CN101555162A - Al4SiC4陶瓷的热处理方法 - Google Patents
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Abstract
Al4SiC4陶瓷的热处理方法，它涉及一种增强陶瓷力学性能的方法，具体涉及一种热处理陶瓷的方法。本发明解决了现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题。本发明方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度的涨幅为25.7％～80％。
Description
技术领域
本发明涉及一种增强陶瓷力学性能的方法，具体涉及一种热处理陶瓷的方法。
背景技术
在高温结构材料应用领域，高性能陶瓷具有金属和金属间化合物无法比拟的优异特性如低密度、耐高温、耐磨损、耐腐蚀和优良的高温强度、高温抗氧化性等性能，可用来制造运载工具发动机重要耐高温部件。Al4SiC4陶瓷是作为高温结构候选材料的理由在于它具有低密度(理论密度3.03g/cm3)、高熔点(2080℃)和良好的室温力学性能，但是Al4SiC4陶瓷室温下的弯曲强度不到300MPa。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了解决现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题，提供了一种Al4SiC4陶瓷的热处理方法。
本发明Al4SiC4陶瓷的热处理方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。
采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷表面生成了Al2O3相、硅线石(Al2SiO5)或莫来石，氧化铝在室温的弯曲强度值为300～420MPa，硅线石硬度很高，洛氏硬度为6.5～7.5，这些铝硅酸盐玻璃高温下具有流动性，可以填充陶瓷表面的缺陷(如裂纹、孔洞)，使得表面缺陷钝化不易扩展破坏，从而增加Al4SiC4陶瓷的力学性能。并且热处理后Al4SiC4陶瓷的表面相变产生新相导致体积膨胀而产生压应力，这种压应力可以抑制裂纹的扩展，对Al4SiC4陶瓷力学性能的提高有积极作用。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度为346MPa～491.7MPa，弯曲强度的涨幅为25.7％～80％。
附图说明
图1是具体实施方式一中经过热处理的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度对比图，■代表未经热处理的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度曲线，●代表Al4SiC4陶瓷经过900℃热处理后在室温下的弯曲强度曲线，▲代表Al4SiC4陶瓷经过1000℃热处理后在室温下的弯曲强度曲线，
代表Al4SiC4陶瓷经过1200℃热处理后在室温下的弯曲强度曲线，◆代表Al4SiC4陶瓷经过1400℃热处理后在室温下的弯曲强度曲线。图2是具体实施方式一中在不同热处理温度下，保温10小时后Al4SiC4陶瓷表面物相分析图，▲代表Al4SiC4，
代表Al2SiO5，□代表Al2O3，●代表MULLITE(莫来石相)，(a)代表经过热处理的Al4SiC4陶瓷表面物相分析曲线，(b)代表经过900℃热处理的Al4SiC4陶瓷表面物相分析曲线，(c)代表代表经过1000℃热处理的Al4SiC4陶瓷表面物相分析曲线，(d)代表代表经过1200℃热处理的Al4SiC4陶瓷表面物相分析曲线，(e)代表代表经过1400℃热处理的Al4SiC4陶瓷表面物相分析曲线。图3是具体实施方式二中保温时间为6小时的经过热处理的Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图4是具体实施方式二中保温时间为10小时的经过热处理的Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图5是具体实施方式三中温度为1000℃的条件下保温4小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图6是具体实施方式三中温度为1000℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图7是具体实施方式三中温度为1000℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图8是具体实施方式三中在温度为1000℃的条件下保温2小时所得Al4SiC4陶瓷腐蚀表面SEM形貌图。图9是具体实施方式三中在温度为1000℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷腐蚀表面SEM形貌图。图10是具体实施方式三中在温度为1000℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷近表面TEM图。图11是具体实施方式三图10中的A晶粒衍射斑点图。图12是具体实施方式四中温度为1200℃的条件下保温4小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图13是具体实施方式四中温度为1200℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图14是具体实施方式四中温度为1200℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图。图15是具体实施方式四中温度为1200℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的近表面TEM图。图16是图15中A区衍射斑点图。图17是图15中B区衍射斑点图。图18是具体实施方式五中表面裂纹宽度为1～2μm的Al4SiC4陶瓷。图19是具体实施方式五中1200℃保温时间为5min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图。图20是具体实施方式五中1200℃保温时间为20min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图。图21是具体实施方式五中1200℃保温时间为60min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图。图22是体实施方式六中Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理2小时后表面SEM形貌图。图23是体实施方式六中Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理4小时后表面SEM形貌图。图24是体实施方式六中Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理8小时后表面SEM形貌图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式中Al4SiC4陶瓷的热处理方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。
