JPH06222372A

JPH06222372A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH06222372A
Application number: JP5028449A
Authority: JP
Inventors: Heihachiro Ebihara; 平八郎海老原
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1993-01-26
Filing date: 1993-01-26
Publication date: 1994-08-12

Abstract

(57)【要約】【構成】基板上に於いて、導電膜上に、絶縁膜を介す
る事なく透明電極を設け、かつ該導電膜は個々の透明電
極に対応してスリットを設けて分離する。導電膜のない
前記画素部の画素電極下に、導電膜面とほぼ同一かそれ
より高い高さの透明な充填層を設ける。【効果】透明電極の抵抗値が下がり、クロストーク等
が減少し、かつ導電膜と透明電極の短絡事故がなくな
る。画素部のラビングが均一に行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の構造に
関するものである。液晶表示装置は基本的には複数の画
素を形成するための透明電極（以下画素電極とする）を
形成した２枚の基板を、画素電極を形成した面を対向さ
せ、封止材により封止し、これに液晶材料を注入して構
成する。個々にはモノクローム、カラー、セグメント
型、マトリクス型、アクティブ型、パッシブ型あるいは
ＴＮ、ＳＴＮその他のモード等の違いにより、構造が異
なる場合があるが、本発明は何れにも対応可能である
が、以下の説明はＳＴＮ、パッシブマトリクス型モノク
ローム液晶表示装置を代表として説明する。

【０００２】

【従来の技術】以下図面に基づいて従来技術を説明す
る。図８（ａ）は一方の基板２１にチップオングラス
（以下ＣＯＧとする）技術を用い、他方の基板１１は画
素電極１３をフレキシブルシート等の配線部材３３に直
接接続する、通常の実装方式を使用する従来のパッシブ
マトリクス配列のモノクローム液晶表示装置の構造を示
す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に於けるＡＡ’断面図
である。図８（ａ）、（ｂ）に於いて第１の基板１１と
第２の基板２１は封止材２４によって封止され、この封
止領域内に液晶１４が注入される。両基板間の間隔（以
下基板間隔と言う）はスペーサー１５によって規制され
る。

【０００３】第１の基板１１には画素電極１３が設けら
れる。第２の基板２１上には遮光導電膜２５が設けら
れ、遮光導電膜２５の上に絶縁膜２８が設けられ、絶縁
膜２８上に画素電極２３が設けられる。画素電極１３と
２３上には実際には配向膜が設けられているが簡単のた
め図示を省略して有る。基板１１、２１の外側にはそれ
ぞれ偏光板１２、２２が設けられる。

【０００４】画素電極１３と２３は、それぞれ直交して
井桁状に配列され、両者の交差する部分が画素となる。
画素電極２３は封止材２４の外側で、駆動集積回路４０
の出力端子４１に接続される。駆動集積回路４０の入力
端子４２は画素電極２３とは分離し、かつ画素電極２３
と同質の透明電極（以下配線電極とする）２６に接続さ
れ、配線電極２６はフレキシブルシート等の配線部材３
２に接続される。また基板１１の画素電極１３は直接に
配線部材３３に接続される。

【０００５】画素部分の液晶には画素電極１３と画素電
極２３にそれぞれ印加される駆動電圧の差の電圧が印加
され、液晶はその実効電圧に関係して状態を変え、表示
に関与する。画素以外の部分の液晶には正規の電圧が印
加されないため、表示に不都合な状態を呈して表示コン
トラストを低下させる場合があり、これを防ぐため非画
素部に井桁状に遮光用の膜を設ける場合がある。この膜
は非導電性、導電性のいずれであっても良いが、遮光特
性や膜厚が他の特性に与える影響を考慮して導電性の膜
が使用される場合が多い。

【０００６】図８は遮光導電膜２５を遮光膜として用い
た場合を示しており、この遮光導電膜２５は上述の如く
画素が配列されている部分（以下表示部とする）の非画
素部に井桁状に設ける他、封止材２４の近傍の見切りと
して、あるいは封止部分の基板間隔を表示部のそれと一
致させる目的で表示部以外の部分にも伸張される場合が
ある。図８では封止部分の基板間隔を表示部の基板間隔
と一致させる目的で遮光導電膜２５を封止材２４の下ま
で伸張して間隔調整導電膜２９形成し、さらに基板１１
の封止部分には基板間隔調整用の間隔調整電極１６を設
け、基板２１の封止部分には基板間隔調整用の間隔調整
電極２７を設けている。

【０００７】上記ＣＯＧ技術は特に細密な画素電極１
３、２３を有する表示装置の実装方法として有効であ
る。またこの様に細密な画素電極１３、２３を有する表
示装置にあっては表示部に於ける画素部と非画素部の面
積比（有効画素面積）が低下してコントラストが低下す
る傾向にあり、遮光膜が必要となる事が多い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＣＯＧ技術の問題点の
一つは、駆動集積回路４０が基板２１上に設けられるた
め、その電源線の抵抗が上昇する傾向にある点である。
すなわち、配線部材３２と配線電極２６との接続抵抗、
配線電極２６自身の配線抵抗、配線電極２６と駆動集積
回路４０の入力端子４２との接続抵抗等の付加がその原
因となるが、このうち配線電極２６自身の配線抵抗によ
る影響が特に大きい。液晶駆動電圧に関係する電源線の
抵抗増加は、液晶に印加する駆動電圧の波形に歪みを生
じさせ、理想波形からのズレを生じ、クロストークやコ
ントラスト低下の原因となる。

