CN101192493B - 阳极装置及其制造方法 - Google Patents

阳极装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101192493B
CN101192493B CN2006101569886A CN200610156988A CN101192493B CN 101192493 B CN101192493 B CN 101192493B CN 2006101569886 A CN2006101569886 A CN 2006101569886A CN 200610156988 A CN200610156988 A CN 200610156988A CN 101192493 B CN101192493 B CN 101192493B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tube
carbon nano
glass
anode assembly
slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006101569886A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101192493A (zh
Inventor
魏洋
刘亮
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN2006101569886A priority Critical patent/CN101192493B/zh
Priority to US11/875,110 priority patent/US20080220242A1/en
Priority to JP2007275371A priority patent/JP4763673B2/ja
Publication of CN101192493A publication Critical patent/CN101192493A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101192493B publication Critical patent/CN101192493B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/36Solid anodes; Solid auxiliary anodes for maintaining a discharge
    • H01J1/38Solid anodes; Solid auxiliary anodes for maintaining a discharge characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/53Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221Carbon nanotubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/02Electrodes other than control electrodes
    • H01J2329/08Anode electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种阳极装置的制造方法,该方法包括:制备碳纳米管浆料;提供一个玻璃元件,将制备的碳纳米管浆料在玻璃元件的表面形成一个碳纳米管浆料层;将碳纳米管浆料层烘干;在碳纳米管浆料层上形成一荧光粉层;以及将形成有碳纳米管浆料层和荧光粉层的玻璃元件在氮气或惰性气体的保护下加热至300~500℃并保温一定的时间,再降至室温,从而在玻璃元件的表面形成具有碳纳米管透明导电膜和荧光粉层的阳极装置。本发明还涉及由上述方法制造的阳极装置。

