CN101529674B - 氮化物类半导体激光元件及其制造方法 - Google Patents

氮化物类半导体激光元件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1-100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。

Description

氮化物类半导体激光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及氮化物类半导体激光元件及其制造方法，特别是涉及在衬底上形成有包括发光层的多个氮化物类半导体层的氮化物类半导体激光元件及其制造方法。 
背景技术
以往，公知有在衬底上形成了氮化物类半导体层的氮化物类半导体激光元件(例如，参照专利文献1)。 
在上述专利文献1中记载了一种氮化物类半导体激光元件，所述氮化物类半导体激光元件在GaN衬底上形成有多个氮化物类半导体层，并在氮化物类半导体层内，形成有在与衬底<1-100>方向平行的方向上延伸的光波导。该氮化物类半导体激光元件在沿衬底的<11-20>方向一次劈开(cleavage)后，沿衬底的<1-100>方向二次劈开，从而形成芯片状。具体来讲，一次劈开如下进行的，即，在元件的光波导的正上方以外的区域，利用金刚石划针来形成在沿衬底的<11-20>方向上延伸的劈开导入槽后，对元件施加应力。由此，以劈开导入槽为起点分割衬底，光波导周边的区域形成平坦的谐振器端面。另外，二次劈开是如下进行的，即，在元件的表面或者背面上，利用金刚石划针(Diamand Stylus)形成在衬底的<1-100>方向上延伸的劈开导入槽后，向元件施加应力。由此，以劈开导入槽为起点分割衬底，形成芯片状的氮化物类半导体激光元件。 
专利文献1：JP特开2003-17791号公报。 
发明内容
发明要解决的课题 
但是，在上述专利文献1记载的氮化物类半导体激光元件中，因为在分割时利用金刚石划针形成了成为起点的劈开导入槽，所以难以加深劈开导入槽的深度。因此，在通过向元件施加应力分割衬底时，需要施加大的应力，在此情况下，会产生难以以劈开导入槽为起点分割元件这样的不良情况。其结果是，由于在劈开导入槽以外的位置分割衬底，从而会产生氮化物类半导体激光元件的发光特性降低的缺陷。
另外，因为在劈开导入槽以外的位置分割了衬底的情况下会产生分割不良，所以同时会产生氮化物类半导体激光元件的制造成品率降低的缺陷。 
本发明为解决上述这样的课题而提出，本发明的一个目的是提供一种能够控制成品率降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。 
本发明的另一目的是提供一种能够控制成品率降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
用于解决课题的手段 
为达到上述目的，本发明第一方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法，包括：在衬底上表面上形成包括发光层的多个氮化物类半导体层的工序；在多个氮化物类半导体层中的至少一个上，形成在规定的方向延伸的电流通路部的工序；通过向氮化物类半导体层的上表面照射激光，在衬底的上表面上形成在与电流通路部垂直相交的方向上延伸的槽部的工序；通过以槽部为起点分割衬底，形成谐振器端面的工序。并且，形成槽部的工序包括在从电流通路部隔开规定的距离的区域形成槽部的端部的工序。 
在该第一方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，如上所述，通过向氮化物类半导体层的上表面照射激光，在衬底的上表面上形成在与电流通路部垂直相交的方向上延伸的槽部，并在从电流通路部隔开规定距离的区域形成槽部的端部，从而，由于未在电流通路部附近的区域形成槽部，所以能够抑制如下情况：在以槽部为起点分割衬底时，在谐振器端面的电流通路部附近区域的下方区域形成因槽部引起的微小的竖筋。即，能够抑制在谐振器端面上的电流通路部下方的光波导周边的区域形成因槽部引起的微小的竖筋的情况。另外，通过向氮化物类半导体层的上表面照射激光，在衬底的上表面上形成在与电流通路部垂直相交的方向上延伸的槽部，从而与使用金刚石划针在衬底的上表面形成槽部的情况相比，能够使槽部形成得较深。因此，在向元件施加应力来分割衬底时，能够减轻向元件施加的应力，所以在使用与劈开方向呈60°的方向也是等价的劈开方向的六方晶系衬底(例如，GaN 衬底等)的情况下，也无需用相对于所希望的分割线倾斜60°的线等分割，就能够沿所希望的分割线直线地分割衬底。 
由此，能够平坦地形成谐振器端面，且能够抑制不良情况的发生，所述不良情况指，由于以相对于所希望的分割线倾斜60°的线等分割衬底，而导致在谐振器端面的光波导周边的区域产生微小的竖筋等。因而，能够将谐振器端面的光波导周边的区域形成为镜面，所以能够提高谐振器端面的反射率。其结果，能够制造出具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。此外，如上所述，通过抑制在谐振器端面的光波导周边的区域形成微小的竖筋，从而同时也能够抑制制造时的成品率降低。 
另外，在第一方面中，如上所述，通过在从电流通路部隔开规定的距离的区域形成槽部的端部，在通过照射激光以形成槽部的情况下，也能够抑制电流通路部周边的区域受到由激光照射造成的热损伤。因此，能够抑制因电流通路部周边的区域受到热损伤而导致发光特性降低的不良情况的产生。另外，通过在衬底的上表面形成槽部，在以槽部为起点分割衬底时，衬底分割后成为电流通路部的端部的部分向相互分离的方向移动，所以与在衬底下表面形成槽部的情况不同，不会产生如下问题：衬底分割后，成为电流通路部的端部的部分彼此碰撞，电流通路部发生变形。因此，能够抑制因衬底分割后的电流通路部的端部变形而导致的发光特性降低的不良情况的发生。 
在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，优选形成槽部的工序包括：将与电流通路部垂直相交的方向上的槽部的长度形成为从槽部的底部向衬底的上表面一侧逐渐变大的工序。若如此地构成，那么因为能够以槽部为起点容易地分割衬底，所以在从电流通路部隔开规定距离的区域形成槽部的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线，容易地直线地分割衬底。由此，因为能够容易地将谐振器端面的光波导周边的区域形成为镜面，所以能够容易地提高谐振器端面的反射率。其结果，能够制造出具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，优选衬底包括氮化物类半导体衬底。若如此地构成，那么因为能够使氮化物类半导体衬底和形成在氮化物类半导体衬底上的包括发光层的多个氮化物类半导体层的晶轴一致，所以能够以同一个容易进行分割的晶轴分割氮化物类半导体衬底和包括发光层的氮化物类半导体层。由此，因为能够沿所希望的分割线更容易地直线分割氮化物类半导体激光元件，所以能够更容易地将谐振器端面的光波导周边的区域形成为镜面。其结果，能够容易地提高谐振器端面的反射率。
在此情况下，优选氮化物类半导体衬底周期性地具有沿电流通路部延伸的高位错密度区域和低位错密度区域；形成电流通路部的工序包括在氮化物类半导体衬底的低位错密度区域上形成电流通路部的工序；形成槽部的工序包括：通过照射激光，以横穿高位错密度区域的方式形成槽部的工序。若如此地构成，那么作为衬底使用周期性地设置有高位错密度区域和低位错密度区域的氮化物类半导体衬底的情况下，也能够容易地沿所希望的分割线直线地分割衬底。即，因为在高位错密度区域与低位错密度区域的界面，结晶不连续，所以难以直线劈开，另一方面，通过以横穿高位错密度区域的方式形成槽部，能够在高位错密度区域与低位错密度区域的界面也形成槽部，所以通过沿槽部分割衬底，在高位错密度区域与低位错密度区域的界面结晶不连续的情况下，也能够容易地直线地劈开(分割)衬底。 
本发明的第二方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法，包括：在衬底上形成包括发光层的多个氮化物类半导体层的工序；在多个氮化物类半导体层中的至少一个上，形成在规定的方向上延伸的电流通路部的工序；形成与电流通路部垂直相交的一对谐振器端面的工序；通过照射激光，在衬底的背面形成与电流通路部平行地延伸的槽部的工序；以槽部为起点分割衬底的工序。并且，形成槽部的工序包括在从谐振器端面隔开规定的距离的区域形成槽部的端部的工序。 
在该第二方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，如上所述，通过照射激光，在衬底的背面形成与电流通路部平行地延伸的槽部，从而与使用金刚石划针在衬底的背面形成槽部的情况相比，能够将槽部形成得较深，所以在通过向元件施加应力来分割衬底时，能够减轻向元件施加的应力。因此，能够以所形成的槽部为基点容易地分割衬底，所以能够沿所希望的分割线容易地分割衬底。由此，能够抑制制造氮化物类半导体激光元件时成品率的降低。 
另外，通过照射激光，在衬底的背面且从谐振器端面隔开规定距离的区 域形成槽部的端部，从而与通过照射激光形成直至谐振器端面的槽部的情况不同，能够防止向谐振器端面照射激光。因此，能够抑制衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤。即，因为在向谐振器端面照射激光的情况下，与向衬底的背面照射激光的情况相比，激光的照射面积变大，所以衬底的谐振器端面附近区域受到过量的热损伤。因此，因为能够防止向谐振器端面照射激光，所以能够抑制衬底的谐振器端面附近区域受到过量的热损伤。由此，在以槽部为起点分割衬底时，能够抑制在衬底的谐振器端面附近的区域产生碎片。因而，由于能够抑制因碎片飞散而损伤谐振器端面的不良情况的发生，所以能够保持谐振器端面的光波导周边的区域为镜面。其结果，由于能够抑制谐振器端面的反射率的降低，所以能够制造出具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