【０００９】また画素電極２３の集積回路４０への引き
回し部分は極めて狭い範囲に集中的に寄せ集めるため、
この部分では画素電極２３は極めて細い線幅となり抵抗
が増大し、これもクロストークやコントラスト低下の原
因となる。さらに各画素電極２３は、引き回し部分の長
さがそれぞれ異なるため抵抗値が一定とならず、表示状
態が均一にならないと言う問題も生ずる。そして画素電
極２３の表示部における抵抗は画面の左右（あるいは上
下）で表示の明るさが異なると言う現象を生じさせる原
因にもなる。そこで本発明が解決しようとする第１の課
題は、配線電極２６の配線抵抗を低下させる事であり、
画素電極２３の駆動集積回路４０への引き回し部分、あ
るいは表示部の画素電極２３の抵抗を低下させる事であ
る。

【００１０】次に遮光膜として用いる遮光導電膜２５
は、絶縁膜２８により画素電極２３と絶縁されているの
であるが、それにもかかわらずしばしば遮光導電膜２５
と画素電極２３の間で電気的短絡が起こり、歩留まりを
大幅に低下させてしまう。その原因としては、例えば絶
縁膜２８に発生した微細なピンホールが挙げられる。こ
のピンホールを完全に無くすことは現在のところ非常に
難しい。また他の原因としてはゴミによるものが挙げら
れる。

【００１１】画素電極２３と遮光導電膜２５の短絡する
箇所は、主として封止材２４の近傍で有る事が多い。す
なわち前述の如く封止部分の基板間隔を表示部のそれと
一致させる目的で表示部以外の部分にも伸張した場合、
封止部分の遮光導電膜２５の面積はかなり大きなものと
なり、短絡発生の確率が上昇する事に加え、一般に封止
部分に加わる応力の方が表示部に加わる応力よりも大き
いからである。しかし表示部での短絡も零ではない。そ
こで本発明が解決しようとする第２の課題は画素電極２
３と遮光導電膜２５との短絡問題をなくす事である。

【００１２】次に、スペーサー１５によって規制される
基板間隔は液晶のスレッショルド電圧に関係し、基板間
隔が異なると同一駆動電圧を印加しても同一の表示状態
とならない。そこで本発明が解決しようとする第３の課
題は、基板間隔を均一化し、基板間隔の不均一性に依存
する表示状態の品位低下を解消する事である。

【００１３】さらに封止材２４の外部に於いては付着し
たゴミ等が原因で透明電極に腐食を生じたり、隣合う電
極間が短絡したりする事故が発生する。また工程内で余
分な基板部分を切り離す時に封止材２４の外部の電極に
傷をつけてしまい、断線を生じる場合もある。ＣＯＧ技
術を用いた場合は前述のように画素電極２３の集積回路
４０への引き回し部分は極めて狭い範囲に集中的に寄せ
集めるため、この部分では画素電極２３は極めて細い線
幅となり、これらの事故は特に問題となる。そこで本発
明が解決しようとする第４の課題は、封止材２４の外部
に於ける画素電極２３あるいは配線電極２６の断線に対
し対策を施す事である。すなわち一つは透明電極２３あ
るいは配線電極２６に断線が生じて致命的な事故に至ら
ない様に対策する事であり、他の一つは透明電極２３あ
るいは配線電極２６を保護する事である。

【００１４】さらに、液晶表示装置においては前記配向
膜をラビングして液晶の配向を整える工程が有るが、こ
の工程内あるいはそれ以外の工程に於いて、配線電極２
６あるいは画素電極２３に静電気が発生し、この静電気
の放電時に各電極が損傷を受ける場合が多い。そこで本
発明が解決しようとする第５の課題は、各電極に静電気
が発生しても放電による電極の損傷がないように対策す
る事である。

【００１５】また液晶層に含まれるイオン性不純物は、
ムラ表示、焼き付き等の表示品位の低下の原因になる事
が知られている。本発明の第６の課題は、この問題につ
いて提案されている公知の技術を効果的に適用可能にす
る事である。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記第１から第４の課題
を解決するために本発明が用いる第１の手段は、絶縁膜
２８を廃止し、基板上に設けた導電膜上に絶縁膜を介す
る事なく透明電極層を設ける構造とし、かつ各配線電極
２６、各画素電極２３に接する該導電膜を各透明電極毎
に分離する事である。

【００１７】第２の手段は基板１１に、基板２１の遮光
導電膜の分離部分に対応する遮光部材を設ける事であ
り、第３の手段は各透明電極と、フレキシブルシートあ
るいは駆動集積回路等の他部材との接続部分の下部に於
いて導電膜のない部分を設ける事である。

