CN101556382B - Tft-lcd阵列基板及其制造方法和测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法。TFT-LCD阵列基板包括显示区域和***区域，显示区域内设置有栅线和数据线，***区域内设置有测试线，以及在测试时将测试线与栅线连接和/或将测试线与数据线连接的结合点。TFT-LCD阵列基板的测试方法包括：通过激光焊接方式，在结合点位置将待测信号线与测试线连接；通过测试线对所述待测信号线进行测试。本发明通过在***区域形成测试线和结合点，在测试时采用激光焊接方法建立测试线与信号线之间的连接即可实现信号线上信号的测试，增强了液晶面板的测试分析途径，提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。

Description

TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法 

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法和测试方法，特别是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的主体结构包括液晶面板、背光源和驱动电路板，液晶面板由阵列基板、彩膜基板以及设置于其间的液晶层组成。液晶面板是光机电的统一体，其基本原理是利用阵列基板和彩膜基板之间的电场控制液晶分子偏转，使其在不同的电场作用下产生不同的透过光。作为统一的整体，可以认为液晶面板是驱动电路的负载，液晶分子是彩膜基板和阵列基板间形成电场的负载，三者是统一的整体。 

目前，针对液晶面板的测试主要集中在整体品质的测试，如亮度、对比度或色饱和度等测试，或驱动装置一级的驱动信号的频率、幅度等测试，目前尚未出现对液晶面板内信号的测试，例如对液晶面板内栅线或数据线延迟的测试。现有技术在进行液晶面板不良品分析中，通常采用拆分液晶面板并测试信号线的电阻、线宽等方法。实际上，这种方法无法模拟液晶面板的工作情况，不仅给分析造成很大困难和滞后，而且液晶面板拆分后不能工作，因此不是真正意义上信号测试。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法，通过增加测试线和结合点，有效解决现有技术不能对液晶面板内信号 进行测试的技术缺陷。 

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域***的***区域，所述显示区域内设置有栅线和数据线，所述***区域内设置有测试线，以及在测试时将所述测试线与栅线连接和/或将所述测试线与数据线连接的结合点。 

所述结合点包括沉积在绝缘层上的导电连接层，所述导电连接层与像素电极同层，所述导电连接层的一端与位于所述绝缘层下的测试线交叠，所述导电连接层的另一端与位于所述绝缘层下的栅线或数据线交叠。 

为实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括： 

步骤1、在基板上的显示区域形成栅线、数据线和薄膜晶体管图形，在基板上的***区域形成测试线图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区域形成像素电极图形，在***区域形成导电连接层图形，所述导电连接层与像素电极同层，所述导电连接层的一端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。 

为实现上述目的，本发明提供了另一种TFT-LCD阵列基板的测试方法，包括： 

步骤200、通过激光焊接方式，将待测信号线与测试线连接； 

步骤210、通过测试线对所述待测信号线进行测试； 

所述步骤200具体包括：通过激光焊接方式，将测试线与第一待测信号线连接形成第一连接点；将第一连接点与驱动电路板之间的第一待测信号线切断；通过激光焊接方式，将第一待测信号线与第二待测信号线连接，所述 第一待测信号线与所述测试线垂直，所述第二待测信号线与所述测试线平行。 

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法，通过在***区域形成测试线和结合点，在正常工作时，测试线与信号线(栅线、数据线或公共电极线)之间处于绝缘状态，因此不会影响正常工作；在需要测试时，采用激光焊接方法建立测试线与信号线之间的连接即可实现对液晶面板各信号线上的信号(如RC延迟等)进行测试，增强了液晶面板的测试分析途径，提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。 

