CN101202299A - 有机发光二极管显示器件及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

根据本发明的有机发光二极管显示器件包括在包含第一区域和第二区域的第一基板上的第一电极，第二区域基本上围绕第一区域；在第二区域中的第一电极上的像素分离图案；至少在第一区域中的有机发光图案；在有机发光图案上的第二电极；在像素分离图案上的接触电极，该接触电极与第二电极电连接；和在面对第一基板的第二基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管与接触电极电连接。

Description

有机发光二极管显示器件及其制造方法
本申请要求2006年12月13日提交的韩国专利申请No.10-2006-0126762的优先权，为了全部目的而在这里结合作为参考，就像在这里全部列出一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器件，尤其涉及一种双面板型有机发光二极管显示器件及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器件是自发光的，因而不必像液晶显示(LCD)器件一样需要背光单元，从而它们可以制造成具有纤细的外形和较轻的重量。此外，因为可通过简单的工序制造OLED显示器件，所以它们具有价格竞争性。此外，因为OLED显示器件具有低电压驱动、高发射效率和宽视角的特性，所以它们快速发展成为下一代显示器件。
OLED显示器件包括用于产生光的有机发光二极管阵列和开关器件阵列。薄膜晶体管(TFT)一般用于单独驱动有机发光二极管阵列，且即使当施加较小电流时仍可提供均匀的亮度。因此，OLED显示器件具有各种优点，如低功耗、高清晰度、大尺寸和较高的寿命。
因为在相同基板上形成有机发光二极管和开关器件的阵列，所以工序时间增加，生产效率降低。因此，已经提出了双面板型OLED显示器件，其中在不同的基板上形成有机发光二极管和开关器件，当两个基板粘接在一起时将它们彼此电性连接。因此，提高了OLED显示器件的生产效率。然而，有机发光二极管和开关器件之间的电接触是不稳定的，且双面板型OLED显示器件的孔径比较低。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机发光二极管显示器件及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而造成的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供了一种可稳定形成在不同基板上的有机发光二极管与薄膜晶体管之间电接触的有机发光二极管显示器件，及其制造方法。
将在下面的描述中列出本发明其他的特征和优点，其一部分从下面的描述而变得显而易见，或者通过本发明的实践而理解。通过在所写说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的目的和其它的优点。
为了实现这些目的和其它的优点并根据本发明的目的，如这里具体化和广泛描述的，一种有机发光二极管显示器件包括在包含第一区域和第二区域的第一基板上的第一电极，第二区域基本上围绕第一区域；在第二区域中的第一电极上的像素分离图案；至少在第一区域中的有机发光图案；在有机发光图案上的第二电极；在像素分离图案上的接触电极，该接触电极与第二电极电连接；和在面对第一基板的第二基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管与接触电极电连接。
在本发明的另一个方面中，一种有机发光二极管显示器件的制造方法包括在包含第一区域和第二区域的第一基板上形成第一电极，第二区域基本上围绕第一区域；在第二区域中的第一电极上形成像素分离图案；在至少第一区域中形成有机发光图案；在有机发光图案上形成第二电极，在像素分离图案上形成接触电极，接触电极与第二电极电连接；提供包含薄膜晶体管的第二基板；和将第一基板与第二基板粘接，并将接触电极与薄膜晶体管电连接。
应当理解，本发明前面的一般描述和随后的详细描述是示范性的和说明性的，意在提供如权利要求所述的本发明的进一步解释。
附图说明
包含用来提供本发明进一步理解并粘接组成该说明书一部分的附图图解了本发明的实施方案并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是图解根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器件的平面图；