Description

阳极装置及其制造方法 
技术领域
本发明涉及一种阳极装置及其制造方法,特别涉及一种具有透明导电膜的阳极装置及其制造方法。 
背景技术
阳极装置在阴极射线管(CRT)、场发射显示器(FED)、透射电子显微镜(TEM)、场发射照明光源等器件中有着广泛的应用,该阳极装置是凭借阴极装置发射的电子轰击设置在其上的荧光粉层而发光。传统的阳极装置包括一透明玻璃元件、在透明玻璃元件表面形成的透明导电膜和在透明导电膜上沉积形成的荧光粉层。其中,透明导电膜是通过磁控溅射的方法在玻璃表面蒸镀氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜而形成,这种方法虽然可以大批量生产阳极装置,但是所需的生产材料和制备过程的成本均较高。 
因此,有必要提供一种制备过程简单、效率高、低成本的阳极装置的制造方法以及由该方法制造的阳极装置。 
发明内容
下面将以实施例说明一种阳极装置及其制造方法,该阳极装置的制造方法制备过程简单、易于操作、成本较低且具有较高的效率。 
一种阳极装置,包括一个透明玻璃元件、形成在透明玻璃元件上的透明导电膜和形成于透明导电膜上的荧光粉层。其中,透明导电膜为碳纳米管薄膜。 
一种阳极装置的制造方法,主要包括: 
制备碳纳米管浆料; 
提供一个玻璃元件,将制备的碳纳米管浆料在玻璃元件的表面形成一个碳纳米管浆料层; 
将碳纳米管浆料层烘干; 
在碳纳米管浆料层上形成一荧光粉层;以及 
将形成有碳纳米管浆料层和荧光粉层的玻璃元件在氮气或惰性气体的保护下加热至300~500℃并保温一定的时间,再降至室温,从而在玻璃元件的表面形成碳纳米管透明导电膜和荧光粉层进而得到阳极装置。 
本实施例阳极装置的制造方法中利用碳纳米管浆料与玻璃表面间的吸附作用在玻璃元件上形成碳纳米管浆料层并将其加热从而在玻璃元件上形成所需的碳纳米管透明导电膜,制备过程简单、易于操作、成本较低且具有较高的效率;同时,本实施例阳极装置的透明导电膜由碳纳米管薄膜形成,因碳纳米管具有良好的导电特性,因而该透明导电膜具有较好的导电性能,进而增加该阳极装置的使用性能。 
附图说明
图1是本发明实施例阳极装置的制造方法的流程示意图。 
图2是本发明实施例阳极装置的结构示意图。 
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本实施例阳极装置及其制造方法。 
请参阅图1,本实施例阳极装置的制造方法主要包括以下步骤: 
步骤(一),制备碳纳米管浆料; 
碳纳米管浆料中主要包含有机载体和分散在有机载体内的碳纳米管,该碳纳米管浆料的制备方法包括以下步骤: 
首先,制备有机载体; 
该有机载体为混合剂,包括作为溶剂的松油醇、作为增塑剂的少量邻苯二甲酸二丁酯和作为稳定剂的少量乙基纤维素。有机载体的制备过程为:首先在油浴加热及搅拌的条件下将乙基纤维素溶解到松油醇中,然后加入邻苯二甲酸二丁酯在同样油浴加热的条件下持续搅拌一定时间即可得到有机载体。其中,优选地,松油醇、乙基纤维素和邻苯二甲酸二丁酯在混合剂中的质量百分比分别约为90%、5%和5%;加热温度为80~110℃,最优为100℃;持续搅拌时间为10~25小时,最优为24小时。 
将粉末状碳纳米管在二氯乙烷中用破碎机分散后再进行超声分散形成碳纳米管溶液; 
其中,碳纳米管可以预先通过化学气相沉积法、电弧放电法或激光蒸发法等现有的技术制备,长度优选为1~100微米,最优地,长度约为10微米;直径优选为1~100纳米。碳纳米管与二氯乙烷的比例优选为:每两克碳纳米管需要约500毫升的二氯乙烷。破碎机分散的时间优选为5~30分钟,最优为20分钟;超声分散的时间优选为10~40分钟,最优为30分钟。 
过滤碳纳米管溶液; 
其中,碳纳米管溶液可以选用筛网过滤,最优地,选用400目的筛网过滤碳纳米管溶液从而可得到优选直径和长度的碳纳米管。 
将碳纳米管溶液加入有机载体中并充分分散; 
其中,可以利用超声震荡将碳纳米管溶液在有机载体中充分分散,超声震荡的时间优选为30分钟。碳纳米管溶液中的碳纳米管与有机载体的质量比优选为15∶1。 
最后,在水浴条件下加热混有碳纳米管溶液的有机载体直到得到具有合适浓度的碳纳米管浆料为止。其中,碳纳米管浆料中碳纳米管的浓度可影响所得到的碳纳米管透明导电膜的透光性能及导电性能。当浆料中碳纳米管的浓度较高时,得到的碳纳米管透明导电膜的透光率较低而导电性能较好;反之,当浆料中碳纳米管的浓度较低时,得到的碳纳米管透明导电膜的透光率较高而导电性能较弱。优选地,当在上述制备过程中选用2克碳纳米管、约500毫升的二氯乙烷和碳纳米管与有机载体的质量为15∶1时,在水浴加热下将混有碳纳米管溶液的有机载体蒸发得到200毫升的碳纳米管浆料。其中,水浴加热温度优选为90℃。 
步骤(二),提供一个玻璃元件,将制备的碳纳米管浆料在玻璃元件的表面形成一个碳纳米管浆料层; 
其中,在玻璃元件表面上形成碳纳米管浆料层的方法依据玻璃元件的形状而不同,例如,当需要在平板玻璃的一侧表面形成透明导电膜时,形成碳纳米管浆料层的方法为:将制备的碳纳米管浆料放置在敞口容器内;将两块重叠的平板玻璃竖直浸入碳纳米管浆料中;再匀速提出平板玻璃,通过吸附作用即在重叠的两块玻璃的两相对表面各形成一碳纳米管浆料层。当需要在玻璃管内壁形成透明导电膜时,形成碳纳米管浆料层的方法为:将玻璃管一端封闭并将玻璃管的封闭端向下竖直放置;将碳纳米管浆料倒入玻璃管内; 打开玻璃管的封闭端,碳纳米管浆料在重力的作用下自然流下,部分碳纳米管浆料通过吸附作用在玻璃管内壁上形成碳纳米管浆料层。形成碳纳米管浆料层的过程应在洁净的环境内进行,优选地,环境内的灰尘度应小于1000mg/m3。 
步骤(三),将碳纳米管浆料层烘干使得碳纳米管浆料层固定于玻璃元件表面; 
步骤(四),在碳纳米管浆料层上形成一荧光粉层; 
其中,形成荧光粉层的方法可以选用涂敷、沉积、丝网印刷等现有技术,荧光粉层的材料可根据需要选用单色荧光材料或多元色荧光材料。 
步骤(五),将形成有碳纳米管浆料层和荧光粉层的玻璃元件在氮气或惰性气体的保护下加热至300~500℃并保温一定的时间,再降至室温,从而在玻璃元件的表面形成碳纳米管透明导电膜和荧光粉层进而得到阳极装置。 
其中,加热温度优选为320℃,保温时间优选为20分钟。 
请参阅图2,采用上述方法制造的阳极装置10包括一玻璃元件20、形成在玻璃元件表面上的透明导电膜30和形成在透明导电膜上的荧光粉层40。其中,透明导电膜30为碳纳米管薄膜。玻璃元件的形状依据该阳极装置应用的不同而不同,例如,当阳极装置应用于场发射平板显示技术时,玻璃元件为玻璃板;当阳极装置应用于场发射照明光源时,玻璃元件可为玻璃管或玻璃泡。 
另外,本领域技术人员还可在本发明精神内作其它变化,当然这些依据本发明精神所作的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围内。 

