CN101383277B - 扩展方法及扩展装置 - Google Patents
扩展方法及扩展装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101383277B CN101383277B CN2008102153504A CN200810215350A CN101383277B CN 101383277 B CN101383277 B CN 101383277B CN 2008102153504 A CN2008102153504 A CN 2008102153504A CN 200810215350 A CN200810215350 A CN 200810215350A CN 101383277 B CN101383277 B CN 101383277B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- machined object
- bonding film
- expansion
- workbench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 56
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 15
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- BCAARMUWIRURQS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;oxocalcium;silicate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca]=O.[O-][Si]([O-])([O-])[O-] BCAARMUWIRURQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
一种扩展方法和扩展装置,在扩展被加工物的粘接膜时,对粘接膜是否是对应于器件芯片地被分割可靠地进行确认。从盒(22)中取出的被加工物(1a),在通过定位机构(31)定位于固定位置后,通过各移载构件经由待机工作台(70)移动至扩展工作台(80)。然后在扩展工作台将粘接膜(5)扩展后,用加热工作台(90)将切割带(6)加热。切割带被加热了的被加工物(1a)载置于卡盘工作台(50)上。扩展工作台和摄像工作台分开。在卡盘工作台上埋设有从背侧对吸附区域进行照射的发光元件。在摄像工序中,点亮发光元件并驱动摄像构件对被加工物的表面进行摄像。根据拍摄到的图像,通过图像处理构件来判断粘接膜是否是对应于半导体芯片(3)地被分割。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过扩展粘贴在半导体晶片背面的粘接膜来分割粘接膜的扩展方法,以及适于实施该扩展方法的扩展装置。
背景技术
在近年来的半导体器件技术中,为了实现电子器件设备的轻薄短小化,被称为MCP(Multi Chip Package:多芯片封装)和SiP(System inPackage:***级封装)的将多个器件芯片层叠起来的层叠型封装,在实现高密度化和小型化方面被有效利用。与这样的技术相对应的器件芯片在背面粘贴有DAF(Die Attach Film:芯片贴膜)等芯片焊接用的粘接膜,通过该粘接膜来保持器件芯片的层叠状态。
在器件芯片的制造过程中进行以下动作:在形成有多个器件芯片的半导体晶片的背面粘贴粘接膜,用切断刀具将该半导体晶片切断,连同器件芯片一起对粘接膜进行分割。但是,在这种情况下,粘接膜的粘贴材料会贴附在切断刀具上而容易引起切断不良。因此,作为分割粘贴在半导体晶片上的粘接膜的方法,例如有与半导体晶片的分割分开地分割粘接膜的方法(参照专利文献1)。在该方法中,首先沿半导体晶片的分割预定线仅分割半导体晶片,然后将粘接膜粘贴在半导体晶片的背面,接着通过扩展粘接膜,来与器件芯片对应地分割粘接膜。此外,还有将粘接膜和半导体晶片同时分割的方法(参照专利文献2、3)。该方法为:将激光照射向半导体晶片的分割预定线的内部以形成割断起点,然后粘贴粘接膜,通过扩展半导体晶片及粘接膜,在割断半导体晶片的同时将粘接膜与器件芯片对应地分割开来。
专利文献1:日本特开2007-027562号公报
专利文献2:日本特开2005-251986号公报
专利文献3:日本特开2007-158152号公报
在上述各专利文献中记载的粘接膜的分割方法中,在扩展粘接膜时,仅使粘接膜伸展可能会出现未断裂的部位。在这种情况下,会在粘接膜邻接的器件芯片之间出现连成一体的部位,因此在扩展后进行的芯片焊接工序中,会产生半导体芯片无法被拾取的问题。以往是通过目视进行粘接膜分割的确认,但是确认作业的时间长,并且还可能发生确认错误。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供一种扩展方法及扩展装置,其能在扩张了粘贴在半导体晶片背面上的粘接膜的时候,可靠地确认粘接膜是否是对应于器件芯片地被分割,所述半导体晶片处于在其表面上形成的多个器件芯片即将被单片化成一个一个的状态,或者处于上述多个器件芯片已经被单片化的状态。