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

附图说明

图1为本发明TFT-LCD阵列基板的结构示意图； 

图2为本发明TFT-LCD阵列基板中结合点的平面图； 

图3、图4为图2中A-A向的剖面图； 

图5为本发明TFT-LCD阵列基板中结合点在测试时的状态图； 

图6为图5中B-B向的剖面图； 

图7为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法的流程图； 

图8为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法第一实施例的流程图； 

图9为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法第二实施例的流程图； 

图10为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法的流程图； 

图11为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第一实施例的示意图； 

图12为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第二实施例的示意图； 

图13为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第三实施例的示意图； 

图14为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第四实施例的示意图； 

图15为本发明TFT-LCD阵列基板另一结构的结构示意图； 

图16为本发明TFT-LCD阵列基板的另一测试方法的流程图； 

图17、图18为本发明TFT-LCD阵列基板再一结构的结构示意图。 

附图标记说明： 

1-显示区域；    2-***区域；    3-栅线； 

4-数据线；      5-公共电极线；  6-测试线； 

7-结合点；      71-导电连接层； 72-绝缘层； 

73-信号线；     10-驱动电路板； 601-栅测试线； 

602-数据测试线；603-断开点；    604-第一断开点； 

605-第二断开点；701-栅结合点；  702-数据结合点； 

703-第一连接点；704-第二连接点。 

具体实施方式

图1为本发明TFT-LCD阵列基板的结构示意图，如图1所示，本发明TFT-LCD阵列基板上形成有显示区域1和***区域2，***区域2位于显示区域1的***，显示区域1内形成有数条栅线3和数据线4，***区域2形成有测试线6和结合点7。数据线4与栅线3垂直，栅线3和数据线4围成的区域内设置像素电极，栅线3和数据线4的交叉处形成薄膜晶体管(以下简称TFT)。TFT由栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层组成，栅电极与栅线3连接，源电极与数据线4连接，漏电极与像素电极连接，以上结构与现有技术阵列基板结构相同。实际上使用中，设置在***区域2的测试线6可以形成在任何一侧、二侧、三侧或四侧，每侧的测试线6可以相互连接，也可以分别独立。本实施例中，测试线6的宽度为10μm～50μm，形成在栅线3端部一侧和数据线4端部一侧，因此本实施例结合点7设于栅线3和/或数据线4的端部，用于在测试时将测试线6与栅线3连接和/或将测试线6与数据线4连接。 

在上述技术方案基础上，显示区域1内还可以形成数条公共电极线5，公共电极线5与测试线6之间也可以设置结合点7，用于在测试时将测试线6与公共电极线5连接。因此本实施例结合点7可以设于栅线3、数据线4和/或公共电极线5的端部，用于在测试时将测试线6与栅线3连接、将测试线6与数据线4连接和/或将测试线6与公共电极线5连接。 

图2为本发明TFT-LCD阵列基板中结合点的平面图。如图2所示，结合点7的主体结构包括导电连接层71，与像素电极同层的导电连接层71沉积在绝缘层72上，其一端与位于绝缘层72下方的测试线6交叠，另一端与位于绝缘层72下方的信号线73交叠，使导电连接层71与测试线6之间、导电连接层71与信号线73之间以及测试线6与信号线73之间处于绝缘状态。本发明结合点上述结构中，信号线73可以是栅线、数据线或公共电极线，使结合点7设置在测试线6与栅线3之间，或设置在测试线6与数据线4之间，或设置在测试线6与公共电极线5之间，或上述任意组合。图3和图4为图2中A-A向的剖面图，以说明信号线是栅线情况时结合点的结构。当测试线6与栅线3同层设置时，导电连接层71与测试线6之间的绝缘层72包括栅绝缘层和钝化层，如图3所示；当测试线6与数据线同层设置时，导电连接层71与测试线6之间的绝缘层72为钝化层，如图4所示。 

在正常工作时，由于测试线与栅线、测试线与数据线、测试线与公共电极线之间为绝缘状态，因此本发明的作用与现有技术的TFT-LCD阵列基板完全一样。在需要测试时，通过建立测试线与栅线、测试线与数据线和/或测试线与公共电极线之间的连接即可实现信号线上信号的测试。下面以建立测试线与栅线之间的连接为例说明本发明TFT-LCD阵列基板在测试时的结构状态。图5为本发明TFT-LCD阵列基板中结合点在测试时的状态图，图6为图5中B-B向的剖面图。如图5、图6所示，采用激光焊接(Laser Welding)方法依次在导电连接层71与栅线3的交叠区域、导电连接层71与测试线6的交叠区域进行联通处理，使导电连接层71与栅线3导通、导电连接层71 与测试线6导通，则可以实现测试线6与栅线3的导通，之后就可以通过测试线对栅线上的信号进行测试。 

本发明TFT-LCD阵列基板通过在***区域形成测试线和结合点，在正常工作时，由于测试线与信号线(栅线、数据线或公共电极线)之间没有连接，因此不会影响正常工作；在需要测试时，采用激光焊接方法建立测试线与信号线之间的连接即可实现对液晶面板各信号线上的信号(如RC延迟等)进行测试，增强了液晶面板的测试分析途径，提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。 

图7为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法的流程图，具体包括： 

步骤1、在基板上的显示区域形成栅线、数据线和薄膜晶体管图形，在基板上的***区域形成测试线图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区域形成像素电极图形，在***区域形成导电连接层图形，所述导电连接层的一端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。 