Claims (10)

1.一种阳极装置的制造方法,主要包括:
制备碳纳米管浆料;
提供一个玻璃元件,将制备的碳纳米管浆料在玻璃元件的表面形成一个碳纳米管浆料层;
将碳纳米管浆料层烘干;
在碳纳米管浆料层上形成一荧光粉层;以及
将形成有碳纳米管浆料层和荧光粉层的玻璃元件在氮气或惰性气体的保护下加热至300~500℃并保温一定的时间,再降至室温,从而在玻璃元件的表面形成碳纳米管透明导电膜和荧光粉层进而得到阳极装置。
2.如权利要求1所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:当所述的玻璃元件为平板玻璃且在平板玻璃的一侧表面形成透明导电膜时,形成碳纳米管浆料层的方法为:
将制备的碳纳米管浆料放置在敞口容器内;
将两块重叠的平板玻璃竖直浸入碳纳米管浆料中;以及
再匀速提出平板玻璃,通过吸附作用即在重叠的两块玻璃的两相对表面各形成一碳纳米管浆料层。
3.如权利要求1所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:当所述的玻璃元件为玻璃管且在玻璃管内壁形成透明导电膜时,形成碳纳米管浆料层的方法为:
将玻璃管一端封闭并将玻璃管的封闭端向下放置;
将碳纳米管浆料倒入玻璃管内;以及
打开玻璃管的封闭端,碳纳米管浆料在重力的作用下自然流下,部分碳纳米管浆料通过吸附作用在玻璃管内壁上形成碳纳米管浆料层。
4.如权利要求2或3所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:所述的碳纳米管浆料的制备过程包括:
制备有机载体,该有机载体为由作为溶剂的松油醇、作为增塑剂的少量邻苯二甲酸二丁酯和作为稳定剂的少量乙基纤维素形成的混合剂;
将粉末状碳纳米管在二氯乙烷中用破碎机分散后再进行超声分散形成碳纳米管溶液; 
过滤碳纳米管溶液;
将过滤后的碳纳米管溶液加入有机载体中同时利用超声充分分散;以及
在水浴条件下加热混有碳纳米管溶液的有机载体得到所述的碳纳米管浆料。
5.如权利要求4所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:所述的碳纳米管浆料中的碳纳米管的长度为1~100微米,直径为1~100纳米。
6.如权利要求5所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:所述的有机载体的制备过程为:首先在油浴80~110℃及搅拌的条件下将乙基纤维素溶解到松油醇中,然后加入邻苯二甲酸二丁酯在油浴80~110℃的条件下持续搅拌10~25小时即可得到有机载体。
7.如权利要求6所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:所述的碳纳米管为两克;所述的二氯乙烷为500毫升;所述的破碎机分散的时间为20分钟;所述的碳纳米管溶液中的碳纳米管与所述的有机载体的质量比为15∶1;所述的超声分散的时间为30分钟;所述的水浴加热温度为90℃且加热后得到200毫升的碳纳米管浆料。
8.如权利要求7所述的阳极装置的制造方法,其特征在于:所述的保护气体下的加热温度为320℃,保温时间为20分钟。
9.根据权利要求1的方法制备得到一种阳极装置,包括玻璃元件、形成在玻璃元件表面的透明导电膜和形成在透明导电膜上的荧光粉层,其特征在于:所述的透明导电膜为碳纳米管薄膜。
10.如权利要求9所述的根据权利要求1的方法制备得到一种阳极装置,其特征在于:所述的碳纳米管薄膜中包含的碳纳米管长度为1~100微米,直径为1~100纳米。 
CN2006101569886A 2006-11-22 2006-11-22 阳极装置及其制造方法 Active CN101192493B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101569886A CN101192493B (zh) 2006-11-22 2006-11-22 阳极装置及其制造方法
US11/875,110 US20080220242A1 (en) 2006-11-22 2007-10-19 Anodic structure and method for manufacturing same
JP2007275371A JP4763673B2 (ja) 2006-11-22 2007-10-23 陽極素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101569886A CN101192493B (zh) 2006-11-22 2006-11-22 阳极装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101192493A CN101192493A (zh) 2008-06-04
CN101192493B true CN101192493B (zh) 2011-02-02

