CN101494121B - 用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件 - Google Patents

用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件 Download PDF

Info

Publication number
CN101494121B
CN101494121B CN2008101863648A CN200810186364A CN101494121B CN 101494121 B CN101494121 B CN 101494121B CN 2008101863648 A CN2008101863648 A CN 2008101863648A CN 200810186364 A CN200810186364 A CN 200810186364A CN 101494121 B CN101494121 B CN 101494121B
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
anode
electrolytic capacitor
anode bodies
niobium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101863648A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101494121A (zh
Inventor
哈娜·布蕾兹诺娃
马丁·比莱尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Avx Components Corp
Original Assignee
AVX Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVX Corp filed Critical AVX Corp
Publication of CN101494121A publication Critical patent/CN101494121A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101494121B publication Critical patent/CN101494121B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/07—Dielectric layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/22—Devices using combined reduction and oxidation, e.g. redox arrangement or solion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及在进行阳极的阳极氧化以产生电介质层前用有机酸蚀刻电解电容器的阳极。无意受任何理论限制，但人们相信有机酸可以蚀刻掉至少阳极上的任何氧化物的一部分。这为电介质的产生提供了相对均匀的表面，而这又导致电介质层具有基本均匀的厚度和均相无定形结构，并因此改善了漏电流和稳定性。该有机酸也可以同时具有其它后遗的好处，如从阳极的表面去除任何金属杂质。