图2是沿图1的线I-I’提取的横截面图；
图3是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管显示器件的横截面图；
图4是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管显示器件的横截面图；
图5A到5J是解释根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器件的制造方法的横截面图；以及
图6A到6F是解释根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管显示器件的制造方法的横截面图。
具体实施方式
现在将参照本发明的优选实施方式详细描述，附图中图解了其实施例。
实施方式1
图1和2图解了根据本发明实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件。图1是图解OLED显示器件的平面图，图2是沿图1的线I-I’提取的横截面图。
参照图1，OLED显示器件100包括显示图像的多个像素P。每个像素P都包括产生光的第一区域P1和沿第一区域P1的***设置的第二区域P2。
在第一区域P1中形成有机发光二极管E，用于产生光。此外，在第二区域P2中形成接触电极152，用于将有机发光二极管E与TFT Tr电性连接。接触电极152具有沿第一区域P1***设置的框架形。
TFT Tr与有机发光二极管E之间的接触区域大于现有技术的接触区域，从而减小了接触电阻。在现有技术中，因为使用第一区域P1内的间隔体(spcer)，TFT Tr与有机发光二极管E通过点接触而电性连接，所以TFT Tr与有机发光二极管E之间的接触电阻较高。此外，随着TFT Tr与有机发光二极管E之间的接触区域变大，可减小或避免由制造过程中的错位而导致的TFTTr与有机发光二极管E之间的非接触缺陷。结果，提高了OLED显示器件的稳定性和可靠性。
此外，因为TFT Tr与有机发光二极管E之间的电接触设置在不产生光的第二区域P2中，所以可提高OLED显示器件100的孔径比。由于形成在第一电极170与第二电极150之间的像素分离图案172，所以在第二区域P2中不产生光。
参照图2，OLED显示器件100包括彼此分离的第一基板180和第二基板110。第一基板180包括多个像素P，每个像素都具有产生光的第一区域P1和在TFT Tr与有机发光二极管E之间提供电接触的第二区域P2。
作为公共电极的第一电极170形成在第一基板180上。就是说，各个像素P的第一电极170整体形成。第一电极170由可透光的透明导电材料形成。例如，第一电极170由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。OLED显示器件100通过第一电极170和第一基板180发射光，从而显示图像。
在第一基板180与第一电极170之间还形成有辅助电极182，用于减小第一电极170的电阻。辅助电极182形成在像素P之间的非显示区域中的第一基板180上，因而不会影响OLED显示器件100的孔径比。
像素分离图案172沿第一区域P2***形成在第一电极170与第二区域P2相对应的部分上。像素分离图案172以反锥形形成，从而对每个像素的第二电极150和接触电极152构图。像素分离图案172包括上表面172a、第一壁表面172b和第二壁表面172c。上表面172a平行于第一基板180并对应于第一基板180的第二区域P2。第一壁表面172b从上表面172a的边缘延伸并相对于第一基板180具有预定的角度。第一壁表面172b形成在第一区域P1与第二区域P2之间的边界处。第二壁表面172c基本上平行地面对第一壁表面172b，并形成在第二区域P2的外部。第二壁表面172c具有底切形状。
像素分离图案172在有机发光二极管E与TFT Tr之间保留盒间隙，并在有机发光二极管E与TFT Tr之间提供电接触。因此，可最小化或避免在包含形成TFT Tr工序的制造工序中产生的颗粒损坏有机发光二极管E。
像素分离图案172可以是有机层、无机层或其叠层。例如，有机层可由丙烯酸基树脂、氨基(urethane)树脂、苯并环丁烯(BCB)、和聚酰亚胺(PI)形成。此外，无机层可由氧化硅或氮化硅形成。当像素分离图案172由无机材料形成时，可减小或避免有机发光层160的恶化。这是因为有机材料可产生使有机发光层160降级的有害输出气体。