Family

ID=39487406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101569886A Active CN101192493B (zh) 2006-11-22 2006-11-22 阳极装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080220242A1 (zh)
JP (1) JP4763673B2 (zh)
CN (1) CN101192493B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN105676260B (zh) * 2016-01-20 2018-05-08 西北核技术研究所 电子束箍缩过程诊断***及其诊断方法
JP6849224B2 (ja) * 2016-10-10 2021-03-24 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. 照明光源及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1516304A (zh) * 2003-01-03 2004-07-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种锂离子电池
CN1543399A (zh) * 2001-03-26 2004-11-03 含碳纳米管的涂层
CN1556548A (zh) * 2004-01-08 2004-12-22 西安交通大学 一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法
CN1267964C (zh) * 2003-09-10 2006-08-02 西安交通大学 碳纳米管场致发射发光管及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3784384A (en) * 1964-03-17 1974-01-08 Atomic Energy Commission High temperature ceramic composition for hydrogen retention
US4200484A (en) * 1977-09-06 1980-04-29 Rockwell International Corporation Method of fabricating multiple layer composite
DE3512158A1 (de) * 1985-04-03 1986-10-23 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Elektrisches bauelement sowie verfahren zum herstellen eines solchen bauelementes
DE69130184T2 (de) * 1990-02-23 1999-02-11 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa Verfahren zur Herstellung mehrschichtiger Beschichtungen
KR100342039B1 (ko) * 1994-12-29 2002-10-25 삼성에스디아이 주식회사 전기적접촉구조의형성방법
JP3520597B2 (ja) * 1995-04-20 2004-04-19 双葉電子工業株式会社 蛍光表示管の製造方法
US5811924A (en) * 1995-09-19 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Fluorescent lamp
JPH10221522A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Dainippon Printing Co Ltd ブラックマトリックスの形成方法
JPH11238457A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Ise Electronics Corp 蛍光表示管の製造方法
JP2000208045A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 円形直管内面への成膜方法
JP3506964B2 (ja) * 1999-06-30 2004-03-15 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
US7449081B2 (en) * 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
JP2002042735A (ja) * 2000-07-28 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 蛍光ランプ
DE60201176T2 (de) * 2001-02-26 2005-09-22 Nanolight International Ltd. Verfahren zur bildung einer kohlenstoffnanoröhren enthaltenden beschichtung auf einem substrat
US20040001953A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-01 Luc Struye Method for manufacturing a transparent binderless storage phosphor screen
JP3825431B2 (ja) * 2002-09-30 2006-09-27 双葉電子工業株式会社 蛍光表示管
JP2004143006A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Sharp Corp シリコン結晶シート製造方法および製造装置
WO2004052559A2 (en) * 2002-12-06 2004-06-24 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
JP2005089738A (ja) * 2003-08-12 2005-04-07 Toray Ind Inc カーボンナノチューブ分散溶液およびカーボンナノチューブ分散体
JP2005122930A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Osaka Gas Co Ltd ナノスケールカーボンチューブペースト及び電子放出源
CN100543907C (zh) * 2004-04-22 2009-09-23 清华大学 一种碳纳米管场发射阴极的制备方法
WO2006078286A2 (en) * 2004-05-07 2006-07-27 Eikos, Inc. Patterning carbon nanotube coatings by selective chemical modification
US20050255613A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-17 Dojin Kim Manufacturing of field emission display device using carbon nanotubes
JP2005353840A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板構造体の製造方法およびそれにより作製される配線基板構造体
US20060042661A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Meyer Douglas S Oil tank sludge removal method
CN100583349C (zh) * 2005-07-15 2010-01-20 清华大学 场发射阴极、其制造方法及平板型光源
CN100555529C (zh) * 2005-11-04 2009-10-28 清华大学 一种场发射元件及其制备方法
CN101192492B (zh) * 2006-11-22 2010-09-29 清华大学 透明导电膜的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543399A (zh) * 2001-03-26 2004-11-03 含碳纳米管的涂层
CN1516304A (zh) * 2003-01-03 2004-07-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种锂离子电池
CN1267964C (zh) * 2003-09-10 2006-08-02 西安交通大学 碳纳米管场致发射发光管及其制备方法
CN1556548A (zh) * 2004-01-08 2004-12-22 西安交通大学 一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2000-327317A 2000.11.28

