CN101559978A - 一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 - Google Patents
一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101559978A CN101559978A CNA2009101169209A CN200910116920A CN101559978A CN 101559978 A CN101559978 A CN 101559978A CN A2009101169209 A CNA2009101169209 A CN A2009101169209A CN 200910116920 A CN200910116920 A CN 200910116920A CN 101559978 A CN101559978 A CN 101559978A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solvent
- wurtzite
- blue solution
- wurtzite structure
- autoclave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,包括以下步骤:称取1-2mmol CuCl2·2H2O,1-2mmol InCl3·4H2O和3-6mmol硫脲,放入烧杯中,加入乙醇胺溶剂中;将得到的均匀的深蓝色的溶液倒入反应釜中,将反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;最后将收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,得到黑色的固体样品。本发明具有操作简单,成本低,产物清洗简单,不会对环境造成污染等优点,且本发明通过简单的一步溶剂热合成法,一步合成了纤锌矿结构CuInS2亚稳相,有利于拓I-III-VI2族三元硫属化合物半导体的应用范围。纤锌矿结构CuInS2亚稳新相可应用在光电器件,非线性光学器件,光电太阳能电池材料,激光二极管等方面。
Description
技术领域
本发明涉及一种无机合成方法,具体是一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法。
背景技术
I-III-VI2族三元硫属化合物半导体ABM2(A=Cu,Ag;B=Al,Ga,In;M=S,Se,Te)在常温常压下,通常具有黄铜矿结构(四方结构)。因其在光电器件、非线性光学器件、光电太阳能电池材料、激光二极管等方面具有广泛的应用价值而备受关注。但在高温和高压的情况等苛刻的实验条件下,也能得到无序的闪锌矿(立方结构)或纤锌矿结构(六方结构)。例如Binsma等在1980年在研究Cu2S-In2S3混合物相图时发现:在850℃左右反应生成的黄铜矿结构CuInS2在980℃以下时稳定,当温度升高到980℃以上和1045℃以上时,分别发生了向无序的闪锌矿(立方结构)或纤锌矿结构(六方结构)的转变。高温X射线衍射分析证实了闪锌矿相CuInS2的存在。但是高温相CuInS2不能稳定存在,当温度降低时,又转变成了低温的黄铜矿结构。从晶体结构的角度来看,大部分I-III-VI2族三元硫属化合物在特定的条件下能实现从有序到无序的转化,从而得到不同物相的产物。近来,Pan等在合成纳米材料CuInS2时,于高沸点溶剂中(油胺、十二硫醇)首次合成了纤锌矿结构CuInS2,但该合成方法复杂,原材料昂贵,产品清洗过程中要用到己烷、氯仿等有机试剂,对环境造成了一定的污染。
发明内容
本发明提供了一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其操作简单,成本低,产物清洗简单,不会对环境造成污染。
本发明的技术方案为:
一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其特征在于:包括按以下反应比例进行以下步骤:
(1)、称取1-2mmol CuCl2·2H2O,1-2mmol InCl3·4H2O和3-6mmol硫脲,放入烧杯中,加入乙醇胺溶剂中,超声分散10-15分钟,得到均匀的深蓝色的溶液;
(2)、将上述均匀的深蓝色的溶液倒入高压反应釜中,将密封的高压反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;
(3)、最后将收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,真空干燥,得到黑色的固体。
所述的一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)、称取物质的量的比为1∶0.8-1.2∶2.8-3.2的CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和硫脲,放入烧杯中,加入乙醇胺作为溶剂进行超声分散10-15分钟,得到均匀的深蓝色的溶液;
(2)、然后将上述均匀的深蓝色的溶液倒入高压反应釜中,将密封的高压反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;
(3)、最后将收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,在50-70℃下真空干燥3-5小时,得到黑色的固体。
乙醇胺用量为2-100ml。
本发明具有操作简单,成本低,产物清洗简单,不会对环境造成污染等优点,且本发明通过简单的一步溶剂热合成法,一步合成了纤锌矿结构CuInS2亚稳相,有利于拓宽I-III-VI2族三元硫属化合物半导体的应用范围。纤锌矿结构CuInS2亚稳新相可应用在光电器件,非线性光学器件,光电太阳能电池材料,激光二极管等方面。
附图说明
图1是本发明合成的CuInS2样品的XRD衍射花样图。
图2是本发明合成的CuInS2样品的X-射线荧光光谱图。
图3是本发明合成的CuInS2样品的X射线衍射花样图。
图4是不同物相的CuInS2的紫外-可见-近红外光谱图。
图5是本发明合成的CuInS2样品的光致发光光谱图。
具体实施方式
本发明的合成方法如下:
(1)、称取1-2mmol CuCl2·2H2O,1-2mmol InCl3·4H2O和3-6mmol硫脲,放入烧杯中,加入40ml乙醇胺,超声分散10-15分钟,得到均匀的深蓝色的溶液;
(2)、将上述均匀的深蓝色的溶液倒入高压反应釜中,将反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;
(3)、然后收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,在60℃下真空干燥4小时,得到黑色的固体样品;
(4)材料鉴定:
(a)、经X射线衍射仪分析表明:制备的产物为纤锌矿结构CuInS2亚稳新相,并对衍射花样进行了一系列的数值拟合;
(b)、样品的X-射线荧光光谱表明:产物的元素含量比例为1∶1∶2;
(c)、样品的退火性能表明:纤锌矿结构CuInS2在室温以及250℃以下是稳定的,超过400℃开始发生了相变,超过550℃完全发生了相变;
(b)、不同物相的CuInS2的紫外-可见-近红外光谱表明:不同物相的CuInS2,对光的吸收情况不同。
Claims (3)
1、一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其特征在于:包括按以下反应比例进行以下步骤:
(1)、称取1-2mmol CuCl2·2H2O,1-2mmol InCl3·4H2O和3-6mmol硫脲,放入烧杯中,加入乙醇胺溶剂中,超声分散10-15分钟,得到均匀的深蓝色的溶液;
(2)、将上述均匀的深蓝色的溶液倒入高压反应釜中,将密封的高压反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;
(3)、最后将收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,真空干燥,得到黑色的固体。
2、根据权利要求1所述的一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)、称取物质的量的比为1∶0.8-1.2∶2.8-3.2的CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和硫脲,放入烧杯中,加入乙醇胺作为溶剂进行超声分散10-15分钟,得到均匀的深蓝色的溶液;
(2)、然后将上述均匀的深蓝色的溶液倒入高压反应釜中,将密封的高压反应釜放在170-210℃的烘箱中反应12-24小时,随后自然冷却至室温;
(3)、最后将收集冷却后的产品,依次用蒸馏水、无水乙醇洗涤,在50-70℃下真空干燥3-5小时,得到黑色的固体。
3、根据权利要求1所述的一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法,其特征在于:乙醇胺用量为20-100ml。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2009101169209A CN101559978A (zh) | 2009-05-31 | 2009-05-31 | 一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2009101169209A CN101559978A (zh) | 2009-05-31 | 2009-05-31 | 一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101559978A true CN101559978A (zh) | 2009-10-21 |
Family
ID=41218984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2009101169209A Pending CN101559978A (zh) | 2009-05-31 | 2009-05-31 | 一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101559978A (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101982240A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 淮北师范大学 | 可选择性氧化醇和还原硝基化合物的高活性窄带隙光催化剂的设计与制备 |
CN102531042A (zh) * | 2009-12-31 | 2012-07-04 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 |
CN102569505A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-11 | 嘉兴优太太阳能有限公司 | 太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法 |
CN102557116A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-07-11 | 上海交通大学 | 一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法 |
CN102583263A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-18 | 北京理工大学 | 一种水相合成禁带可调的Cu-In-X三元纳米颗粒的方法 |
CN102603008A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-07-25 | 济南大学 | 纳米级黄铜矿的合成方法 |
CN103253698A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-21 | 江苏科技大学 | 一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 |
CN107059131A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-18 | 南京信息工程大学 | 一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 |
CN111689512A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 中国科学院上海高等研究院 | In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法 |
CN113351229A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-07 | 上海理工大学 | 一种硫化镉和铂修饰的硫铟铜纳米盘光催化剂的制备方法 |
CN114933327A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-23 | 佛山(华南)新材料研究院 | 一种制氢材料及其制备方法、应用 |
-
2009
- 2009-05-31 CN CNA2009101169209A patent/CN101559978A/zh active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102531042B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-08-28 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 |
CN102531042A (zh) * | 2009-12-31 | 2012-07-04 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 |
CN101982240A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 淮北师范大学 | 可选择性氧化醇和还原硝基化合物的高活性窄带隙光催化剂的设计与制备 |
CN102557116A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-07-11 | 上海交通大学 | 一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法 |
CN102557116B (zh) * | 2011-12-02 | 2014-08-20 | 上海交通大学 | 一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法 |