Description

用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件
背景技术
电解电容器通常是由可被氧化形成电介质层的阀作用材料形成。典型的阀作用金属是铌和钽。近年来，电容器已经发展为使用由导电性铌氧化物和五氧化二铌电介质制成的阳极。基于铌氧化物的电容器与钽电容器相比具有显著的优点。例如，铌氧化物来源更广泛并且在工艺方面潜在地比钽花费更低廉。与钽和铌相比，铌氧化物电容器还对进一步的氧化更稳定，因此当发生过电压(或者相反过负载)时更不易于发生热崩溃。此外，与铌和钽相比，铌氧化物具有低几个数量级的最低点火能。铌氧化物电容器也可以具有独特的高阻抗失效机制，其将漏电流限制到低于电容器的热崩溃点的水平。在铌氧化物电容器中，例如可以在NbO阳极烧结后与大气接触下形成钝化的结晶NbO2或Nb2O5膜。这种钝化膜或其它杂质可以起到核的作用并在随后的阳极生长电介质膜中产生更多的导电性结晶Nb2O5。这样可能导致在加速的温度和电压负荷下漏电流不稳定。
因而，目前需要一种在电介质层中具有较少缺陷的电解电容器阳极。
发明概述
根据本发明的一个实施方案，公开了一种形成电解电容器阳极的方法。该方法包括将含有阀金属组合物的粉末压成压制件(pressed pellet)；烧结压制件来形成阳极体；用有机酸蚀刻阳极体；以及随后在电解质存在的情况下阳极氧化该蚀刻的阳极体以形成电介质层。
根据本发明的另一个实施方案，公开了一种固体电解电容器，包括含钽、铌或其导电性氧化物的烧结、压制的阳极件。该阳极件具有用有机酸蚀刻的表面。该电容器还包括叠置在该阳极件的蚀刻表面上的电介质层以及叠置在电介质层上的固体电解质层。
本发明的其它特征和方面在下面给予了更详细的阐述。
附图简述
对于本领域普通技术人员来说，本发明的完全的和可实现的公开(包括它的最佳方式)在说明书的其余部分中参照附图更具体地进行了阐述，其中提到的附图：
图1是本发明电解电容器的一个实施方案的透视图；
图2是图1的电容器的剖视图；
图3是本发明用于激光焊接电容器到阳极端上的一个实施方案的示意图；
图4是根据本发明的一个实施方案形成的激光焊接的电容器的剖视图；
图5是实施例1的样品获得的漏电流稳定性的曲线图；
图6是实施例1中得到的V-A结果的曲线图；
图7是实施例2的样品获得的漏电流稳定性的曲线图；
图8是实施例2中得到的V-A结果的曲线图；
图9是实施例3的样品获得的漏电流稳定性的曲线图；
图10是实施例3中得到的V-A结果的曲线图；
图11是实施例4的样品获得的漏电流稳定性的曲线图；以及
图12是实施例4中得到的V-A结果的曲线图。
本说明书和附图中引用符号的重复使用是用来表示本发明的相同的或类似的特征或元素。
代表性实施方案的详细说明
本领域普通技术人员可以明白现在的讨论仅仅是一种示范性的实施方案的叙述，但是并不意味着限制以示例性的构造实现的本发明的更宽范围。
一般而言，本发明涉及在阳极进行阳极氧化以产生电介质层前用有机酸蚀刻电解电容器阳极。不欲限制于理论，据信某些有机酸可以蚀刻掉至少在阳极上的任何氧化物的一部分。这为电介质的产生提供了相对均匀的表面，均匀的表面随之产生具有基本均匀的厚度和均相无定形结构的电介质层，并因此改善漏电流和稳定性。该有机酸也可以具有其它后遗的好处，如从阳极的表面去除任何金属杂质。
用于本发明的有机酸通常是“弱”的，使得在25℃下测定时所述有机酸具有约0到约11的第一酸解离常数(pka1)，在一些实施方案中为约1到约10，以及在一些实施方案中为约2到约10。任何合适的弱有机酸可以用于本发明，如羧酸类，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙二酸、琥珀酸、水杨酸、磺基水杨酸、己二酸、马来酸、苹果酸、油酸、五倍子酸、酒石酸(如右旋酒石酸、内消旋酒石酸等)、柠檬酸、甲酸、乙酸、乙醇酸、草酸、丙酸、邻苯二甲酸、间苯二酸、戊二酸、葡糖酸、乳酸、天冬氨酸、谷氨酸、衣康酸、三氟乙酸、巴比妥酸、肉桂酸、苯甲酸、4-羟基苯甲酸、氨基苯甲酸等等；苯酚类，如连苯三酚(苯-1，2，3-三醇)、邻苯二酚(苯二醇)等等；它们的混合物，诸如此类。多元酸(如二元、三元酸等等)是特别合乎需要的，如α-酒石酸(pka1为2.98以及pKa2为4.34)、内消旋酒石酸(pKa1为3.22以及pKa2为4.82)、草酸(pKa1为1.23以及pKa2为4.19)、柠檬酸(pka1为3.13、pka2为4.76以及pKa3为6.40)等等。
所述阳极通常是由比电荷为约25,000微法拉*伏特每克(＂μF*V/g＂)或更高的粉末形成，在一些实施方案中比电荷为约40,000μF*V/g或更高，在一些实施方案中为约60,000μF*V/g或更高，以及在一些实施方案中为从约80,000到约200,000mF*V/g或更高。该粉末含有包括阀金属(即能够氧化的金属)或基于阀金属的化合物(如钽、铌、铝、铪、钛、它们的合金、它们的氧化物、它们的氮化物等等)的阀金属组合物。例如，该阀金属组合物可以包含铌的导电性氧化物，如铌与氧的原子比为1:1.0±1.0的铌氧化物，在一些实施方案中原子比为1:1.0±0.3，在一些实施方案中为1:1.0±0.1，以及在一些实施方案中为1:1.0±0.05。例如，铌氧化物可以是NbO0.7、NbO1.0、NbO1.1以及NbO2。在优选的实施方案中，组合物包含NbO1.0(一种甚至在高温下烧结时仍可以保持化学稳定的导电性铌氧化物)。此类阀金属氧化物的例子记载在Fife的美国专利6,322,912、Fife等人的美国专利6,391,275、Fife等人的美国专利6,416,730、Fife的美国专利6,527,937、Kimmel等人的美国专利6,576,099、Fife等人的美国专利6,592,740、Kimmel等人的美国专利6,639,787和Kimmel等人的美国专利7,220,397中；以及Schnitter的美国专利申请公开2005/0019581、Schnitter等人的美国专利申请公开2005/0103638、Thomas等人的美国专利申请公开2005/0013765中，此处引入上述所有专利文献的全部内容用于作为参考。
用于形成粉末的颗粒可以具有任何想要的形状或尺寸。例如，颗粒可以是有薄片的、有角的、结节状的以及它们的混合或变体。所述颗粒还一般具有至少约60目的筛分粒度分布，在一些实施方案中为约60到约325目，以及在一些实施方案中为约100到约200目。此外，比表面积为约0.1到约10.0m2/g，在一些实施方案中为约0.5到约5.0m2/g，以及在一些实施方案中为约1.0到约2.0m2/g。术语＂比表面积＂是指按照Bruanauer，Emmet和Teller(Journal of American Chemical Society，Vol.60，1938，p.309)的物理气体吸附(B.E.T.)方法以氮气作为吸附气体测定的表面积。同样地，本体(或Scott)密度一般为约0.1到约5.0克每立方厘米(g/cm3)，在一些实施方案中为约0.2到约2.5g/cm3，以及在一些实施方案中为约0.5到约1.5g/cm3。