本发明提供一种扩展方法,其为扩展被加工物的方法,上述被加工物通过在粘接膜上粘贴粘贴带而形成,上述粘接膜粘贴在晶片的背面,上述晶片处于在表面形成的多个器件芯片即将被单片化成一个一个的状态,或者处于上述多个器件芯片已经被单片化的状态,在上述粘贴带的周围粘贴有具有比晶片直径大的开口部的环状的框架部件,上述扩展方法的特征在于,上述扩展方法包括:粘接膜扩展工序,在扩展工作台上,至少扩展被加工物的粘接膜;移送工序,将粘接膜被扩展了的被加工物移送至具有摄像构件的摄像工作台;保持工序,通过摄像工作台的卡盘工作台吸引保持被加工物;摄像工序,通过摄像构件对移送至摄像工作台并通过该卡盘工作台保持的被加工物的表面进行摄像;以及图像处理工序,对由摄像构件拍摄到的图像数据进行处理,判断粘接膜是否是对应于器件芯片地被分割,上述扩展工作台和上述摄像工作台分开设置,在该卡盘工作台上埋设有从背侧对吸附区域进行照射的发光元件,在所述摄像工序中,点亮上述发光元件,利用上述发光元件发出的光从背侧照亮保持在该卡盘工作台上的被加工物,并驱动上述摄像构件对上述被加工物的表面进行摄像。
本发明的扩展方法是通过扩展粘接膜来使粘接膜对应于器件芯片地被分割。在器件芯片在扩展前并没有被单片化的方式中,与粘接膜的扩展一起分割器件芯片使其单片化。在器件芯片已经被单片化的方式中,器件芯片之间的粘接膜被扩展而断裂,粘接膜对应于器件芯片地被分割。另外,在本发明中,在将粘接膜扩展以后,将被加工物移送到摄像工作台,在该摄像工作台对被加工物的整个表面进行摄像。然后,通过对拍摄到的图像数据进行适当的处理,来判断粘接膜是否是对应于器件芯片地被分割。由此,就能可靠地确认粘接膜是否是对应于器件芯片地被分割。如果在扩展后的粘接膜上检测出未被分割的部位,则再次实施扩展工序,使粘接膜分割。其结果为能防止在拾取时发生的错误。
接着,关于本发明的被加工物的扩展装置,是能够良好地实施上述本发明的扩展方法的装置,其包括:扩展工作台,其至少对被加工物的粘接膜进行扩展;摄像工作台,其对被加工物的表面进行摄像;以及移送构件,其将粘接膜被扩展了的被加工物移送至摄像工作台。另外,摄像工作台包括:被加工物保持工作台,其具有保持被加工物的保持面,并埋设有从背侧对该保持面进行照射的光源;以及摄像构件,其对被加工物的表面进行摄像,上述扩展工作台和上述摄像工作台分开设置,该扩展装置还包括图像处理构件,上述图像处理构件对由摄像构件拍摄到的图像数据进行处理,并判断上述粘接膜是否是对应于上述器件芯片地被分割。在本发明的扩展装置中,扩展工作台和摄像工作台分开设置。所以,能并行进行被加工物的扩展和分割的确认,由此实现了生产效率的提高。
在上述扩展装置的被加工物保持工作台上,埋设有从背侧对保持面进行光照的光源。由此,利用光源发出的光从背侧照亮保持在被加工物保持工作台上的被加工物。其结果是,在扩展粘接膜进行了分割后,器件芯片与器件芯片之间的对比度变得明显,能够更可靠地检测粘接膜的分割不良部位。
作为本发明的扩展装置,列举了以下方式的扩展装置:被加工物保持工作台不可旋转,摄像构件通过在与保持于被加工物保持工作台的被加工物的表面平行的两个方向上进行直线移动,来对被加工物的整个表面进行摄像。在该方式中,在被加工物固定于被加工物保持工作台的状态下,使摄像构件移动以便捕捉被加工物的整个表面,由此,被加工物的整个表面被拍摄下来。由此,不需要使埋设有上述光源的被加工物保持工作台进行旋转等动作,能够简化被加工物保持工作台的结构。
根据本发明,在扩展了粘接膜之后,通过用摄像构件对被加工物的表面进行摄像,用图像处理构件对拍摄到的图像数据进行处理并进行确认,能可靠地判断粘贴在半导体晶片上的粘接膜在扩展工序中是否是对应于器件芯片地被分割。由此,能够在拾取之前准确地把握未被分割的粘接膜,所以能防止拾取的错误,具有能够顺利地进行器件芯片的制造的效果。
附图说明
图1是表示利用本发明的一个实施方式的扩展方法进行扩展的被加工物的立体图,(b)是其剖视图。
图2是表示适于实施一个实施方式的扩展方法的扩展装置的立体图。
图3是图2中示出的扩展装置的俯视图。
图4是装备在图2中示出的扩展装置上的卡盘工作台的图,(a)是剖视图,(b)是俯视图。
图5是表示通过装备在图2示出的扩展装置中的摄像构件,拍摄扩展后的被加工物而得的图像的图。
图6是表示其它实施方式的扩展装置的俯视图。
标号说明
1:晶片;1a:被加工物;3:半导体芯片(器件芯片);5:粘接膜;6:切割带(粘贴带);7:切割框架(框架部件);30:摄像工作台;33:摄像构件。
具体实施方式
(1)半导体晶片
图1中的标号1a表示利用本发明的一个实施方式的扩展方法进行扩展的被加工物。在被加工物1a的中央,具有圆盘状的半导体晶片1(以下简称为晶片)。该晶片1为硅晶片等。在该晶片1的表面上,通过格子状的分割预定线2划分有多个矩形形状的半导体芯片(器件)3,在这些半导体芯片3的表面上,形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)和LSI(large scale integration:大规模集成电路)等未图示的电子电路。在晶片1的周围的预定部位,形成有表示半导体的结晶方位的V字状的切口(凹口)4。晶片1通过切断装置等沿分割预定线2被预先切断,从而单片化成为半导体芯片3。
在上述单片化了的晶片1的背面,粘贴有芯片焊接用的粘接膜5。该粘接膜5是由聚酰亚胺和环氧树脂构成的膜状的粘贴材料。另外,在粘接膜5上粘贴有切割带6。切割带6是例如以厚度为100μm左右的聚氯乙烯作为基材,并在其一个面上以5μm左右厚度涂布有丙烯树脂类的粘贴剂而成的粘贴带。作为本发明的切割带6,适合采用遇热收缩的材料。这是为了向通过后面说明的扩展工序而伸长的切割带6再次施加横向的张力。在切割带6的粘贴面(图1中的上表面)的外周部上,粘贴有内径大于晶片1的直径的环状切割框架7。切割框架7由具有刚性的金属板等构成,所以晶片1经过切割带6和切割框架7而被管理。