本实施方式中研磨抛光Al4SiC4陶瓷的方法如下：将Al4SiC4陶瓷依次用1000～2000号水砂纸研磨抛光Al4SiC4陶瓷表面，至Al4SiC4陶瓷在金相显微镜下观察不到定向的划痕时，再用1-7号的金相砂纸按照型号由小至大的顺序抛光Al4SiC4陶瓷表面，直到在金相显微镜下观察Al4SiC4陶瓷表面无划痕。
本实施方式所用的Al4SiC4陶瓷的制备方法如下：
一、将铝粉和石墨粉按照0.5～2.5∶1的质量比混合得到混合粉料，加入纯乙醇，其中混合粉料的质量与纯乙醇的体积比为1g∶20ml，然后再加入大小不同的氧化铝磨球，其中混合粉料与氧化铝磨球的质量比为1∶10，在球磨机上球磨湿混48小时，然后烘干，得到混合粉；二、称取与步骤一中铝粉质量比为1∶(1.2-2)的聚碳硅烷，然后将聚碳硅烷与四氢呋喃按照10g/(120-180)ml比例混合得到混合液，将步骤一得到的混合粉溶于混合液中，在磁力搅拌器或机械搅拌器上混合搅拌10～50分钟，再将磁力搅拌器或机械搅拌器升温至80℃，继续搅拌至四氢呋喃(四氢呋喃沸点为66℃)挥发完全，然后在80℃干燥箱中继续除去浆料中的溶剂，干燥24小时得到块状粉料；三、将块状粉料在压力为10MPa、保压10s的条件下采用
的钢模冷压成型制成坯体，再将坯体放入炉中，在氩气中以10℃/min的升温速度升温至1100℃进行预煅烧，预煅烧保温时间为0.5小时，得到煅烧后的粉末；四、将煅烧后的粉末装入玛瑙罐中，加入大小不等的玛瑙球，煅烧后粉末与玛瑙球质量比为1∶10，然后在行星式球磨机上球墨混合20小时；五、将混合后的粉末装入内径为φ55mm的石墨模具，然后将石墨模具放入AVS真空压力烧结炉中在烧结温度为1800℃、升温速度为15℃/min、烧结气氛为氩气、烧结压力为25MPa、保温为60min的条件下进行烧结，即得到Al4SiC4陶瓷；步骤三中预煅烧设备为洛阳耐火材料研究院生产的真空/可控气氛烧结炉；步骤五中为了防止粉末与模具在烧结过程中发生反应，装料前在模具内壁涂一层BN涂料，粉末与上下石墨垫片之间用石墨纸隔开，步骤五中所用的热压烧结设备为美国AVS真空压力烧结炉。
图1是本实施方式中经过热处理的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度对比图，由图1可知未经过热处理Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度为297.1MPa，由图1看出经过热处理后Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度明显增大。
图2是在不同热处理温度下，保温10小时后Al4SiC4陶瓷表面物相分析图，由图2可知Al4SiC4陶瓷经热处理后，Al4SiC4陶瓷的表面检测到硅线石相(Al2SiO5)、Al2O3及莫来石相。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为900℃的条件下保温2小时～10小时。其它与具体实施方式一相同。
Al4SiC4陶瓷在温度为900℃的条件下，经过不同保温时间热处理后在室温的弯曲强度如表1。
表1
由表1可知：在900℃不同保温时间的条件下，Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度，相比于未处理前(未经过热处理Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度为297.1MPa)均有增高，在保温时间为6小时的条件下，经过热处理的Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度达到471.8MPa，室温弯曲强度涨幅为58.8％，并且保温时间超过6小时时，室温弯曲强度随保温时间的增加而减小。
由图2可知Al4SiC4陶瓷经900℃热处理后，Al4SiC4陶瓷的表面检测到硅线石相(Al2SiO5)，硅线石的硬度非常高，洛氏硬度为6.5～7.5。
由图3(保温时间为6小时的经过热处理的Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)看出有少量的玻璃相生成(亮度高的区域)，同时观察到经过热处理的Al4SiC4陶瓷表面有孔洞的周围比较圆滑，说明Al4SiC4陶瓷表面的缺陷有愈合的趋势(如图3中A、B所示)。图4是保温时间为10小时的经过热处理的Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图，由图4看出经过热处理后Al4SiC4陶瓷的表面有大量玻璃相生成，由图3、图4可知保温时间越长玻璃相越多，这些铝硅酸盐玻璃高温下具有流动性，可以填充陶瓷表面的缺陷(如裂纹、孔洞)，使得表面缺陷钝化不易扩展破坏，从而增加Al4SiC4陶瓷的力学性能。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1000℃的条件下保温2小时～10小时。其它与具体实施方式一相同。
Al4SiC4陶瓷在温度为1000℃的条件下，经过不同保温时间热处理后在室温的弯曲强度如表2。
表2
由表2可知：在1000℃不同保温时间的条件下，Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度，相比于未处理前(未经过热处理Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度为297.1MPa)均有增高，在保温时间为6小时的条件下，经过热处理的Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度达到491.7MPa，室温弯曲强度涨幅为65.5％，并且保温时间超过6小时时，室温弯曲强度随保温时间的增加而减小。
由图5(温度为1000℃的条件下保温4小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)、图6(温度为1000℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)和图7(温度为1000℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)可以看出经过热处理后Al4SiC4陶瓷的表面有大量的玻璃相存在，且随着保温时间的增加，玻璃相的含量也在增加，Al4SiC4陶瓷的表面玻璃相体积也在增加。这种铝硅酸盐玻璃相在高温下具有流动性，可以有效的填充Al4SiC4陶瓷表面的缺陷(如裂纹，气孔，孔洞等)，继而增加Al4SiC4陶瓷的弯曲强度和高温稳定性。
本实施方式中将在温度为1000℃的条件下保温2小时所得Al4SiC4陶瓷和在温度为1000℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷分别用氢氟酸(HF)除去表面的玻璃相，得到晶体相，由图8(在温度为1000℃的条件下保温2小时所得Al4SiC4陶瓷腐蚀表面SEM形貌图)和图9(在温度为1000℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷腐蚀表面SEM形貌图)可知当保温时间为2小时时，Al4SiC4陶瓷表面生成了大量的尺寸在50nm左右的小晶体，当保温时间为8小时，该晶体尺寸变为直径为100nm、长度在1μm左右的棒状晶体。
图10是在温度为1000℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷近表面TEM图，由图10看出在基体Al4SiC4陶瓷内长出粒径约为150nm的晶粒(图10中的A部分)和粒径为几十纳米的晶粒(图10中的箭头所示)，通过图11(图10中的A晶粒衍射斑点图)和图2可知，图10中的A晶粒为θ-Al2O3相，另一种晶粒为硅线石(Al2SiO5)，氧化铝在室温的弯曲强度值为300～420MPa，硅线石硬度很高，洛氏硬度为6.5～7.5，因此这两种晶相的形成对裂纹的扩展有阻碍的作用，对提高室温弯曲强度有积极作用。