为了促进阳极的形成，其它组分可以被加到导电性颗粒中。例如导电性颗粒可以任选与粘合剂和/或润滑剂混合来保证颗粒在压制形成阳极体时彼此充分粘附。合适的粘合剂可以包括樟脑、硬脂酸及其他皂性脂肪酸、聚乙二醇(Union Carbide)、甘酞树脂(General Electric)、聚乙烯醇、萘、植物蜡以及微晶蜡(纯化的链烷烃)。该粘合剂可以溶解和分散在溶剂中。溶剂的例子可以包括水、醇等等。当被使用时，粘合剂和/或润滑剂的百分比可以是总质量的约0.1％重量到约8％重量。然而应该知道的是，在本发明中粘合剂和润滑剂不是必需的。
一经形成，得到的粉末使用任何常规粉末压模来压实。例如，所述压模可以是使用冲模和一个或多个冲头的单工位成形压机。或者，也可以使用采用冲模和单一下冲头的铁砧型压实压模。单工位压实压模以几种基本类型提供，如凸轮压机、肘杆/肘板压机和偏心/曲轴式压机，其具有不同的性能，如单动、双动、浮动模、移动板、对置活塞、螺杆、冲击、热压、精压或精整。该粉末可以压实在阳极线(如钽丝)周围。还应该理解，在阳极体压制和/或烧结之后，阳极线也可以另外地被连接(如焊接)到阳极体上。压缩之后，可以通过在真空以及特定温度(如约150℃到约500℃)下加热该器件几分钟来除去任何粘合剂/润滑剂。或者，通过使该器件与水溶液接触来去除粘合剂/润滑剂，如Bishop等人的美国专利6,197,252中所述，其在此处被全文引入以作参考。其后，器件被烧结以形成多孔的整体块。例如，在一个实施方案中，器件可以在约1200℃到约2000℃的温度下在真空中烧结，以及在一些实施方案中，从约1500℃到约1800℃在真空中烧结。当烧结时，由于颗粒之间的键生长而导致器件收缩。除了上述的技术外，根据本发明还可以使用用于形成阳极体的任何其它技术，如Galvagni的美国专利4,085,435、Sturmer等人的美国专利4,945,452、Galvagni的美国专利5,198,968、Salisbury的美国专利5,357,399、Galvagni等人的美国专利5,394,295、Kulkarni的美国专利5,495,386以及Fife的美国专利6,322,912中记载的技术，此处引入上述专利文献全文以作参考。
尽管不是必需的，可以对阳极的厚度进行选择来改善电容器的电性能。例如阳极的厚度可以为约4毫米或更小，在一些实施方案中，为约0.2到约3毫米，以及在一些实施方案中，为约0.4到约1毫米。也可以选择阳极的形状来改善得到的电容器的电性质。例如，阳极可以具有弯曲的、正弦线的、矩形的、U形的、V形的等等形状。该阳极也可以具有包括一个或多个皱褶、沟槽、凹坑或缺口的“波纹”形状以增加表面和体积比例，从而最小化电容的ESR和扩展电容的频率响应。这种“波纹”阳极记载在例如，Webber等人的美国专利6,191,936、Maeda等人的美国专利5,949,639和Bourgault等人的美国专利3,345,545中，以及Hahn等人的美国专利申请公开2005/0270725中，所有这些专利文献被全文引入以作参考。
一经形成，阳极体用本发明的有机酸蚀刻以去除在烧结的时候和/或之后产生的氧化物。一般地，使用任何已知技术将有机酸以蚀刻溶液的形式涂覆于阳极体，如浸渍、印刷、喷涂、粉末涂敷等。所述蚀刻溶液一般含有溶剂，如水(如去离子水)、醚(如二***和四氢呋喃)、醇(如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇和丁醇)、三酸甘油酯、酮(如丙酮、甲基乙基酮和甲基异丁基酮)、酯(如乙酸乙酯、乙酸丁酯、二甘醇醚乙酸酯和甲氧基丙基乙酸酯)、酰胺(如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基辛酸/癸酸的脂肪酸酰胺以及N-烷基吡咯烷酮)、腈(如乙腈、丙腈、丁腈以及苄腈)、亚砜或砜类(如二甲基亚砜(DMSO)和环丁砜)等等。尽管不是必需的，常常使用水性溶剂(如水)。事实上，水可以占电解液中使用的溶剂的约1wt％或更高，在一些实施方案中为约10wt％或更高，在一些实施方案中为约50wt％或更高，在一些实施方案中为约70wt％或更高，以及在一些实施方案中为约90wt％到100wt％。
如果需要，可以对蚀刻溶液的某些参数进行选择来促进酸的解离，从而使它更容易与阳极表面上的氧化物反应。例如，更高的pH值(如高于7)和更高的温度倾向于有利酸解离的增加。然而，pH值过高和温度过高可以引起阳极的有害的腐蚀。因而，蚀刻溶液的pH值一般控制在约2到约12的范围内，以及在一些实施方案中为从约3到约11，以及在一些实施方案中为从约4到约8。为了获得想要的pH值，有机酸一般地占到蚀刻溶液的约0.1wt％到约20wt％，在一些实施方案中为约0.5wt％到约10wt％，以及在一些实施方案中为约1wt％到约5wt％。溶剂相应地可以占到蚀刻溶液的约80wt％到约99.9wt％，在一些实施方案中为约90wt％到约99.5wt％，以及在一些实施方案中为约95wt％到约99wt％。当然，应当清楚的是，常规的pH调节剂(酸性或碱性)也可以按照需要用于蚀刻溶液中。蚀刻溶液的温度同样一般为约15℃到约90℃，在一些实施方案中为约20℃到约80℃，以及在一些实施方案中为约20℃到约75℃。
一旦蚀刻完成，阳极体可以任选被清洗(如在水中)以除去残留组分。此后，阳极体可以被阳极化以便在阳极上和/或内部产生电介质层。阳极化是阳极氧化以形成具有较高介电常数的材料的电化学处理。例如，氧化铌(NbO)阳极可以被阳极化以形成五氧化铌(Nb2O5)。一般地，阳极化是通过起初将电解液应用在阳极上进行的，如将阳极浸入电解液中。该电解液通常是以液体形式存在，如溶液(如水性或非水性的)。
该电解液是导电性的，且在25℃温度下测定可以具有约1毫西门子每厘米(＂mS/cm＂)或更高的电导率，在一些实施方案中为约30mS/cm或更高，以及在一些实施方案中为约40mS/cm到约100mS/cm。为了增强该电解液的导电性，可以使用能够在溶剂中解离以形成离子的化合物。合适的离子化合物可以包括，例如酸，如盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、多磷酸、硼酸、亚硼酸(boronic acid)等等；包括羧酸的有机酸，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙二酸、琥珀酸、水杨酸、磺基水杨酸、己二酸、马来酸、苹果酸、油酸、五倍子酸、酒石酸、柠檬酸、甲酸、乙酸、乙醇酸、草酸、丙酸、邻苯二甲酸、间苯二酸、戊二酸、葡糖酸、乳酸、天冬氨酸、谷氨酸、衣康酸、三氟乙酸、巴比妥酸、肉桂酸、苯甲酸、4-羟基苯甲酸、氨基苯甲酸等等；磺酸、如甲磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、三氟甲磺酸、对苯乙烯磺酸、萘二磺酸、羟基苯磺酸、十二烷基磺酸、十二烷基苯磺酸等；聚合酸，如聚(丙烯酸)或聚(甲基丙烯酸)及其共聚物(如马来酸-丙烯酸、磺酸-丙烯酸以及苯乙烯-丙烯酸共聚物)；角叉酸(carageenic acid)；羧甲基纤维素；藻酸等等；诸如此类。对离子化合物的浓度进行选择来获得理想的电导率。例如，酸(如磷酸)可以占电解质的约0.01wt％到约5wt％，在一些实施方案中为约0.05wt％到约0.8wt％，以及在一些实施方案中为约0.1wt％到约0.5wt％。如果需要的话，可以在电解液中使用离子化合物的混合物。溶剂(如上面所述的溶剂)一般也被用于电解液中作为离子化合物等的载体。溶剂可以占到电解液的约50wt％到约99.9wt％，在一些实施方案中为约75wt％到约99wt％，以及在一些实施方案中为约80wt％到约95wt％。