【００１８】また第４の手段は導電膜のない部分に透明
でかつ絶縁性の材料によりなる、導電膜面とほぼ同一の
高さの層を設ける事であり、第５の手段は画素電極の間
に、絶縁性の材料よりなる、画素電極面または配向膜面
とほぼ同一の高さの層を設ける事であり、更に第６の手
段は画素電極間に設けた前記絶縁性の材料よりなる層に
遮光性を持たせる事である。

【００１９】本発明が用いる第７の手段は、第５の手段
の実施に於いて前記絶縁性の材料よりなる、封止材の内
側でほぼ画素電極面と同一の高さを有する層が封止材の
外側に於いて画素電極または配線電極上を覆うように構
成する事である。

【００２０】本発明が用いる第８の手段は、前記第４、
第６の手段の実施にあたり、絶縁性の材料によりなる層
に導電性の材料を混入する事である。

【００２１】本発明が用いる第９の手段は、前記第５の
手段の実施にあたり、絶縁性の材料によりなる層をイオ
ン吸着層とする事である。

【００２２】

【作用】本発明が用いる第１の手段によれば、導電膜は
最初から配線電極２６あるいは画素電極２３に接してお
り、かつ各電極毎に分離しているのであるから、新たな
短絡事故は発生する事がないし、各透明電極は接触する
導電膜によって抵抗値が大幅に低減する。また配線電極
２６、画素電極２３は封止材２４の外部に於いて導電膜
により裏打ちされているから、断線しても大事に至らな
い。第２の手段によれば基板２１の遮光導電膜の分離部
分から漏れる光は基板１１の遮光部材によって遮光され
るのでコントラストが低下しない。

【００２３】第３の手段によれば基板２１の裏面から導
電膜のない部分を通して各透明電極の接続部分の状態を
容易に目視検査する事が出来るから信頼性の高い表示装
置を提供出来る。

【００２４】第４の手段によれば画素電極の表面がほぼ
均一の高さとなるからラビングが均一に行えるので配向
ムラが生じないし、基板間隔も均一化出来る。

【００２５】第５の手段によれば基板２１の表面全体を
ほぼ均一にする事が出来るから、基板間隔がより一層均
一化される。

【００２６】また第６の手段によれば画素電極２３の間
の遮光導電膜の分離部分から漏れる光は、遮光性を有す
る絶縁性の材料の層により遮光されるから、対向基板１
１に遮光部材を設ける必要がなくなる。

【００２７】第７の手段によれば封止材２４の外部に於
いて、配線電極２６、画素電極２３は絶縁性の材料によ
る層に覆われるから、基板切り離し時に電極に損傷を与
えることがなくなり、またゴミ等による腐食事故も大幅
に低減できる。

【００２８】第８の手段によれば、隣接する各電極間は
絶縁性を低下させた層により短絡されるから、各電極に
静電気が発生しても電極間で徐々に漏洩し、瞬間的に放
電する事がないため、電極が損傷を受ける事がない。

【００２９】第９の手段によれば液晶層中に含まれるイ
オン性不純物がイオン吸着層に吸着固定され不活性化す
るため、ムラ等の表示不良、コントラストの低下がなく
なり、かつ配向ムラを生じない。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面によって説明す
るが、図面は構造のみを示すものであって寸法などにつ
いて示すものではない。また符号は図８と同一のものに
ついては同一の符号を用いる。さらに本発明に於いて導
電膜とは透明電極とは異なるものを言う。

【００３１】図１（ａ）は本発明の一実施例を示す基板
２１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ’
断面図である。図１においては本発明の第１の手段と第
３の手段を同時に実施している。

【００３２】図１に於いて、基板２１の全面に導電膜が
設けられた後、エッチング等により配線電極２６の裏打
ち用の配線導電膜３０、画素電極２３の配線部分の裏打
ち用の配線導電膜３１および遮光導電膜２５が形成され
る。次に透明電極膜が基板全面に設けられた後、エッチ
ング等により配線電極２６、画素電極２３が形成され
る。

【００３３】配線電極２６、画素電極２３と対応するそ
の裏打ち用の配線導電膜３０、３１の形状は、各透明電
極の抵抗値を下げるためには各透明電極より太くする事
が望ましいが、酸化等による悪影響、あるいはゴミ等に
よる短絡が考えられる場合は外部に露出しないように各
透明電極によって覆うようにしてもよい。図１は裏打ち
用の導電膜の形状を各透明電極とほぼ一致させた場合を
示して有る。

【００３４】図２（ａ）は図１に於ける符号Ｃの部分を
拡大した基板２１の平面図であり、図２（ｂ）および図
２（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）に於けるＡＡ’断面図お
よびＢＢ’断面図である。各画素電極２３の画素部５０
に対応して窓が明けられた遮光導電膜２５はスリット５
１により各画素電極２３に対応して分離される。スリッ
ト５１は光透過を少なくするため可能な限り狭くし、ま
たその位置は遮光導電膜２５が隣の画素電極２３と短絡
する事を防ぐため、隣合う２本の画素電極２３の中間が
望ましい。