另外，在第二方面中，如上所述，通过照射激光，在衬底的背面且从谐振器端面隔开规定距离的区域形成槽部的端部，从而能够抑制衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤。因此，能够抑制如下不良情况的发生，即，因衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤，而导致在衬底的谐振器端面附近的区域产生形成槽部时生成的碎屑和碎片等垃圾。因此，由于能够抑制形成槽部时生成的碎屑和碎片等垃圾等贴附在谐振器端面上，所以能够抑制因垃圾的贴附而导致谐振器端面受到损伤的不良情况的发生。由此，能够保持谐振器端面光波导周边的区域为镜面，所以能够抑制谐振器端面的反射率的降低。其结果，由此也能够获得良好的发光特性。 
另外，在第二方面中，在从谐振器端面隔开规定的距离的区域形成槽部的端部，从而能够停止在槽部的端部的位置照射激光，所以，能够防止贴附在元件下表面(与形成槽部的面相反一侧的面)上的、用于固定元件的粘合片材等受到激光照射。因此，能够防止片材等因被激光照射而导致片材等燃烧，所以能够防止因片材等燃烧而产生垃圾等。由此，能够抑制因片材等燃烧而产生的垃圾等贴附在谐振器端面上，所以能够抑制因垃圾等贴附在谐振器端面上而导致谐振器端面受到损伤的不良情况的发生。其结果，由于能够保持谐振器端面的光波导周边的区域为镜面，所以由此也能够抑制谐振器端面的反射率的降低。 
在上述第二方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，优选形成槽部的工序包括工序：将与电流通路部平行的方向上的槽部的长度形成为从槽部的底部向衬底的背面侧逐渐变大的工序。若如此地构成，那么，能够以槽部为起点更容易地分割衬底，所以在从谐振器端面隔开规定的距离的区域形成槽部的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线容易地分割衬底，并能够容易地抑制在分割后的边缘部产生碎片。由此，能够容易地抑制制造时成品率的降低，并能够更容易地制造出具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。
在上述第二方面的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，优选衬底包括氮化物类半导体衬底。若如此地构成，那么，因为能够使氮化物类半导体衬底和形成在氮化物类半导体衬底上的包括发光层的多个氮化物类半导体层的晶轴一致，所以能够以同一个容易进行分割的晶轴分割氮化物类半导体衬底和包括发光层的氮化物类半导体层。由此，能够沿所希望的分割线容易地分割氮化物类半导体激光元件，并能够更容易地抑制在分割后的边缘部产生碎片。 
本发明的第三方面的氮化物类半导体激光元件具有：多个氮化物类半导体层，形成在衬底上并包括发光层；电流通路部，形成在多个氮化物类半导体层中的至少一个上，并在规定的方向上延伸；一对谐振器端面，与电流通路部垂直相交；衬底分割用缺口部，通过激光照射，形成在衬底上表面上的谐振器端面附近的至少一部分上。并且，衬底分割用缺口部的端部形成在从电流通路部隔开规定的距离的区域上。 
在该第三方面的氮化物类半导体激光元件中，如上所述，通过照射激光，在衬底的上表面上的谐振器端面附近的至少一部分上形成衬底分割用缺口部，并在从电流通路部隔开规定距离的区域形成衬底分割用缺口部的端部，从而，由于在电流通路部附近的区域未形成衬底分割用缺口部，所以能够抑制在分割衬底时，在谐振器端面的电流通路部附近区域的下方区域形成因衬底分割用缺口部引起的微小的竖筋。即，能够抑制在谐振器端面上的电流通路部下方的光波导周边的区域形成因衬底分割用缺口部引起的微小的竖筋。另外，通过照射激光，在衬底的上表面上的谐振器端面附近的至少一部分上形成衬底分割用缺口部，从而与使用金刚石划针在衬底的上表面形成衬底分割用缺口部的情况相比，能够将衬底分割用缺口部形成得较深，所以，在通 过向元件施加应力来分割衬底时，能够减轻向元件施加的应力。 
因此，在使用GaN衬底等的六方晶系衬底的情况下，也无需以相对于所希望的分割线倾斜60°的线等进行分割，就能够沿所希望的分割线直线地分割衬底，所以，能够将谐振器端面形成为平坦，并能够抑制如下不良情况的发生，即，因以相对于所希望的分割线倾斜60°的线等分割衬底，而导致在谐振器端面的光波导周边的区域形成微小的竖筋等。由此，能够将谐振器端面的光波导周边的区域形成为镜面，所以能够提高谐振器端面的反射率。其结果，能够获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。此外，如上所述，通过抑制在谐振器端面的光波导周边的区域形成微小的竖筋，从而能够同时抑制制造时的成品率的降低。另外，通过在从电流通路部隔开规定距离的区域形成衬底分割用缺口部的端部，从而在通过激光照射形成衬底分割用缺口部的情况下，也能够抑制电流通路部周边的区域受到由激光照射造成的热损伤，所以能够抑制因电流通路部周边的区域受到热损伤而导致发光特性降低的不良情况的发生。 
在上述第三方面的氮化物类半导体激光元件中，优选衬底分割用缺口部构成为：与电流通路部垂直相交的方向上的长度，从衬底分割用缺口部的底部向衬底的上表面一侧逐渐变大。若如此地构成，那么，在从电流通路部隔开规定距离的区域形成衬底分割用缺口部的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线容易地直线分割衬底，所以能够容易将谐振器端面的光波导周边的区域形成为镜面。由此，由于能够容易地提高谐振器端面的反射率，所以能够容易获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
本发明的第四方面的氮化物类半导体激光元件，具有：多个氮化物类半导体层，形成在衬底上且包括发光层；电流通路部，形成在多个氮化物类半导体层中的至少一个上，并在规定的方向上延伸；一对谐振器端面，与电流通路部垂直相交；侧端面，与谐振器端面垂直相交；衬底分割用缺口部，通过激光的照射，形成在衬底的背面上的侧端面附近的至少一部分上，并与电流通路部平行地延伸。衬底分割用缺口部的端部形成在从谐振器端面隔开规定的距离的区域上。 
在该第四方面的氮化物类半导体激光元件中，如上所述，通过激光照射，在衬底的背面上的侧端面附近的至少一部分上，形成与电流通路部平行地延伸的衬底分割用缺口部，从而与使用金刚石划针形成衬底分割用缺口部的情况相比，能够使衬底分割用缺口部形成得较深，所以，在通过向元件施加应力分割衬底时，能够减轻向元件施加的应力。因此，能够以衬底分割用缺口部为起点容易地分割衬底，并能够沿所希望的分割线容易地分割衬底。由此，能够抑制制造氮化物类半导体激光元件时成品率的降低。另外，通过激光照射，在从谐振器端面隔开规定距离的区域，形成衬底分割用缺口部的端部，从而与通过照射激光，形成到达谐振器端面的衬底分割用缺口部的情况不同，能够防止向谐振器端面照射激光，所以能够抑制衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤。因此，在以衬底分割用缺口部为起点分割衬底时，能够抑制在衬底的谐振器端面附近的区域产生碎片，所以能够抑制因碎片的飞散而导致谐振器端面受到损伤的不良情况的发生。由此，能够保持谐振器端面的光波导周边的区域为镜面，所以能够抑制谐振器端面的反射率的降低。其结果，能够获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
另外，在第四方面中，通过激光照射，在从谐振器端面隔开规定距离的区域形成衬底分割用缺口部的端部，从而能够抑制衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤，所以能够抑制如下不良情况的发生，即，因衬底的谐振器端面附近的区域受到过量的热损伤，而导致在衬底的谐振器端面附近的区域，产生在形成衬底分割用缺口部时生成的碎屑和碎片等垃圾。因此，由于能够抑制形成衬底分割用缺口部时生成的碎屑和碎片等垃圾等附着在谐振器端面上，所以能够抑制因垃圾的附着而导致谐振器端面受到损伤的不良情况的发生。由此，能够保持谐振器端面的光波导周边的区域为镜面，所以能够抑制谐振器端面的反射率的降低。其结果，由此也能够获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
在上述第四方面的氮化物类半导体激光元件中，优选衬底分割用缺口部构成为：与电流通路部平行的方向上的长度，从衬底分割用缺口部的底部向衬底的背面侧逐渐变大。若如此地构成，那么，能够以衬底分割用缺口部为起点更容易地分割衬底，所以在从谐振器端面隔开规定距离的区域形成衬底分割用缺口部的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线容易地分割衬底，并能够容易地抑制在分割后的边缘部产生碎片。由此，能够容易地抑制制造时成品率的降低，并能够获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