电流通过电解质以形成电介质层。电压值控制着通过的电荷(电流乘以时间)以及由此控制着电介质层的厚度。例如，电源最初可以设置为处于恒电流模式直到达到所需要的电压。其后，电源可以转换到恒电压模式以保证在阳极的表面上形成想要的电介质厚度。当然，也可以使用其它已知的方法，如脉冲法。电压一般为约4到约200V，以及在一些实施方案中为约9到约100V。在阳极氧化期间，电解液可以保持在高温下，如约30℃或更高，在一些实施方案中为约40℃到约200℃，以及在一些实施方案中为约50℃到约100℃。阳极氧化还可以在室温或更低温度下进行。得到的电介质层可以在阳极的表面上和/或它的孔隙内合成。
一经形成该电介质层，可以任选在涂覆防护涂层，例如由相对绝缘的树脂类材料(天然的或合成的)制成的涂层。这种材料可以具有大于约0.05ohm-cm的电阻率，在一些实施方案中为大于约5ohm-cm，在一些实施方案中为大于约1,000ohm-cm，在一些实施方案中为大于约1x105ohm-cm，以及在一些实施方案中为大于约1x1010ohm-cm。可以在本发明中使用的一些树脂类材料包括，但不限于，聚氨酯、聚苯乙烯、不饱和或饱和脂肪酸的酯(如甘油酯)等。例如，合适的脂肪酸的酯包括，但不限于，月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、桐酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、油桐酸、虫胶酸等的酯。已经发现这些脂肪酸酯在以相对复杂的组合用于形成“干性油”时是特别有用的，这使得产生的薄膜快速地聚合成为稳定的层。这种干性油可以包括单-、二-和/或三-甘油酯，它具有分别带有一个、两个和三个酯化的脂肪酰基残基的甘油骨架。例如，可以被使用的某些合适的干性油包括，但不限于，橄榄油、亚麻子油、蓖麻油、桐油、豆油和虫胶。这些和其它防护涂层材料更详细的记载在Fife等人的美国专利6,674,635中，该文献在此处被全文引入以作参考。
阳极化部件随后根据传统方法进行形成阴极的步骤。在一些实施方案中，例如阴极是通过各种技术来形成的，如硝酸锰(Mn(NO3)2)的热解来形成二氧化锰(MnO2)阴极。这种技术被记载在，例如Sturmer等人的美国专利4,945,452中，该文献此处被全文引入以作参考。可选择地，导电聚合物涂层可以被用来形成电容器的阴极。该导电聚合物涂层可以包含一种或多种聚杂环类(如聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDT)、聚苯胺)；多炔；聚-p-亚苯；聚酚盐以及它们的衍生物。此外，如果需要，该导电聚合物涂层也可以由多个导电聚合物层组成。例如，在一个实施方案中，导电聚合物涂层可以包括由PEDT形成的一个层以及由聚吡咯形成的另一层。可以使用各种方法将导电聚合物涂层涂覆到阳极部件上。例如，传统方法(如电引发聚合、丝网印刷、浸渍、电泳涂层以及喷涂)可以被用来形成导电聚合物涂层。在一个实施方案中，例如，用于形成导电聚合物的单体(如3，4-乙撑二氧噻吩)可以最初与聚合催化剂混合来形成溶液。例如，一种合适的聚合催化剂是BAYTRON C，它是铁III甲苯磺酸盐并且由H.C.Starck出售。BAYTRON C是一种市场上可买到的用于BAYTRON M(其为3，4-乙撑二氧噻吩，一种也由H.C.Starck出售的PEDT单体)的催化剂。催化剂分散体一经形成，阳极部件可以被浸入到分散体中以便在阳极部件的表面上形成聚合物。或者，催化剂和单体也可以被独立应用到阳极部件。在一个实施方案中，例如催化剂可以溶于溶剂(如丁醇)中，然后被作为浸渍溶液应用到阳极部件上。阳极部件随后可以被干燥以除去溶剂。随后，阳极部件可以浸入到含有适当单体的溶液中。单体与含有催化剂的阳极部件的表面一经接触，其即在上面进行化学聚合。另外，催化剂(如BAYTRON C)也可以与用于形成任选的防护涂层的材料(如树脂类材料)混合。在这种情况下，阳极部件随后可以被浸入到含有单体(BAYTRON M)的溶液中。因此，该单体可以与防护涂层内部和/或表面上的催化剂接触并且与其反应以形成导电聚合物涂层。尽管上面已经叙述了各种不同的方法，但应该知道在本发明中还可以使用任何其它将导电涂层涂覆到阳极部件上的其它方法。例如，涂覆导电聚合物涂层的其它方法可以是记载在Sakata等人的美国专利5,457,862、Sakata等人的美国专利5,473,503、Sakata等人的美国专利5,729,428和Kudoh等人的美国专利5,812,367中的方法，此处引入它们的全文以作参考。
在大多数的实施方案中，一经涂覆，导电聚合物即被修复(healed)。修复可以在各次涂覆导电聚合物层之后进行，或者可以在涂覆整个导电聚合物涂层之后进行。在一些实施方案中，例如，导电聚合物可以通过将器件浸入到电解质溶液(如磷酸和/或硫酸的溶液)中，以及随后将恒定电压施加到溶液中直到电流降低到预选的水平而进行修复。如果需要，这种修复可以以多个步骤完成。例如，在一个实施方案中，具有导电聚合物涂层的器件首先浸入到磷酸中并且施加约20伏特的电压，然后浸入硫酸中并施加约2伏特的电压。在这个实施方案中，第二低压硫酸溶液或甲苯磺酸的使用有助于增加电容以及降低得到的电容器的损耗因子(DF)。在涂覆如上所述的一些或所有的层之后，如果需要的话器件随后可以被清洗以去除各种各样副产物、过量催化剂等等。此外，在有些情况下，在上述的部分或所有的浸渍操作完成之后可以进行干燥。例如，在涂覆催化剂后和/或对器件进行清洗后，可能需要进行干燥以使器件的孔隙开放，从而它在随后的浸渍步骤中可以接收液体。
阴极一经形成，该部件可以任选地分别涂覆炭层(如石墨)和银层。该银涂层可以，例如作为用于电容器元件的可焊接导体、接触层和/或电荷收集器，且该碳涂层可以限制银涂层与固体电解质的接触。这些涂层可以覆盖部分或所有的固体电解质。
