CN101320739A - 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且其间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层具有开口或沟槽，开口和沟槽布置于绝缘层的没有被像素电极覆盖的部分中。

Description

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，更具体地涉及一种用于液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
LCD是一种最常用的平板显示器。LCD包括提供有场发生电极的两个面板和布置于两个面板之间的液晶(LC)层。场发生电极包括多个像素电极和公共电极。电压施加到场发生电极上以在LC层中产生电场。电场决定LC层中的LC分子的配向以调节LC层中的入射光的偏振。具有调节的偏振的入射光由偏振膜拦截或允许通过偏振膜，从而显示图像。
根据LCD使用的光源，可以将LCD分类为透射的或反射的。透射LCD的光源是背光。反射LCD的光源是外部光。反射型LCD可以实施于小或中尺寸的显示装置中。
半透射LCD根据环境而使用背光和外部光作为光源，并也可以实施于小或中尺寸的显示装置中。
然而，在LCD中显示区域的边缘附近LC分子以无序的方式排列，因此在显示的图像中引起向错(disclination)。向错可以通过增加LCD中光阻挡层(light blocking layer)的宽度得到改善，但是这也减少了LCD中像素的开口率(开口率)。因此，需要一种能减少向错而不降低LCD中像素的开口率的LCD。
发明内容
在本发明的示范性实施例中，提供了薄膜晶体管阵列面板。薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线，和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且它们之间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层在没有被像素电极覆盖的位置处具有布置于绝缘层内的开口或沟槽。
绝缘层可以由有机绝缘材料制成。薄膜晶体管阵列面板还包括布置于相邻的像素电极之间并与开口或沟槽重叠的光阻挡层。光阻挡层可以由与栅极线相同的层制成而没有与栅极线重叠。光阻挡层可与数据线重叠。薄膜晶体管阵列面板还包括形成于绝缘层下面并覆盖栅极线、数据线和漏电极的钝化层。钝化层和绝缘层具有多个接触孔以连接像素电极至漏电极。像素电极可以包括由透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。绝缘层可以有凹凸(embossed)表面。每个像素电极可以包括由透明电极占据的第一区域和由透明电极和反射电极占据的第二区域。
根据本发明的示范性实施例，提供了制造TFT阵列面板的方法。该方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成第一导电层并从导电层构图栅极线；在第一导电层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成本征层；在本征层上形成非本征层；在非本征层上形成第二导电层并从第二导电层构图数据线；在第二导电层上形成绝缘层；在绝缘层上形成像素电极；以及通过除去没有被像素电极覆盖的绝缘层的部分形成沟槽。
该方法可包括：在形成所述绝缘层之前在所述第二导电层上形成钝化层，在相邻的像素电极之间形成光阻挡层并与沟槽重叠的步骤，从第一导电层构图栅电极和存储电极的步骤，从非本征层构图非本征半导体条和从本征层构图本征半导体条的步骤，从第二导电层构图源电极和漏电极的步骤，或在绝缘层上凹凸压印图案的步骤。
附图说明
图1是根据本发明的示范性实施例的LCD的布局图。
图2，图3和图4是图1所示的LCD沿线II-II，III-III和IV-IV的剖面图。
图5是根据本发明的示范性实施例用于LCD的薄膜晶体管阵列面板的布局图。
图6是图5中所示的薄膜晶体管阵列面板沿线VI-VI的剖面图。
图7，图9和图11和图13是根据本发明的示范性实施例图5和图6中所示的TFT阵列面板在其制造方法的步骤中的布局图。
图8是图7中所示的TFT阵列面板沿线VIII-VIII的剖面图。
图10是图9中所示的TFT阵列面板沿线X-X的剖面图。
图12是图11中所示的TFT阵列面板沿线XII-XII的剖面图。
图14是图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。
图15是在绝缘层上添加像素电极之后图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。