有机发光图案160形成在第一电极170与第一区域P1相对应的部分上。在该实施方式中，有机发光图案160进一步延伸到第二区域P2。然而，应当理解，形成有机发光图案160的区域的尺寸和位置可根据有机发光图案160的制造工序而变化。
当分别从第一电极170和第二电极150提供的第一电荷和第二电荷重新结合时，有机发光图案160产生光。OLED显示器件100向第一电极170和第一基板180发射光，从而显示图像。此外，可进一步在有机发光图案160的上表面或下表面上设置光效率补偿层(没有示出)，从而提高OLED显示器件100的发光效率。光效率补偿层控制第一电极170、有机发光图案160和第二电极150之间边界处的能量级别，从而向有机发光图案160有效提供第一电荷和第二电荷。光效率补偿层可以是第一电荷注入层、第一电荷传输层、第一电荷阻挡层、第二电荷传输层、第二电荷注入层等。
第二电极150形成在第一区域P1中的有机发光图案160上。从第二电极150的边缘延伸的接触电极152形成在像素分离图案172的上表面172a上。因此，接触电极152具有暴露第一区域P1的框架形状。接触电极152将第二电极150与TFT Tr电连接。接触电极152与第二电极150一体形成，因为对于每个像素，接触电极152和第二电极150通过像素分离图案172一起被构图。
因此，像素分离图案172包括形成在上表面172a上的接触电极，从而在有机发光二极管E与TFT Tr之间保持盒间隙并在有机发光二极管E与TFT Tr之间提供电接触。就是说，第一区域P1中的有机发光二极管E相对于第二基板110来说具有预定间隙，由于像素分离图案172，第二区域P2中的接触电极152与第二基板110的TFT Tr的接触元件相接触。
因为像素分离图案172向第二基板110突出，所以可保持有机发光二极管E与TFT Tr之间的盒间隙。因此，像素分离图案172将有机发光二极管E与第二基板110分离，因而可最小化或避免第二基板110的污染物污染并损坏有机发光二极管E。
第二基板110具有面对第一基板180的表面。与设置在每个像素P中的有机发光二极管E电连接的至少一个TFT Tr形成在该相对表面上。
TFT Tr包括栅极112、栅绝缘层120、半导体层122、和源极/露极124和126。尽管附图中没有示出，但在第二基板110的相对表面上形成有给TFT Tr施加信号的多条线。例如在第二基板110的相对表面上形成有给栅极112施加栅信号的栅线和给源极126施加数据信号的数据线。
在栅绝缘层120上形成有覆盖TFT Tr的钝化层130，从而保护TFT Tr。钝化层130由无机材料或有机材料形成。例如，钝化层130可由氧化硅或氮化硅形成。
当钝化层130由无机材料形成时，由于TFT Tr和信号线的底层结构，所以钝化层130的表面具有不同高度的表面波动。然而，这种高度差对接触电极152与第一接触元件142之间的电连接具有影响。就是说，由于第一接触元件142的不同高度，接触电极152与第一接触元件142之间的接触面积减小，或者接触电极152和第一接触元件142彼此不接触。因此，在钝化层130上形成涂层140，从而减小钝化层130的高度差，提高钝化层130的平坦度。涂层140可由提高表面平坦度的有机材料形成。例如，涂层140由丙烯酸基树脂、氨基树脂、苯并环丁烯(BCB)、和聚酰亚胺(PI)形成。
与TFT Tr的漏极126电连接并与接触电极152接触的第一接触元件142形成在涂层140上。因此，TFT Tr和有机发光二极管E彼此电连接。第一接触元件142形成在涂层140与第二区域P2相对应的部分上，从而与接触电极152接触。第一接触元件142形成整个表面上，从而避免在OLED显示器件的制造工序过程中由于错位导致的接触电极152与第一接触元件142之间的非接触。
在钝化层130和涂层140中形成有暴露漏极126的接触孔，从而将第一接触元件142与漏极126电性连接。在接触孔的形成过程中，漏极126暴露于蚀刻溶液并被损坏。因而，OLED显示器件100进一步包括覆盖TFT Tr的漏极126的第二接触元件132。第二接触元件132可避免漏极126被蚀刻溶液损坏。因此，TFT Tr和有机发光二极管E通过接触电极152以及第一和第二接触元件142和132彼此电连接。
在第一个实施方式中，形成在不同基板上的TFT Tr和有机发光二极管E在第二区域P2中彼此接触。结果，可提高OLED器件的孔径比，并可减小OLED器件的接触电阻。因此，可确保OLED显示器件的可靠性。
实施方式2