被加工物1a的粘接膜5通过本发明的一个实施方式的扩展方法而被扩展,并与半导体芯片3对应地被分割。一个实施方式的扩展方法采用图2示出的扩展装置10被良好地实施。
(2)扩展装置的构成及动作
接着,参照图2~图4,说明能够良好地实施本发明的扩展方法的扩展装置。图2是该扩展装置10的立体图,图3是俯视图。扩展装置10具有基座11,在该基座11上,在图3中从X方向右下侧向上方配设有供给部20、定位/摄像工作台30、紫外线照射工作台100,从X方向左下侧向上方配设有加热工作台90、待机工作台70、扩展工作台80。以下,对此进行说明。
(a)供给部
在基座11的长度方向的一端部(图3中的右下侧)形成有凹部11a,在该凹部11a中配设有盒升降机21。盒升降机21通过未图示的升降机机构可在上下方向上运动。在该盒升降机21的上表面,可装卸地设置有可搬运的、将多个被加工物1a层叠起来进行收纳的盒22。盒22具有彼此分开的一对平行的壳体23,在这些壳体23内侧的彼此的对置面上,在上下方向上分多层地设置有支架24。处于以晶片1的表面朝上的水平姿态的被加工物1a可滑动地***到这些支架24上。盒22在基座11的盒升降机21上设置成使被加工物1a的滑动方向与Y方向平行。
如图2所示,在基座11上表面的X方向的一端(图3中的右侧),设置有往返于盒22和紫外线照射工作台100之间的第一Y轴移载构件25。第一Y轴移载构件25在倒L字状的第一Y轴框架26的前端具有第一Y轴汽缸27,第一Y轴夹紧器28可自由升降地与第一Y轴汽缸27连接。第一Y轴夹紧器28夹住定位于预定位置的被加工物1a的切割框架7,从而将被加工物1a夹紧。第一Y轴框架26的基端部可自由滑动地安装在导轨29上,导轨29设置在基座11上并沿Y方向延伸。导轨29的长度设定为,使得固定于第一Y轴夹紧器28的被加工物1a能够从盒22移动到紫外线照射工作台100。第一Y轴框架26通过未图示的驱动机构沿导轨29移动。由此,就能使固定于第一Y轴夹紧器28的被加工物1a往返于盒22和紫外线照射工作台100之间。
使第一Y轴移载构件25移动到通过盒升降机21而调整到了最适合取出被加工物1a的高度的盒22,利用装备在第一Y轴移载构件25的前端的第一Y轴夹紧器28将盒22内的被加工物1a从盒22中取出,并移送到定位/摄像工作台30的定位机构31。
(b)定位/摄像工作台
定位/摄像工作台30的定位机构31构成为:在Y方向延伸的一对平行的导杆32以彼此靠近或远离的方式,联动地在与Y方向正交的X方向上移动。被加工物1a载置于导杆32上,并被相互靠近的导杆32夹住,从而将被加工物1a定位在固定位置。
摄像构件33具有呈倒L字状的摄像框架34、和设置在该摄像框架34的前端的摄像头35。摄像框架34为中空圆筒状,其包括:轴线在大致铅直方向(图2中的Z方向)上延伸的圆筒状的摄像底座部34a、和从上述摄像底座部34a的上端大致水平地延伸向卡盘工作台50的方向的摄像臂部34b。另外在摄像臂部34b的前端,轴线在大致铅直方向上延伸的圆筒状的摄像头35与摄像框架34一体地形成。
摄像框架34经过薄板状的托架36安装成可沿设置于基台11的引导件37自由升降。通过未图示的升降驱动机构,驱动托架36沿引导件37升降。在该托架36上,在摄像底座部34a和向引导件37安装的安装部之间,固定有电动机38。摄像框架34的摄像底座部34a经过轴承部件39可绕轴自由旋转地支撑在托架36的前端。在摄像底座部34a的外周形成有齿轮34A,在该齿轮34A和电动机38的驱动轴上卷绕有带40。
当驱动电动机38时,其动力经由带40和齿轮34A传递至底座部34a,由此,摄像头35在大致水平方向上回转。此外,摄像头35和托架36一体地升降。引导件37的下端可自由滑动地安装在导轨41上,引导件37通过未图示的驱动机构沿导轨41在Y方向上移动。
由摄像构件33拍摄到的图像被传送到图像处理构件(图示省略),并进行图像处理。根据处理后的图像,来判断粘接膜5是否是对应于半导体芯片3地被扩展。
卡盘工作台50为一般所公知的真空卡盘式,其吸附并保持载置于上表面的被加工物1a。如图4所示,卡盘工作台50为圆形形状,其具有形成有凹部51a的框体51。在凹部51a的底面,发光面朝向上部地配设有多个LED等发光元件52。在该发光元件52的上部嵌合安装有由玻璃等构成的圆形的透明的透明板53。在透明板53的上表面构成吸附保持被加工物1a的吸附区域53a,并构成为与框体51的上表面51b连续的同一平面。在吸附区域53a中,放射状和同心圆状地形成有槽54。该槽54与框体51内的孔55连通,并与抽吸空气的真空构件(图示省略)连接。通过发光元件52,对吸附保持于吸附区域53a的被加工物1a从背面侧照射光。此外,卡盘工作台50通过设置于基座11内的未图示的旋转驱动机构,向一个方向或两个方向独自地旋转、即自转。
在该卡盘工作台50的周围,具有清洗喷嘴(图示省略)。清洗喷嘴用于除去在下面说明的扩展工序等中附着在晶片1上的碎屑。完成了扩展工序的被加工物1a被吸附保持到卡盘工作台50上并旋转。通过对旋转后的被加工物1a的晶片1喷射清洗液或空气,将附着在晶片1的表面的碎屑等除去。
如图2和图3所示,设置在定位/摄像工作台30和待机工作台70之间的X轴移载构件56由底座57、X轴驱动机构58、X轴汽缸59和搬送支座60构成。在配设于装置10的大致中央的底座57的上表面,配设有螺杆式的X轴驱动机构58,在该X轴驱动机构58上经过滑块58a可自由滑动地连接有X轴汽缸59。滑块58a通过未图示的驱动机构使X轴汽缸59在X方向上移动。该X轴汽缸59以驱动搬送支座60升降的方式支撑搬送支座60。搬送支座60用于吸附保持被加工物1a的切割框架7,搬送支座60通过X轴驱动机构58和X轴汽缸59在X·Z方向上移动。由此,能够将在定位/摄像工作台30或待机工作台70上待机的被加工物1a举起,使被加工物1a往返于定位/摄像工作台30和待机工作台70之间。