在上述第三及第四方面的氮化物类半导体激光元件中，优选衬底包括氮化物类半导体衬底。若如此地构成，那么，因为能够使氮化物类半导体衬底和形成在氮化物类半导体衬底上的包括发光层的多个氮化物类半导体层的晶轴一致，所以能够以同一个容易进行分割的晶轴分割氮化物类半导体衬底和包括发光层的氮化物类半导体层。由此，能够沿所希望的分割线容易地分割氮化物类半导体激光元件，并能够更容易地抑制在分割后的边缘部产生碎片。 
发明的效果 
综上所述，根据本发明，能够容易得到可控制成品率降低并具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件及其制造方法。 
附图说明
图1是从本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部(脊部)的延伸方向观察的整体立体图。 
图2是从图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部(脊部)的延伸方向观察的主视图。 
图3是从图1及图2示出的第一实施方式形成的氮化物类半导体激光元件的形成有缺口部的方向观察的侧视图。 
图4是图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的活性层的剖视图。 
图5是从上表面一侧观察图1示出的本发明第一实施方式形成的氮化物类半导体激光元件而观察到的俯视图。 
图6是表示用于图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的n型GaN衬底的俯视图。 
图7是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图8是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图9是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图10是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光 元件的制造方法的剖视图。 
图11是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图12是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图13是表示图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的一次劈开前的状态的俯视图 
图14是用于说明通过YAG激光的照射而形成槽部的方法的概略图。 
图15是表示通过YAG激光的照射而形成了槽部的状态的俯视图。 
图16是图15的波线所包围的区域的沿100-100线的剖视图。 
图17是用于说明通过YAG激光照射形成的槽部的形状的图。 
图18是表示通过一次劈开而分割成棒(bar)状的元件的俯视图。 
图19是用于说明实施例一～六的槽部的形状的图。 
图20是用于说明比较例的槽部的形状的图。 
图21是从本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部(脊部)的延伸方向观察的整体立体图。 
图22是沿着图21的200-200线的剖视图。 
图23是图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的侧视图。 
图24是从背面侧观察图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件而观察到的俯视图。 
图25是用于说明图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的剖视图。 
图26是表示图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的一次劈开前的状态的俯视图。 
图27是表示通过一次劈开分割成棒状的元件的俯视图。 
图28是用于说明通过YAG激光的照射而形成槽部的方法的概略图。 
图29是表示通过YAG激光的照射而形成槽部的状态的俯视图。 
图30是沿着图29的300-300线的剖视图。 
图31是用于说明通过YAG激光的照射而形成的槽部的形状的图。 
图32是用于说明实施例以及比较例的元件形状以及槽部的形成位置的俯视图。 
图33是用于说明实施例的槽部的形状的图。 
图34是用于说明比较例的槽部的形状的图。 
附图标记说明： 
1、101 n型GaN衬底(衬底) 
2 n型包覆层(clad) 
3 活性层(发光层) 
3a 阱层 
3b 势垒层 
4 光导层(氮化物类半导体层) 
5 p型盖层(氮化物类半导体层) 
6 p型包覆层(氮化物类半导体层) 
7 接触层(氮化物类半导体层) 
8 脊部(电流通路部) 
9 p侧欧姆电极 
10 电流阻挡层 
11 p侧焊盘电极 
12 n侧电极 
20 缺口部(衬底分割用缺口部) 
30、130 槽部 
50 谐振器端面 
60 侧端面 
120 缺口部(衬底分割用缺口部) 
具体实施方式
下面，根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。 
(第一实施方式) 
图1从本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部 (脊部)的延伸方向观察的整体立体图。图2是从图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部(脊部)的延伸方向观察的主视图。图3是从图1及图2示出的第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的形成有缺口部的方向观察的侧视图。图4及图5是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的图。首先，参照图1～图5，对本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构进行说明。 
在第一实施方式的氮化物类半导体激光元件中，如图1～图3所示，在厚度约100μm的n型GaN衬底1的上表面上，形成有由厚度约1.5μm的n型AlGaN层构成的n型包覆层2。另外，在n型包覆层2上形成有活性层3。如图4所示，该活性层3具有三个阱层3a与三个势垒层3b交替层叠而成的多重量子阱(MQW)结构，其中，三个阱层3a由厚度约3.2nm的不掺杂(undope)的InGaN层构成，三个势垒层3b由厚度约20nm的不掺杂的InGaN层构成。此外，n型GaN衬底1为本发明“衬底”的一个例子，n型包覆层2为本发明“氮化物类半导体层”的一个例子。另外，活性层3为本发明“发光层”的一个例子。 
另外，如图1及图2所示，在活性层3上形成有由厚度约50nm的不掺杂的InGaN层构成的光导层4。在光导层4上形成有由厚度约20nm的不掺杂的AlGaN层构成的盖层5。在盖层5上，形成有具有凸部和除凸部以外的平坦部的由p型AlGaN层构成的p型包覆层6。该p型包覆层6的平坦部的厚度约80nm，凸部距离平坦部的上表面的高度约320nm。另外，在p型包覆层6的凸部上形成有由厚度约3nm的不掺杂的InGaN层构成的接触层7。通过该接触层7与p型包覆层6的凸部，构成宽度W约1.5μm(参照图2)的条纹状(细长状)的脊部8。如图5所示，该脊部8形成为在[1-100]方向上延伸。此外，光导层4、盖层5、p型包覆层6以及接触层7分别为本发明的“氮化物类半导体层”的例子，脊部8是本发明的“电流通路部”的一个例子。 
另外，如图1及图2所示，在构成脊部8的接触层7上，呈条纹状(细长状)形成有由厚度约1nm的下层Pt层(未图示)和厚度约10nm的上层的Pd层(未图示)构成的p侧欧姆电极9。另外，在p型包覆层6上以及接触层7的侧面上，形成有厚度约200nm且由SiO2层构成的电流阻挡层10。在 该电流阻挡层10上设置有使p侧欧姆电极9的上表面露出的开口部10a(参照图2)。 
另外，在电流阻挡层10的上表面上形成有由厚度约3μm的Au层构成的p侧焊盘电极11，该p侧焊盘电极11覆盖通过开口部10a露出的p侧欧姆电极9。另外，在n型GaN衬底1下表面(背面)上形成有n侧电极12，所述n侧电极12由厚度约6nm的Al层(未图示)、厚度约10nm的Pd层(未图示)、厚度约300nm的Au层(未图示)构成，所述Al层、Pd层、Au层从n型GaN衬底1的下表面(背面)一侧开始依次层叠。 
另外，如图5所示，第一实施方式的氮化物类半导体激光元件在与谐振器端面50垂直相交的方向([1-100]方向)上具有约300μm～约800μm的长度L1，且在沿谐振器端面50的方向([11-20]方向)上具有约200μm～约400μm的宽度W1。此外，氮化物类半导体激光元件的脊部8两侧，分别形成有与谐振器端面50垂直相交的侧端面60。 
在此，如图1～图3所示，在第一实施方式中，在n型GaN衬底1的上表面上的谐振器端面50附近，形成有衬底分割用缺口部20。在后述的制造方法中，通过从电流阻挡层10的上表面一侧照射YAG激光而形成该缺口部20。即，通过照射YAG激光，使构成n型GaN衬底1的GaN升华来形成缺口部20。另外，缺口部20至少形成在一个侧端面60一侧，并沿着与作为电流通路部的脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)延伸。另外，如图2及图5所示，缺口部20的端部形成在从脊部8的侧面开始隔开规定距离W2(约50μm～约200μm)的区域。此外，缺口部20为本发明的“衬底分割用缺口部”的一个例子。 