图3是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件的横截面图。除了像素分离图案的形状之外，该实施方式的OLED显示器件具有与上述第一个实施方式的OLED显示器件相同的结构。因此，省略相同部件的描述，对于相同的部件使用相同的名称和附图标记。
参照图3，OLED显示器件100包括像素P，像素P具有产生光的第一区域P1和沿第一区域P1***设置的第二区域P2。
OLED显示器件100包括彼此相对的第一基板180和第二基板110。在第一基板180上形成有机发光二极管E，在第二基板110上形成有TFT Tr。有机发光二极管E和TFT Tr通过与第二区域P2相对应的接触电极152彼此电连接。
接触电极152和有机发光二极管E的第二电极150一体形成，并对每个像素P都通过像素分离图案270而被构图。像素分离图案270包括上表面272a、第一壁表面272b和第二壁表面272c。第一壁表面272b从上表面272a的边缘延伸并相对于第一基板180具有预定的角度。第一壁表面272b形成在第一区域P1与第二区域P2之间的边界处。第二壁表面272c基本上平行地面对第一壁表面272b，并形成在第二区域P2外部。在此，第二壁表面272c具有底切形状。
在底切内形成有辅助电极282，从而与第一电极170接触。通过利用辅助电极282和像素分离图案270的不同蚀刻选择性的优点来形成所述底切。因此，不需要形成底切的分离层，因而减少了制造工序的数量。在底切内没有填充辅助电极282，从而对于每个像素对接触电极152和第二电极150构图。辅助电极282与接触电极152交迭，在它们之间夹有像素分离图案270。此外，因为限定像素的像素分离图案270具有框架形状，所以辅助电极282具有框架形状。
在第二个实施方式中，使用辅助电极282形成像素分离图案270的底切形状。结果，可减少OLED显示器件的制造工序的数量。
实施方式3
图4是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件的横截面图。除了导电弹性元件之外，该实施方式的OLED显示器件具有与上述第二个实施方式的OLED显示器件相同的结构。因此，省略相同部件的描述，对于相同的部件使用相同的名称和附图标记。
参照图4，OLED显示器件100包括彼此相对的第一基板180和第二基板110。在第一基板180上形成有机发光二极管E，在第二基板110上形成有TFTTr。因为对应于第二区域P2形成的接触电极152和第一接触元件142彼此接触，所以有机发光二极管E和TFT Tr彼此电连接。
OLED显示器件100包括夹在接触电极152与第一接触元件142之间的导电弹性元件162。导电弹性元件162形成在第二基板110的至少第二区域P2中。当第一基板180和第二基板110彼此粘接时，导电弹性元件162提高了接触电极152与第一接触元件142之间的接触稳定性。因为导电弹性元件162具有弹性，所以即使在第一和第二基板180和110的粘接工序过程中施加压力时，其仍可最小化或避免夹在第一和第二基板180和110之间的器件被损坏。在没有导电弹性元件162的情况下，由于考虑到第一和第二基板180和110之间器件的损坏，所以当粘接第一和第二基板180和110时施加较小的压力，这样就在有机发光二极管E与TFT Tr之间产生了接触缺陷。因此，导电弹性元件162最小化或避免了OLED显示器件的这种接触缺陷。
导电弹性元件162可以是导电球或导电膜。导电球包括弹性体和覆盖弹性体的导电层。此外，导电膜可包括膜形弹性体和分散在弹性体内的导电材料。弹性体可由硅或合成树脂形成。
在第三个实施方式中，在接触电极152与第一接触元件142之间额外形成导电弹性元件162。结果，可进一步提高有机发光二极管E与TFT Tr之间的接触可靠性。
实施方式4
图5A到5J是解释根据本发明实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件的制造方法的横截面图。
参照图5A，提供限定多个像素P的第一基板180，以制造OLED显示器件。各个像素P以恒定的间隔设置。像素P分割为第一区域P1和沿第一区域P1***的第二区域P2。
第一基板180是透光的透明基板。例如，第一基板180可以是玻璃基板、塑料基板或透明膜。
在第一基板180上沉积电阻系数比第一电极170低的导电材料并对其构图，从而形成辅助电极182。例如，辅助电极182包括Al，AlNd，Mo，Cr等。辅助电极182用于减小第一电极170的电阻。此外，辅助电极182形成在像素P的边界处，以避免漏光。