不同温度热处理Al4SiC4陶瓷后的表面残余应力值如表3，
表3
(注：热处理的保温时间均为4小时，+号为拉应力，-号为压应力)
如上表3所示，Al4SiC4陶瓷在1000℃下，保温4小时后，在Al4SiC4陶瓷表面产生523.69MPa的压应力。Al4SiC4的摩尔体积为60.73cm3/mol，转化的相Al2O3的摩尔体积为26.1 5cm3/mol和玻璃相SiO2的摩尔体积为25.90cm3/mol，硅线石的摩尔体积为50.62cm3/mol。所以当Al4SiC4陶瓷在高温热处理过程中表面生成新相后产生体积膨胀，故Al4SiC4陶瓷表面产生压应力，这种应力可以抑制裂纹的扩展，从而增强Al4SiC4陶瓷力学性能和使用可靠性。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1200℃的条件下保温2小时～10小时。其它与具体实施方式一相同。
经1200℃不同保温时间热处理后Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度如表4：
表4
由表4可知：经过1200℃不同保温时间的热处理条件下，Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度，相较于未处理前，均有所增高。1200℃、保温4小时后Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度达到此温度下所有试验点的最大值，即373.3MPa，室温弯曲强度涨幅为25.7％，当保温时间超过4小时时，室温弯曲强度随保温时间的增加而减小。
由图12(温度为1200℃的条件下保温4小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)、图13(温度为1200℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)和图14(温度为1200℃的条件下保温8小时所得Al4SiC4陶瓷的SEM形貌图)看出照片中生成大量直径几百纳米、长度为1-2μm的针状组织，玻璃相含量比较少，并且图13中1200℃保温6小时的条件下比图12中的针状组织更为密集，1200℃保温8小时Al4SiC4陶瓷的表面有明显的片状的组织生成，图15是温度为1200℃的条件下保温6小时所得Al4SiC4陶瓷的近表面TEM图，图16是图15中A区衍射斑点图，图17是图15中B区衍射斑点图，由图16和图17可知图15中A区为硅线石(Al2SiO5)，B区为θ-Al2O3，并且由图2可知图14中1200℃保温8小时Al4SiC4陶瓷的表面的片状的组织为莫来石相。
由具体实施方式三中的表3可知经过1200℃热处理后，Al4SiC4陶瓷的表面产生572.28MPa的压应力，Al4SiC4陶瓷表面相变产生新相导致体积膨胀而产生压应力，这种压应力可以抑制裂纹的扩展，对力学性能的提高有积极作用。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一不同的是对Al4SiC4陶瓷表面预制宽度为1-2μm的裂纹，然后在1200℃下热处理Al4SiC4陶瓷。其它与具体实施方式一相同。
由图18(表面裂纹宽度为1-2μm的Al4SiC4陶瓷)、图19(1200℃保温时间为5min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图)、图20(1200℃保温时间为20min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图)和图21(1200℃保温时间为60min的Al4SiC4陶瓷表面形貌图)可知，随着保温时间的增长，裂纹内部开始钝化，当保温时间为1个小时时，裂纹基本愈合了。由此可以看出热处理能够修复Al4SiC4陶瓷表面的裂纹，这种裂纹修复能力可以提高Al4SiC4陶瓷的力学性能以及Al4SiC4陶瓷的使用稳定性。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1400℃的条件下保温2小时～10小时。其它与具体实施方式一相同。
经1400℃不同保温时间热处理后Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度如表5：
表5
由表5可知：经过1400℃不同保温时间的热处理条件下，Al4SiC4陶瓷室温弯曲强度，相较于未处理前，均有所增高。1400℃、保温2小时下Al4SiC4陶瓷的室温弯曲强度达到此温度下所有试验点的最大值，即384.3MPa，室温弯曲强度涨幅为29.35％。
由图22(Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理2小时后表面SEM形貌图)、图23(Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理4小时后表面SEM形貌图)和图24(Al4SiC4陶瓷经1400℃热处理8小时后表面SEM形貌图)看出Al4SiC4陶瓷表面出现小片状的组织，表面组织比较疏松，随着保温时间的延长Al4SiC4陶瓷表面晶体有长大的趋势，并且Al4SiC4陶瓷表面也变得更加不致密，由于高温长时间处理，使得Al4SiC4陶瓷表面新生的玻璃相充分的析晶长大，表面没有充足的玻璃相时，新生相可以增强Al4SiC4陶瓷室温力学性能。由图2的XRD分析表明1400℃保温10小时的热处理条件下表面物相组成为莫来石和氧化铝。
具体实施方式三中的如表3所示：经过1400℃热处理后，Al4SiC4陶瓷表面产生435.64MPa的压应力，这是由于热处理过程中Al4SiC4陶瓷表面发生相变生成新相产生体积膨胀而产生压应力，这种压应力可以抑制裂纹的扩展，对力学性能的提高有积极作用。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为610～1590℃的条件下保温15分钟～19.9小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为620～1580℃的条件下保温20分钟～19.8小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为630～1570℃的条件下保温25分钟～19.8小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为640～1560℃的条件下保温30分钟～19.7小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为650～1550℃的条件下保温35分钟～19.6小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为660～1540℃的条件下保温40分钟～19.6小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为670～1530℃的条件下保温45分钟～19.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为680～1520℃的条件下保温50分钟～19.