随后可以使用本领域已知的技术来完成得到的电容器元件。参见图1-2，例如，电容器元件30的一个实施方案显示，它具有总体矩形形状且分别包含正面36、背面38、顶面和底面37和39，以及侧面32(仅仅图示了一个)。阳极线34从电容器元件30的正面36沿纵向(＂y＂方向)延伸。图2进一步显示，电容器元件30包含阳极体50、叠置在阳极体50上的电介质层52、叠置在电介质层52上的固体电解质层54、叠置在有机固体电解质层54上的石墨层56以及叠置在石墨层56上的银层58。当然，应当很清楚这些层可以涂覆于电容器的任何表面，而不是必须以图示的方式涂覆。
当电容器元件30形成时，阳极和阴极端可以分别电连接到阳极线34和固体电解质层54上(通过石墨和银层)。本领域中众所周知该终端的具体构型可以变化。参见图3，例如，一个实施方案显示包括阳极端70和阴极端80。在这个特定的实施方案中，阴极端包含第一部分82，其位置基本上垂直于第二部分84。第一部分82与该电容器元件30的底面39电接触且第二部分84与该电容器元件30的背面38电接触。为了将电容器元件30连接于阴极端80上，可以使用本领域中已知的导电粘合剂。导电粘合剂可以包括，例如含有导电性金属微粒的树脂组合物。该金属微粒可以是银、铜、金、铂、镍、锌、铋等等。树脂组合物可以包括热固性树脂(如环氧树脂)、固化剂(如酸酐)和偶联剂(如硅烷偶联剂)。合适的导电粘合剂记载在Osako等人的美国专利申请公开2006/0038304中，此处全文引入该文献以作参考。
阳极端70含有基本上垂直于第二部分74的第一部分76。第二部分74含有承载阳极线34的区域。在示例的实施方案中，区域51具有用于进一步增强线34的表面接触和机械稳定性的＂U-形＂形状。阳极线34随后用激光器90焊在区域51上。电容器元件一经连接于终端后，它被包封到树脂壳体内，该壳体可以随后填充含二氧化硅的树脂或任何其它已知的包封材料。该壳体的宽度和长度可以根据预定的应用而变化。然而，该壳体的总厚度一般是小的以便所形成的组件可容易引入到低外形轮廓的产品(如“IC卡”)中。例如，壳体的厚度可以为约4.0毫米或更小，在一些实施方案中为约0.1到约2.5毫米，以及在一些实施方案中，为约0.15到约2.0毫米。合适的壳体可以包括，例如＂A＂、＂B＂、＂H＂或＂T＂壳体(AVX公司)。参见图4，例如用于电容器组件100的包封壳体的一个特定的实施方案显示为元件88。该包封壳体88对电容器组件100提供额外的结构保护和热保护。进行包封之后，各阳极和阴极端的暴露部分可以进行老化、遮蔽和修整。如果需要，该暴露部分可以任选沿着壳体88的外侧弯折两次(如以大约90°角)。
根据本发明，形成的电容器可以显示出优良的电性质。例如，本发明的电容器一般具有低于约1000毫欧(mohms)的ESR，在一些实施方案中为低于约500mohms，以及在一些实施方案中为低于约100mohms。电容器的等效串联电阻(ESR)一般指电容器在电路中充电和放电时发挥电阻器样作用的程度，并且通常表示为与电容器串联的电阻。另外，得到的漏电流(其一般指从一个导体通过绝缘体流到邻近的导体的电流)可以维持在相对低的水平上。例如，本发明电容器的标准漏电流的数值，在一些实施方案中低于约0.1μA/μF*V，在一些实施方案中低于约0.01μA/μF*V，以及在一些实施方案中低于约0.001μA/μF*V，其中μA是微安以及μF*V是电容和额定电压的乘积。同样地，本发明的电容器的击穿电压可以是至少约10伏特，在一些实施方案中为至少约15伏特，在一些实施方案中为至少约20伏特，并且在一些实施方案中为约20伏特到约100伏特。
本发明可以通过参考下列实施例来更好地理解。
测试方法
VA特性
电容器的V-A特性是由100mOhms的串联电阻测量的。以0.1V的增量通过双极性电源(Keithley 2400)逐步增加外加电压并在延迟10s后25℃温度下通过数字式万用表(Agilent 34401)对电流进行测量。
回流/高压锅/回流稳定性
为了测试高温下的电流稳定性，根据回流温度分布图(在最大180℃下预热，峰值为250℃到255℃，并且回流梯度为3.75到4.25℃每秒)使用回流烘箱Heller并且在高压锅(120℃，100％湿度)中加热阳极。更具体而言，首先根据回流分布图加热阳极，然后在高压锅中加热2小时，以及最后根据回流分布图再次加热。20秒钟后，使用电源Hewlett Packard HP6634A和Mantracourt Electronics LTD，UK生产的MC157泄漏测试装置于室温25℃下，在进行该整个过程之前和之后测量漏电流。
实施例1
80,000μFV/g的铌氧化物粉末(HC Starck)被压制成器件并且烧结以形成多孔电极体。然后器件在各种弱有机酸溶液中处理1小时，弱有机酸为苯二醇(1wt％，室温)、苯三酚(1wt％，室温)、三羧酸(1wt％，70℃)、二羧酸(1wt％，70℃)和二羧酸的二羟基衍生物(1wt％，70℃)。然后室温下在含有磷酸的水溶液中进行阳极氧化。首先在恒电流下进行阳极氧化以达到想要的电压，然后恒电压进行阳极氧化。具有支持电解质的电解质的电导率是4.5mS/cm。通过选择电压来得到100μF的目标电容。阳极氧化后，该器件涂覆二氧化锰层、石墨涂层和银涂层。通过常规装配技术将制成的部件全部装入B壳体(EIA 3528)中。如上所述测量电流稳定性。结果如图5所示。同时测量老化的电容器的V-A特性。结果如图6所示。
实施例2
80,000μFV/g的铌氧化物粉末(HC Starck)被压制成器件并且烧结以形成多孔电极体。然后器件在各种温度下，在二羧酸二羟基衍生物的水溶液(1wt％)中处理1小时。然后如实施例1所述进行阳极氧化。阳极氧化后，器件涂覆二氧化锰层、石墨涂层和银涂层。通过常规装配技术将制成的部件全部装入B壳体(EIA 3528)中。然后加热阳极并且如上所述进行测试。漏电流结果如图7所示以及电容器的V-A特性如图8所示。
实施例3
80,000μFV/g的铌氧化物粉末(HC Starck)被压制成器件并且烧结以形成多孔的电极体。然后器件在各种浓度的二羧酸的水溶液(70℃)中处理1小时。然后如实施例1所述进行阳极氧化。阳极氧化后，器件涂覆二氧化锰层、石墨涂层和银涂层。通过常规装配技术将制成的部件全部装入B壳体(EIA 3528)中。然后加热阳极并且如上所述进行测试。漏电流结果如图9所示以及电容器的V-A特性如图10所示。
实施例4
80,000μFV/g的铌氧化物粉末(HC Starck)被压制成器件并且烧结以形成多孔的电极体。然后器件在二羧酸的水溶液(10wt％，室温)中处理不同时间。然后如实施例1所述进行阳极氧化。阳极氧化后，器件涂覆二氧化锰层、石墨涂层和银涂层。通过常规装配技术将制成的部件全部装入B壳体(EIA 3528)中。然后加热阳极并且如上所述进行测试。漏电流结果如图11所示以及电容器的V-A特性如图12所示。
本领域技术人员可以对本发明进行这些和其它的改进以及变化而不脱离本发明的精神和范围。另外，应当清楚的是各种实施方案的多个方面可以进行整体的或部分的互换。此外，本领域技术人员应当理解，上面的描述仅仅是作为示例，其目的并不是将在所附的权利要求书中进一步描述的本发明限制到这一范围。

