30℃以上60℃以下である請求項1記載のダイシングシート機能付きダイア
    タッチフィルム。
  3. フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度
    が−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含ん
    でなる請求項1又は2記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
  4. アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である請求項2又は
    3記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
  5. アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重
    合体である請求項2、3又は4記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフ
    ィルム。
  6. 粘着剤層がアクリル酸共重合体からなる請求項1〜5のいずれ
    か1項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
  7. 基材フィルム(I)および基材フィルム(II)が光透過性基材
    からなる請求項1〜6のいずれか1項に記載のダイシングシート機能付きダイア
    タッチフィルム。
  8. (A)請求項1記載のダイシングシート機能付きダイアタッチ
    フィルムの接着剤層部分にシリコンウェハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる
    工程、
    (B)基材フィルム(I)上に形成された粘着剤層にウエハーリングを貼り付け
    る工程、
    (C)該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
    (D)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層と基
    材フィルム(II)との接触界面を硬化させる工程、
    (E)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを基材
    フィルム(II)から剥離し取り出すピックアップ工程、
    (F)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工
    程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のダイボンディング用フ
    ィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半
    導体装置。
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