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十五：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为690～1510℃的条件下保温55分钟～19.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十六：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为700～1500℃的条件下保温1小时～19.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十七：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为710～1490℃的条件下保温1.1小时～19.3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十八：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为720～1480℃的条件下保温1.2小时～19.2小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式十九：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为730～1470℃的条件下保温1.3小时～19.1小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为740～1460℃的条件下保温1.4小时～19小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十一：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为750～1450℃的条件下保温1.5小时～18.1小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为760～1440℃的条件下保温1.6小时～18.2小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1430℃的条件下保温1.7小时～18.3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1420℃的条件下保温1.8小时～18.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十五：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为770～1410℃的条件下保温1.9小时～18.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十六：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为780～1395℃的条件下保温2小时～18.6小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十七：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为790～1390℃的条件下保温2.1小时～18.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十八：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为800～1380℃的条件下保温2.2小时～18.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式二十九：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为810～1370℃的条件下保温2.3小时～18.3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为820～1360℃的条件下保温2.4小时～18.2小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十一：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为830～1350℃的条件下保温2.5小时～18.1小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为840～1340℃的条件下保温2.6小时～18小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为850～1330℃的条件下保温2.7小时～17.9小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为860～1320℃的条件下保温2.8小时～17.8小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十五：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为870～1310℃的条件下保温2.9小时～17.7小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十六：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为880～1300℃的条件下保温3小时～17.6小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十七：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为890～1290℃的条件下保温3.1小时～17.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十八：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为900～1280℃的条件下保温3.2小时～17.4小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三十九：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为910～1270℃的条件下保温3.3小时～17.3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为920～1260℃的条件下保温3.4小时～17.2小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十一：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为930～1250℃的条件下保温3.5小时～17.1小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为940～1240℃的条件下保温3.6小时～16.9小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为950～1230℃的条件下保温3.8小时～16.8小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为960～1220℃的条件下保温4小时～16.