(c)待机工作台
如图2和图3所示,在基座11的X方向的一端(图3中的左上),设置有往返于待机工作台70和扩展工作台80之间的第二Y轴移载构件71。第二Y轴移载构件71在倒L字状的第二Y轴框架72的前端具有第二Y轴汽缸73,在该第二Y轴汽缸73的下部设置有第二Y轴夹紧器74。第二Y轴夹紧器74通过第二Y轴汽缸73升降,并对定位于预定位置的被加工物1a的切割框架7进行夹紧。第二Y轴框架72的基端部可自由滑动地安装在导轨75上,导轨75设置于基座11的上表面,并且在Y方向上延伸。导轨75的长度设定为:使得固定于第二Y轴夹紧器74的被加工物1a能够从待机工作台70移动到扩展工作台80。第二Y轴框架72通过未图示的驱动机构沿导轨75移动。由此,能够使固定于第二Y轴夹紧器74的被加工物1a往返于待机工作台70和扩展工作台80之间。
(d)扩展工作台
在扩展工作台80上,设置有扩展被加工物1a的粘接膜5的扩展构件81。扩展构件81具有:载置被加工物1a的冷冻工作台(图示省略)、和对载置于冷冻工作台上的被加工物1a进行固定的夹紧机构82。在冷冻工作台的上表面形成有载置被加工物1a的载置面,将被加工物1a载置在该载置面上。此外,在冷冻工作台上,具有对载置于载置面上的被加工物1a的粘接膜5进行冷却的珀尔帖元件。2个夹紧机构82彼此对置地配设在扩展构件81的侧面,夹紧机构82对载置于冷冻工作台的被加工物1a的切割框架7进行按压。夹紧机构82构成为相对于冷冻工作台在铅直方向上接近或离开。由此,在被加工物1a载置于冷冻工作台时、或者在从冷冻工作台取下被加工物1a时,2个夹紧机构82被定位于载置面的上方,以使得不会与被加工物1a碰撞。此外,在夹紧机构82的下部具有升降机构,能使夹紧机构82从固定被加工物1a的切割框架7的地点下降。或者,也可在冷冻工作台侧具有升降机构,使冷冻工作台上升。
在扩展工作台80中,在冷冻工作台上载置被加工物1a,在冷却粘接膜5的同时,将通过夹紧机构82固定的切割框架7相对于被加工物1a向下方按下。由此,切割带6和粘接膜5被扩展,粘接膜5沿半导体芯片3被分割。由于粘接膜5由如上所述的树脂材料形成,所以通过冷却降低了延展性,变得容易断裂。作为除了采用冷冻工作台以外的粘接膜5的冷却方法,还存在这样的方法:将扩展工作台80整体用盖体盖住,使其中充满通过热泵方式等生成的冷气。
(e)加热工作台
如图2和图3所示,在有摄像构件33的卡盘工作台50、待机工作台70和加热工作台90之间,配设有回转式移载构件91。回转式移载构件91包括:通过未图示的回转机构回转的臂92、设置在臂92的前端的升降汽缸93、和通过升降汽缸93升降的支座94。回转式移载构件91在有摄像构件33的卡盘工作台50、待机工作台70和加热工作台90之间回转,来使被加工物1a移动。
在加热工作台90上设置有加热构件95。在加热构件95中装有加热器(图示省略),对切割带6的、位于晶片1和切割框架7之间的中间区域6a进行加热。通过加热中间区域6a,通过扩展构件81而扩展的切割带6收缩,再次对切割带6施加横向的张力。其结果为,能够防止由切割带6的松弛造成的半导体芯片3之间的接触。
(f)紫外线照射工作台
如图2和图3所示,在紫外线照射工作台100上,设置有紫外线照射构件101。在紫外线照射构件101上形成有圆形的凹部101a,在该凹部101a中设置有多个紫外线灯102。紫外线灯102对切割带6照射紫外线,使切割带6和处于粘贴有粘接膜5的状态的晶片1之间成为容易剥离的状态。
(3)扩展方法
接着说明上述扩展装置10的动作。
首先,将层叠在盒22中的被加工物1a通过第一Y轴移载构件25从盒22中取出。将取出的被加工物1a载置于定位机构31的导杆32上,并定位于固定位置。此时,摄像构件33从定位/摄像工作台30退开。
定位于固定位置的被加工物1a被吸附保持在通过X轴移载构件56的X轴汽缸59而降落下来的搬送支座60上。接着,使搬送支座60上升,使X轴驱动机构58动作,使被加工物1a移动到待机工作台70。
移动到了待机工作台70的被加工物1a的切割框架7被第二Y轴移载构件71的第二Y轴夹紧器74夹紧,由此,被加工物1a被固定于第二Y轴移载构件71。在第二Y轴移载构件71上固定被加工物1a之后,解除X轴移载构件56对被加工物1a的吸附,使搬送支座60从待机工作台70退开。
第二Y轴移载构件71将固定于第二Y轴夹紧器74的被加工物1a移动到扩展工作台80。当被加工物1a移动到扩展构件81的正上方之后,停止第二Y轴移载构件71的Y方向的移动,通过第二Y轴汽缸73使第二Y轴夹紧器74下降,使被加工物1a载置于冷冻工作台的载置面。此时,扩展构件81的夹紧机构82从载置面退开,或固定在载置面的上方。将被加工物1a载置于载置面以后,使夹紧机构82动作,将被加工物1a固定。接着,一边通过升降机构使夹紧机构82在按压切割框架7的同时下降,使切割带6以及粘接膜5扩展(粘接膜扩展工序)。此时,粘接膜5被向外侧牵拉,从而沿着半导体芯片3被分割。在使夹紧机构82下降到固定位置后,停止下降动作,使夹紧机构82上升到原来的位置。此外,当在冷冻工作台侧装备有升降机构的情况下,在通过夹紧机构82限制了载置于载置面的被加工物1a的切割框架7向上方的移动的状态下,使冷冻工作台上升,使粘接膜5扩展。然后,使夹紧机构82从载置面退开,使第二Y轴移载构件71的第二Y轴夹紧器74下降,将被加工物1a固定在第二Y轴夹紧器74上。在将被加工物1a固定于第二Y轴夹紧器74之后,使第二Y轴夹紧器74上升,使被加工物1a向待机工作台70移动。