【００３５】図２（ａ）あるいは図１（ａ）に於いては
画素電極２３に裏打ちした配線導電膜３１の幅は遮光導
電膜２５の幅よりも小さいように示したが、例えば封止
材２４の外部に於いて配線部分がモールド材等によって
覆われ、配線導電膜３１の酸化等による悪影響、あるい
は隣合う配線導電膜３１同士のゴミ等による短絡が問題
とならない場合は、配線導電膜３１の幅を遮光導電膜２
５の幅と同一としてもよい。

【００３６】再び図１について説明する。図１に於いて
は画素電極２３の集積回路４０への引き回し部分を簡略
に示したが、実際には極めて狭い範囲に画素電極２３を
集中的に寄せ集めなければならず、従ってこの部分では
画素電極２３は極めて細い線幅となり抵抗が増大する。
しかも各画素電極２３の引き回し部分の長さはそれぞれ
異なるため抵抗値が一定とならず、表示状態が均一にな
らないと言う問題も生ずる。本発明によれば画素電極２
３の配線部分に配線導電膜３１を設ける事により抵抗の
差が小さくなるから、表示状態の不均一の問題点も解決
する。

【００３７】また画素電極２３は表示部に於いても画素
部分を除いて遮光導電膜２５によって裏打ちされている
から抵抗値が下がり、表示画面の端々で表示の明るさが
異なると言う問題も生じない。当然の事ながら遮光導電
膜２５は各画素電極２３に対応して分離されており、か
つ最初から対応する画素電極２３と接しているのである
から、新たな短絡事故は発生する事はない。次に配線電
極２６もまた配線導電膜３０によって裏打ちされている
からその抵抗値は低減し、前記した問題点は解消され
る。

【００３８】ここで裏打ち用の配線導電膜３０、３１が
不透明で、かつ配線電極２６と配線部材３２との接続
部、配線電極２６と駆動集積回路４０の入力端子４２と
の接続部、画素電極２３と駆動集積回路４０の出力端子
４１との接続部の下面全面に設けられていると、ＣＯＧ
技術により駆動集積回路４０を基板２１に取り付けた際
の配線電極２６、画素電極２３と駆動集積回路４０の各
端子４１、４２との接続状態、または配線部材３２を接
続した際の配線電極２６と配線部材３２との接続状態を
基板２１の裏面から目視検査する事が出来なくなる。

【００３９】そこで図１の実施例に示す如く、例えば配
線電極２６の他部材との接続部付近に裏打ち用の配線導
電膜３０のない部分３３を設ければこれらの接続状態が
基板２１の裏面から目視可能になり、接続信頼性の確保
が容易になる。図１には示していないが画素電極２３と
他部材との接続部付近を同様の構造としても良い。

【００４０】ところで従来は遮光導電膜２５と画素電極
２３との間に絶縁膜２８が存在し、この絶縁膜２８は両
者の短絡を防ぐ機能の他、遮光導電膜２５の段差等を吸
収し、絶縁膜２８の表面を平坦にするための機能も備え
ていた。しかるに本発明の図１、図２に示した実施例に
於いては、従来例に示した絶縁膜２８が存在しないた
め、平坦化の機能を果たすものが存在しないから、遮光
導電膜２５、あるいは配線導電膜３０、３１の形状によ
る段差はそのまま残ってしまう。

【００４１】この段差による影響は十分に吟味する必要
がある。段差に関して検討すべき項目は大きく分けて２
点有り、その１つは基板間隔の一定性に関するものであ
る。すなわち基板間隔を表示装置の全面に渡って一定に
するための機能はスペーサー１５が負うが、スペーサー
１５を単純に散布したときは、スペーサーの位置は確率
の問題であり、様々な位置に存在する事になる。従って
封止材２４の下部を含めスペーサー１５が存在し得る範
囲に於いては出来るだけ段差が少なくなるようにする必
要がある。

【００４２】図１、図２に於いては狭いスリット５１で
分離された遮光導電膜２５を封止材２４の下部まで伸張
した場合を示した。勿論、封止材２４の下部は広い間隔
で隣接する配線導電膜３１が対応するようにしても良い
のであるが、例えば図２（ａ）に於いてスペーサー１５
がＤの位置に有る場合とＥの位置に有る場合とではスペ
ーサーの高さが導電膜の厚みの分だけ異なるのであり、
上記の点を考慮し封止部分の基板間隔を表示部の基板間
隔と一致させためには封止材２４の下部の基板構造は出
来るだけ表示部分の基板構造と類似させる事が望ましい
のである。

【００４３】上記Ｄ、Ｅなる位置は隣接する透明電極２
３の間を示したのであるが、勿論隣接する透明電極２３
の間の間隔よりも透明電極２３の幅の方がはるかに大き
いのが一般的であり、従ってスペーサー１５の位置は確
率的には画素電極２３の上に存在する場合が多いとの考
えも成り立つ。これは相対的に対向基板１１上の透明電
極１３との関係についても言えるから、結局表示部に於
けるスペーサー１５の大部分は画素上にあるとの見方も
出来る。一方封止材２４の下部においては画素部がない
から、図２（ｂ）に破線で示すように封止部と画素部で
はスペーサーに高さに差が出る事になる。