另外，如图2所示，在第一实施方式中，缺口部20形成为，与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)的长度从缺口部20的底部向n型GaN衬底1的上表面一侧逐渐扩大。具体来讲，在缺口部20的端部一侧(脊部8一侧的端部附近)，缺口部20的深度形成为向着侧端面60一侧(脊部8的相反一侧)逐渐变深。另外，如图1、图2及图5所示，在n型GaN衬底1的侧端面60的至少一侧，设置有在与脊部8平行的方向([1-100]方向)上延伸的后述高位错密度(high dislocation density)区域70，缺口部20形成为横穿高位错密度区域70。即，缺口部20在[11-20]方向上，从侧端面60至与高位 错密度区域70邻接的后述低位错密度(low dislocation density)区域80，形成为约20μm～约50μm的长度W3。此外，缺口部20最深部分的深度D(图2参照)约5μm～约80μm，优选为约20μm～约80μm，缺口部20的宽度方向([1-100]方向)的长度L2(图3及图5参照)约5μm。 
如上所述，在第一实施方式中，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底1上表面上的谐振器端面50附近的至少一部分上形成缺口部20，并在从脊部8的侧面开始隔开规定距离W2的区域形成缺口部20的端部，从而在脊部8附近的区域不形成缺口部20，所以在分割n型GaN衬底1时，能够抑制在谐振器端面50的脊部8附近区域的下方区域形成因缺口部20引起的微小的竖筋的情况。即，能够抑制在谐振器端面50的脊部8下方的光波导周边的区域形成因缺口部20引起的微小的竖筋的情况。另外，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底1上表面上的谐振器端面50附近的至少一部分上形成缺口部20，从而与用金刚石划针在n型GaN衬底1上表面上形成缺口部20的情况相比，因为能够将缺口部20形成得较深，所以在通过向元件施加应力来分割n型GaN衬底1时，能够降低向元件施加的应力。 
因此，因为在作为衬底使用六方晶系的n型GaN衬底1的情况下，也无需用相对于所希望的分割线倾斜了60°的线等来分割，就能够沿所希望的分割线直线地分割n型GaN衬底1，所以能够平坦地形成谐振器端面50，并且，能够抑制如下问题，即由于用与所希望的分割线倾斜了60°的线等分割n型GaN衬底1，而在谐振器端面50的光波导周边的区域形成微小的竖筋。由此，由于能够将谐振器端面50的光波导周边的区域形成为镜面，所以能够提高谐振器端面50的反射率。其结果，能够得到具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。此外，如上所述，通过抑制在谐振器端面50的光波导周边的区域形成微小的竖筋的情况，从而同时能够抑制制造时的成品率降低的情况。 
另外，在第一实施方式中，通过在从脊部8开始隔开规定距离W2的区域形成缺口部20的端部，从而利用YAG激光的照射形成缺口部20，在该情况下，也能够抑制脊部8周边的区域受到由YAG激光的照射导致的热损伤的情况，所以能够抑制发生因脊部8周边的区域受到热损伤而导致的发光特性降低的不良情况。 
图6～图18是用于说明图1示出的本发明第一实施方式的氮化物类半导 体激光元件的制造方法的图。接下来，参照图1、图4以及图6～图18，对本发明第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法进行说明。 
首先，准备用于使氮化物类半导体各层生长的n型GaN衬底1。如图6所示，在该n型GaN衬底1上，周期性地设置有结晶缺陷比其他区域多的高位错密度区域70和结晶缺陷比高位错密度区域70少的低位错密度区域80，高位错密度区域70和低位错密度区域80在[1-100]方向上延伸。即，结晶缺陷集中的区域即高位错密度区域70与结晶缺陷非常少的区域即低位错密度区域80呈条纹状并存。另外，在低位错密度区域80的上表面上，露出(0001)面，在高位错密度区域70的上表面上，露出(000-1)面。由此，在高位错密度区域70与低位错密度区域80的界面，结晶变得不连续。 
接着，如图7所示，使用MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition：有机金属化学气相沉积法)法，在n型GaN衬底1的上表面上，使由厚度约1.5μm的n型AlGaN层构成的n型包覆层2生长后，在n型包覆层2上，使活性层3生长。此外，如图4所示，在使活性层3生长时，使由厚度约3.5nm的不掺杂的InGaN层构成的三个阱层3a与由厚度约20nm的不掺杂的InGaN层构成的三个势垒层3b交替生长。由此，在n型包覆层2上，形成具有由三个阱层3a与三个势垒层3b构成的MQW结构的活性层3。接着，如图7所示，在活性层3上，使由厚度约50nm的不掺杂的InGaN层构成的光导层4及由厚度约20nm的不掺杂的AlGaN层构成的盖层5依次生长。之后，在盖层5上，使由厚度约400nm的p型AlGaN层构成的p型包覆层6以及由厚度约3nm的不掺杂的InGaN层构成的接触层7依次生长。 
接着，如图8所示，使用电子束蒸镀法，在接触层7上形成由厚度约1nm的下层Pt层(未图示)和厚度约10nm的上层Pd层(未图示)构成的p侧欧姆电极9。之后，使用等离子体CVD(化学气相沉积)法，在p侧欧姆电极9上，形成厚度约240nm的SiO2层40。进而，在SiO2层40上，使用光刻技术，形成宽度约1.5μm且在[1-100]方向上延伸的条纹状(细长状)的抗蚀剂41。 
接着，如图9所示，使用CF4系气体的RIE(Reactive Ion Etching：反应离子蚀刻)法，以抗蚀剂41为掩模，蚀刻SiO2层40以及p侧欧姆电极9。之后，除去抗蚀剂41。 
接着，如图10所示，使用氯气系气体的RIE法，以SiO2层40为掩模，从接触层7的上表面蚀刻到p型包覆层6的中间的深度(距离p型包覆层6上表面约320nm的深度)，从而形成由p型包覆层6的凸部和接触层7构成且在[1-100]方向上延伸的条纹状(细长状)的脊部8。此外，脊部8形成为位于n型GaN衬底1的低位错密度区域80的上表面上。之后，除去SiO2层40。 
接着，使用等离子体CVD法，以覆盖整个面的方式形成厚度约200nm的SiO2层(未图示)，然后，使用光刻技术以及CF4系气体的RIE法，除去SiO2层(未图示)位于p侧欧姆电极9的上表面上的部分。由此，形成如图11所示的、由SiO2构成且具有开口部10a的电流阻挡层10。 
接着，如图12所示，使用电阻加热蒸镀法，在电流阻挡层10上，形成由厚度约3μm的Au层构成的p侧焊盘电极11，来覆盖露出的p侧欧姆电极9的方式。接着，研磨n型GaN衬底1的下表面(背面)，直至n型GaN衬底1的厚度变为约100μm。之后，在n型GaN衬底1的下表面(背面)上形成n侧电极12，通过从n型GaN衬底1的下表面(背面)一侧起依次层叠厚度约6nm的Al层(未图示)、厚度约10nm的Pd层(未图示)、厚度约300nm的Au层(未图示)而构成所述n侧电极12。图13表示该图12所示状态下的俯视图。 
接着，从图13所示状态，通过进行一次劈开，将元件分割(劈开)成棒状。具体来讲，如图14所示，从n型GaN衬底1的上表面一侧(形成有氮化物类半导体各层的一侧)照射YAG激光，并使n型GaN衬底1向[11-20]方向移动，从而如图15所示，在n型GaN衬底1的上表面上形成在与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部30。 
在此，在第一实施方式中，如图15所示，槽部30形成为横穿设置在脊部8间的高位错密度区域70。此时，槽部30的端部形成为位于从脊部8的侧面开始隔开规定距离W2(约50μm～约200μm)的区域。具体来讲，通过断断续续地照射YAG激光，将槽部30形成为槽部间距离为W5(μm)的断断续续的波线状，从而在设置有高位错密度区域70的脊部8间的区域中，形成横穿高位错密度区域70的槽部30。另外，槽部30形成为宽度方向的长度L3约为10μm，并如图16所示，形成为最深部的深度D约5μm～约80μm， 优选为约20μm～约80μm，槽部30的开口端的长度W4约40μm～约100μm。此外，槽部30也可以形成在未设置有高位错密度区域70的脊部8间。 
另外，在第一实施方式中，将与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)的槽部30的长度形成为从槽部30的底部向n型GaN衬底1的上表面一侧逐渐变大。具体来讲，如图17所示，从照射YAG激光的起点位置A(槽部30的一侧端部)到距离W41的位置B，一边使YAG激光的输出功率从约30mW至约100mW逐渐增加，一边向n型GaN衬底1的上表面照射YAG激光。另外，从位置B到距离W42的照射YAG激光的终点位置C(槽部30的另一个端部)，一边使YAG激光的输出功率从约100mW至约30mW逐渐減少，一边向n型GaN衬底1的上表面照射YAG激光。由此，槽部30的两端部侧形成为从端部向中心部深度逐渐变深。即，形成具有船形形状的槽部30。此外，槽部30形成为[11-20]方向的中心对称。另外，为获得所希望的槽部形状，YAG激光的照射条件(输出、频率、焦点位置以及衬底移动速度等)能够任意变更。 