然后在包含辅助电极182的第一基板180上形成第一电极170。第一电极170通过溅射或真空沉积由透明导电材料形成。例如，第一电极170可由ITO或IZO形成。
参照图5B，在形成第一电极170之后，在第一电极170上形成牺牲图案(sacrificial pattern)173，从而暴露像素P。就是说，牺牲图案173形成在像素P之间的边界处。牺牲图案173形成在第一电极170与辅助电极182交迭的部分上。牺牲图案173形成为像素分离图案172的底切形状。在随后工序过程中牺牲图案173可以完全移除或者留下一部分牺牲图案173。
在形成了牺牲图案173之后，在包含牺牲图案173的第一基板180上形成绝缘层174。绝缘层174由具有不同于牺牲图案173的蚀刻选择性的材料形成。在该实施方式中，绝缘层174由具有小于牺牲图案173的蚀刻选择性的材料形成，从而形成具有底切形状的像素分离图案172。例如，牺牲图案173可由氮化硅或氧化硅形成。绝缘层174可由丙烯酸基树脂、氨基树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、氮化硅、氧化硅等形成。
在形成绝缘层174之后，在绝缘层174上形成光刻胶图案175。光刻胶图案175分割像素P并具有围绕像素P边缘的框架形状。
参照图5C，在形成光刻胶图案175之后，使用光刻胶图案175作为掩模蚀刻绝缘层174，从而在第二区域P2中形成绝缘图案176。通过干刻法或湿刻法蚀刻绝缘层。
参照图5D，在形成绝缘图案176之后，与绝缘图案176一起蚀刻牺牲图案173，从而形成像素分离图案172。因为绝缘图案176和牺牲图案173具有不同的蚀刻选择性，所以像素分离图案172的壁表面具有底切形状。在该实施方式中，绝缘图案176具有比牺牲图案173小的蚀刻选择性。像素分离图案172包括上表面172a、第一壁表面172b和第二壁表面172c。
第一壁表面172b从上表面172a的边缘延伸，并相对于第一基板180具有预定的角度。第一壁表面172b形成在第一区域P1与第二区域P2之间的边界处。第二壁表面172c基本上平行地面对第一壁表面172b，并形成在第二区域P2的外部。第二壁表面172c具有底切形状。
参照图5E，在形成像素分离图案172之后，在第一电极170上形成有机发光图案160。有机发光图案160由低分子材料或聚合物形成。当有机发光图案160由低分子材料形成时，可通过真空沉积方法形成有机发光图案160。有机发光图案160形成在第一电极170和像素分离图案172的上表面172a与第一区域P1相对应的部分上。
在形成有机发光图案160之后，形成第二电极150和接触电极152并通过像素分离图案172对于每个像素P被构图。
第二电极150和接触电极152一体形成。就是说，通过真空沉积方法在包含像素分离图案172的基板180上沉积导电材料。在沉积导电材料过程中，对每个像素P通过像素分离图案172自动对第二电极150和接触电极152构图。接触电极152形成在像素分离图案172的上表面172a上，第二电极150形成在有机发光图案160与第一区域P1相对应的部分上。因此，在产生光的第一区域P1中顺序形成第一电极170、有机发光图案160和第二电极150。此外，在不产生光的第二区域P2中顺序形成第一电极170、像素分离图案172、有机发光图案160和第二电极150。
参照图5F，提供形成有TFT Tr的第二基板110。在第二基板110上形成钝化层130，从而覆盖TFT Tr。通过化学气相沉积(CVD)方法由氧化硅或氮化硅形成钝化层130。
参照图5G，在钝化层130中形成暴露TFT Tr的漏极126的接触孔。形成覆盖通过接触孔而暴露的漏极126的第二接触元件132。第二接触元件132避免漏极126在随后的工序中损坏。
参照图5H，在形成第二接触元件132之后，在钝化层130上形成覆盖第二接触元件132的涂层140。涂层140提高钝化层130的平坦度。涂层140由对平坦化有利的有机材料形成。涂层140通过浸渍涂敷、喷射涂敷或旋转涂敷方法形成。
参照图5I，在形成涂层140之后在涂层140中形成暴露第二接触元件132的通孔。然后形成第一接触元件142，该第一接触元件142与通过通孔而暴露的第二接触元件132接触。由于涂层140，第一接触元件142具有平坦的表面。第一接触元件142形成在第二基板110与第一和第二区域P1和P2相对应的部分上。