CN102569505A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-11 | 嘉兴优太太阳能有限公司 | 太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法 |
CN102583263A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-18 | 北京理工大学 | 一种水相合成禁带可调的Cu-In-X三元纳米颗粒的方法 |
CN102603008B (zh) * | 2012-04-09 | 2014-10-15 | 济南大学 | 纳米级黄铜矿的合成方法 |
CN102603008A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-07-25 | 济南大学 | 纳米级黄铜矿的合成方法 |
CN103253698A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-21 | 江苏科技大学 | 一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 |
CN107059131A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-18 | 南京信息工程大学 | 一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 |
CN111689512A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 中国科学院上海高等研究院 | In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法 |
CN113351229A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-07 | 上海理工大学 | 一种硫化镉和铂修饰的硫铟铜纳米盘光催化剂的制备方法 |
CN114933327A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-23 | 佛山(华南)新材料研究院 | 一种制氢材料及其制备方法、应用 |
CN114933327B (zh) * | 2022-06-13 | 2023-12-01 | 佛山(华南)新材料研究院 | 一种制氢材料及其制备方法、应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101559978A (zh) | 一种纤锌矿型结构CuInS2的溶剂热合成方法 | |
CN101830445B (zh) | 一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的方法 | |
Tumbul et al. | Structural, morphological and optical properties of the vacuum-free processed CZTS thin film absorbers | |
WO2011017236A2 (en) | Polymeric precursors for cis and cigs photovoltaics | |
WO2011017235A2 (en) | Methods for photovoltaic absorbers with controlled stoichiometry | |
CN102500293B (zh) | 锌黄锡矿结构Cu2ZnSnS4粉末材料及其液相制备方法 | |
EP2462151A2 (en) | Polymeric precursors for caigas aluminum-containing photovoltaics | |
EP2462150A2 (en) | Polymeric precursors for caigs and aigs silver-containing photovoltaics | |
EP4152416A1 (en) | Precursor solution of copper-zinc-tin-sulfur thin film solar cell, preparation method therefor, and use thereof | |
Seboui et al. | Evolution of sprayed Cu2ZnSnS4 | |
US20100133479A1 (en) | Fabrication method for ibiiiavia-group amorphous compound and ibiiiavia-group amorphous precursor for thin-film solar cells | |
CN103043629A (zh) | 一种CuGaX2(X=S, Se, Te)系列化合物的低温合成方法 | |
CN104264211A (zh) | 单晶亚微米级Cu2ZnSnS4颗粒的高温溶剂热制备方法及应用 | |
CN110054212B (zh) | 一种化合物NH4GaS2及其制备方法和应用 | |
Zakutayev et al. | Comparison of Cu 2 SnS 3 and CuSbS 2 as potential solar cell absorbers | |
CN102249199A (zh) | 微波-辅助溶剂热合成ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料纳米粉的方法 | |
CN102887538B (zh) | 一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法 | |
CN102167391A (zh) | 一种制备氧化锌纳米针阵列的方法 | |
CN100363266C (zh) | 硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法 | |
CN102627315B (zh) | 一种纤锌矿结构CZTS(Se)系粉体的制备方法 | |
CN108190961B (zh) | 一种闪锌矿结构Cu2MnSnS4粉末材料及其液相制备方法 | |
Wang et al. | Preparation of CuIn (SxSe1–x) 2 thin films with tunable band gap by controlling sulfurization temperature of CuInSe2 | |
Habib et al. | Fabrication, characterization and optical properties of CuIn 3 Se 5 bulk compounds | |
Razykov et al. | Production and characteristics of (ZnSe) 0.1 (SnSe) 0.9 films for use in thin film solar cells | |
CN102145915A (zh) | 一种通过控制溶剂热过程含氧量合成ZnS/CdS纳米棒的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20091021 |