图16是示出在常规LCD中产生的漏光的图。
图17是示出根据本发明的示例实施例的LCD中产生的漏光的图。
具体实施方式
此后，将参考附图描述本发明的示范性实施例。然而，此发明可以以不同的方式体现并不应解释为限制于这里阐述的实施例。
在附图中，层的厚度和区域为清楚而被夸大。所有相同的附图标记代表相同的元件。应该了解比如层、膜、区域、基板或面板的元件被称为在另一个元件“上”时，它可以是直接在另一个元件上或存在***元件。
图1是根据本发明的示范性实施例的LCD的布局图，图2、图3和图4是图1所示的LCD沿线II-II、III-III和IV-IV的剖面图。
LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200和介入两个面板100和200之间的液晶层3。LC层3具有正介电各向异性。两个面板100和200还包括沿水平和彼此反平行方向配向的上和下配向层(arrangement layer)(没有示出)，使得LC层3受到水平和反平行的配向且在没有电场时LC层3中的LC分子取向为长轴关于面板100和200的表面基本水平。
LCD可以是电控双折射(ECB，Electrically Controlled Birefringence)模式显示器，且可以常白模式(normally white mode)驱动，其中在没有电场时LCD显示白色并具有最大的透射率。
多个栅极线121、多个存储电极线131和多个光阻挡层122形成于绝缘基板110上，绝缘基板110由诸如透明玻璃或塑料的材料制成。
参考图1，栅极线121传输栅极信号并基本在横向延伸。每个栅极线121包括从其向上突出的多个栅电极124和具有与另一层或外部驱动电路接触的区域的端部129。产生栅极信号的栅极驱动电路(没有示出)可以安装在柔性印刷电路(FPC)膜(没有示出)上，柔性印刷电路(FPC)膜可附着在基板110上、直接安装在基板110或与基板110集成。栅极线121可以延伸以连接至与基板110集成的驱动电路。
存储电极线131提供有预定电压，例如施加到公共电极面板200的公共电极270的公共电压，并基本平行于栅极线121延伸。每个存储电极线131布置于两个相邻的栅极线121之间并靠近于两个栅极线121中下面的一条。每个存储电极线131包括从其向上和向下突出的存储电极133，如图1所示。然而，存储电极线131可以具有各种形状和布置。
参考图1，光阻挡层122基本在垂直方向延伸，没有与栅极线121和存储电极线131重叠。光阻挡层122彼此平行且每个光阻挡层122布置于相邻的栅极线121和存储电极线131之间。
栅极线121、存储电极线131和光阻挡层122可以由Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Ta、Ti或它们的合金制成。栅极线121、存储电极线131和光阻挡层122可以具有包括具有不同的物理特性的两导电膜(没有示出)的多层结构。在本发明的示范性实施例中，两个导电膜中的一个优选地由低电阻金属制成，包括例如Al、Ag、Cu或它们的合金以减少信号延迟或电压降低。另一个导电膜可以由诸如Mo、Cr、Ta、Ti或它们的合金的与其它材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)具有良好的物理、化学和电接触特性的材料制成。两个导电膜的组合的实例包括下Cr膜和上Al-Nd(合金)膜。
栅极线121、存储电极线131和光阻挡层122的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角度在从约20度到约80度的范围内。
由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成于栅极线121和存储电极线131上。
可由例如氢化非晶硅(简称“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体条151形成于栅极绝缘层140上。每个半导体条151基本在纵向延伸(见图1)并包括向栅电极124突出的多个突出154和从各自的突出154向存储电极133突出的多个突出157。半导体条151在栅极线121和存储电极线131附近加宽以使得半导体条151覆盖栅极线121和存储电极线131的较大区域。
多个欧姆接触条和岛161和165形成于半导体条151上。欧姆接触条和岛161和165可以由比如用n型杂质例如磷重掺杂的n+氢化a-Si、或硅化物制成。每个欧姆接触条161包括多个突出163，突出163和欧姆接触岛165成对地位于半导体条151的突出154上。
半导体条151和欧姆接触161和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角度在约30度至约80度的范围内。