接着，从n型GaN衬底1的下表面(与形成有槽部30的面相反一侧的面)一侧，按压切断刀(breaker)的刀刃，从而向元件施加应力，沿槽部30分割(劈开)n型GaN衬底1。由此，如图18所示，n型GaN衬底1被分割成棒状。此外，在分割成棒状的元件的劈开面上，形成谐振器端面50。另外，在[11-20]方向上平行的(1-100)面和(-1100)面构成谐振器端面50。另外，沿槽部30分割n型GaN衬底1，从而在谐振器端面50附近形成上述缺口部20(参照图1～图3)。 
最后，从图18所示状态，在相邻的脊部8间，以[1-100]方向的点划线42分割元件(二次劈开)，从而形成为芯片状。此外，通过该二次劈开，形成与谐振器端面50垂直相交的侧端面60。如此，形成如图1所示的第一实施方式的氮化物类半导体激光元件。 
接着，对为确认上述实施方式的效果而进行的实验进行说明。在此实验中，为了确认槽部形状对氮化物类半导体激光元件在一次劈开时的成品率的影响，测定了对槽部形状进行各种改变的情况下的成品率。图19是用于说明实施例一～六的槽部形状的图。图20是用于说明比较例的槽部形状的图。 
另外，如图19所示，实施例一～六的槽部形状与上述实施方式相同，为 船形形状。具体来讲，从照射YAG激光的起点位置A1(槽部30a的一侧端部)到仅隔开距离W41的位置B1，一边使YAG激光的输出功率从约30mW至约100mW逐渐增加，一边向n型GaN衬底1的上表面照射YAG激光，并且，从位置B1到仅隔开距离W42的照射YAG激光的终点位置C1(槽部30a的另一侧端部)，一边使YAG激光的输出功率从约100mW至约30mW逐渐減少，一边向n型GaN衬底1的上表面照射YAG激光，从而，槽部30a的两端部侧形成为从端部向中心部深度逐渐变深。另外，槽部30a形成为槽部间距离为W5(μm)的断断续续的波线状。此外，在实施例一～六中，对槽部30a的长度W4(＝W41+W42)以及槽部间距离W5进行各种变化。 
另外，如图20所示，比较例的槽部形状形成为矩形形状。即，从照射YAG激光的起点位置A2(槽部30b的一侧端部)到终点位置B2(槽部30b的另一侧端部)，以约100mW的恒定输出功率，向n型GaN衬底1的上表面照射YAG激光，从而[11-20]方向的槽部30b的长度W4形成为，在槽部30b的底部、槽部30b的开口端部为几乎相同的长度W4。另外，槽部30b形成为槽部间距离为W5(μm)的断断续续的波线状。 
此外，除槽部形状以及槽部间距离W5外，实施例一～六以及比较例的其他条件均都相同。即，半导体激光元件均使用与上述实施方式相同的氮化物类半导体激光元件，槽部30a及30b的最深部的深度D1及D2均为约40μm。另外，脊部8间的距离均为约200μm。另外，设置有高位错密度区域70的脊部8间所形成的槽部30a以及30b均横穿高位错密度区域。另外，实施例一～六以及比较例的YAG激光的照射条件均为：频率，50kHz；衬底移动速度，5mm/s；焦点位置，-20μm。即，设定为在离开电流阻挡层10表面20μm的上方(n型GaN衬底1与相反方向)的位置对焦。此外，作为用于形成槽部30a以及30b的激光划片(laser scribe)装置，使用光电***(opto system)公司制激光划片器(laser scriber)WSF4000。 
如此形成的实施例一～六的元件以及比较例的元件，分别从n型GaN衬底1的下表面(未形成槽部30a以及30b的面)侧按压切断刀的刀刃，沿槽部30a以及30b将n型GaN衬底1分割(劈开)成棒状。然后，测定分割时的分割不良(劈开不良)个数，计算出一次劈开时的成品率(％)。此外，分割不良(劈开不良)的判断标准通过在谐振器端面50(劈开面)是否存在 除由槽部30a以及30b导致的微小的竖筋之外的微小的竖筋等进行判断。即，在谐振器端面50存在由除槽部以外的原因导致的微小的竖筋的情况下，判断为分割不良。另外，实施例一～六以及比较例的测定个数均为250个，成品率(％)的计算通过分割不良的个数除以测定个数来进行。表1表示该结果。 
[表1] 
如上述表1所示，比较槽部长度W4以及槽部间距离W5相等的实施例1与比较例的结果，判明槽部形状为船形形状的实施例1的成品率比槽部形状为矩形形状的比较例的成品率高。具体来讲，在将槽部形状形成为矩形形状的比较例中，成品率为77.6％，与此相对，在将槽部形状形成为船形形状的实施例1中，成品率为100％，比比较例高。另外，判明在将槽部形状形成为船形形状的情况下，即使将槽部长度W4以及槽部间距离W5进行了各种变化时，成品率均高于将槽部形状形成为矩形形状的比较例。具体来讲，在对槽部长度W4以及槽部间距离W5进行了各种变化实施例二～六中，与实施例1相同，成品率均为100％。由此，能够确认，通过将槽部形状形成船形形状，与将槽部形状形成为矩形形状的情况相比，成品率提高。即，能够确认，通过以[11-20]方向的槽部30的长度从槽部30的底部向n型GaN衬底1的上表面一侧逐渐变大的方式形成槽部30，能够提高成品率。另外，能够确认，由于在脊部8附近的区域未形成槽部30，所以通过成品率的提高，能够容易将谐振器端面50的光波导周边的区域形成为镜面。 
在第一实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，如上所述， 通过向电流阻挡层10的上表面照射YAG激光，在n型GaN衬底1的上表面上形成在与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部30，并将槽部30的端部形成在仅从脊部8隔开规定距离W2的区域，从而因为在脊部8附近的区域未形成槽部30，所以在以槽部30为起点分割n型GaN衬底1时，能够抑制在谐振器端面50的脊部8附近区域的下方区域中形成由槽部30导致的微小的竖筋的情况。即，能够抑制在谐振器端面50的脊部8下方的光波导周边的区域中形成由槽部30导致的微小的竖筋的情况。另外，通过向电流阻挡层10的上表面照射YAG激光，在n型GaN衬底1的上表面上形成在与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部30，从而与使用金刚石划针在n型GaN衬底1的上表面形成槽部30的情况相比，能够使槽部30形成得较深，所以能够在通过向元件施加应力分割n型GaN衬底1时，减轻向元件施加的应力。 
因此，即使在作为衬底使用六方晶系的n型GaN衬底1的情况下，也无需用相对于所希望的分割线倾斜60°的线等来分割，就能够沿所希望的分割线直线地分割n型GaN衬底1，所以能够平坦地形成谐振器端面50，且能够抑制由于用与所希望的分割线倾斜60°的线等分割n型GaN衬底1，而在谐振器端面50的光波导周边的区域形成微小的竖筋的不良情况的发生。由此，由于能够将谐振器端面50的光波导周边的区域形成为镜面，所以能够提高谐振器端面50的反射率。其结果，能够制造具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。此外，如上所述，通过抑制在谐振器端面50的光波导周边的区域形成微小的竖筋的情况，从而同时能够抑制制造时的成品率降低。 
另外，在第一实施方式中，通过在从脊部8仅隔开规定距离W2的区域形成槽部30的端部，利用YAG激光的照射形成槽部30，即使在该情况下，由于能够抑制脊部8周边的区域受到YAG激光照射导致的热损伤的情况，所以也能够抑制因脊部8周边的区域受到热损伤而导致的发光特性降低的不良情况的发生。 
另外，在第一实施方式中，通过在n型GaN衬底1的上表面上形成槽部30，以槽部30为起点分割n型GaN衬底1时，n型GaN衬底1分割后，成为脊部8的端部的部分向相互分离的方向移动，所以与在n型GaN衬底1的下表面形成槽部30的情况不同，不会产生如下问题：n型GaN衬底1分割 后，成为脊部8的端部的部分彼此碰撞，导致脊部8变形。因此，能够抑制由n型GaN衬底1分割后的脊部8的端部变形导致的发光特性降低的不良情况的发生。 
另外，在第一实施方式中，通过将与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)的槽部30的长度构成为从槽部30的底部向n型GaN衬底1的上表面一侧逐渐变大，能够以槽部30为起点容易地分割n型GaN衬底1，因而即使在从脊部8隔开规定距离W2的区域形成槽部30的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线容易地直线分割n型GaN衬底1。由此，由于能够将谐振器端面50的光波导周边的区域容易地形成为镜面，所以能够容易提高谐振器端面50的反射率。 
另外，在第一实施方式中，通过使用n型GaN衬底1作为衬底，能够使n型GaN衬底1与形成在n型GaN衬底1上的多个氮化物类半导体层的晶轴一致，因而n型GaN衬底1与氮化物类半导体层能够用同一个容易进行分割的晶轴分割。由此，能够沿所希望的分割线更容易地直线分割氮化物类半导体激光元件，所以能够更加容易地将谐振器端面50的光波导周边的区域形成为镜面。其结果，能够更容易地提高谐振器端面50的反射率。 
另外，在第一实施方式中，通过照射YAG激光，以横穿高位错密度区域70的方式形成槽部30，从而在将周期性地设置有高位错密度区域70与低位错密度区域80的n型GaN衬底1用作衬底的情况下，也能够容易地沿所希望的分割线直线地分割n型GaN衬底1。即，因为在高位错密度区域70与低位错密度区域80的界面，结晶变得不连续，所以难以直线地劈开，另一方面，通过以横穿高位错密度区域70的方式形成槽部30，在高位错密度区域70与低位错密度区域80的界面也形成槽部30，因而通过沿槽部30分割n型GaN衬底1，从而即使在高位错密度区域70与低位错密度区域80的界面，结晶不连续的情况下，也能够容易地直线地劈开(分割)n型GaN衬底1。 