【００４４】図３は上記の思想基づく本発明の第２の実
施例を示し、（ａ）は表示装置の断面図であり、（ｂ）
はそのＡＡ’断面図である。図３の実施例に於いては従
来の基板１１上の基板間隔調整用の間隔調整電極１６、
２７を廃止する。従って図３（ａ）に於いては封止部に
於ける基板間隔は基板１１の表面と、基板２１上の配線
導電膜３１で裏打ちされた画素電極２３の表面に挟まれ
るスペーサー１５の径によって規制され、一方表示部に
於いては対向基板１１上の画素部の透明電極１３の表面
と、基板２１上の画素部５０に於ける透明電極２３の表
面に挟まれるスペーサー１５の径によって規制される。

【００４５】また図３（ｂ）に於いては封止部に於ける
基板間隔は基板１１上の画素電極１３の表面と、基板２
１上の間隔調整用導電膜２９の表面に挟まれるスペーサ
ー１５の径によって規制され、一方表示部に於いては基
板１１上の画素部の透明電極１３の表面と、基板２１上
の画素部５０に於ける透明電極２３の表面に挟まれるス
ペーサー１５の径によって規制される。

【００４６】そこで導電膜の厚みと基板１１あるいは基
板２１上の透明電極１３、２３の厚みをほぼ等しくして
おけば、基板間隔は封止部、表示部の全面に渡って均一
に保つ事が出来る。

【００４７】また図３（ｂ）に示すように対向基板１１
上に基板２１上のスリット５１に対向して遮光部材１７
を設けておけば、スリット５１を漏れる光は遮光部材１
７により遮られ、コントラストの低下を防ぐ事が出来
る。この遮光部材１７を設けた対向基板１１の構造は従
来の方法によるものであっても良いし、本発明に基づく
ものであっても良い。従来構造を用いるものとすればカ
ラーフィルターも容易に対向基板１１上に設ける事が出
来る。

【００４８】しかしながらスペーサー１５の位置は確率
的には画素部に多く分布するとしても、図２（ｃ）に破
線で示した様に画素電極２３上の、画素部５０より高い
ところにスペーサー１５が位置する確率も零ではない。
もしこの様な状況が発生すると、その付近の基板間隔は
他の部分よりも大きくなるため、表示ムラが発生する事
になる。

【００４９】また図１（ｂ）に示したように、本発明の
第３の手段を実施した場合、例えば配線電極２６の他部
材との接続部に於ける配線導電膜３０のない部分３３を
はその周辺に対して凹部となるため、場合によっては接
続に悪影響がでる事が考えられる。

【００５０】さらに段差に関して検討すべき項目の他の
１つは、ラビング条件に関するものである。本願の図面
には簡単のため配向膜を図示していないが、実際には画
素電極２３の形成後に配向膜を設け、該配向膜上をラビ
ングして液晶層の配向を規正する。このラビングは通常
ロール状の布材を回転させて配向膜を擦る事により行う
が、配向膜上に段差があると、該段差部近傍の凹部には
布材が十分に触れず、ラビング状態が凸部とは異なって
しまう。従って図２（ｃ）の場合、画素部５０が凹状と
なっているため、凹部の段差が大きいと画素部５０の周
辺部分は正常なラビングが行われず、配向ムラが生じて
表示を劣化させる事がある。

【００５１】図４（ａ）から（ｅ）は上記の問題点を解
決するための本発明の第３の実施例を示す工程図であ
り、図２（ｃ）に対応する断面図である。図４（ａ）に
於いて、先ず基板２１に遮光導電膜２５を形成する。次
に（ｂ）に於いて基板２１の全面に絶縁性の透明なレジ
スト５３を塗布する。（ｃ）に於いて、基板２１の裏面
から遮光導電膜２５をマスクとしてレジスト５３を露
光、現像し、オーバーエッチを含む適当なエッチングを
行うと遮光導電膜２５の存在しない部分がレジスト５３
の層で埋められて遮光導電膜２５と段差の小さい面構造
を得る事が出来る。（ｄ）に於いて基板全面に透明電極
層を設け、（ｅ）に於いて画素電極２３の形状を整え
る。

【００５２】図４から明らかなように、レジスト５３の
層の高さを調整する事により、画素電極２３の画素部に
於ける高さを、非画素部よりも高めか、あるいは非画素
部とほぼ同一とする事が出来る。従って画素部以外に位
置するスペーサー１５があっても、基板間隔はに悪影響
を与えないし、また画素部上の画素電極２３の表面は均
一にラビングされるから配向ムラも生じない。

【００５３】図４の実施例では画素部に限らず、導電膜
のない部分には全て同様にレジスト５３の層で高さが均
一化されるのであるから、配線電極２６あるいは画素電
極２３の他部材との接続部において、目視検査を容易に
するために配線導電膜３０あるいは３１を設けない部分
３３に生じる凹部も無くなり、接続の安定性がより高ま
る。