多个数据线171和多个漏电极175形成于欧姆接触161和165上且在栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号并基本在纵向延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉，如图1所示。每个数据线171包括向栅电极124突出的多个源电极173、和具有与另一层或外部驱动电路接触的区域的端部179。每个数据线171在栅极线121和存储电极线131之间的部分与光阻挡层122重叠。产生数据信号的数据驱动电路(没有示出)可以安装在FPC膜(没有示出)上，FPC膜可附着在基板110上、直接安装在基板110上、或与基板110集成。数据线171可以延伸以连接至与基板110集成的驱动电路。
漏电极175与数据线171分开并相对于栅电极124与源电极173相对设置。每个漏电极175包括宽端部177和窄端部。宽端部177与存储电极线131的存储电极133重叠且窄端部被源电极173部分地包围。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体条151的突出154一起形成TFT，该TFT具有形成于布置在源电极173和漏电极175之间的突出(projection)154内的沟道。
数据线171和漏电极175可以由诸如Cr、Mo、Ta、Ti或它们的合金的难熔金属(refractory metal)制成。然而，数据线171和漏电极175可以具有包括难熔金属膜(没有示出)和低电阻膜(没有示出)的多层结构。
数据线171和漏电极175具有倾斜的边缘轮廓，且倾斜角度可在从约30度到约80度的范围内。
欧姆接触161和165介入在下面的半导体条151和其上上覆的导体171和175之间，并减少它们之间的接触电阻。虽然在大多数位置半导体条151比数据线171窄，但是半导体条151的宽度在栅极线121和存储电极线131附近变得较大，以使表面轮廓光滑，从而防止数据线171断开。半导体条151包括一些没有被数据线171和漏电极175覆盖的暴露的部分，比如在源电极173和漏电极175之间的部分。
由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体制成的钝化层180形成于数据线171和漏电极175上、及半导体条151的暴露的部分上。有机绝缘层187可由具有低介电常数的有机绝缘体制成，并具有平整和光敏特性。有机绝缘层187可具有凹凸表面，并在布置有栅极线121和数据线171的端部129和179的焊垫(pad)部分被除去以使得仅钝化层180保留在焊垫部分。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179的多个接触孔182。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181。
钝化层180和有机绝缘层187具有暴露漏电极175的宽端部177的多个接触孔185。接触孔181、182和185具有诸如圆形或多边形的各种形状，且接触孔181、182和185的侧壁具有相对于基板110的表面在约30度至约85度的范围内的倾斜角度。接触孔181、182和185的壁也可以具有台阶构造。
多个像素电极191形成于有机绝缘层187上。每个像素电极191沿有机绝缘层187表面弯曲，并包括透射电极192和其上的反射电极194。透射电极192可有由诸如ITO或IZO的透明导体制成，反射电极194可以由诸如Ag、Al、Cr或它们的合金的反射金属制成。反射电极194的表面形状得自有机绝缘层187的形状。有机绝缘层187可以是凹凸的使得反射电极194的反射效率最大化。像素电极191还包括接触辅助层(没有示出)，其可以由Mo、Cr、Ta、Ti或它们的合金制成。接触辅助层可以改善透射电极192和反射电极194之间的接触特性，并可防止透射电极192氧化反射电极194。
LCD的多个像素可以分别包括分别由透射电极192和反射电极194界定的多个透射区域TA和多个反射区域RA。布置于透射电极192的暴露的部分的上面和下面的区是透射区域TA，布置于反射电极194的上面和下面的区域是反射区域RA。反射电极194布置在透射电极192的一部分上，由此透射电极192的剩下的部分被暴露(见图2)。在透射区域TA除去有机绝缘层187，透射区域TA的单元间隙约两倍于反射区域RA的单元间隙。因此，可以补偿穿过反射区域RA和透射区域TA之间的液晶层3的光路差异。
因为在相邻的像素电极191之间像素电极191没有被占据的区域除去了有机绝缘层187，所以有机绝缘层187具有设置于相邻的像素电极191之间的多个开口186。这里，界定开口186的有机绝缘层187的侧壁是倾斜的，并且开口186与数据线171和光阻挡层122重叠。