参照图5J，将其上形成有有机发光二极管E的第一基板180和其上形成有TFT Tr的第二基板110彼此粘接。接触电极152和第一接触元件142彼此接触，由此将有机发光二极管E与TFT Tr电连接。
在第一和第二基板180和110彼此粘接之前，在第一和第二基板180和110之一上形成导电弹性元件，从而提高接触的稳定性。导电弹性元件可以是导电球或导电膜。此外，应当理解，并不限制有机发光二极管E和TFT Tr的形成顺序。
在该实施方式中，因为在不产生光的第二区域P2中形成接触电极152，所以可提高完成的OLED显示器件的孔径比。此外，因为接触电极152和第一接触元件142的接触面积较大，所以可降低有机发光二极管E和TFT Tr的接触电阻，且即使当在第一基板180和第二基板110的粘接工序过程中产生错位时，也可减小非接触缺陷。
实施方式5
图6A到6F是解释根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件的制造方法的横截面图。除了像素分离图案的形成之外，该实施方式中的制造方法与上述制造方法相同。因此，省略相同工序的描述，对于相同的部件使用相同的名称和附图标记。
参照图6A，提供第一基板180制造OLED显示器件。在第一基板180上形成第一电极170。
然后在第一电极170上形成导电图案283。导电图案283限定像素P。导电图案283由具有比第一电极170低的电阻系数的导电材料形成。例如，导电图案283可由Mo，Cu，Cr，AlNd，MoW等形成。导电图案可通过真空沉积或溅射方法形成。
参照图6B，在形成导电图案283之后，在包含导电图案283的第一基板180上形成绝缘层274。绝缘层274可通过CVD或溅射方法由无机层形成。然后在绝缘层274上形成限定像素P的光刻胶图案275。
参照图6C，在形成光刻胶图案275之后，使用光刻胶图案275作为掩模蚀刻绝缘层274，从而在像素P的第二区域P2中形成绝缘图案276。在第一区域P1中暴露第一电极170。
参照图6D，在形成绝缘图案276之后，与绝缘图案276和光刻胶图案275一起蚀刻导电图案283，从而形成辅助电极282和像素分离图案272。在该实施方式中，通过湿刻法蚀刻导电图案283，从而像素分离图案272具有底切形状。
参照图6E，在形成像素分离图案272之后，在第一电极170上形成有机发光图案160、第二电极150和接触电极152。
第二电极150和接触电极152一体形成。对于每个像素P通过像素分离图案272自动对第二电极150和接触电极152构图。因此，在第一基板180上形成了有机发光二极管E和接触电极152。
参照图6F，在形成有机发光二极管E和接触电极152之后，提供其上形成有TFT Tr和第一接触元件142的第二基板110。然后将第一和第二基板180和110彼此粘接，接触电极152和第一接触元件142彼此接触，由此完成了OLED显示器件的制造。
在该实施方式中，没有形成用于形成像素分离图案的单独牺牲层，从而减少了制造工序的数量。此外，提高了OLED器件的可靠性和孔径比。
如上所述，在根据本发明的OLED器件中，有机发光二极管和TFT的阵列形成在不同的基板上。因此提高了生产率。此外，因为有机发光二极管和TFT之间的电接触形成在像素P的非发光部分中，所以进一步提高了孔径比和亮度。
此外，因为沿像素P***形成电接触，所以有机发光二极管与TFT之间的接触面积较大，提高了OLED显示器件的可靠性，并降低了有机发光二极管和TFT的接触电阻以及OLED显示器件的驱动电压。
此外，因为接触电极设置在像素分离图案的上表面上，所以有机发光二极管和TFT可以通过盒间隙彼此电连接，从而可减小或避免由形成TFT阵列的基板所导致的有机发光二极管的损坏。
此外，根据本发明的实施方式，因为使用辅助电极形成像素分离图案，所以不必形成单独的牺牲层，从而减少了工序的数量。
在不脱离本发明精神或范围的情况下，在本发明中可做各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示器件，包括：
在包含第一区域和第二区域的第一基板上的第一电极，第二区域基本上围绕第一区域；
在第二区域中的第一电极上的像素分离图案；
至少在第一区域中的有机发光图案；
在有机发光图案上的第二电极；
在像素分离图案上的接触电极，该接触电极与第二电极电连接；和