本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法通过在***区域形成测试线和结合点，正常工作时，测试线与信号线(栅线或数据线)之间处于绝缘状态，因此不会影响正常工作；在需要测试时，采用激光焊接方法建立测试线与信号线之间的连接即可实现对液晶面板各信号线上的信号(如RC延迟等)进行测试，增强了液晶面板的测试分析途径，提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。 

本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法中，测试线既可以在形成栅线时形成，使测试线与栅线处于同一层，也可以在形成数据线时形成，使测试线与数据线处于同一层，下面分别予以说明，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀等工艺。 

图8为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法第一实施例的流程图，具体包括： 

步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极 和栅线图形，在***区域形成测试线图形； 

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体层图形； 

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形； 

步骤14、在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔； 

步骤15、在完成步骤14的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区域形成像素电极图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，在***区域形成导电连接层图形，所述导电连接层的一端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。 

具体地，首先利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上制备一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用栅极掩模板通过构图工艺在基板的显示区域形成栅电极和栅线图形，在基板的***区域形成测试线图形，测试线的线宽为10μm～50μm。该过程中还可以同时形成公共电极线图形。然后利用化学汽相沉积方法在整个基板上连续淀积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，栅绝缘层薄膜材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或铝的氧化物等，用有源层掩模板通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成有源层图形。接下来利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上淀积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用源漏极掩模板通过构图工艺在显示区域形成源电极、漏电极和数据线图形，并在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形。接下来，利用化学汽相沉积方法在整个基板上沉积一层钝化层薄膜，钝化层薄膜的材料通常是氮化硅，用钝化层掩模板通过构图工艺在显示区域的漏电极位置形成钝化层过孔。最后，利用磁控溅射或热蒸发方法， 在基板上淀积一层像素电极层薄膜，像素电极层薄膜的材料通常为氧化铟锡等，用像素电极掩模板通过构图工艺在显示区域形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，在***区域形成导电连接层图形，且导电连接层的一端与测试线交叠，导电连接层的另一端与栅线或数据线交叠。本实施例中，显示区域形成的阵列结构与现有技术阵列结构相同，***区域的测试线形成在基板上，与栅线同层，导电连接层形成在钝化层上，与像素电极同层，因此测试线与导电连接层之间有作为绝缘层的栅绝缘层和钝化层。 

图9为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法第二实施例的流程图，具体包括： 

步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极和栅线图形； 

步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体层图形； 

步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，在***区域形成测试线图形； 

步骤24、在完成步骤23的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔； 

步骤25、在完成步骤24的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区域形成像素电极图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，在***区域形成导电连接层图形，所述导电连接层的一端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。 

具体地，首先利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上制备一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用栅极掩模板通过构图工艺在基板的显示区域形成栅电极和栅线图形。 该过程中还可以同时形成公共电极线图形。然后利用化学汽相沉积方法在整个基板上连续淀积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，栅绝缘层薄膜材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或铝的氧化物等，用有源层掩模板通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成有源层图形。接下来利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上淀积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用源漏极掩模板通过构图工艺在显示区域形成源电极、漏电极和数据线图形，并在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形，在基板的***区域形成测试线图形，测试线的线宽为10μm～50μm。接下来，利用化学汽相沉积方法在整个基板上沉积一层钝化层薄膜，钝化层薄膜的材料通常是氮化硅，用钝化层掩模板通过构图工艺在显示区域的漏电极位置形成钝化层过孔。最后，利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上淀积一层像素电极层薄膜，像素电极层薄膜的材料通常为氧化铟锡等，用像素电极掩模板通过构图工艺在显示区域形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，在***区域形成导电连接层图形，且导电连接层的一端与测试线交叠，导电连接层的另一端与栅线或数据线交叠。本实施例中，显示区域形成的阵列结构与现有技术阵列结构相同，***区域形成的测试线形成在栅绝缘层上，与数据线同层，导电连接层形成在钝化层上，与像素电极同层，因此测试线与导电连接层之间只有作为绝缘层的钝化层。 

图10为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法的流程图，用于测试图1～图6所示本发明TFT-LCD阵列基板中的信号线，具体包括： 

步骤100、通过激光焊接方式，在结合点位置将待测信号线与测试线连接； 

步骤110、通过测试线对所述待测信号线进行测试。 

具体地，首先在待测信号线与导电连接层的交叠处进行激光点击，使待测信号线与导电连接层连接，在测试线与导电连接层的交叠处进行激光点击，使测试线与导电连接层连接，因此建立起待测信号线与测试线之间的连接； 之后通过测试线对待测信号线上的信号进行测试。本发明上述技术方案中，待测信号线为栅线、数据线或公共电极线。 

