CN101486264A - 一种可剥离的超薄转移载体金属箔及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种可剥离的超薄转移载体金属箔，包括厚度为0.1～9微米的超薄金属箔和可剥离的转移胶膜，转移胶膜上设置有低粘度胶层，超薄金属箔与可剥离的转移胶膜通过低粘度胶层贴合连接；超薄金属箔另一表面覆盖有保护膜。制造方法如下：(1)形成光亮基体载带；(2)在光亮基体载带上电沉积金属，形成可剥离的金属箔；(3)在金属箔上贴合转移胶膜，将金属箔揭下转移至转移胶膜上。本发明实现了0.1～9微米以下超薄铜箔的大规模生产和使用。同时工艺简单，生产效率高，光亮基体载带可以循环利用，生产成本低，具有广阔的市场前景。

Description

一种可剥离的超薄转移载体金属箔及其制造方法

技术领域

本发明涉及应用于线路制造的金属箔技术领域，具体为具一种可剥离的超薄转移载体金属箔及其制造方法。

背景技术

铜箔作为覆铜箔基板、印制电路板的基础原材料，随着世界范围内电子工业的飞速发展。随着微电子技术的发展，电路的制造精细度越来逾高。传统的铜箔制造工艺已经不能适应目前电子技术的发展要求。目前，制作铜箔的常规方法有如下两种：

1、压延退火法。首先加热铜链，然后把它们送入一系列的滚筒中，使它们缩减为指定厚度的铜箔。旋转生成了铜箔中的颗粒结构，这些颗粒结构看起来像搭接的水平面上。在压力和温度的作用下，大小不同的铜颗粒之间相互作用，这就形成了铜箔如延展性和硬度等功能，同时也产生了一个光滑的表面。与电解铜箔相比，这种生产工艺生产的铜箔能承受更大的反复弯曲。然而，它的缺点是成本较高，铜箔的厚度和宽度的可选性较少。

2、电解法。电解铜箔是我国信息产业重要的电子材料之一，特别是印制电路板、覆铜箔基板行业基材原材料。电解铜箔的制造是将铜离子电镀到一个圆柱形阴极上，然后将铜箔不断地从上面剥离下来。电解铜箔是柱状晶粒结构，当铜箔被弯曲时颗粒分离，这就使得铜箔弯曲时，其柔性和抗破裂能力比压延退火铜箔要小。具体的工艺流程是：电解过程开始是将铜从硫酸溶液中分解出来，通过温度和搅动来控制分解率。铜箔的外形和力学性能可能过使用不同类型的添加剂加以控制。铜溶液不断地被注入电解池中，在电解池阳极和阴极之间电流的作用下，铜离子从化学池中析出到阴极表面。阴极是一个旋转的圆柱形磁鼓，它的一半浸没在溶液中。当阴极进入溶液中时，铜开始沉积在磁鼓的表面，并且连续电镀直到磁鼓离开溶液。当阴极继续旋转时，铜箔从阴极剥离。阴极磁鼓的旋转速度决定了铜箔的厚度，但是电解过程很难生产厚度9微米以下的铜箔。

