CN101311385A - 硫化铋晶须的制备方法及制备得到的硫化铋晶须 - Google Patents

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Abstract

一种硫化铋晶须的制备方法,采用水热合成法,选择Bi(NO3)3·5H2O、CS(NH2)2和LiOH为反应原料,以H2O为水热反应介质。本发明采用1.0~1.5M的LiOH作为矿化剂,在200℃温度下水热反应16h可制得硫化铋晶须。本发明所提供的制备方法可以得到平均直径为200~300nm、长度为20μm或以上硫化铋晶须,在热电、光电、红外光谱等研究领域都具有广阔的应用前景。

Description

硫化铋晶须的制备方法及制备得到的硫化铋晶须
技术领域:
本发明涉及化学合成领域,具体涉及硫化铋晶须的制备方法及产品。
背景技术:
作为V-VI半导体化合物,硫化铋由于其良好的光电、光敏、红外特性及热电效应等受到广泛关注,在电子领域展现出崭新的应用前景。研究表明,随着材料维度的降低,量子尺寸效应、量子干涉效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应等对材料的光、电、磁、热、力学性能有着显著的影响。一维半导体材料在电子、光电子器件的制作中起到了互连和功能单元的作用,被广泛地应用于光电元器件,如制作发光二极管、室温场效应晶体管(FETs)、量子线/量子点激光器等。因此,制备一维半导体材料已成为半导体材料应用研究中的热点之一。1998年,Mater.Lett.第35卷116-119页上报道了采用乙醇作溶剂,溶剂热合成硫化铋微米棒,但该方法制备的产物粒径不均匀;此外,2007年,J.Cryst.Growth第306卷159-165页上报道了表面活性剂辅助的溶剂热法制备硫化铋纳米棒,然而这种方法需要添加有机溶剂。2008年初,发明人在Ceramics Internatioal第34卷249-251发表其先期研究成果文章,报道采用氢氧化钾(0.025M)作为矿化剂水热合成硫化铋棒状微晶,可以得到平均直径100~200nm,平均长度10um的硫化铋棒状微晶(照片参见图2c)),然而遗憾的是,由于产品对矿化剂用量非常敏感,制备过程中控制性较差,得到的产品形态均匀性稍差,不能得到大小和长度较为均一的硫化铋晶须。
晶须(Whiskers)是一种纤维状单晶体,横断面近乎一致,内外结构高度完整,长径比一般在5~1000以上,直径通常在100nm~100μm之间;比较于传统硫化铋微晶,硫化铋晶须的发光性能更为突出,具有优良的力学性能、良好的相容性、优良的化学稳定性和再生性能,其特有的一维结构在电子、光电子器件的制作中起到了互连和功能单元的作用,被广泛的应用于光电元器件。目前,尚无制备硫化铋晶须的公开文献。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种硫化铋晶须的制备方法。该方法可以得到性能优异的硫化铋晶须。
本发明以硫脲CS(NH2)2和硝酸铋为原料,以LiOH为矿化剂与蒸馏水构成水热前驱体;在200℃的范围内进行水热反应16h,合成得到的沉淀产物即为硫化铋晶须。
所述水热前驱体中的LiOH浓度为1.0~1.5M,优选为1.0M。
具体的,硫化铋晶须制备方法主要步骤如下:
1)制备水热前驱体:按摩尔比1∶2,将Bi(NO3)3·5H2O和CS(NH2)2混合,按设定浓度加入LiOH固体和蒸馏水;
2)水热反应:将水热前驱体在室温下搅拌1h后转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中,装填容积占50%,然后进行水热反应;
3)洗涤干燥:滤出沉淀物经蒸馏水洗涤和无水乙醇洗涤后,于70℃的真空干燥箱中干燥得目标产物硫化铋晶须。
其中,所述步骤3)采用蒸馏水及无水乙醇洗涤:蒸馏水洗涤次数为3次,无水乙醇洗涤次数为3次。
由上述制备方法得到的硫化铋晶须也是本发明内容。
所述硫化铋晶须,为平均直径为200~300nm、长度为20μm或以上的硫化铋晶须。最优选的,为分散均匀、平均直径约为250nm,长度约为20μm的硫化铋晶须。
采用以上方案,本发明首次提出以LiOH作为矿化剂,水热法合成硫化铋晶须。通过控制反应温度和反应时间条件,调节矿化剂的浓度来实现结晶相组成和微观形貌的控制生长。采用1.0M LiOH作为矿化剂,在200℃温度下水热反应16h可制得分散均匀、平均直径约为250nm,长度约为20μm的硫化铋晶须。该方法矿化剂浓度和用量易于调控,通过水热合成过程获得的晶须均匀性好,产品形貌可控,适合应用于工业化生产。
附图说明:
图1为在不同浓度LiOH矿化剂条件下,200℃、16h水热反应制备的Bi2S3样品的SEM图片:(a)0M(不加矿化剂),(b)0.5M,(c)1.0M,和(d)1.5M。
图2为不同水热反应条件下,水热法所制备的Bi2S3样品的SEM图片:(a)1.0M的LiOH矿化剂,120℃反应16h;(b)1.0M的LiOH矿化剂,160℃反应16h;(c)0.025M的KOH矿化剂,200℃反应15h。
图3为200℃、16h水热法制备的Bi2S3样品的XRD谱图:(a)不加矿化剂;和(b)加入1.0M的LiOH矿化剂。
图4为在不同浓度矿化剂条件下,200℃、16h水热反应制备的Bi2S3样品的荧光光谱图(PL谱图):(a)0M(不加矿化剂);(b)0.5M;和(c)1.0M。
具体实施方式:
本发明所采用的技术方案原理:选用硫脲CS(NH2)2和金属硝酸铋为原料,以LiOH为矿化剂与蒸馏水构成水热前驱体体系。在合适的水热反应温度和反应时间条件下,调节矿化剂的浓度实现Bi2S3产物结晶相组成和微观形貌的控制生长。利用本发明方法,可以得到平均直径在200~300nm之间,长度在20μm或以上,尺寸均匀,无团聚现象的硫化铋晶须。
为得到硫化铋晶须,本发明选择Bi(NO3)3·5H2O和CS(NH2)2为反应原料,以LiOH为矿化剂,以H2O为水热反应介质。其制备过程为:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O与0.004mol CS(NH2)2混合,其摩尔比为1∶2,加入LiOH固体和50ml蒸馏水,使混合物溶液(水热前驱体)中LiOH的浓度在0.5-1.0M范围。上述混合物在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中。在温度为120-200℃的范围内进行水热反应16h。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次,无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末。产物经X-射线衍射(XRD)分析鉴定为斜方相的Bi2S3,产物微观结晶形貌使用扫描电子显微镜观察。
例1:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O(0.9701克)与0.004mol CS(NH2)2(0.3045克)混合,其摩尔比为1∶2,加入LiOH固体1.049克和50ml蒸馏水,使混合物溶液中LiOH的浓度为0.5M。取50ml上述混合物(水热前驱体)在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中,在温度为200℃下进行水热反应16h,分离沉淀产物。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次、无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末产物。该黑色粉末经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3。扫描电子显微镜观察表明:产物Bi2S3黑色粉末大部分由直径为100-500nm、长约10μm的晶须和少部分颗粒组成的微晶。如图1(b)所示。该例产品形态与使用0.025M的KOH做矿化剂,200℃水热反应15h的Bi2S3产物形态相似,参见图2(c)。
例2:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O与0.004mol CS(NH2)2混合,其摩尔比为1∶2,加入LiOH固体2.098克和50ml蒸馏水,使混合物溶液中LiOH的浓度为1.0M形成水热前驱体。取50ml上述混合物在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中,在温度为200℃下进行水热反应16h,分离沉淀产物。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次、无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末产物。产物经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3,如图3(b)所示。扫描电子显微镜观察表明:产物Bi2S3黑色粉末由分散均匀、平均直径为250nm、长度为20μm左右的晶须所组成。如图1(c)所示。本例得到的产物为Bi2S3晶须,晶须尺寸均匀,无团聚现象,晶须形态也最为理想,因此本实施例为本发明合成的最佳条件。