虽然液晶分子的排列在相邻的像素区域之间的区域被扭曲，但是这些开口186防止液晶分子的扭曲排列传播到像素区域中。因此，光阻挡层122的宽度可以被最小化以使得LCD的开口率最大化。
像素电极191通过接触孔185物理地和电地连接至漏电极175以使得像素电极191接受来自漏电极175的数据电压。提供有数据电压的像素电极191结合提供有公共电压的公共电极面板200的公共电极270形成电场。数据电压决定设置于两个电极191和270之间的LC层3的LC分子(没有示出)的配向以调节穿过LC层3的入射光的偏振。
像素电极191和公共电极面板200的公共电极270形成液晶电容器，其在TFT关闭之后存储施加的电压。提供附加的电容器以提高电压存储能力，该附加的电容器并联地连接至液晶电容器，其称为“存储电容器”。存储电容器通过重叠像素电极191与存储电极线131实现。存储电容器可由重叠像素电极191与相邻的栅极线121形成，而存储电极线131可以被省去。
像素电极191可以与栅极线121和数据线171重叠以提高LCD的开口率。
根据本发明的示范性实施例，像素电极191由透明导电聚合物制成。对于反射LCD，像素电极191可以由不透明的反射金属制成。
多个接触辅助81和82形成于焊垫区域的钝化层180上。接触辅助81和82分别通过接触孔181和182连接至栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助81和82保护端部129和179并增强端部129和179与外部器件的粘附。接触辅助81和82可以用与透射电极192或反射电极194相同的层来形成。
光阻挡构件220形成于绝缘基板210上，绝缘基板210可以由诸如透明玻璃或塑料的材料制成。光阻挡构件220被称为黑矩阵，并防止像素电极191之间的漏光。光阻挡构件220具有面对薄膜晶体管和栅电极121的部分。或者，光阻挡构件220可以通过包括面对数据线171的部分而具有面对像素电极191的多个开口。然而，因为数据线171和光阻挡层122阻挡像素电极191之间的垂直部分的漏光，光阻挡构件220的面对数据线171的垂直部分可以被省去。
多个滤色器230也可以形成在基板210上，它们基本布置于由光阻挡构件220和数据线171包围的区域中。滤色器230可基本沿相邻的数据线171之间的像素电极191在纵向延伸，从而形成带(belt)。滤色器230代表比如红、绿和蓝的三个颜色中的一个，并可包括原色。反射区域RA的滤色器230包括多个光孔240。
光孔240补偿因光射线传输通过滤色器230的次数差异导致的反射区域RA和透射区域TA之间的色调差异。替代形成光孔240，色调差异可以通过使透射区域TA和反射区域RA中的滤色器230的厚度不同来补偿。光孔240可以是圆形的或方形的。在绿光滤波器230中光孔240的尺寸可以最大且在蓝光滤波器230中光孔240的尺寸可以最小。
由有机绝缘材料制成的覆层(overcoat)250形成于滤色器230和光阻挡构件220上以防止滤色器230暴露。覆层250填充光孔240并提供平的表面。
公共电极270形成于覆层250上。公共电极270由诸如ITO或IZO的透明导电材料制成。
因为有机绝缘层187具有布置于相邻的像素电极191之间的多个开口186，所以这些开口186防止像素区域之间的液晶分子的扭曲排列传播到像素区域中。因此，产生于像素电极191之间的漏光被最小化以使得光阻挡层122的宽度可以被最小化。另外，因为数据线171和光阻挡层122阻挡像素电极191之间的区域中的垂直区域内产生的漏光，所以光阻挡构件220的垂直部分可被省去。因此，LCD的开口率可以被最大化从而改善LCD的质量。
图5是根据本发明的示范性实施例的LCD的薄膜晶体管阵列面板的布局图，图6是图5所示的薄膜晶体管阵列面板沿线VI-VI的剖面图。
根据该实施例的面板的层的结构类似于图1至图4中所示的结构。
在TFT阵列面板中，包括栅电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极的存储电极线131形成于基板110上，其上依次形成栅极绝缘层140、包括突出154的多个半导体条151、和包括突出163的多个欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165。包括源电极173的多个数据线171和多个漏电极175形成于欧姆接触161和165及栅极绝缘层140上，且其上形成钝化层180和具有多个开口186的有机绝缘层187。多个接触孔185设置于钝化层180和有机绝缘层187处。多个像素电极191形成于钝化层180上。
不同于图1至图4所示的LCD，存储电极线131包括在垂直方向彼此基本平行地延伸的多个第一存储电极133a和基本平行于栅极线121延伸并连接第一存储电极133a的多个第二存储电极133b。