在面对第一基板的第二基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管与接触电极电连接。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，像素分离图案具有底切形状。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，进一步包括在第一电极与像素分离图案的底切区域相对应的部分上的辅助电极。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括在第一基板与第一电极之间的辅助电极。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，第二区域具有围绕第一区域边缘的框架形状。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，像素分离图案由有机材料、无机材料及其叠层中的一个形成。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括：
在第二基板上的钝化层，该钝化层覆盖薄膜晶体管；和
在钝化层上的涂层。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，进一步包括在涂层上的第一接触元件，第一接触元件与薄膜晶体管电连接并与所述接触电极接触，从而将薄膜晶体管与第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，进一步包括钝化层上的第二接触元件，第二接触元件与薄膜晶体管的漏极和第一接触元件电连接。
10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，第一接触元件具有对应于至少第二区域的形状。
11.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，进一步包括在接触电极与第一接触元件之间的导电弹性元件。
12.一种有机发光二极管显示器件的制造方法，该方法包括：
在包含第一区域和第二区域的第一基板上形成第一电极，第二区域基本上围绕第一区域；
在第二区域中的第一电极上形成像素分离图案；
在至少第一区域中形成有机发光图案；
在有机发光图案上形成第二电极，在像素分离图案上形成接触电极，其中接触电极与第二电极电连接；
提供包含薄膜晶体管的第二基板；和
将第一基板与第二基板粘接，将接触电极与薄膜晶体管电连接。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分离图案的步骤包括：
在第二区域中的第一电极上形成导电图案；
在导电图案上形成绝缘层；
在绝缘层上形成光刻胶图案，该光刻胶图案暴露至少导电图案的中部；
使用光刻胶图案作为掩模蚀刻绝缘层，从而形成绝缘图案；和
使用绝缘图案作为掩模蚀刻导电图案，从而形成像素分离图案。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括通过在导电图案的蚀刻过程中将一部分导电图案留在第一电极上而形成辅助电极。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分离图案的步骤包括：
在第一电极上形成牺牲图案；
在牺牲图案上形成绝缘层，该绝缘层具有与牺牲图案不同的蚀刻选择性；
在绝缘层上形成光刻胶图案，该光刻胶图案暴露至少牺牲图案的中部；
使用光刻胶图案作为掩模蚀刻绝缘层，从而形成绝缘图案；和
使用绝缘图案作为掩模蚀刻牺牲图案，从而形成像素分离图案。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括在第二基板与第一电极之间形成第三电极。
17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在第二基板上形成钝化层，该钝化层覆盖薄膜晶体管；和
在钝化层上形成涂层。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括在涂层上形成第一接触元件，第一接触元件与薄膜晶体管电连接并与所述接触电极接触。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括在钝化层上形成第二接触元件，第二接触元件与薄膜晶体管的漏极电连接并与第一接触元件接触。
20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，接触电极和第二电极一体形成。
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