例3:
其余条件与实施例2相同,其中水热前驱体中LiOH的浓度为1.5M。得到的黑色粉末产物经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3,扫描电子显微镜观察表明:Bi2S3产物大部分由直径约为200~300nm、长约20μm的晶须组成,均匀性较好(但不及例2产品),且仅有极少部分颗粒存在。如图1(d)所示。
例4:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O与0.004mol CS(NH2)2混合,其摩尔比为1∶2,加入LiOH固体2.098克和50ml蒸馏水,使混合物溶液中LiOH的浓度为1.0M。取50ml上述混合物在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中。在水热温度为120℃下反应16h。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次、无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末。产物经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3。扫描电子显微镜观察表明:Bi2S3产物大部分由直径约为100~500nm、长约3~10μm的晶须和部分颗粒组成的微晶,如图2(a)所示。该例产品形态与使用0.025M的KOH做矿化剂,200℃水热反应15h的Bi2S3产物形态相似,参见图2(c)。
例5:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O与0.004mol CS(NH2)2混合,其摩尔比为1∶2,加入LiOH固体2.098克和50ml蒸馏水,使混合物溶液中LiOH的浓度为1.0M。取50ml上述混合物在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中。在水热温度为160℃下反应16h。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次、无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末。产物经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3。扫描电子显微镜观察表明:Bi2S3产物中颗粒微晶数量相对例4有所减少,大部分由直径约为100~500nm、长约2~15μm的晶须和少部分颗粒组成。如图2(b)所示。
例6:
称取0.002mol Bi(NO3)3·5H2O与0.004mol CS(NH2)2混合,其摩尔比为1∶2,加入50ml蒸馏水中,在室温下搅拌1h后转移到100ml聚四氟乙烯内衬的高压釜中。在水热温度为200℃下反应16h。沉淀产物经蒸馏水洗涤3次,无水乙醇洗涤3次后,于70℃的真空干燥箱中干燥4h得黑色粉末。产物经X-射线衍射(XRD)鉴定为斜方相的Bi2S3,如图3(a)所示。扫描电子显微镜观察表明:Bi2S3产物形貌不规则,大部分是团聚块体形状,极少数是细长的棒状,尺寸大约是1μm左右。如图1(a)所示。该例说明,在其它实验条件完全相同情况下,无矿化剂LiOH加入则难以得到Bi2S3晶须。
性能测试:
采用Fluorolog-3荧光分析仪(USA)在室温下分别测定硫化铋粉体(例6产物)、硫化铋微晶(例1产物,含有硫化铋颗粒)、和硫化铋晶须(例2产物)的荧光光谱,检测其发光性能。其中硫化铋微晶和硫化铋晶须是以LiOH作为矿化剂辅助水热反应分别制得的。
参见图4,显示了不同形貌Bi2S3粉体荧光光谱图(PL谱图)。图4表明,在相同的激发波长330nm激发下,硫化铋粉体a)的发射中心为410nm,而硫化铋微晶b)和硫化铋晶须c)的发射中心为414nm,发射中心发生了红移。而且添加矿化剂所制得的硫化铋微晶b)和硫化铋晶须c)的发光强度比直接水热反应制得硫化铋粉体a)的强度高;硫化铋棒状微晶b)的发光性能要优于微观结晶形貌不均匀的团聚块体粉体a)的发光性能,硫化铋晶须c)的发光性能又优于棒状形貌微晶b)。由此可见,硫化铋粉体的发光性能与其微观结晶形貌特征有关,硫化铋晶须的发光性能最好。
上述测试中,微晶选择例1产物作为代表,其测试结果同样反应出本发明例4、例5以及0.025M的KOH做矿化剂,200℃水热反应15h的Bi2S3的产物的发光性能;晶须选择例2产物作为代表,其测试结果同样反应出本发明例3产物的发光性能。