暴露漏电极175的突出177的接触孔185延伸到漏电极175的外部并成为“U”形。
界定有机绝缘层187的开口186的像素电极191可以由单透明导电层制成。像素电极191用在透射LCD中以通过使用来自背光的穿过液晶显示器的光来显示图像。
LCD中公共电极面板的光阻挡构件可以具有面对像素电极191的多个开口。
因为有机绝缘层187具有布置于相邻的像素电极191之间的多个开口186，这些开口186防止像素区域之间的液晶分子的扭曲排列传播到像素区域中，从而LCD的开口率可以最大化。
将参考图5、6和7-15详细描述根据本发明的示范性实施例制造图5和图6中所示的TFT阵列面板的方法。
图7、图9、图11和图13是图5和图6中所示的有机TFT阵列面板在根据本发明的示范性实施例的制造方法的步骤中的布局图，图8是图7中所示的TFT阵列面板沿线VIII-VIII的剖面图，图10是图9中所示的TFT阵列面板沿线X-X的剖面图，图12是图11中所示的TFT阵列面板沿线XII-XII的剖面图，图14是图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图，图15是在绝缘层上添加像素电极之后图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。
如图7和图8所示，导电层被溅射到由诸如透明玻璃或塑料制成的绝缘基板110上，并用光致抗蚀剂材料图案通过湿法蚀刻构图，从而形成包括多个栅电极124和端部129的多个栅极线121、和具有第一和第二存储电极133a和133b的多个存储电极131。
在依次沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层和非本征a-Si层之后，非本征a-Si层和本征a-Si层被光蚀刻以在栅极绝缘层140上形成多个非本征半导体条164和包括多个突出154的多个本征半导体条151。栅极绝缘层140可以约
Figure A20071016791100121
至约
Figure A20071016791100122
的厚度在250℃至500℃的范围内被沉积，如图9和图10中所示。
如图10和图12所示，金属层被溅射在栅极绝缘层140上，并利用光致抗蚀剂材料图案通过湿法蚀刻构图以形成包括多个源电极173和端部179的多条数据线171、和多个漏电极175。
非本征a-Si层164没有被数据线171和漏电极175覆盖的部分可通过蚀刻除去以完成包括多个突出163和多个欧姆接触岛165的多个欧姆接触条161，并暴露本征半导体条151的部分。之后，可以通过使用氧等离子体处理来稳定半导体条151被暴露的部分。
如图13和图14所示，由诸如氮化硅的无机绝缘材料制成的钝化层180和具有感光性或平坦特性的有机绝缘层187可以依次沉积在数据线171、漏电极175和暴露的半导体条151上。
之后，钝化层180和有机绝缘层187被光蚀刻以形成暴露漏电极175的多个接触孔185。
如图5和图15所示，诸如ITO的透明材料被溅射并蚀刻以在有机绝缘层187上形成多个像素电极191。
下面，如图6中所示，有机绝缘层187没有被像素电极191覆盖的部分被除去以形成多个开口186。
在这个制造工艺中，像素电极191或为形成像素电极191的光致抗蚀剂图案被用作蚀刻掩模以形成开口186，从而不增加形成开口186的掩模。
图16是示出在常规LCD中产生的漏光的图，图17是示出根据本发明的实施例的LCD中产生的漏光的图。这里，增加到剖面图上的图G1和G2示出对应部分的区域的透射率。
在这些图中，LCD是ECB模式的显示器，且液晶材料具有正介电各向异性。上下配向层在水平且彼此反平行的方向上配向，不同的电压施加到相对于数据线171和光阻挡层122设置在每侧的两个像素电极191上。
如图16所示，当施加不同的电压到两个相邻的像素电极191时，布置于两个相邻的像素电极之间的液晶分子被扭曲使得布置在对应于像素电极191的像素区域的边缘上的液晶分子被扭曲。因此，如图G1所示，漏光在A区域突然增加，A区域是像素区域的部分，该处A区域的透射率迅速增加。因此，光阻挡层122必须加宽以防止漏光，导致开口率由于较宽的光阻挡层122而降低。
如图17所示，当在相邻的像素电极191之间设置开口186时，设置在两个相邻的像素电极191之间的液晶分子的扭曲排列被开口186阻挡使得液晶分子的扭曲排列不在像素区域中传播。因此，如图G2所示，在像素区域的边缘中漏光是小的，从而边缘区域的透射率没有被迅速地增加且图G2的斜率更缓。因此，产生于像素电极191之间的漏光可以通过设置开口186为像素电极191之间的有机绝缘层187的沟槽而防止，从而开口率可以最大化且LCD的质量可得到改善。
有机绝缘可以完全去除从而形成开口186，但可以去除有机绝缘层187的部分从而形成沟槽且该沟槽可以提供与开口相同的效果。