【００５４】図４に於いてレジスト５３に着色すればカ
ラーフィルターとして作用する事は言うまでもない。

【００５５】ところで図４の実施例は、表示部に於ける
画素部の面積が非画素部よりも十分に大きく、しかも散
布したスペーサー１５が散布後に移動する事がなければ
特に問題なく良質の表示状態を得る事が出来る。しかし
ながら、画素が細密になり、画素部と非画素部の面積比
が等しい方向に近づいてきたり、あるいはスペーサー１
５が散布後に移動する可能性が有る場合には、スペーサ
ー１５が非画素部に片寄って分布する領域の発生を無視
できない。この様な場合、その領域付近の基板間隔は他
の部分に比して小さくなり、表示状態が部分的に他と異
なってしまうことになる。

【００５６】図５は本発明の第４の実施例を示す図であ
り、（ａ）から（ｃ）は図２（ｃ）あるいは図４に対応
する断面図を工程順に示したものである。図５（ａ）は
図４（ｅ）の状態を示す。（ｂ）に於いて基板２１の全
面にアクリル樹脂等を主材とする絶縁性のレジスト５４
を塗布する。（ｃ）に於いて、基板上面からマスクを用
いてレジスト５４を露光、現像し、オーバーエッチを含
む適当なエッチングを行うと、画素電極２３の間がレジ
スト５４で埋められて画素電極２３とほぼ同一の面が得
られる。図５（ｄ）は図５（ｃ）のＡＡ’断面図であ
り、配線電極２６、画素電極２３が全面に渡って均一な
高さを有する事を示している。

【００５７】図５に示す構造とすればスペーサー１５は
画素部上でも非画素部上でも高さがほぼ同じとなるか
ら、基板間隔を表示部の全面に渡って均一に出来、基板
間隔の不均一に基づく表示ムラを防ぐ事が出来る。また
図５から明らかなように、導電膜上はレジスト５４によ
って覆われるから、封止材２４の外部に於いて導電膜間
の間隔を狭くしてもゴミ等による導電膜間の短絡の危険
性がない。したがって封止材２４の外部に於いて配線導
電膜３０、３１の幅を広げる事が出来るから、より一層
各電極の抵抗を下げる事が出来る。

【００５８】また図５に示す実施例に於いてレジスト５
４に顔料を混ぜる等して遮光性を持たせれば、スリット
５１を漏れる光はレジスト５４によって遮光されるため
コントラストが低下しない。この場合図３（ｂ）に示し
た対向基板１１上の遮光部材１７は省略する事が可能と
なる。

【００５９】図６は本発明の第５の実施例を示す図であ
り、図５（ａ）から（ｄ）に対応する断面図である。図
６（ａ）は図４（ｂ）に於いてレジスト５３を導電膜の
厚みより厚く設けた場合の図４（ｅ）の状態を示す。図
６（ｂ）に於いて基板２１の全面にアクリル樹脂等を主
材とする絶縁性のレジスト５４を塗布する。図６（ｃ）
に於いて、基板上面からマスクを用いてレジスト５４を
露光、現像し、オーバーエッチを含む適当なエッチング
を行うと、画素電極２３の間がレジスト５４で埋められ
て画素電極２３とほぼ同一の面が得られる。

【００６０】この場合に於いて、レジスト５４のエッチ
ングを画素部、および電極の接続部のみについて行うと
図６（ｄ）のような構造が得られる。すなわち配線電極
２６あるいは画素電極２３は封止材２４の外部に於いて
他部材との接続部を除いてはレジスト５４によって覆わ
れる。したがって基板切り離し時に電極に損傷を与える
ことがなくなり、またゴミ等による腐食事故も大幅に低
減できる。

【００６１】次に図４から図６に示した実施例に於い
て、レジスト５３または５４に導電性の材料を適量混入
して置くと、これらの絶縁抵抗を低下させる事が出来
る。このようにすれば隣接する配線電極２６あるいは画
素電極２３は比較的高い抵抗値によって短絡されること
になり、各工程に於いて電極に発生した静電気は比較的
高い抵抗値によって各電極間で中和され、一時的に放電
する事がないから各電極が損傷を受ける事がない。

【００６２】ところで上記説明に於いては配向膜につい
ては特に説明を行わなかった。配向膜は画素電極２３上
に設ける必要があるが、本発明に於いて第５図または第
６図に示す実施例に於いて配向膜を設ける工程は３つの
場合が考えられる。

【００６３】図７は図６に示した実施例に於いて配向膜
を設ける工程を付加した実施例を示す断面図である。図
７（ａ）は図６（ｃ）の工程後に配向膜５５を設けた場
合を示す。この場合は図６の説明の通り、レジスト５４
の面の高さは画素電極２３とほぼ同一に設ければ良い。

【００６４】図７（ｂ）は図６（ａ）の状態で配向膜５
５を設け、その後レジスト５４を設けた場合を示す。こ
の場合は図６の説明とは異なり、レジスト５４の面の高
さは配向膜５５とほぼ同一に設けるのが良い。

【００６５】図７（ｃ）は図６（ａ）の工程後に配向膜
５５を設けた後、配向膜５５をエッチングするか、ある
いは図４（ｄ）の工程後に配向膜５５を設けた後、配向
膜５５と画素電極２３をエッチングしてからレジスト５
４を設けた場合を示す。この場合も図６の説明とは異な
り、レジスト５４の面の高さは配向膜５５とほぼ同一に
設けるのが良い。