Claims (26)

1.一种用于形成电解电容器阳极的方法，该方法包括：
将含有阀金属组合物的粉末压成压制件，其中所述阀金属组合物含有铌或钽的导电性氧化物；
烧结压制件来形成阳极体；
用在25℃下测定的第一酸解离常数为0到11的有机多元酸蚀刻阳极体；以及
随后，在电解质存在的情况下阳极氧化该蚀刻的阳极体以形成电介质层。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第一酸解离常数为2到10。
3.根据权利要求1的方法，其中所述多元酸为羧酸。
4.根据权利要求1的方法，其中所述酸是连苯三酚、邻苯二酚或其组合。
5.根据权利要求1的方法，其中所述有机多元酸包含于蚀刻溶液中。
6.根据权利要求5的方法，其中所述蚀刻溶液的pH值为2到12。
7.根据权利要求5的方法，其中所述有机酸占蚀刻溶液的0.1wt％到20wt％。
8.根据权利要求5的方法，其中所述有机酸占蚀刻溶液的0.5wt％到10wt％。
9.根据权利要求5的方法，其中所述蚀刻溶液具有20℃到75℃的温度。
10.根据权利要求5的方法，其中所述阳极体被浸入蚀刻溶液中。
11.根据权利要求1的方法，其中所述阳极体被浸入电解液中。
12.根据权利要求1的方法，其中所述阀金属组合物含有铌原子与氧原子的原子比为1∶1.0±0.3的铌氧化物。
13.根据权利要求1的方法，其中所述阀金属组合物含有铌原子与氧原子的原子比为1∶1.0±0.1的铌氧化物。
14.根据权利要求1的方法形成的电容器阳极。
15.包含权利要求14的电容器阳极的固体电解电容器，进一步包括叠置在电介质层上的固体电解质层。
16.一种固体电解电容器，包括：
包含铌或钽的导电性氧化物的压制、烧结的阳极体，其中该阳极体具有用在25℃下测定的第一酸解离常数为0到11的有机多元酸蚀刻的表面；
叠置在该阳极体的蚀刻表面上的电介质层；以及
叠置在电介质层上的固体电解质层。
17.根据权利要求16的固体电解电容器，其中所述阳极体含有铌原子与氧原子的原子比为1∶1.0±0.3的铌氧化物。
18.根据权利要求16的固体电解电容器，其中所述阳极体含有铌原子与氧原子的原子比为1∶1.0±0.1的铌氧化物。
19.根据权利要求16的固体电解电容器，还包括至少叠置在电解质层上的附加层，该附加层包括碳层、银层或其组合。
20.根据权利要求16的固体电解电容器，还包括从阳极体伸出的阳极引线。
21.根据权利要求20的固体电解电容器，还包括：
与电解质层电连接的阴极端；
与阳极体电连接的阳极端；以及
包封电容器并使阳极端和阴极端的至少一部分暴露在外的壳体。
22.根据权利要求16的固体电解电容器，其中所述固体电解质层含有导电聚合物。
23.根据权利要求16的固体电解电容器，其中所述固体电解质层含有二氧化锰。
24.根据权利要求3的方法，其中所述羧酸包括α-酒石酸、内消旋酒石酸、草酸、柠檬酸或其组合。
25.根据权利要求1的方法，其中蚀刻提供具有相对均匀的表面的所述阳极体。
26.根据权利要求1的方法，其中所述电介质层具有基本上均匀的厚度和基本上均相的无定形结构。
CN2008101863648A 2008-01-22 2008-12-05 用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件 Expired - Fee Related CN101494121B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/017,473 US7768773B2 (en) 2008-01-22 2008-01-22 Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US12/017,473 2008-01-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101494121A CN101494121A (zh) 2009-07-29
CN101494121B true CN101494121B (zh) 2013-03-20