(第二实施方式) 
图21是从本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的电流通路部(脊部)的延伸方向观察的整体立体图，图22是沿图21的200-200线的剖视图。图23是图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的侧视图，图24是从背面侧观察本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光 元件的俯视图。接着，参照图4及图21～图24，对第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构进行说明。 
在该第二实施方式的氮化物类半导体激光元件中，如图21～图23所示，在n型GaN衬底101的上表面上，依次层叠有与上述第一实施方式相同的各层(2～7以及9～11)。具体来讲，在厚度约100μm的n型GaN衬底101的(0001)面上，依次层叠有由厚度约1.5μm的n型AlGaN层构成的n型包覆层2、活性层3、由厚度约50nm的不掺杂的InGaN层构成的光导层4、由厚度约20nm的不掺杂的AlGaN层构成的盖层5。另外，如图4所示，活性层3具有由厚度约3.2nm的不掺杂的InGaN层构成的三个阱层3a、由厚度约20nm的不掺杂的InGaN层构成的三个势垒层3b相互层叠而成的多重量子阱(MQW)结构。此外，n型GaN衬底101为本发明的“衬底”的一个例子。 
另外，如图21及图22所示，在盖层5上形成有具有凸部和除凸部以外的平坦部的由p型AlGaN层构成的p型包覆层6。该p型包覆层6的平坦部的厚度约80nm，凸部距离平坦部的上表面的高度约320nm。另外，在p型包覆层6的凸部上，形成有由厚度约3nm的不掺杂的InGaN层构成的接触层7。通过该接触层7与p型包覆层6的凸部，构成具有约1.5μm的宽度W的条纹状(细长状)脊部8。如图24所示，该脊部8形成为在[1-100]方向上延伸。 
另外，如图21及图22所示，在构成脊部8的接触层7上，由厚度约1nm的下层Pt层(未图示)和厚度约10nm的上层的Pd层(未图示)构成的p侧欧姆电极9被形成为条纹状(细长状)。另外，在p型包覆层6上以及接触层7的侧面上，形成有厚度约200nm且由SiO2层构成的电流阻挡层10。在该电流阻挡层10上设置有使p侧欧姆电极9的上表面露出的开口部10a(参照图2)。 
另外，在电流阻挡层10的上表面上，以覆盖通过开口部10a露出的p侧欧姆电极9的方式，形成由厚度约3μm的Au层构成的p侧焊盘电极11。另外，在n型GaN衬底101的背面上形成有n侧电极12，所述n侧电极12从n型GaN衬底101的背面侧依次层叠厚度约6nm的Al层(未图示)、厚度约10nm的Pd层(未图示)、厚度约300nm的Au层(未图示)构成。 
另外，如图24所示，第二实施方式的氮化物类半导体激光元件在与谐振器端面50垂直相交的方向([1-100]方向)上具有约300μm～约800μm的长 度L1，且在沿谐振器端面50的方向([11-20]方向)上具有约200μm～约400μm的宽度W1。此外，氮化物类半导体激光元件的脊部8两侧，分别形成有与谐振器端面50垂直相交的侧端面60。 
其中，在第二实施方式中，如图21～图23所示，在n型GaN衬底101的背面上的侧端面60的附近，形成有衬底分割用的缺口部120，该缺口部120在与作为电流通路部的脊部8平行的方向([1-100]方向)上延伸。该缺口部120在后述制造方法中，通过照射YAG激光而形成。即，通过照射YAG激光，使构成n型GaN衬底101的GaN升华，以形成缺口部20。此外，缺口部120是本发明的“衬底分割用缺口部”的一个例子。另外，如图23及图24所示，缺口部120的端部分别形成在从谐振器端面50仅隔开规定距离L12(约15μm)的位置。即，缺口部120形成为氮化物类半导体激光元件的[1-100]方向的中心对称，并且形成为比氮化物类半导体激光元件的长度L1(约300μm～约800μm)更小的长度。此外，缺口部120的最深部的深度d约5μm～约80μm，优选为约20μm～约80μm，缺口部120的宽度W12约5μm。 
另外，在第二实施方式中，如图23所示，缺口部120形成为，从缺口部120的底部向n型GaN衬底101的背面侧，与脊部8平行方向([1-100]方向)的长度逐渐变大。具体来讲，缺口部120的两端部侧(从缺口部120的端部到距离L13(约40μm)的区域)形成为，从端部向中央部，缺口部120的深度逐渐变深。另外，在从侧面观察氮化物类半导体激光元件的情况下，缺口部120的形状构成为，相对氮化物类半导体激光元件的[1-100]方向的中心，实质上对称。 
在第二实施方式中，如上所述，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底101的背面上的侧端面60附近的至少一部分上，形成与作为电流通路部的脊部8平行地延伸的缺口部120，从而与使用金刚石划针形成缺口部的情况相比，因为能够使缺口部120形成得较深，所以在通过对元件施加应力分割n型GaN衬底101时，能够减轻向元件施加的应力。因此，由于能够以缺口部120为起点容易地分割衬底，所以能够沿着所希望的分割线容易地分割衬底。由此，能够抑制制造氮化物类半导体激光元件时成品率的降低。 
另外，在第二实施方式中，通过照射YAG激光，在从谐振器端面50隔开规定距离L12(约15μm)的区域中，形成缺口部120的端部，从而与通过 照射YAG激光，形成到达谐振器端面50的缺口部的情况不同，能够防止YAG激光照射到谐振器端面50，因而能够抑制n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域受到过量的热损伤。即，在向谐振器端面50照射YAG激光的情况下，与向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光的情况相比，激光的照射面积扩大，所以相应地n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域受到过量的热损伤。因此，在以缺口部120为起点分割n型GaN衬底101时，能够抑制在n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域产生碎片，从而能够抑制由碎片的飞散导致的损伤谐振器端面50的不良情况的发生。由此，能够将位于脊部8的下方的、谐振器端面50的光波导周边的区域保持为镜面，所以能够抑制谐振器端面50的反射率的降低。其结果，能够获得具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
图25～图31是用于说明图21示出的本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法的图。接着，参照图7～图12、图21、图23及图25～图31，对本发明第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法进行说明。 
首先，使用与图7示出的第一实施方式相同的制造方法，在n型GaN衬底101上，使n型包覆层2、活性层3、光导层4、盖层5、p型包覆层6以及接触层7依次生长。此外，各层2～7的组成及厚度与第一实施方式的各层2～7相同。 
接着，使用与图8示出的第一实施方式相同的制造方法，在接触层7上，形成由厚度约1nm的下层Pt层(未图示)与厚度约10nm的上层Pd层(未图示)构成的p侧欧姆电极9。然后，使用与图9及图10示出的第一实施方式相同的制造方法，形成在[1-100]方向上延伸的条纹状(细长状)的脊部8。之后，使用与图11及图12示出的第一实施方式相同的制造方法，形成具有开口部10a的电流阻挡层10、由Au层构成的p侧焊盘电极11以及n侧电极12。图25示出如此得到的的元件结构。另外，图26表示图25所示的状态下的俯视图。 
接着，从图26所示的状态进行一次劈开，从而将元件分割成棒状。该一次劈开是以与脊部8垂直相交的方向([11-20]方向)即虚线43劈开元件而进行的。图27表示通过一次劈开将元件分割成棒状的状态。 
接着，从图27所示的状态，在相邻的脊部8间，用[1-100]方向的点划线44分割(二次劈开)元件，从而形成为芯片状。具体来讲，首先，在分割成棒状的元件的n型GaN衬底101的表面一侧(形成有氮化物类半导体层的一侧)，贴附用于在激光划片装置上固定元件的片材45(参照图28)。接着，如图28所示，以片材45侧为下方，将分割成棒状的元件(n型GaN衬底101)固定在激光划片装置的工作台46上。即，以n型GaN衬底101的背面成为上方的方式，将分割成棒状的元件安装在激光划片装置的工作台46上。 
接着，一边照射YAG激光一边在[1-100]方向上移动n型GaN衬底101，从而在n型GaN衬底101的背面，形成在与作为电流通路部的脊部8平行方向([1-100]方向)上延伸的槽部130。此外，如图30所示，槽部130形成为，剖面呈V字形状，且最深部的深度d为约5μm～约80μm，优选为约20μm～约80μm，并且，开口端的宽度W13为约10μm。 
其中，在第二实施方式中，如图29所示，通过照射YAG激光，槽部130的端部分别形成在从谐振器端面50仅隔开规定距离L12(约15μm)的位置。即，将该槽部130形成为[1-100]方向的中心对称，并形成为比谐振器端面50间的长度L1(约300μm～约800μm)更小的长度。 