再次定位于待机工作台70的被加工物1a被保持在回转式移载构件91的支座94上。将被加工物1a保持到支座94上以后,解除依靠第二Y轴夹紧器74进行的固定,使第二Y轴移载构件71从待机工作台70退开。保持了被加工物1a的回转式移载构件91使臂92回转,使被加工物1a移动到加热构件95的正上方。接着,通过升降汽缸93使支座94下降,将被加工物1a载置到加热构件95上。将被加工物1a载置到加热构件95上以后,加热器工作,将切割带6的剩余区域6a加热。由此,切割带6热收缩,对切割带6再次施加张力。
加热器的加热结束后,再次将被加工物1a保持到支座94上。回转式移载构件91使保持于支座94的被加工物1a上升之后,使臂92回转,使被加工物1a移动到卡盘工作台50的正上方,将被加工物1a载置到吸附区域53a中(移送工序)。所载置的被加工物1a吸附保持在卡盘工作台50上。在这里将晶片1的表面旋转式地清洗干燥后,将摄像构件33的摄像头35回转移动到晶片1的表面上,将托架36调整到适宜的高度等,将焦点对准到晶片1的表面。然后,使卡盘工作台50适当地间歇旋转,并且在使摄像头35回转的同时在必要的点上对晶片1的表面进行摄影(摄像工序)。此时,为了获得相邻半导体芯片3的间隙的对比度,点亮卡盘工作台50的发光元件52,使光照射向晶片1。将拍摄到的图像传送给图像处理构件。
图5表示由摄像构件33拍摄到的晶片1的表面的一部分。在该图中,在粘接膜5之间的与分割预定线2相当的部分产生了间隙,上述粘接膜5断裂成和半导体芯片3大致相同的形状。通过图像处理构件来确认是否是在晶片1的整个面上形成了这样的正常分割状态(图像处理工序)。通过图像处理构件确认到粘接膜5已被沿半导体芯片3分割的被加工物1a,被搬送到进行下一工序的紫外线照射工作台100。此外,若检测到分割不良部位,则将被加工物1a再次搬送到扩展构件81,使粘接膜5扩展。
未检测出分割不良部位的被加工物1a的切割框架7被第一Y轴移载构件25的第一Y轴夹紧器28夹紧,将该被加工物1a移送到紫外线照射工作台100。被加工物1a移动到了紫外线照射构件101的正上方以后,点亮紫外线灯102,使紫外线照射向被加工物1a的切割带6。由此,切割带6和粘接膜之间变得容易剥离。此后,使第一Y轴移载构件25向盒22移动,将被加工物1a再次收纳到盒22内。
在上述实施方式中,晶片1处于被切断的状态,但是也可应用于通过激光加工装置沿分割预定线2形成了变质层、没有单片化成半导体芯片3的晶片1。在这种情况下,在通过扩展工序使粘接膜5扩展的同时,将晶片1沿分割预定线2割断。由此,能获得粘接膜5沿半导体芯片3被分割而得到的半导体芯片3。
本实施方式是通过扩展粘接膜5,来使粘接膜5对应于半导体芯片3地分割的方式。在半导体芯片3已经单片化的方式下,半导体芯片3之间的粘接膜5被扩展而断裂,粘接膜5对应于半导体芯片3地被分割。在半导体芯片3在扩展前没有被单片化的方式下,与粘接膜5的扩展一起将半导体芯片3分割使其单片化。在扩展了粘接膜5以后,将被加工物1a移送到定位/摄像工作台30,并在该定位/摄像工作台30上对晶片1的表面整体进行摄像。然后,通过对拍摄到的图像数据进行适当处理,来判断粘接膜5是否是对应于半导体芯片3地被分割。由此,能够可靠地确认粘接膜5是否是对应于半导体芯片3地被分割。如果在扩展后的粘接膜5上检测出未被分割的部位,则再次实施扩展工序,将粘接膜5分割开来。其结果为,能够防止在拾取时发生的错误。
此外,在本实施方式的扩展装置10中,定位/摄像工作台30和扩展工作台80分开设置。由此,可以并行进行被加工物1a的扩展和粘接膜5的分割的确认,因而实现了生产效率的提高。
此外,在上述扩展装置10的卡盘工作台50中,埋设有从背侧对吸附区域53a进行光照的发光元件52。由此,保持在吸附区域53a上的晶片1被发光元件52所发出的光从背侧照亮。其结果为,在将粘接膜5扩展并分割后,半导体芯片3和半导体芯片3之间的对比度变得明显,能够更可靠地检测粘接膜5的分割不良部位。
(4)其他实施方式
在上述实施方式中,晶片1的清洗和晶片1的表面的摄影是在同一工作台上进行的,但是也可分别在不同的工作台上进行。采用图6对该实施方式进行说明。
图6表示将旋转式清洗构件120设置在待机工作台70上的扩展装置110。旋转式清洗构件120由吸附保持被加工物1a的保持工作台121、和喷射清洗液和空气的清洗喷嘴122构成。保持工作台121通过设置在基座11内的未图示的旋转驱动机构,向一个方向或两个方向独自旋转,即自转。此外,清洗喷嘴122与回转机构(图示省略)连接,能使清洗喷嘴122从保持工作台121上退开。
摄像工作台30的摄像构件130包括:设置在基座11上的Y轴导轨131;可自由滑动地与Y轴导轨131连接的Z轴引导件132;与Z轴引导件连接的薄板状的托架133;设置在托架133上的X轴导轨134;可自由滑动地与该X轴导轨134连接的X轴滑块135;和设置在X轴滑块135的前端的摄像头136。Z轴引导件132通过未图示的驱动机构沿Y轴导轨131在Y方向上移动。托架133通过未图示的升降驱动机构可沿Z轴引导件132自由升降地移动。此外,X轴滑块135通过未图示的驱动机构沿X轴导轨134移动。
在该实施方式中,摄像工作台30的卡盘工作台设定成不可选转。因此,在对保持于卡盘工作台137的被加工物1a的晶片1的表面进行摄影时,通过各驱动机构使摄像头136在XY方向上移动,以便能对晶片1的整个表面进行摄影。