对于厚度在0.1～9微米的超薄铜箔，由于它太薄，用以上常规方法无法顺利进行人工和机器操作，所以目前超薄铜箔很难大规模的生产及使用，无法满足目前技术生产的需求。

发明内容

本发明的目的是为了克服上述超薄铜箔存在的不足，提供可以大规模生产和使用的一种可剥离的超薄转移载体金属箔。

本发明的另一个目的是提供制造上述超薄载体金属箔的一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法。

一种可剥离的超薄转移载体金属箔，包括超薄金属箔和可剥离的转移胶膜，转移胶膜上设置有低粘度胶层，超薄金属箔与可剥离的转移胶膜通过低粘度胶层贴合连接。

所述的超薄金属箔另一覆盖有保护膜。即是在超薄金属箔与贴合可剥离胶膜的反面覆盖有保护膜。

所述的超薄金属箔的厚度为0.1～9微米。

所述的超薄金属箔可以铜箔，保护膜可以是离形膜。

一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，制造步骤如下：

(1)、形成光亮基体载带；

(2)、在光亮基体载带上电沉积金属，形成可剥离的金属箔；

(3)、在金属箔上贴合转移胶膜，将金属箔揭下转移至转移胶膜上。

所述的光亮基体载带由基体层、真空镀层和表面金属光亮层组成，基体层最少一侧表面进行真空溅射镀上真空镀层，真空镀层上电沉积表面金属光亮层。

所述的真空镀层为真空磁控溅射镍层。

所述的表面金属光亮层可以是电镀镍层、电镀铬层或者电镀镍铬合金层，反光率在40-90％。

所述的光亮基体载带的制作方法如下：

①、对基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

②、在基体单面或双面进行真空溅射镀上真空镀层；

③、在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

本发明通过在光亮基体载带上沉积超薄金属箔，特别是超薄铜箔，然后再通过转移胶膜将超薄金属箔贴合后揭下转移至具有低粘度胶层的转移胶膜中，实现了0.1～9微米超薄铜箔的大规模生产和使用。同时工艺简单，生产效率高，光亮基体载带可以单面或者双面循环利用，生产成本低，具有广阔的市场前景。

附图说明

图1为本发明一种可剥离的超薄转移载体金属箔结构示意图；

图2为光亮基体载带结构示意图；

图3为光亮基体载带上沉积金属后的结构示意图；

图4为贴合转移胶膜转移超薄金属箔的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细的说明。

一种可剥离的超薄转移载体金属箔，包括超薄金属箔4和可剥离的转移胶膜5，转移胶膜5上设置有低粘度胶层6，超薄金属箔4与可剥离的转移胶膜6贴合连接。超薄金属箔4与转移胶膜5之间为一层低粘度胶层6，低粘度胶层6与超薄金属箔4之间可以比较轻易的剥离，以便于超薄金属箔4的转移。超薄金属箔的厚度为0.1～9微米。超薄金属箔4一般用得最多的是超薄铜箔，也可以是镍箔、银箔或者金箔等。为了保护超薄金属箔4的另一侧表面，在其表面上覆盖有保护膜7。保护膜可以是一层离形膜。

一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，制造步骤如下：

((1)、形成光亮基体载带；

(2)、在光亮基体载带上电沉积金属，形成可剥离的金属箔；

(3)、在金属箔上贴合转移胶膜，将金属箔揭下转移至转移胶膜上。

金属箔转移至转移胶膜后在裸露的金属箔表面覆盖一层离形保护膜，以保护金属箔外表面，避免表面出现氧化的现象。最后可以进行粗化、剪切、包装等处理。

光亮基体载带由基体层、真空镀层和表面金属光亮层组成，基体层最少一侧表面进行真空溅射镀上真空镀镍层，真空镀镍层上电沉积表面金属光亮层。表面金属光亮层可以是电镀镍层、电镀铬层或者电镀镍铬合金层，反光率在40-90％。基体层可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者铝箔。