Also Published As

Publication number Publication date
US20080220242A1 (en) 2008-09-11
JP2008130552A (ja) 2008-06-05
CN101192493A (zh) 2008-06-04
JP4763673B2 (ja) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101192492B (zh) 透明导电膜的制备方法
CN100555530C (zh) 场发射双面显示光源及其制造方法
CN101211746B (zh) 场发射灯管及其制造方法
CN101211732B (zh) 场发射灯管的制造方法
US20060269750A1 (en) Phosphor for low-voltage electron beam, method of producing the same, and vacuum fluorescent display
US20030222560A1 (en) Catalytically grown carbon fiber field emitters and field emitter cathodes made therefrom
CN101192493B (zh) 阳极装置及其制造方法
CN101188179B (zh) 场发射电子源的制造方法
CN104584178B (zh) 场致电子发射膜、场致电子发射元件、发光元件及其制造方法
CN100573809C (zh) 场发射平面显示光源及其制造方法
JP2004519066A (ja) 触媒的に成長させた炭素繊維フィールドエミッターおよびそれから作製されたフィールドエミッターカソード
KR101309537B1 (ko) 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법
US20100072879A1 (en) Field emission device with anode coating
US20100133983A1 (en) Method for manufacturing a field emitter electrode using the array of nanowires
JP2010198890A (ja) 蛍光体基板と画像表示装置、及びこれらの製造方法
TW423013B (en) Wire-coated ion bombarded graphite electron emitters
TWI327735B (en) Anode device and method for making the same
JP2021136143A (ja) カーボンナノチューブ分散液およびそれを用いた電界電子放出素子の製造方法並びに発光素子の製造方法
CN102479649A (zh) 碳纤维材料的场致发射体阴极

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CI01 Publication of corrected invention patent application

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University|100084 Tsinghua Foxconn nanometer science and technology research center, Tsinghua University, Beijing, Haidian District 310|Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 05

Volume: 27

CI03 Correction of invention patent

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University|100084 Tsinghua Foxconn nanometer science and technology research center, Tsinghua University, Beijing, Haidian District 310|Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 05

Page: The title page

Volume: 27

ERR Gazette correction

Free format text: CORRECT: PATENTEE; ADDRESS; CO-PATENTEE; FROM: HONGFUJIN PRECISION INDUSTRY (SHENZHEN) CO., LTD.;518109 NO. 2, EAST RING ROAD 2, YOUSONG INDUSTRIAL AREA 10, LONGHUA TOWN, BAOAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE TO: TSINGHUA UNIVERSITY;100084 310#, TSINGHUA-FOXCONN NANOTECHNOLOGY RESEARCH CENTER, TSINGHUA UNIVERSITY, HAIDIAN DISTRICT, BEIJING; HONGFUJIN PRECISION INDUSTRY (SHENZHEN) CO., LTD.