另外，在第二实施方式中，如图23所示，将与脊部8平行的方向([1-100]方向)上的槽部130的长度形成为，从構部130底部向n型GaN衬底101的背面侧逐渐变大。具体来讲，如图31所示，从照射YAG激光的起点位置A11(槽部130的一侧端部)到距离L13(约40μm)的位置B11，一边使YAG激光的输出功率从约30mW至约100mW逐渐增加，一边向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光。另外，从照射YAG激光的终点位置D11(槽部130的另一侧端部)离开距离L13(约40μm)的面前的位置C11到终点位置D11，一边使YAG激光的输出功率从约100mW至约30mW逐渐減少，一边向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光。此外，在位置B11与位置C11之间，以约100mW的恒定输出功率，向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光。由此，槽部130的两端部侧(从槽部130的端部分别离开距离L13(约40μm)的区域)形成为，从端部向中心部，槽部130的深度逐渐变深。即，形成具有船形形状的槽部130。此外，为了获得所希望的槽部形状，YAG激光的照射条件(输出、频率、焦点位置以及衬底移动速度等)能够任意变更。 
最后，从n型GaN衬底101的上表面(未形成有槽部130的面)侧，按压切断刀的刀刃，从而向元件施加应力，沿槽部130分割(劈开)n型GaN衬底101。由此，分割成棒状的元件被分割(二次劈开)成芯片状。此外，通过沿槽部130分割n型GaN衬底101，从而形成与谐振器端面50垂直相交的侧端面60，并在侧端面60附近形成上述缺口部120。如此，形成如图21所示的第二实施方式的氮化物类半导体激光元件。 
接着，对为确认上述第二实施方式的效果而进行的实验进行说明。在此实验中，为确认槽部形状对氮化物类半导体激光元件的二次劈开时的成品率的影响，测定变化槽部形状的情况下的成品率。图32为用于说明元件形状以及槽部的形成位置的俯视图。图33是用于说明实施例的槽部的形状的图。图34是用于说明比较例的槽部的形状的图。此外，图33及图34中的曲线图的纵轴表示YAG激光的输出功率(mW)，横轴表示离开槽部的起点位置的距离(μm)。 
另外，实施例以及比较例均使用与上述氮化物类半导体激光元件的制造方法相同的制造方法，形成氮化物类半导体层以及电极层。另外，如图32所示，实施例以及比较例中，槽部130均通过照射YAG激光形成在n型GaN衬底101的背面，并在[1-100]方向上延伸。另外，实施例以及比较例中，槽部130的长度L14均约570μm，槽部130的端部均形成在仅从谐振器端面50隔开约15μm的距离L12的位置上。此外，实施例以及比较例中，谐振器端面50间的距离L15均约600μm，槽部130间的距离W14均约200μm。另外，如图33及图34所示，实施例以及比较例中，槽部130的最深部的深度d1均约40μm。 
另外，实施例以及比较例中，YAG激光的照射条件均为：频率，50kHz；衬底移动速度，5mm/s。另外，焦点位置均为-20μm。即，设定为在离开n侧电极12表面20μm的上方(n型GaN衬底101的相反方向)的位置对焦。并且，将日本光***制激光划片器WSF4000用作形成槽部130的激光划片装置。 
另外，如图33所示，实施例的槽部130a(30)的形状与上述第二实施方式相同，呈船形形状。具体来讲，从照射YAG激光的起点位置A21(槽部130a的一侧端部)到距离L13(约40μm)的位置B21，一边使YAG激光的输出功率从约30mW至约100mW逐渐增加，一边向n型GaN衬底101的 背面照射YAG激光，从照射YAG激光的终点位置D21(槽部130a的另一侧端部)离开距离L13(约40μm)面前的位置C21到终点位置D21，一边使YAG激光的输出功率从约100mW至约30mW逐渐減少，一边向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光，并且，在位置B21与位置C21之间，以约100mW的恒定输出功率，向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光，从而槽部130a两端部侧(从槽部130a的端部到距离L13(约40μm)的区域)形成为，从端部向中心部，槽部130a的深度逐渐变深。 
另外，如图34所示，比较例的槽部130b(30)的形状为矩形。即，从照射YAG激光的起点位置A22(槽部130b的一侧端部)到终点位置B22(槽部130b的另一侧端部)，以约100mW的恒定输出功率，向n型GaN衬底101的背面照射YAG激光，从而[1-100]方向的槽部130b的长度L14形成为，在槽部130b的底部与槽部130b的开口端部，为几乎相同的长度L14。 
对于如此形成的实施例的元件以及比较例的元件，分别从n型GaN衬底101的上表面(未形成有槽部130的面)侧按压切断刀的刀刃，沿槽部130将n型GaN衬底101分割(劈开)成片状。然后，测定分割时的分割不良(劈开不良)的个数，计算出二次劈开时的成品率。此外，分割不良(劈开不良)的判断标准是有没有落在p侧焊盘电极11上的碎片。即，在存在落在p侧焊盘电极11上的碎片的情况下，判断为分割不良。 
其结果是得出如下结果，即，具有比较例的槽部形状的元件的成品率为92.4％，与此相对，具有实施例的槽部形状的元件的成品率为96.0％，高于比较例。由此，能够确认，通过使槽部130的形状形成为船形形状，与将槽部130的形状形成为矩形形状的情况相比，产生碎片的现象少，并且，成品率提高。 
在第二实施方式的氮化物类半导体激光元件的制造方法中，如上所述，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底101的背面，形成与脊部8平行地延伸的槽部130，从而与使用金刚石划针在n型GaN衬底101的背面形成槽部的情况相比，能够将槽部130形成得较深，所以，在通过向元件施加应力分割n型GaN衬底101时，能够减轻向元件施加的应力。因此，能够以所形成的槽部130为基点容易地分割n型GaN衬底101，所以能够沿所希望的分割线容易地分割衬底。由此，能够抑制氮化物类半导体激光元件制造时成品率 的降低。 
另外，在第二实施方式中，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底101的背面且从谐振器端面50隔开规定距离L12(约15μm)的区域形成槽部130的端部，从而与通过照射YAG激光形成到达谐振器端面50的槽部的情况不同，能够防止向谐振器端面50照射YAG激光，所以能够抑制n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域受到过量的热损伤。因此，在以槽部130为起点分割n型GaN衬底101时，能够抑制在n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域产生碎片，所以能够抑制因碎片飞散而产生损伤谐振器端面50的不良情况。其结果，能够将谐振器端面50的光波导周边的区域保持为镜面，所以能够抑制谐振器端面50的反射率降低，能够制造具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
另外，在第二实施方式中，通过照射YAG激光，在n型GaN衬底101的背面且从谐振器端面50隔开规定距离L12(约15μm)的区域，形成槽部130的端部，从而能够抑制n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域受到过量的热损伤，因而能够抑制如下不良情况的发生，即，因n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域受到过量的热损伤，导致在n型GaN衬底101的谐振器端面50附近的区域，产生在形成槽部130时生成的碎屑和碎片等垃圾。因此，由于能够抑制形成槽部130时生成的碎屑和碎片等垃圾等附着在谐振器端面50上，所以能够抑制由垃圾的附着导致损伤谐振器端面50的不良情况的产生。由此，由于能够将谐振器端面50的光波导周边的区域保持为镜面，所以能够抑制谐振器端面50的反射率的降低。其结果，由此也能够获得良好的发光特性。 
另外，在第二实施方式中，通过在从谐振器端面50隔开规定距离L12(约15μm)的区域形成槽部130的端部，能够在槽部130的端部位置停止照射YAG激光，所以能够防止向贴附在元件下表面(与形成槽部130的面相反一侧的面)上的、用于固定元件的粘合片材45等照射YAG激光。因此，由于能够防止因向片材45等照射YAG激光导致片材45等燃烧，所以能够防止片材45等燃烧而产生垃圾等。由此，由于能够抑制片材45等燃烧而产生的垃圾等附着在谐振器端面50上，所以能够抑制因垃圾等贴附在谐振器端面50上而导致损伤谐振器端面50的不良情况的发生。其结果，由于能够将谐 振器端面50的光波导周边的区域保持为镜面，所以由此也能够抑制谐振器端面50的反射率的降低。 
另外，在第二实施方式中，将与作为电流通路部的脊部8平行的方向([1-100]方向)上的槽部130的长度，形成为从構部130的底部向n型GaN衬底101的背面一侧逐渐变大，从而能够以槽部130为起点更容易地分割n型GaN衬底101，所以在从谐振器端面50隔开规定距离L12(约15μm)区域形成槽部130的端部的情况下，也能够沿所希望的分割线容易地分割n型GaN衬底101，并能够容易地抑制在分割后边缘部产生碎片。由此，能够容易地抑制制造时成品率的降低，并能够更容易地制造出具有良好发光特性的氮化物类半导体激光元件。 