本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法利用阵列基板上预先制备的测试线和结合点，在需要测试时，采用激光焊接方法建立待测测试线与信号线之间的连接实现了待测对液晶面板各信号线上的信号(如RC延迟等)进行测试，增强了液晶面板的测试分析途径，提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。 

图11为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第一实施例的示意图。如图11所示，TFT-LCD阵列基板上的显示区域内形成有数条栅线3和数据线4，数条栅线3和数据线4分别与TFT-LCD阵列基板外侧的驱动电路板10连接，用于正常工作，其结构形式与现有技术结构形式相同。TFT-LCD阵列基板上位于显示区域右侧的***区域形成有栅测试线601和位于栅线3端部与栅测试线601之间的栅结合点701，栅测试线601的一端与其中一个驱动电路板10上设置的测试点连接，实现栅线上信号的测量。实际上使用中，栅测试线601可以通过阵列基板上的PAD区和COF与驱动电路板10连接。 

在测量时，可以首先将第N行栅线3(图11中最下部的栅线)端部的栅结合点701通过激光焊接方式使第N行栅线3与栅测试线601连接，因此第N行栅线3上的信号就可以通过栅测试线601送到驱动电路板10上，通过数据采集、处理和分析即可获得第N行栅线3的工作情况。之后，可以在第N-1行栅线和第N行栅线之间的位置采用激光方式切断栅测试线601，所形成的断开点603断开了第N行栅线与栅测试线之间连接，再将第N-1行栅线端部的栅结合点通过激光焊接方式使第N-1行栅线与栅测试线连接，因此第N-1行栅线上的信号就可以通过栅测试线送到驱动电路板上，实现第N-1行栅线上信号的测试。依次类推，即可以完成全部栅线上信号的测试。 

本实施例中，显示区域内还可以形成数条公共电极线5，栅测试线与公共电极线端部之间也可以设置结合点，采用上述方法实现公共电极线上信号的测量。 

图12为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第二实施例的示意图。如图12所示，TFT-LCD阵列基板上的显示区域内形成有数条栅线3和数据线4，数条栅线3和数据线4分别与TFT-LCD阵列基板外侧的驱动电路板10连接，用于正常工作，其结构形式与现有技术结构形式相同。TFT-LCD阵列基板上位于显示区域下部的***区域形成有数据测试线602和位于数据线4端部与数据测试线602之间的数据结合点702，数据测试线602的一端与其中一个驱动电路板10上设置的测试点连接，实现数据线上信号的测量。实际使用中，数据测试线602可以通过阵列基板上的PAD区和COF与任意一个驱动电路板10连接，例如，数据测试线602可以直接与左侧的驱动电路板10连接，也可以通过阵列基板的右侧与驱动电路板10连接，本实施例中只示意了后者。 

在测量时，可以首先将第1列数据线4(图12中最左侧的数据线)端部的数据结合点702通过激光焊接方式使第1列数据线4与数据测试线602连接，因此第1列数据线4上的信号就可以通过数据测试线602送到驱动电路板10上，通过数据采集、处理和分析即可获得第1列数据线4的工作情况。之后，可以在第1列数据线和第2列数据线之间的位置采用激光方式切断数据测试线602，所形成的断开点603断开了第1列数据线与数据测试线之间连接，再将第2列数据线端部的数据结合点通过激光焊接方式使第2列数据线与数据测试线连接，因此第2列数据线上的信号就可以通过数据测试线送到驱动电路板上，实现第2列数据线上信号的测试。依次类推，即可以完成全部数据线上信号的测试。 

图13为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第三实施例的示意图。如图13所示，本实施例是本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第一实施例和第二实施例的结合，TFT-LCD阵列基板上的***区域形成有栅测试线601、栅结合点701、数据测试线602和数据结合点702，既可以实现单独一条栅线、数据线或公共电极线上信号的测试，也可以实现全部栅线、数据线或公共电极线上信号的测试，还可以实现栅线、数据线和公共电极线上信号任意组合的测 试，最大限度地提高了TFT-LCD性能的综合分析能力。 