Family

ID=40194759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101863648A Expired - Fee Related CN101494121B (zh) 2008-01-22 2008-12-05 用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7768773B2 (zh)
JP (1) JP2009177174A (zh)
KR (1) KR20090080906A (zh)
CN (1) CN101494121B (zh)
DE (1) DE102008043238A1 (zh)
GB (1) GB2456856B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8213158B2 (en) * 2007-09-28 2012-07-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and its production method
DE102010047086A1 (de) 2010-10-01 2012-04-05 Heraeus Clevios Gmbh Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator
JP5906406B2 (ja) 2011-03-18 2016-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP6063937B2 (ja) * 2012-06-22 2017-01-18 昭和電工株式会社 コンデンサの製造方法
JP6143472B2 (ja) * 2013-01-18 2017-06-07 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法及びアルミニウム電解コンデンサ用電極材。
EP3139393A4 (en) * 2014-05-01 2018-02-21 Showa Denko K.K. Method for manufacturing tungsten-based capacitor element
JP5798279B1 (ja) * 2014-05-01 2015-10-21 昭和電工株式会社 タングステン系コンデンサ素子の製造方法
US10204737B2 (en) 2014-06-11 2019-02-12 Avx Corporation Low noise capacitors
CN109182853B (zh) * 2018-11-29 2020-06-12 浙江德沐洁具科技有限公司 一种铝合金模具表面处理工艺
CN110718393B (zh) * 2019-10-31 2021-11-30 湖南艾华集团股份有限公司 一种中高压铝电解电容器阳极箔的制备方法及电容器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1320104A (zh) * 1998-09-16 2001-10-31 卡伯特公司 部分还原某些金属氧化物的方法和脱氧金属氧化物
CN1679125A (zh) * 2002-08-30 2005-10-05 昭和电工株式会社 用于电容器的金属箔片、使用该箔片的固体电解电容器和箔片和电容器的生产方法
CN1774778A (zh) * 2003-04-14 2006-05-17 昭和电工株式会社 烧结体电极和使用该电极的固体电解电容器

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345545A (en) 1964-11-27 1967-10-03 Johnson Matthey & Mallory Ltd Solid electrolytic capacitor having minimum anode impedance
US4085435A (en) 1976-06-14 1978-04-18 Avx Corporation Tantalum chip capacitor
US4084965A (en) 1977-01-05 1978-04-18 Fansteel Inc. Columbium powder and method of making the same
US4118727A (en) 1977-09-09 1978-10-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army MOX multi-layer switching device comprising niobium oxide
US4155017A (en) 1977-11-09 1979-05-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Sharpening high power pulses
US4131520A (en) 1977-11-10 1978-12-26 Sprague Electric Company Two-stage anodization of capacitor electrodes
US4149876A (en) 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
US4278513A (en) 1980-06-30 1981-07-14 Sprague Electric Company Two-stage differential anodization process
CA1168762A (en) 1981-06-22 1984-06-05 Osamu Michikami Method of fabrication for josephson tunnel junction
SU1057995A1 (ru) 1981-12-05 1983-11-30 Предприятие П/Я А-3529 Способ изготовлени объемно-пористого анода электролитического конденсатора
US4712857A (en) 1985-03-28 1987-12-15 Honeywell Inc. NO2 thin film electro-optic switch
US4672267A (en) 1986-04-04 1987-06-09 Gte Laboratories Incorporated High intensity discharge device containing oxytrihalides
JPS62268121A (ja) 1986-05-16 1987-11-20 日立エーアイシー株式会社 電解コンデンサ用電解液
US4722756A (en) 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
EP0287325B1 (en) 1987-04-13 1994-07-27 Hitachi, Ltd. Superconducting material and process for producing the same
US4957541A (en) 1988-11-01 1990-09-18 Nrc, Inc. Capacitor grade tantalum powder
US4945452A (en) 1989-11-30 1990-07-31 Avx Corporation Tantalum capacitor and method of making same
US5098485A (en) 1990-09-19 1992-03-24 Evans Findings Company Method of making electrically insulating metallic oxides electrically conductive
US5198187A (en) 1991-11-20 1993-03-30 University Of Florida Methods for production of surface coated niobium reinforcements for intermetallic matrix composites
US5198968A (en) 1992-07-23 1993-03-30 Avx Corporation Compact surface mount solid state capacitor and method of making same
US5357399A (en) 1992-09-25 1994-10-18 Avx Corporation Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor
US5306479A (en) 1992-11-20 1994-04-26 Teledyne Industries, Inc. (California Corp.) Process for synthesizing niobium dioxide and mixed metal oxides containing niobium
US5394295A (en) 1993-05-28 1995-02-28 Avx Corporation Manufacturing method for solid state capacitor and resulting capacitor
US5391269A (en) * 1993-06-29 1995-02-21 At&T Corp. Method of making an article comprising a silicon body
JP2765462B2 (ja) 1993-07-27 1998-06-18 日本電気株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5495386A (en) 1993-08-03 1996-02-27 Avx Corporation Electrical components, such as capacitors, and methods for their manufacture
JPH07135126A (ja) 1993-11-10 1995-05-23 Nec Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5812367A (en) 1996-04-04 1998-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative
US5993513A (en) 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
JPH09306792A (ja) 1996-05-13 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP3863232B2 (ja) 1996-09-27 2006-12-27 ローム株式会社 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法
US6165623A (en) 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
GB9700566D0 (en) 1997-01-13 1997-03-05 Avx Ltd Binder removal
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6051326A (en) 1997-04-26 2000-04-18 Cabot Corporation Valve metal compositions and method
SE517337C2 (sv) 1998-02-02 2002-05-28 Luossavaara Kiirunavaara Ab Förfarande för reducering av hopklumpnings- och kladdningsbenägenheten hos järninnehållande agglomerat material
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3371362B2 (ja) * 1998-06-05 2003-01-27 日本蓄電器工業株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法
US6462934B2 (en) 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6391275B1 (en) 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6072694A (en) 1998-09-30 2000-06-06 Kemet Electronics Corporation Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor
MXPA01009477A (es) 1999-03-19 2002-06-04 Cabot Corp Elaboracion de polvo de niobio y de otros metales mediante molienda.
US6191936B1 (en) 1999-04-12 2001-02-20 Vishay Sprague, Inc. Capacitor having textured pellet and method for making same
US6375704B1 (en) 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6483694B1 (en) 1999-06-22 2002-11-19 Showa Denko Kabushiki Kaisha Electrode for electrolytic capacitor, electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor
US6261434B1 (en) 1999-10-19 2001-07-17 Kemet Electronics Corporation Differential anodization process for electrolytic capacitor anode bodies
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6563695B1 (en) 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
WO2001082318A2 (en) 2000-04-21 2001-11-01 Showa Denko K.K. Niobium sintered body, production method therefor, and capacitor using the same
US6334945B1 (en) 2000-09-07 2002-01-01 Kemet Electronics Corporation Aging process for solid electrode capacitor
EP1334498B1 (en) 2000-11-06 2006-09-13 Cabot Corporation Modified oxygen reduced valve metal oxides
US6455443B1 (en) 2001-02-21 2002-09-24 International Business Machines Corporation Method of fabricating low-dielectric constant interlevel dielectric films for BEOL interconnects with enhanced adhesion and low-defect density
US7149074B2 (en) 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US20030104923A1 (en) * 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
KR100663735B1 (ko) * 2001-05-15 2007-01-03 쇼와 덴코 가부시키가이샤 니오브 분말, 니오브 소결체 및 이 소결체를 사용한 콘덴서
JP2002367867A (ja) 2001-06-06 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ用電極部材とその製造方法及びこれを用いた固体電解コンデンサ
US6674635B1 (en) 2001-06-11 2004-01-06 Avx Corporation Protective coating for electrolytic capacitors
JP2003059777A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Nec Tokin Corp アモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化方法及びＮｂ固体電解コンデンサの製造方法
AU2003265173A1 (en) * 2002-08-30 2004-03-19 Showa Denko K.K. Metal foil for capacitor, solid electrolytic capacitor using the foil and production methods of the foil and the capacitor
WO2004079760A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-16 Showa Denko K.K. Chip solid electrolyte capacitor
US7157073B2 (en) 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
CN1549286A (zh) 2003-05-08 2004-11-24 中南大学 一氧化铌电解电容器阳极及其制造方法
EP1498391B1 (de) 2003-07-15 2010-05-05 H.C. Starck GmbH Niobsuboxidpulver
DE10333156A1 (de) 2003-07-22 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
EP1654745B1 (en) 2003-08-13 2012-08-01 Showa Denko K.K. Chip solid electrolyte capcitor and production method of the same
DE10347702B4 (de) 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
TW200519993A (en) * 2003-11-10 2005-06-16 Showa Denko Kk Niobium powder for capacitor, niobium sintered body, and capacitor
TWI239542B (en) 2003-12-26 2005-09-11 Ind Tech Res Inst Solid-state, electrolytic capacitor, fabrication method thereof, and coupling agent used therefor
US7803235B2 (en) 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
JP4275044B2 (ja) 2004-02-04 2009-06-10 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
DE102004011214A1 (de) 2004-03-04 2005-10-06 W.C. Heraeus Gmbh Hochtemperaturbeständiger Niob-Draht
US20050218005A1 (en) 2004-04-01 2005-10-06 Yanming Liu Anodizing electrolytes for high voltage capacitor anodes
JP2005303062A (ja) 2004-04-13 2005-10-27 Rubycon Corp 電解コンデンサ駆動用電解液及び電解コンデンサ
US7116548B2 (en) 2004-04-23 2006-10-03 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
FI20040895A (fi) 2004-06-29 2005-12-30 Top Tunniste Oy Menetelmä ja järjestely RFId-tunnisteen käyttämiseksi rullatavaran tunnistuksessa
CN1737072B (zh) 2004-08-18 2011-06-08 播磨化成株式会社 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法
TWI425541B (zh) 2004-11-19 2014-02-01 Murata Manufacturing Co Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
US20080310080A1 (en) 2005-08-19 2008-12-18 Martin Biler Solid State Capacitors and Method of Manufacturing Them
GB0517952D0 (en) 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US20070221507A1 (en) 2006-02-23 2007-09-27 Greatbatch Ltd. Anodizing Electrolytes Using A Dual Acid System For High Voltage Electrolytic Capacitor Anodes
JP4709069B2 (ja) * 2006-05-31 2011-06-22 ニチコン株式会社 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法
US7658986B2 (en) 2007-05-30 2010-02-09 Kemet Electronics Corporation Anodes with corner and edge modified designs