另外，在第二实施方式中，通过使用n型GaN衬底101作为衬底，能够使n型GaN衬底101与形成在n型GaN衬底101上的多个氮化物类半导体层的晶轴一致，所以能够以同一个容易进行分割的晶轴分割n型GaN衬底101与氮化物类半导体层。由此，能够容易地沿所希望的分割线分割氮化物类半导体激光元件，并能够更容易地抑制在分割后的边缘部产生碎片。 
此外，应该考虑到，本次公开的实施方式在所有的方面是例示性的，而是限制性的。本发明的范围不是用上述的实施方式的说明而是由权利要求范围来表示，而且包含与权利要求范围有等效意义及范围内的所有变更。 
例如，在上述第一及第二实施方式中，例示了使用n型GaN衬底作为衬底，但本发明不仅限于此，也可以使用由InGaN、AlGaN以及AlGaInN等构成的衬底等除n型GaN衬底之外的衬底。 
另外，在上述第一及第二实施方式中，例示了使用MOCVD法使氮化物类半导体各层结晶生长，但本发明并不仅限于此，也可以使用MOCVD法之外的方法使氮化物类半导体各层结晶生长。MOCVD法之外的方法可以采用例如HVPE(氢化物气相外延)法以及气体源MBE法(Molecular BeamEpitaxy：分子束外延成长法)等。 
另外，在上述第一实施方式中，例示了相对脊部仅在一个侧端面一侧形成缺口部，但本发明并不仅限于此，也可以构成相对脊部在两侧的侧端面侧分别形成缺口部。 
另外，在上述第一实施方式中，例示了使槽部以及缺口部形成为与脊部 垂直相交的方向([11-20]方向)上的长度从底部向n型GaN衬底的上表面一侧逐渐变大，但本发明并不仅限于此，也可以使槽部以及缺口部形成为与脊部垂直相交的方向([11-20]方向)的长度在底部和n型GaN衬底的上表面部为几乎相同的长度。即，可以使槽部以及缺口部形成为矩形形状。 
另外，在上述第一实施方式中，例示了将槽部形成为相对于[11-20]方向的中心对称，但本发明并不仅限于此，也可以将槽部形成为相对于[11-20]方向的中心非对称。 
另外，在上述第一实施方式中，对在n型GaN衬底的设置有高位错密度区域的脊部间的区域以横穿高位错密度区域的方式形成槽部情况进行了说明，但本发明并不仅限于此，也可以在未设置有高位错密度区域的脊部间的区域形成槽部。 
另外，在上述第一实施方式中，对使用周期性地设置有高位错密度区域和低位错密度区域的n型GaN衬底的情况进行了说明，但本发明并不仅限于此，也可以使用除周期性地设置有高位错密度区域和低位错密度区域的n型GaN衬底之外的n型GaN衬底。另外，也可以使用由InGaN、AlGaN以及AIGalnN等构成的除n型GaN衬底之外的衬底。 
另外，在上述第一实施方式中，对将脊部形成为在[1-100]方向上延伸，并将缺口部以及槽部形成为在[11-20]方向上延伸的情况进行了说明，但本发明并不仅限于此，这些方向是结晶学上等价的方向即可。即，脊部形成为在<1-100>所表示的方向上延伸即可，缺口部以及槽部形成为在<11-20>所表示的方向上延伸即可。 
另外，在上述第二实施方式中，例示了在从谐振器端面隔开约15μm的区域形成槽部以及缺口部的端部，但本发明并不仅限于此，如果槽部以及缺口部的端部未到达谐振器端面，也可以在从谐振器端面隔开除约15μm以外的距离的区域形成槽部以及缺口部的端部。 
另外，在上述第二实施方式中，例示了相对[1-100]方向的中心对称地形成槽部以及缺口部，但本发明并不仅限于此，也可以相对[1-100]方向的中心非对称地形成槽部以及缺口部。 
另外，在上述第二实施方式中，例示了将槽部以及缺口部形成为与脊部平行的方向([1-100]方向)上的长度从底部向n型GaN衬底的背面一侧逐 渐变大，但本发明并不仅限于此，也可以将槽部以及缺口部形成为与脊部平行的方向([1-100]方向)上的长度在底部和n型GaN衬底的背面表面部几乎相同。 
另外，在上述第二实施方式中，例示了在从侧面观察氮化物类半导体激光元件的情况下，缺口部的形状构成为相对氮化物类半导体激光元件的[1-100]方向的中心实质对称，但本发明并不仅限于此，缺口部的形状也可以构成为相对氮化物类半导体激光元件的[1-100]方向的中心为非对称。 
另外，在上述第二实施方式中，对将脊部、缺口部以及槽部形成为在[1-100]方向上延伸，并在沿[11-20]方向的方向上形成谐振器端面的情况进行了说明，但本发明并不仅限于此，这些方向是结晶学上等价的方向即可。即，脊部、缺口部以及槽部形成为在<1-100>所表示的方向上延伸即可，谐振器端面沿<11-20>所表示的方向形成即可。 
另外，在上述第二实施方式中，例示了将氮化物类半导体各层以使表面成为(0001)面的方式进行层叠，但本发明并不仅限于此，可以将氮化物类半导体各层以使表面成为除(0001)面之外的其他面的方式进行层叠。 
另外，在上述第二实施方式中，也可以使用周期性地设置有高位错密度区域和低位错密度区域的n型GaN衬底。 
此外，可以使用上述第一实施方式的一次劈开方法以及上述第二实施方式的二次劈开方法两种方法，进行元件分离。在此情况下，能够更有效地抑制成品率的降低，并能够获得具有更佳发光特性的氮化物类半导体激光元件。 

Claims (9)

1.一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具有：
在衬底上表面上，形成包括发光层的多个氮化物类半导体层的工序，
在多个所述氮化物类半导体层中的至少一个上，形成在规定的方向上延伸的电流通路部的工序，
通过向所述氮化物类半导体层的上表面照射激光，在所述衬底的上表面上，形成在与所述电流通路部垂直相交的方向上延伸的槽部的工序，
通过以所述槽部为起点来分割所述衬底，形成谐振器端面的工序；
在形成所述槽部的工序中，在从所述电流通路部开始隔开规定的距离的区域形成所述槽部的端部，并使在所述槽部的延伸方向上的该槽部的长度从所述槽部的底部向所述衬底的上表面一侧逐渐变大，由此将所述槽部形成为船形形状。
2.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，
所述衬底包括氮化物类半导体衬底。
3.如权利要求2所述的氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，
所述氮化物类半导体衬底周期性地具有沿所述电流通路部延伸的高位错密度区域和低位错密度区域；
形成所述电流通路部的工序包括，在所述氮化物类半导体衬底的所述低位错密度区域形成所述电流通路部的工序；
形成所述槽部的工序包括，通过照射激光以横穿所述高位错密度区域的方式形成所述槽部的工序。
4.一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具有：
在衬底上形成包括发光层的多个氮化物类半导体层的工序，
在多个所述氮化物类半导体层中的至少一个上，形成在规定的方向上延伸的电流通路部的工序，
形成与所述电流通路部垂直相交的一对谐振器端面的工序，
通过照射激光，在所述衬底的背面形成与所述电流通路部平行地延伸的槽部的工序，
以所述槽部为起点来分割所述衬底的工序；
在形成所述槽部的工序中，在从所述谐振器端面开始隔开规定的距离的区域形成所述槽部的端部，并使在所述槽部的延伸方向上的该槽部的长度从所述槽部的底部向所述衬底的背面一侧逐渐变大，由此将所述槽部形成为船形形状。
5.如权利要求4所述的氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，
所述衬底包括氮化物类半导体衬底。
6.一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具有：
多个氮化物类半导体层，这些氮化物类半导体层形成在衬底上并包括发光层，
电流通路部，其形成在多个所述氮化物类半导体层中的至少一个上，并在规定的方向上延伸，
与所述电流通路部垂直相交的一对谐振器端面，
衬底分割用缺口部，其通过激光照射而形成在所述衬底上表面上的所述谐振器端面附近的至少一部分上，并在与所述电流通路部垂直相交的方向上延伸；
所述衬底分割用缺口部的端部形成在从所述电流通路部开始隔开规定的距离的区域，而且所述衬底分割用缺口部形成为船形形状，使得该衬底分割用缺口部在与所述电流通路部垂直相交的方向上的长度从所述衬底分割用缺口部的底部向所述衬底的上表面一侧逐渐变大。
7.如权利要求6所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于，
所述衬底包括氮化物类半导体衬底。
8.一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具有：
多个氮化物类半导体层，这些氮化物类半导体层形成在衬底上且包括发光层，
电流通路部，其形成在多个所述氮化物类半导体层中的至少一个上，并在规定的方向上延伸，
与所述电流通路部垂直相交的一对谐振器端面，
与所述谐振器端面垂直相交的侧端面，
衬底分割用缺口部，其通过照射激光而形成在所述衬底的背面上的所述侧端面附近的至少一部分上，并与所述电流通路部平行地延伸；
所述衬底分割用缺口部的端部形成在从所述谐振器端面开始隔开规定的距离的区域，而且所述衬底分割用缺口部形成为船形形状，使得该衬底分割用缺口部在与所述电流通路部平行的方向上的长度从所述衬底分割用缺口部的底部向所述衬底的背面一侧逐渐变大。
9.如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于，
所述衬底包括氮化物类半导体衬底。
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