关于该实施方式的扩展方法,首先最开始利用定位机构31将从盒22中取出的被加工物1a定位于固定位置。然后,使被加工物1a移动向待机工作台70,然后通过第二Y轴移载构件71移动到扩展工作台80。当在扩展工作台80将粘接膜5扩展后,再次移动到待机工作台70。然后,使被加工物1a移动到加热工作台90,对被加工物1a的切割带6加热。
把切割带6加热后,将被加工物1a再次移送到待机工作台70,使其吸附保持在保持工作台121上。此时,由于清洗喷嘴122从保持工作台121上退开,因此使清洗喷嘴122回转,将清洗喷嘴122定位在保持工作台121上。接着,使保持工作台121旋转,通过清洗喷嘴122向被加工物1a的晶片1喷射清洗液、空气,对晶片1进行清洗。
清洗完成以后,通过X轴移载构件56将被加工物1a移动到摄像工作台30。移动后的被加工物1a被吸附保持在卡盘工作台上。点亮发光元件52,并驱动摄像构件130。摄像构件130使其摄像头136在X方向上往复运动,同时使Z轴引导件132在Y方向上移动,对晶片1的整个表面进行摄影。拍摄到的图像数据被传送给图像处理构件,来确认粘接膜5是否是沿半导体芯片3地被分割。在检测出分割不良部位后,和上述实施方式一样,通过扩展构件81再次进行扩展。未检测出分割不良部位的被加工物1a被搬送到紫外线照射工作台100,并被照射紫外线,然后收纳到盒22中。
在此方式中,在被加工物1a固定在卡盘工作台上的状态下,使摄像构件130移动以便捕捉晶片1的整个表面,由此,对晶片1的整个表面进行摄影。由此,不需要进行使埋设有上述发光元件52的卡盘工作台旋转等动作,能够简化卡盘工作台的结构。
Claims (3)
1.一种扩展方法,其为扩展被加工物的方法,上述被加工物通过在粘接膜上粘贴粘贴带而形成,上述粘接膜粘贴在晶片的背面,上述晶片处于在表面形成的多个器件芯片即将被单片化成一个一个的状态,或者处于上述多个器件芯片已经被单片化的状态,在上述粘贴带的周围粘贴有具有比晶片直径大的开口部的环状的框架部件,
上述扩展方法的特征在于,
上述扩展方法包括:
粘接膜扩展工序,在扩展工作台上,至少扩展被加工物的上述粘接膜;
移送工序,将粘接膜被扩展了的被加工物移送至具有摄像构件的摄像工作台;
保持工序,通过摄像工作台的卡盘工作台吸引保持被加工物;
摄像工序,通过上述摄像构件对移送至上述摄像工作台并通过该卡盘工作台保持的被加工物的表面进行摄像;以及
图像处理工序,对由上述摄像构件拍摄到的图像数据进行处理,判断上述粘接膜是否是对应于上述器件芯片地被分割,
上述扩展工作台和上述摄像工作台分开设置,
在该卡盘工作台上埋设有从背侧对吸附区域进行照射的发光元件,在所述摄像工序中,点亮上述发光元件,利用上述发光元件发出的光从背侧照亮保持在该卡盘工作台上的被加工物,并驱动上述摄像构件对上述被加工物的表面进行摄像。
2.一种扩展装置,其为扩展被加工物的装置,上述被加工物通过在粘接膜上粘贴粘贴带而形成,上述粘接膜粘贴在晶片的背面,上述晶片处于在表面形成的多个器件芯片即将被单片化成一个一个的状态,或者处于上述多个器件芯片已经被单片化的状态,在上述粘贴带的周围粘贴有具有比晶片直径大的开口部的环状的框架部件,
上述扩展装置的特征在于,
上述扩展装置包括:
扩展工作台,其至少对被加工物的上述粘接膜进行扩展;
摄像工作台,其对被加工物的表面进行摄像;以及
移送构件,其将粘接膜被扩展了的被加工物移送至上述摄像工作台,
上述摄像工作台包括:
被加工物保持工作台,其具有保持被加工物的保持面,并埋设有从背侧对该保持面进行照射的光源;以及
摄像构件,其对被加工物的表面进行摄像,
上述扩展工作台和上述摄像工作台分开设置,
该扩展装置还包括图像处理构件,上述图像处理构件对由摄像构件拍摄到的图像数据进行处理,并判断上述粘接膜是否是对应于上述器件芯片地被分割。
3.根据权利要求2所述的扩展装置,其特征在于,
上述被加工物保持工作台不可旋转,上述摄像构件在与保持于被加工物保持工作台上的被加工物的表面平行的两个方向上进行直线移动,由此来拍摄被加工物的整个表面。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007230416A JP2009064905A (ja) | 2007-09-05 | 2007-09-05 | 拡張方法および拡張装置 |
JP2007-230416 | 2007-09-05 | ||
JP2007230416 | 2007-09-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101383277A CN101383277A (zh) | 2009-03-11 |
CN101383277B true CN101383277B (zh) | 2012-08-22 |
Family
ID=40463037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008102153504A Active CN101383277B (zh) | 2007-09-05 | 2008-09-05 | 扩展方法及扩展装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009064905A (zh) |
KR (1) | KR20090025154A (zh) |
CN (1) | CN101383277B (zh) |
TW (1) | TWI445067B (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5313036B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-10-09 | 株式会社ディスコ | 粘着テープの拡張方法 |