Claims (10)

1、硫化铋晶须的制备方法,以硫脲CS(NH2)2和硝酸铋为原料,以LiOH为矿化剂与蒸馏水构成水热前驱体;在200℃的范围内进行水热反应16h,合成得到的沉淀产物即为硫化铋晶须。
2、根据权利要求1所述的硫化铋晶须制备方法,其特征在于,所述水热前驱体中的LiOH浓度为1.0~1.5M。
3、根据权利要求2所述的硫化铋晶须制备方法,其特征在于,所述水热前驱体中的LiOH浓度为1.0M。
4、根据权利要求1或2或3所述的硫化铋晶须制备方法,其特征在于,其主要制备步骤如下:
4)制备水热前驱体:按摩尔比1∶2,将Bi(NO3)3·5H2O和CS(NH2)2混合,按设定浓度加入LiOH固体和蒸馏水;
5)水热反应:将水热前驱体在室温下搅拌1h后转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中,装填容积占50%,然后进行水热反应;
6)洗涤干燥:滤出沉淀物经蒸馏水洗涤和无水乙醇洗涤后,于70℃的真空干燥箱中干燥得目标产物硫化铋晶须。
5、根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤3)采用蒸馏水及无水乙醇洗涤:蒸馏水洗涤次数为3次,无水乙醇洗涤次数为3次。
6、由权利要求1至5任一所述制备方法得到的硫化铋晶须。
7、根据权利要求6所述硫化铋晶须,其特征在于,为平均直径为200~300nm、长度为20μm或以上的硫化铋晶须。
8、根据权利要求6所述硫化铋晶须,其特征在于,为平均直径约为250nm,长度约为20μm的硫化铋晶须。
9、根据权利要求6所述硫化铋晶须,其特征在于,为分散均匀、平均直径约为250nm,长度约为20μm的硫化铋晶须。
10、根据权利要求6所述硫化铋晶须,其特征在于,为分散均匀、平均直径为200~300nm,长度约为20μm的硫化铋晶须。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101613882B (zh) * 2009-08-10 2011-11-30 重庆大学 制备硫化铋纳米棒晶体材料的方法
CN101671856B (zh) * 2009-09-02 2012-07-25 杭州师范大学 一种超细旦锦纶短纤生产方法
CN102616844A (zh) * 2012-04-06 2012-08-01 合肥工业大学 一种绒球状三硫化二铋及其制备方法
CN102965735A (zh) * 2012-11-16 2013-03-13 杭州师范大学 一种溶剂水热法调控硫化铋纳米棒阵列长径比的合成方法
CN103086429A (zh) * 2013-01-28 2013-05-08 中南林业科技大学 一种新型硫化铋纳米棒的制备方法
CN104651939A (zh) * 2015-02-15 2015-05-27 中国科学技术大学 一种碘硫化锑单晶体及同类化合物单晶体的制备方法
CN104894646A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种提高硫化铋多晶电导率的方法
CN104894647A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN104934527A (zh) * 2015-05-29 2015-09-23 天津理工大学 一种Bi位掺杂N型Bi2S3热电材料的制备方法
CN107098387A (zh) * 2017-02-24 2017-08-29 河南师范大学 一种近红外光热纳米材料硫化铋的水相制备方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101613882B (zh) * 2009-08-10 2011-11-30 重庆大学 制备硫化铋纳米棒晶体材料的方法
CN101671856B (zh) * 2009-09-02 2012-07-25 杭州师范大学 一种超细旦锦纶短纤生产方法
CN102616844A (zh) * 2012-04-06 2012-08-01 合肥工业大学 一种绒球状三硫化二铋及其制备方法
CN102616844B (zh) * 2012-04-06 2014-04-30 合肥工业大学 一种绒球状三硫化二铋及其制备方法
CN102965735A (zh) * 2012-11-16 2013-03-13 杭州师范大学 一种溶剂水热法调控硫化铋纳米棒阵列长径比的合成方法
CN103086429A (zh) * 2013-01-28 2013-05-08 中南林业科技大学 一种新型硫化铋纳米棒的制备方法
CN104651939A (zh) * 2015-02-15 2015-05-27 中国科学技术大学 一种碘硫化锑单晶体及同类化合物单晶体的制备方法
CN104894646A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种提高硫化铋多晶电导率的方法
CN104894647A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN104894646B (zh) * 2015-04-01 2017-07-11 中国科学院上海高等研究院 一种提高硫化铋多晶电导率的方法
CN104894647B (zh) * 2015-04-01 2017-11-10 中国科学院上海高等研究院 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN104934527A (zh) * 2015-05-29 2015-09-23 天津理工大学 一种Bi位掺杂N型Bi2S3热电材料的制备方法
CN104934527B (zh) * 2015-05-29 2018-05-11 天津理工大学 一种Bi位掺杂N型Bi2S3热电材料的制备方法
CN107098387A (zh) * 2017-02-24 2017-08-29 河南师范大学 一种近红外光热纳米材料硫化铋的水相制备方法
CN107098387B (zh) * 2017-02-24 2019-06-25 河南师范大学 一种近红外光热纳米材料硫化铋的水相制备方法

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