图14为本发明TFT-LCD阵列基板的测试方法第四实施例的示意图。如图14所示，TFT-LCD阵列基板上的显示区域内形成有数条栅线3和数据线4，数条栅线3和数据线4分别与TFT-LCD阵列基板外侧的驱动电路板10连接，用于正常工作，其结构形式与现有技术结构形式相同。TFT-LCD阵列基板上位于显示区域上部的***区域形成有数据测试线602和位于数据线4与数据测试线602之间的数据结合点702，数据测试线602的一端与其中一个驱动电路板10上的测试点连接，实现栅线、公共电极线或数据线上信号的测量。 

与前述实施例不同的是，本实施例仅通过一条测试线就可以完成栅线、公共电极线或数据线上信号的测量。由于本实施例数据结合点702位于数据线4与数据测试线602之间，因此测量数据线上信号已经在前述实施例中说明，不再赘述。下面以测量第2行栅线上信号的测试过程进一步说明本实施例的技术方案。 

在测量时，首先将第N列数据线4(图14中最右侧的数据线)位置的数据结合点通过激光焊接方式形成第一连接点703，使第N列数据线4与数据测试线602连接；之后，采用激光方式切断位于第一连接点703之上的第N列数据线4，所形成的第一断开点604断开了第N列数据线4与驱动电路板10之间连接；之后，在第2行栅线与第N列数据线的交叉处采用激光焊接方式形成第二连接点704，使位于第一连接点703以下的第N列数据线4与第2行栅线3连接；最后，采用激光方式切断位于第二连接点704之下的第N列数据线4，所形成的第二断开点605断开了第N列数据线4与其它信号线之间连接。此时第2行栅线3上的信号通过第二连接点704、第二连接点704与第一连接点703之间的第N列数据线4、第一连接点703和数据测试线602送入驱动电路板10，实现第2行栅线上信号的测量。 

显然，对于只设置栅测试线情况，也可以采用上述方法实现任意数据线上信号的测量。从本实施例的技术方案可以看出，本发明TFT-LCD阵列基板 的测试方法具有广泛的适用性，可以根据阵列基板的实际情况在合适的位置设置一条或多条测试线，即使只设置一条测试线，也可以通过合理的操作顺序完成任意一条待测信号线(栅线、数据线或公共电极线)的测试。 

图15为本发明TFT-LCD阵列基板另一结构的结构示意图，如图15所示，本发明TFT-LCD阵列基板上形成有显示区域和***区域，***区域位于显示区域的***，显示区域内形成有数条栅线3和数据线4，***区域形成有测试线6，显示区域内的栅线和数据线分别与TFT-LCD阵列基板外侧的驱动电路板10连接，用于正常工作，其结构形式与现有技术结构形式相同。实际上使用中，设置在***区域的测试线6可以与栅线3同层，也可以与数据线4同层，可以形成在任何一侧、二侧、三侧或四侧，每侧的测试线6可以相互连接，也可以分别独立。本实施例中，测试线6的宽度为10μm～50μm，形成在显示区域的上部，用于实现栅线或数据线上信号的测量。进一步地，显示区域内还可以形成有公共电极线5，在测试时公共电极线5与测试线6连接，实现公共电极线上信号的测量。 

图16为本发明TFT-LCD阵列基板的另一测试方法的流程图，用于测试图15所示本发明TFT-LCD阵列基板中的信号线，具体包括： 

步骤200、通过激光焊接方式，将待测信号线与测试线连接； 

步骤210、通过测试线对所述待测信号线进行测试。 

将待测信号线与测试线连接可以是将测试线直接与第一待测信号线连接，也可以是将测试线通过第一待测信号线与第二待测信号线连接，其中，第一待测信号线与测试线垂直，第二待测信号线与测试线平行。 

当待测信号线与测试线垂直设置时，本发明的技术方案可以首先在待测信号线与测试线的交叠处进行激光点击，使待测信号线与测试线连接，建立起待测信号线与测试线之间的连接；之后通过测试线对待测信号线上的信号进行测试，该过程与前述实施例的测试过程相似。本发明上述技术方案中，待测信号线为栅线、数据线或公共电极线。 

当待测信号线与测试线平行设置时，则需要借助与测试线垂直设置的另一条信号线实现待测信号线的测量。下面以测试线与栅线平行时测量第2行栅线上信号的测试过程进一步说明本实施例的技术方案。 