【００６６】図７（ｂ）もしくは（ｃ）の構造とした場
合はレジスト５４の面は液晶層と直接に接する事にな
る。この場合は特開平４−３２０２１１号公報（以下引
例とする）に記載の技術を効果的に実施する事が出来
る。すなわちレジスト５４をイオン吸着層とすれば、引
例の説明にあるように液晶層中に含まれるイオン性不純
物がイオン吸着層に吸着固定され不活性化するため、ム
ラ等の表示不良、コントラストの低下がなくなる他、ア
クティブマトリクス型の表示装置に多く見られるいわゆ
る焼き付き現象をも低減する事が出来る。

【００６７】ここで前記引例に於いては、その図１にあ
るようにイオン吸着膜は配向膜上に突起した状態で設け
られており、前記のようにラビング時においてこの突起
物の周辺ではラビングが正常に行われず配向ムラが生じ
て表示品質を低下させる恐れが多分に有るが、本発明に
よればイオン吸着層はほぼ配向膜面と同一であるから、
このような表示品位の低下を引き起こす事なく、引例の
技術思想を最大限に活用する事が可能となる。

【００６８】図７（ｂ）と（ｃ）の差異は、図７（ｂ）
の場合はレジスト５４は画素電極２３とは直接接触しな
いため、レジスト５４に前記第８の手段を用いる事が出
来ない。これに対し図７（ｃ）に於いてはレジスト５４
は画素電極２３とは直接接触するから、レジスト５４に
前記第８の手段を用いる事が出来る。

【００６９】図７は図６の実施例を中心に説明したが勿
論図５の実施例に於いても同様に適用出来る。

【００７０】以上で本発明の実施例の説明を終えるが、
補足するならば、本願発明に於いては遮光導電膜２５は
単に遮光性のみでなく導電性をも重視するのであるか
ら、その材質として比較的導電性のよいものを使用すべ
きであり、この場合密着性、安定性を考慮して多層構造
とする等の配慮は当然本願発明に含まれるものである。

【００７１】レジスト５３、レジスト５４とした層は一
般的なの工程に則り説明したのであって、機能そのもの
を表現している訳ではないから、選択的に設ける事が出
来る層で有れば特にレジストとは限定しないし、層の材
質は有機材でも無機材でもよい。そこで上記理由から上
記説明中レジスト５３、レジスト５４とした部分は充填
層５３、充填層５４と定義する。また説明中ではこれら
のレジスト５３、レジスト５４を絶縁性としたが、本発
明の第８の手段を実施するとこれらは極めて高抵抗では
あるが電流をながすものとなるので、絶縁性との限定は
つけない。

【００７２】また本発明は表示部の導電膜を遮光導電膜
２５として説明したが、電熱線等の他の目的に使用され
る導電膜の場合であっても適用する事が出来る。勿論カ
ラーパネル等、構造的な差や液晶モードが異なっても有
効である事は自明である。いわゆるアクティブマトリク
スパネルの場合は、この時は画素電極をマトリクス電極
と読み変えれば良い。

【００７３】また上記説明はＣＯＧ技術と共に実施する
場合を中心に行ったが、ＣＯＧ技術を用いない場合でも
有効である。例えば画素電極２３は直接配線部材３２と
接続される場合であっても、画素を構成する部分から配
線部材３２までの引き出し部分の抵抗値は出来るだけ小
さい事が望ましく、この引き出し部分に本発明の第１の
手段を実施する事により抵抗値を下げる事が出来、しか
も短絡事故を減少する事が出来る。

【００７４】さらに上記実施例は基板２１を中心に行っ
たが、対向する基板１１にも同様に本発明の全部若しく
は一部を実施する事が出来る。例えば基板１１に遮光部
材１７を設けない場合であっても、本発明の第５の手段
は基板１１に適用する事が出来る。また例えば第１の手
段、第３、第４、第５、第６の手段は遮光等の目的を持
った遮光導電膜２５のような導電膜が存在せず、配線導
電膜３０、３１のみを設けた場合にも有効に実施する事
が出来る。

【００７５】

【発明の効果】以上の説明で明かなように、本発明の第
１の手段によれば、導電膜と透明電極の短絡事故は発生
する事がないし、各透明電極は接触する導電膜によって
抵抗値が大幅に低減するから、クロストークやコントラ
スト低下あるいは表示不均一等の問題を軽減する事が出
来る。また封止材２４の外部に於いて配線電極２６、画
素電極２３が損傷を受け、断線に至る事があっても裏打
ちした配線導伝膜３０、３１により電気的接続が維持さ
れるから大事に至らない。

【００７６】第２の手段によれば基板２１の導電膜の分
離部分から漏れる光は基板１１の遮光部材１７によって
遮光されるのでコントラストが低下しない。

【００７７】第３の手段によれば基板２１の裏面から導
電膜のない部分を通して各透明電極の接続部分の状態を
容易に目視検査する事が出来るから信頼性の高い表示装
置を提供出来る。

【００７８】第４の手段によれば画素電極の表面がほぼ
均一の高さとなるからラビングが均一に行えるので配向
ムラが生じないし、基板間隔も均一化出来るので表示ム
ラが低減できる。