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1320104A (zh) * 1998-09-16 2001-10-31 卡伯特公司 部分还原某些金属氧化物的方法和脱氧金属氧化物
CN1679125A (zh) * 2002-08-30 2005-10-05 昭和电工株式会社 用于电容器的金属箔片、使用该箔片的固体电解电容器和箔片和电容器的生产方法
CN1774778A (zh) * 2003-04-14 2006-05-17 昭和电工株式会社 烧结体电极和使用该电极的固体电解电容器

Also Published As

Publication number Publication date
US20090185330A1 (en) 2009-07-23
CN101494121A (zh) 2009-07-29
DE102008043238A1 (de) 2009-07-23
GB0821004D0 (en) 2008-12-24
JP2009177174A (ja) 2009-08-06
GB2456856A (en) 2009-07-29
GB2456856B (en) 2011-10-12
KR20090080906A (ko) 2009-07-27
US7768773B2 (en) 2010-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101494121B (zh) 用于电解电容器的经有机酸蚀刻的烧结阳极件
CN101814380B (zh) 包含非金属表面处理的固体电解电容的阳极
CN101494118B (zh) 用于电解电容器的经表面活性剂处理的烧结的阳极颗粒
CN101552138B (zh) 密封电容器组件
CN101901695B (zh) 具有面朝下端子的固体电解电容
CN101673622B (zh) 用于嵌入电路板的固体电解电容
CN101419866B (zh) 用于形成电容器阳极的掺杂陶瓷粉末
CN101714461A (zh) 由包含粗团聚物和细团聚物的粉末形成的电容阳极
CN101494119B (zh) 用有机金属化合物处理的电解电容器阳极
JP2017188692A (ja) 超高電圧固体電解コンデンサ
CN102024576B (zh) 具有凹槽式引线框沟道的电解电容器组件及其制作方法
CN102403128B (zh) 带多个阴极端子的固体电解电容器组件
GB2516529A (en) Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
CN103377829A (zh) 包含多个烧结接合的阳极引线的固体电解电容器
US9545008B1 (en) Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130320

Termination date: 20151205

EXPY Termination of patent right or utility model