所述的光亮基体载带的制作方法如下：

①、对基体层进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

②、在基体层最少一侧表面进行真空溅射镀上真空镀层；

③、在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

实施例1

基体层选用PET，对PET表面进行表面处理，使处理后的表面张力为40-90达因。表面处理的方式可以是电晕、化学处理和/或者离子源处理。其中，离子源处理的工艺条件可以是：在真空度在3.0×10^-1～1.0×10^-3pa的真空状态，通氩气量10～1000SCCM、电子能量范围100～1500ev、处理时间1～30分钟。在PET表面真空卷对卷溅射金属镍层，工艺条件为：真空度(或绝压值)0.1～1Pa、电压：-300V～-600V(DC)、电流：50～200A、氩气流量：100～500sccm、基带速度：0.1～1.5m/min，金属镍层表面导电阻值为1欧姆～20千欧姆、附着力为0.4-0.9公斤。在金属镍层表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层，使其表面亮如明镜，光亮度在40％-90％之间，以确保后续电镀金属箔可顺利剥离。光亮化处理可以通过电沉积金属层来实现。可以在溅射金属层表面电沉积镍层，铬层或者镍铬合金层等。电沉积镍层的工艺条件如下：硫酸镍200～300g/l、氯化镍40～60g/l、硼酸30～60g/l、十二烷基硫酸钠0.5～1ml/l、主光剂0.5～1ml/l、PH3.8～5.0、电流密度0.1～10A/dm²、温度40～55℃。其中，主光剂可以选用Ce(SO4)2、Te(SO4)2、AgNO3、CdSO4中一种或二种之和。以上工艺步骤形成了光亮基体载带，光亮基体载带可以单面使用，也可以设置双面使用。在光亮基体载带电沉积超薄铜箔，电沉积超薄铜箔的工艺：硫酸铜11g～13g/l、含硫酸105～220g/l电解液，加热至20～25℃，给光亮基体载带施加电流密度2～5A/dm²直流电流，走带速度为1～20m/h，经过至少1级水洗，水洗后经50～80℃热风烘干，即在光亮基体载带表面形成可剥离的超薄铜箔4。在超薄铜箔4上贴合转移胶膜5，抚平后将超薄铜箔4揭下来转移至转移胶膜5上，然后在超薄铜箔4表面覆盖上保护膜7。最后进行剪裁、打卷包装等处理。

实施例2

基体层选用PEI、PEN或者铝箔的表面处理工艺与PET相同。光亮基体载带的制作与实施例1相同。不同的是电沉积超薄铜箔的工艺。电沉积超薄铜箔的工艺如下：焦磷酸铜50～80g/l、焦磷酸甲250～350g/l、柠檬酸铵20～30g/l电解液，pH＝8.0～8.5。工作温度30～50℃，给光亮基体载带施加电流密度0.5～1.0A/dm²直流电流，走带速度为0.5～15m/h，经过至少1级水洗，水洗后经50～80℃热风烘干，即在光亮基体载带形成可剥离的超薄铜箔4。

本发明实现了0.1～9微米超薄铜箔的大规模生产和使用，具有广阔的市场前景。

Claims (9)

1、一种可剥离的超薄转移载体金属箔，其特征在于：包括超薄金属箔和可剥离的转移胶膜，转移胶膜上设置有低粘度胶层，超薄金属箔与可剥离的转移胶膜通过低粘度胶层贴合连接。

2、如权利要求1所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔，其特征在于：所述的超薄金属箔另一表面覆盖有保护膜。

3、如权利要求1所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔，其特征在于：所述的超薄金属箔的厚度为0.1～9微米。

4、如权利要求1所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔，其特征在于：所述的超薄金属箔是铜箔，保护膜是离形膜。

5、一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，制造步骤如下：

(1)、形成光亮基体载带；

(2)、在光亮基体载带上电沉积金属，形成可剥离的金属箔；

(3)、在金属箔上贴合转移胶膜，将金属箔揭下转移至转移胶膜上。

6、如权利要求5所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，其特征在于：所述的光亮基体载带由基体层、真空镀层和表面金属光亮层组成，基体层最少一侧表面进行真空溅射镀上真空镀层，真空镀层上电沉积表面金属光亮层。

7、如权利要求6所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，其特征在于：所述的真空镀层为真空磁控溅射镍层。

8、如权利要求6所述的一种可剥离的超薄转移载体金属箔的制造方法，其特征在于：所述的表面金属光亮层是电镀镍层、电镀铬层或者电镀镍铬合金层，反光率在40-90％。

9、一种光亮基体载带的制作方法，其制作步骤如下：

①、对基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

②、在基体最少一侧表面进行真空溅射镀上真空镀层；

③、在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

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