【００７９】第５の手段によれば基板２１の表面全体を
ほぼ均一にする事が出来るから、基板間隔がより一層均
一化される。

【００８０】また第６の手段によれば画素電極の間の遮
光導電膜２５のスリット５１による分離部分から漏れる
光は、遮光性を有する絶縁性の材料の層により遮光され
るから、対向基板に遮光部材を設ける必要がなくなる。

【００８１】さらに第７の手段によれば、配線電極２６
あるいは画素電極２３は封止材２４の外部に於いて他部
材との接続部を除いてはレジスト５４によって覆われる
から、基板切り離し時に電極に損傷を与えることがなく
なり、またゴミ等による腐食事故も大幅に低減できる。

【００８２】第８の手段によれば各電極が静電気の一時
的な放電により損傷を受ける事がない。

【００８３】第９の手段によれば液晶層中に含まれるイ
オン性不純物がイオン吸着層に吸着固定され不活性化す
るため、ムラ等の表示不良、コントラストの低下がなく
なる他、アクティブマトリクス型の表示装置に多く見ら
れるいわゆる焼き付き現象をも低減する事が出来、しか
も配向ムラを生じない。

【００８４】このように本発明は、従来の技術が有して
いた問題点を解消し、表示品質および信頼性の高い液晶
表示装置を提供する事に貢献するところは大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１、第３の手段の実施を示す第１の
実施例を示す図で（ａ）は基板２１の平面図、（ｂ）は
そのＡＡ’断面図である。

【図２】図１に示す本発明の第１の実施例の部分拡大図
で（ａ）は基板２１の平面図、（ｂ）はそのＡＡ’断面
図であり、（ｃ）はＢＢ’断面図である。

【図３】本発明の第２の実施例を示す図で（ａ）は基板
２１の平面図、（ｂ）はそのＡＡ’断面図である。

【図４】本発明の第３の実施例を示す図で（ａ）から
（ｅ）は基板２１の製作工程を示す断面図である。

【図５】本発明の第４の実施例を示す図で（ａ）から
（ｃ）は基板２１の製作工程を示す断面図であり、
（ｄ）は（ｃ）に於けるＡＡ’断面図である。

【図６】本発明の第５の実施例を示す図で（ａ）から
（ｃ）は基板２１の製作工程を示す断面図であり、
（ｄ）は（ｃ）に於けるＡＡ’断面図である。

【図７】本発明の第６の実施例を示す図で（ａ）から
（ｃ）は基板２１の断面図である。

【図８】従来の導電膜を有しかつＣＯＧ技術を用いた液
晶表示装置の断面図である。

【符号の説明】

１５スペーサー２１基板２３画素電極２５遮光導電膜２６配線電極３０配線導電膜３１配線導電膜５１スリット５３レジスト（充填層）５４レジスト（充填層）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に於いて、導電膜と導電膜上に設
けられた透明電極との間に絶縁膜を設けない構造を有す
る事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】基板上に於いて、画素部を避けて設けた
導電膜上に、絶縁膜を介する事なく画素電極を設け、か
つ該導電膜は個々の画素電極に対応してスリットを設け
て分離した事を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。
【請求項３】前記スリットに対応して対向基板上に遮
光部材を設けた事を特徴とする請求項２に記載の液晶表
示装置。
【請求項４】基板上に於いて、個々に分離した導電膜
上に絶縁膜を介する事なく画素電極と同質でかつ画素電
極と分離した配線電極を設けた事を特徴とする請求項１
に記載の液晶表示装置。
【請求項５】配線電極または画素電極の他部材との接
続部の下部に導電膜のない部分を設けた事を特徴とする
請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記導電膜のない前記画素部の画素電極
下に、導電膜面とほぼ同一かそれより高い高さの透明な
充填層を設けた事を特徴とする請求項２に記載の液晶表
示装置。
【請求項７】前記導電膜のない前記配線電極または画
素電極の他部材との接続部の下部に、導電膜面とほぼ同
一かそれより高い高さの透明な充填層を設けた事を特徴
とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】少なくとも封止材の内側に於いて、画素
電極の間に画素電極面または配向膜面とほぼ同一の高さ
を有する充填層を設けた事を特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。
【請求項９】前記画素電極間に設けた充填層に遮光性
を持たせた事を特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
置。
【請求項１０】少なくとも封止材の外側に於いて、画
素電極または配線電極の間に、画素電極面または配線電
極面または配向膜面とほぼ同一の高さを有する充填層を
設けた事を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】封止材の内側で画素電極または配向膜
面とほぼ同一の高さを有する充填層と同一の層を封止材
の外側にも設けた事を特徴とする請求項８に記載の液晶
表示装置。
【請求項１２】封止材の内側で画素電極面とほぼ同一
の高さを有する充填層が封止材の外側に於いて画素電極
または配線電極上を覆うように構成した事を特徴とする
請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】充填層に導電性の材料を混入した事を
特徴とする、請求項６、請求項７、請求項８または請求
項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】前記配向膜面とほぼ同一の高さに設け
た充填層をイオン吸着層とした事を特徴とする請求項８
に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】充填材をカラーフィルターとして使用
する事を特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。