JP5013148B1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP5472275B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2014-04-16 | 株式会社村田製作所 | エキスパンド装置及び部品の製造方法 |
JP5988599B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-09-07 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP5975767B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-08-23 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN103066001B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-04-22 | 无锡中微高科电子有限公司 | 共晶焊机拾取芯片用的万向调平吸嘴 |
JP6110136B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-04-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP6202984B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2017-09-27 | オリンパス株式会社 | 細胞分取方法 |
JP6255219B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2017-12-27 | 株式会社ディスコ | 冷却機構 |
JP6280459B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-02-14 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
JP6425435B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持装置 |
CN106653657B (zh) * | 2016-12-21 | 2019-06-07 | 海宁定美电子智能设备有限公司 | 半导体处理装置 |
JP2018152380A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
JP6814674B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | シート拡張装置 |
JP6941022B2 (ja) * | 2017-10-06 | 2021-09-29 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
CN108389826A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-10 | 安徽三安光电有限公司 | 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法 |
JP7030006B2 (ja) | 2018-04-12 | 2022-03-04 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1655327A (zh) * | 2004-02-09 | 2005-08-17 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法 |
CN1758993A (zh) * | 2003-01-29 | 2006-04-12 | 三星宝石工业株式会社 | 基板切割设备和基板切割方法 |
CN1817603A (zh) * | 2005-01-05 | 2006-08-16 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法 |
CN101000864A (zh) * | 2006-01-13 | 2007-07-18 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法和晶片的分割装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4471565B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの分割方法 |
US20060243710A1 (en) * | 2003-05-22 | 2006-11-02 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dicing device |
JP2005251986A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 |
JP4444085B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-03-31 | キヤノンマシナリー株式会社 | ウェーハリング移送システム |