虽然关于对于本发明的示范性实施例描述了ECB模式，但是本发明不限制于此，本发明可适合于诸如扭转向列(TN，Twisted Nematic)LCD和垂直配向(VA，Vertically Aligned)LCD的各种模式。
如上所述，产生于像素区域的边缘的漏光可以通过在像素电极之下的绝缘层中在像素电极之间设置开口或沟槽而防止，因此开口率可以最大化且LCD的质量得到改善。
已经描述了本发明的示范性实施例，应该了解本发明不被限制于该公开的实施例，而是相反地，本发明将覆盖包括在所附的权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基板；
多个栅极线，形成于所述基板上，其中每个所述栅极线包括多个栅电极；
多个数据线，交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘，其中每个所述数据线包括多个源电极；
多个漏电极，面对所述源电极；
绝缘层，形成于所述栅极线、数据线和漏电极上；以及
多个像素电极，形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极，
其中所述绝缘层具有开口或沟槽，且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层由有机绝缘材料制成。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在相邻的像素电极之间并与所述开口或沟槽重叠的光阻挡层。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层由与所述栅极线相同的层制成而不与所述栅极线重叠。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层与所述数据线重叠。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成于所述绝缘层下面并覆盖所述栅极线、数据线和漏电极的钝化层。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述钝化层和所述绝缘层具有多个接触孔从而连接所述像素电极至所述漏电极。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述像素电极包括由透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层具有凹凸的表面。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中由像素电极占据的像素区域包括仅被透明电极占据的第一区域和被透明电极和反射电极占据的第二区域。
11.一种制造TFT阵列面板的方法，包括：
在绝缘基板上形成第一导电层并由该导电层构图栅极线；
在所述第一导电层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成本征层；
在所述本征层上形成非本征层；
在所述非本征层上形成第二导电层并由所述第二导电层构图数据线；
在所述第二导电层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成像素电极；以及
通过除去所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分形成沟槽。
12.如权利要求11所述的方法，还包括：
在形成所述绝缘层之前在所述第二导电层上形成钝化层。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述钝化层由氮化硅或氧化硅制成。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述本征和非本征层由a-Si或多晶硅制成。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述栅极绝缘层以
Figure A2007101679110003C1
至
Figure A2007101679110003C2
的厚度沉积。
16.如权利要求11所述的方法，还包括：
在相邻的像素电极之间形成光阻挡层并与沟槽重叠。
17.如权利要求11所述的方法，还包括：
由所述第一导电层构图栅电极和存储电极。
18.如权利要求11所述的方法，还包括：
由所述非本征层构图非本征半导体条和由所述本征层构图本征半导体条。
19.如权利要求11所述的方法，还包括：
由所述第二导电层构图源电极和漏电极。
20.如权利要求11所述的方法，还包括：
在所述绝缘层上压印图案。
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