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十五：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为970～1210℃的条件下保温4.5小时～16小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十六：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为980～1195℃的条件下保温5小时～15.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十七：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为990～1190℃的条件下保温5.5小时～15.3小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十八：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为995～1180℃的条件下保温5.8小时～15小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四十九：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1005～1170℃的条件下保温6小时～14.8小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1020～1160℃的条件下保温6.5小时～14小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十一：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1025～1150℃的条件下保温7小时～13.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十二：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1030～1140℃的条件下保温7.5小时～13小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十三：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1040～1130℃的条件下保温8小时～12.5小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十四：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1050～1120℃的条件下保温9小时～12小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十五：本实施方式与具体实施方式一不同的是将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为1060～1110℃的条件下保温11小时。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式五十六：本实施方式与具体实施方式一不同的是加热温度为1000℃。其它与具体实施方式一相同。
Claims (10)
1、Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于Al4SiC4陶瓷的热处理方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。
2、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为630～1570℃、保温时间为25分钟～19.8小时。
3、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为750～1450℃、保温时间为1.5小时～18.1小时。
4、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为850～1330℃、保温时间为2.7小时～17.9小时。
5、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为890～1290℃、保温时间为3.1小时～17.5小时。
6、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为900℃、保温时间为2小时～10小时。
7、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1000℃、保温时间为2小时～10小时。
8、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1200℃、保温时间为2小时～10小时。
9、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1400℃、保温时间为2小时～10小时。
10、根据权利要求1所述的Al4SiC4陶瓷的热处理方法，其特征在于加热温度为1000℃。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CNA2009100720232A CN101555162A (zh) | 2009-05-13 | 2009-05-13 | Al4SiC4陶瓷的热处理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101555162A true CN101555162A (zh) | 2009-10-14 |
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ID=41173467
Family Applications (1)
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| CNA2009100720232A Pending CN101555162A (zh) | 2009-05-13 | 2009-05-13 | Al4SiC4陶瓷的热处理方法 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN111018555A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-04-17 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 具有裂纹自愈合特点的连接碳化硅的连接材料及其应用 |
| CN116396078A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-07-07 | 山东理工大学 | 一种高强度高导热先驱体陶瓷及其制备方法和应用 |
-
2009
- 2009-05-13 CN CNA2009100720232A patent/CN101555162A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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