如图15所示，在测量时，首先将第N列数据线4(图15中最右侧的数据线)与测试线6的交叠处进行激光点击，通过激光焊接方式形成第一连接点703，使第N列数据线4与测试线6连接；之后，采用激光方式切断位于第一连接点703之上的第N列数据线4，所形成的第一断开点604断开了第N列数据线4与驱动电路板10之间连接；之后，在第2行栅线与第N列数据线的交叉处采用激光焊接方式形成第二连接点704，使位于第一连接点703以下的第N列数据线4与第2行栅线3连接；最后，采用激光方式切断位于第二连接点704之下的第N列数据线4，所形成的第二断开点605断开了第N列数据线4与其它信号线之间连接。此时第2行栅线3上的信号通过第二连接点704、第二连接点704与第一连接点703之间的第N列数据线4、第一连接点703和测试线6送入驱动电路板10，实现第2行栅线上信号的测量。 

显然，当测试线与数据线平行时，也可以采用上述方法测量数据线上的信号。通过激光焊接方式将栅线或公共电极线与测试线连接形成第一连接点；将第一连接点与驱动电路板之间的栅线或公共电极线切断；通过激光焊接方式将栅线或公共电极线与数据线连接形成第二连接点，最后将第二连接点以外的栅线或公共电极线切断。因此本实施例上述技术方案既可以实现测试线与栅线、数据线或公共电极线的直接连接，也可以实现测试线通过数据线与栅线连接、测试线通过数据线与公共电极线连接、测试线通过栅线与数据线连接或测试线通过公共电极线与数据线连接。 

图17、图18为本发明TFT-LCD阵列基板再一结构的结构示意图，如图17、图18所示，本发明TFT-LCD阵列基板上形成有显示区域和***区域，***区域位于显示区域的***，显示区域内形成有数条栅线3和数据线4，***区域形成有测试线6。显示区域内的栅线和数据线分别与TFT-LCD阵列基 板外侧的驱动电路板10连接，用于正常工作，其结构形式与现有技术结构形式相同。实际上使用中，设置在***区域的测试线6可以与栅线3同层，且与其中一条栅线连接，如图17所示；测试线6也可以与数据线4同层，且与其中一条数据线连接，如图18所示。本实施例中，测试线6的宽度为10μm～50μm。此外，显示区域内还可以设置公共电极线，测试线6还可以与公共电极5同层，且与其中一条公共电极线连接。 

与前述实施例不同的是，本实施例在阵列基板上预先制备的测试线与一条栅线、公共电极线或数据线连接，在需要测试时可以直接测量相应信号线上的信号，具有结构简单等优点。 

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。 

Claims (11)

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域***的***区域，所述显示区域内设置有栅线和数据线，其特征在于，所述***区域内设置有测试线，以及在测试时将所述测试线与栅线连接和/或将所述测试线与数据线连接的结合点，所述结合点包括沉积在绝缘层上的导电连接层，所述导电连接层与像素电极同层，所述导电连接层的一端与位于所述绝缘层下的测试线交叠，所述导电连接层的另一端与位于所述绝缘层下的栅线或数据线交叠。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述结合点分别设置在所述栅线和/或数据线的端部。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述测试线与栅线同层，所述导电连接层与像素电极同层。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述测试线与数据线同层，所述导电连接层与像素电极同层。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述显示区域内还设置有公共电极线，所述***区域内还设置有在测试时将所述测试线与公共电极线连接的结合点。

6.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述测试线的宽度为10μm～50μm。

7.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括：

步骤1、在基板上的显示区域形成栅线、数据线和薄膜晶体管图形，在基板上的***区域形成测试线图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区域形成像素电极图形，在***区域形成导电连接层图形，所述导电连接层与像素电极同层，所述导电连接层的一端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极和栅线图形，在***区域形成测试线图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体层图形；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形；

步骤14、在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔。

9.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极和栅线图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体层图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，在***区域形成测试线图形；

步骤24、在完成步骤23的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔。

10.一种TFT-LCD阵列基板的测试方法，包括：

步骤200、通过激光焊接方式，将待测信号线与测试线连接；

步骤210、通过测试线对所述待测信号线进行测试；

所述步骤200具体包括：通过激光焊接方式，将测试线与第一待测信号线连接形成第一连接点；将第一连接点与驱动电路板之间的第一待测信号线切断；通过激光焊接方式，将第一待测信号线与第二待测信号线连接，所述第一待测信号线与所述测试线垂直，所述第二待测信号线与所述测试线平行。

11.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板的测试方法，其特征在于，所述第一待测信号线为数据线，所述第二待测信号线为栅线；或所述第一待测信号线为栅线，所述第二待测信号线为数据线；或所述第一待测信号线为数据线，所述第二待测信号线为公共电极线；或所述第一待测信号线为公共电极线，所述第二待测信号线为数据线。

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