JP2007036143A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
-
2007
- 2007-09-05 JP JP2007230416A patent/JP2009064905A/ja active Pending
-
2008
- 2008-07-09 TW TW97125869A patent/TWI445067B/zh active
- 2008-09-02 KR KR1020080086188A patent/KR20090025154A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-05 CN CN2008102153504A patent/CN101383277B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1758993A (zh) * | 2003-01-29 | 2006-04-12 | 三星宝石工业株式会社 | 基板切割设备和基板切割方法 |
CN1655327A (zh) * | 2004-02-09 | 2005-08-17 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法 |
CN1817603A (zh) * | 2005-01-05 | 2006-08-16 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法 |
CN101000864A (zh) * | 2006-01-13 | 2007-07-18 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法和晶片的分割装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP特开2007-158152A 2007.06.21 |
JP特开2007-27562A 2007.02.01 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200913030A (en) | 2009-03-16 |
CN101383277A (zh) | 2009-03-11 |
TWI445067B (zh) | 2014-07-11 |
JP2009064905A (ja) | 2009-03-26 |
KR20090025154A (ko) | 2009-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101383277B (zh) | 扩展方法及扩展装置 | |
JP3560823B2 (ja) | ウェハ転写装置 | |
CN1284219C (zh) | 板状物支撑部件及其使用方法 | |
JP5308433B2 (ja) | 部品実装装置及びその方法 | |
JP2019106458A (ja) | ウエーハ生成装置および搬送トレー | |
TW201904702A (zh) | 雷射加工裝置以及雷射加工方法 | |
JP6865828B2 (ja) | 搬送装置、基板処理システム、搬送方法、および基板処理方法 | |
TW201201309A (en) | Adhesive tape joining method and adhesive tape joining apparatus | |
TW201112319A (en) | Adhesive tape joining method and adhesive tape joining apparatus | |
JP4190611B2 (ja) | 部品装着方法、及び部品装着装置 | |
JP4485248B2 (ja) | 剥離装置及び剥離方法 | |
JP2006187862A (ja) | 切断装置及び切断方法 | |
CN101770980A (zh) | 工件分割方法以及带扩张装置 | |
JP2004349435A (ja) | 基板へのダイシング・ダイボンドテープの貼り付け装置 | |
JP2021170659A (ja) | 基板処理システム、および基板処理方法 | |
JP6695173B2 (ja) | 基板転写方法および基板転写装置 | |
US20040065851A1 (en) | Cutting device | |
JP2005297457A (ja) | 貼付装置及び貼付方法 | |
CN116598215A (zh) | 一种Taiko晶圆全自动贴膜方法及装置 | |
JPH04223896A (ja) | 薄膜切り抜き方法とその実施装置 | |
JP6438796B2 (ja) | シート剥離装置および剥離方法 | |
JP2005297458A (ja) | 貼付装置 | |
WO2023209891A1 (ja) | ウエハ加工装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ | |
JP7298851B2 (ja) | アライメント装置及びアライメント方法 | |
JP7022570B2 (ja) | 基材除去方法および基材除去装置、並びに、転写方法および転写装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |