CN101174065A - 液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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CN101174065A CNA2007101273684A CN200710127368A CN101174065A CN 101174065 A CN101174065 A CN 101174065A CN A2007101273684 A CNA2007101273684 A CN A2007101273684A CN 200710127368 A CN200710127368 A CN 200710127368A CN 101174065 A CN101174065 A CN 101174065A
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Abstract

本发明提供一种液晶显示器，包括：形成在第一基板上的多条栅线；交叉栅线的多条数据线；连接到栅线和数据线的多个薄膜晶体管；连接到各薄膜晶体管的多个像素电极，每个像素电极部分交叠数据线并包括第一和第二子电极；多条存储电极线，形成在第一基板上，每条存储电极线设置在第一和第二子电极之间并包括与各像素电极交叠的部分；与第一基板相对的第二基板；形成在第二基板上的公共电极，公共电极包括对应于第一和第二子电极的切口；液晶层，形成在公共电极和像素电极之间；多个珠间隔件，支承第一和第二基板；及多个柱间隔件，形成在第二基板上且不接触第一基板。

Description

液晶显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(“LCD”)包括在上面板和下面板之间注入的液晶(“LC”)材料并且在LC材料中产生电场从而改变LC分子的取向，由此导致穿过LC材料的光的偏振发生改变。穿过偏振器的光量也根据偏振而改变，从而显示图像。
上面板和下面板之间应保持均匀的单元间隙，为此使用主动间隔件(active spacer)。使用珠间隔件(bead spacer)或柱间隔件(column spacer)作为主动间隔件。
珠间隔件提供包括简化的工艺的优点并且便于LCD的制造，但是由于珠间隔件在LCD中浮动(floating)，珠间隔件在LC材料注入到LCD中期间与LC材料一起移动。因此，当移动压力和移动距离大时，取向层会弯曲，从而发生光泄漏。
另一方面，由于柱间隔件通过光刻工艺形成，柱间隔件能够以固定形状选择性地形成在需要的位置中。因此，目前柱间隔件比珠间隔件使用得更多。
然而，每单位面积形成的柱间隔件的数量小于珠间隔件。由于光刻工艺导致的该问题通过调整柱间隔件的尺寸而得到解决。
当外部压力(或冲击)施加在具有柱间隔件的LCD上时，柱间隔件与珠间隔件相比不能同样地吸收冲击，因此柱间隔件损坏间隔件下面的电极。
另外，由于柱间隔件形成得远离像素电极，当注入到LCD中的LC材料的体积在低于-20摄氏度的低温下减小时，像素电极处的单元间隙大大减小，使得像素电极处的单元间隙与形成柱间隔件处的单元间隙之间的差别增大，这导致诸如气泡(bubble)的现象。
发明内容
因此，进行本发明以提供一种具有单元间隙优点的LCD，该单元间隙即使在外加压力下和在低温下也被稳定地保持。
本发明的示例性实施例提供一种液晶显示器，包括：第一基板；形成在所述第一基板上的多条栅线；交叉所述栅线的多条数据线；连接到所述栅线和数据线的多个薄膜晶体管；多个像素电极，每个连接到所述多个薄膜晶体管中的各薄膜晶体管，每个所述像素电极部分地交叠数据线并包括第一子电极和第二子电极；多条存储电极线，形成在所述第一基板上，每条所述存储电极线设置在所述第一子电极和所述第二子电极之间并包括与各像素电极交叠的部分；与所述第一基板相对的第二基板；形成在所述第二基板上的公共电极，所述公共电极包括对应于所述第一子电极和所述第二子电极的切口；液晶层，形成在所述公共电极和所述像素电极之间；多个珠间隔件，支承所述第一基板和所述第二基板；以及多个柱间隔件，形成在所述第二基板上并与所述第一基板分隔开。
所述柱间隔件可分布为每cm2约1200个柱间隔件。
所述柱间隔件占据的总面积可为每cm2占据约0.41μm2。
所述柱间隔件可具有约3.21μm的高度。
该液晶显示器还可包括形成在所述第二基板上且对应于所述栅线的光阻挡部件。
该液晶显示器还可包括形成在所述第二基板上且对应于所述柱间隔件的辅助光阻挡部件。
所述辅助光阻挡部件的宽度可比所述柱间隔件的最宽部分的宽度宽约8μm至约10μm。
所述柱间隔件可设置在所述存储电极线和所述数据线彼此交叉的区域中。
所述第一子电极和所述第二子电极可具有圆化的角。
该液晶显示器还可包括形成在所述公共电极和所述第二基板之间的多个滤色器。
该薄膜晶体管可包括：栅电极，连接到相应的栅线；半导体，交叠所述栅电极；漏电极，形成在所述半导体上；以及源电极，在所述半导体上与所述漏电极相对并连接到相应的数据线。
所述漏电极可包括扩展部，该扩展部交叠各存储电极线。
所述第一子电极和所述第二子电极可通过连接部件彼此连接，所述连接部件可包括连接一行中的所述第一子电极和所述第二子电极的在平面内的垂直部分、以及从所述垂直部分突出并连接到所述扩展部的突出部。
所述第一子电极和所述第二子电极可具有基本相同的面积。
相邻像素电极之间的间隙可为约4μm至约7μm。
本发明的另一示例性实施例提供一种制造液晶显示器的方法。该方法包括：在第一基板上形成多条栅线；以多条数据线交叉所述栅线；连接多个薄膜晶体管到所述栅线和所述数据线；将多个像素电极中的每个连接到所述多个薄膜晶体管中的各薄膜晶体管，每个所述像素电极部分交叠数据线并包括第一子电极和第二子电极；在所述第一基板上形成多条存储电极线，每条所述存储电极线设置在所述第一子电极和所述第二子电极之间并包括交叠多个像素电极中的各像素电极的部分；使所述第一基板与第二基板相对；在所述第二基板上形成公共电极，所述公共电极包括对应于所述第一子电极和所述第二子电极的切口；在所述公共电极和所述像素电极之间形成液晶层；在其间用多个珠间隔件支承所述第一基板和所述第二基板；以及在所述第二基板上且与所述第一基板间隔开地形成多个柱间隔件。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其它方面、特征及优点将变得更加明显，附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的LCD中像素的平面布局图；
图2是图1所示的LCD的薄膜晶体管(“TFT”)阵列面板的平面布局图；
图3是图1所示的LCD的公共电极面板的平面布局图；
图4是图1所示的LCD沿线IV-IV取得的剖视图；
图5是图1所示的LCD沿线V-V取得的剖视图；
图6是根据本发明示例性实施例的LCD的示意性平面布局图；
图7是三维图，示出在根据现有技术的LCD的各部分处的单元间隙；以及
图8是三维图，示出在根据本发明示例性实施例的LCD的各部分处的单元间隙。
具体实施方式
现在将参照附图更完整地说明本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。然而，本发明能够以很多不同方式实施，并且不应解释为局限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例是使得本公开更彻底而完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相似的附图标记始终表示相似的元件。
应当理解，当元件称为在另一元件“上”时，其可以直接在其它元件上或者中间元件可存在于它们之间。相反，当元件称为“直接”在另一元件“上”时，没有中间元件存在。这里使用时，术语“和/或”包括相关所列项的一个或更多的任意和全部组合。
将理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在这里用来表示各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下面论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不会偏离本发明的教导。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例且无意限制本发明。这里使用时，单数形式“一”和“该/所述”意在也包括复数形式，除非上下文另外地清楚描述。还将理解，当在本说明书中使用时术语“包括”指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和或其群组的存在或增加。
另外，关系术语，例如“下”或“底”及“上”或“顶”可在这里用来描述图中所示的一个元件与其它元件的关系。将理解，关系术语意在包括器件的除了图中所示的取向之外的不同取向。例如，如果图中的器件被翻转，那么描述为在其他元件“下”侧的元件将取向为在其他元件“上”侧。因此，根据图的具体取向，示例性术语“下”可包括“上”和“下”两个取向。类似地，如果图中的器件被翻转，那么描述为在其他元件“之下”或“下面”的元件将取向为在其他元件“之上”。因此，示例性术语“之下”或“下面”可包括之上和之下两个取向。
除非另外定义，这里使用的所有术语(包括科技术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员一般理解的意思相同的意思。还将理解，术语，例如一般使用的字典中定义的那些术语，应被理解为具有与它们在相关技术和本公开的背景中的意思一致的意思，且将不会在理想化或过于正式的意义上来理解，除非这里清楚地这样定义。
这里参照剖视图描述本发明的示例性实施例，所述剖视图是本发明的理想化实施例的示意图。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的图示形状的变化是可以预期的。因此，本发明的实施例不应被理解为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如制造所导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以是圆的。因此，图中所示的区域实质上是示意性的且其形状无意示出区域的精确形状且无意限制本发明的范围。
下面，将参照图1至5更详细地描述本发明的示例性实施例的LCD。
图1是根据本发明示例性实施例的LCD中的像素的平面布局图，图2是图1所示的LCD的TFT阵列面板的平面布局图，图3是图1所示的LCD的公共电极面板的平面布局图。图4是图1所示的LCD沿线IV-IV取得的剖视图，图5是图1所示的LCD沿线V-V取得的剖视图，图6是根据本发明示例性实施例的LCD的示意性平面布局图。
参照图1-5，根据本发明示例性实施例的LCD包括彼此面对的TFT阵列面板100和公共电极面板200、及置于两面板100和200之间的LC层3。
首先将描述TFT阵列面板100。
参照图1、2、4和5，多条栅线121和多条存储电极线131形成在绝缘基板110上。在示例性实施例中，绝缘基板110由透明玻璃或塑料制成。
用于传送栅信号的栅线121基本沿水平方向延伸，如图1和2所示。每条栅线121包括向上突出的多个栅电极124和端部129，端部129具有大的面积以用于与另一层或外部驱动电路(未示出)连接。用于产生栅信号的栅驱动电路(未示出)可安装在附着到基板110的柔性印刷电路膜(未示出)上，其可以直接安装在基板110上，或者其可以与基板110集成。当栅驱动电路集成在基板110上时，栅线121可延伸得直接与之相连。
每条存储电极线131接收预定电压，并包括向上和向下突出的存储电极133，如图1和2所示。存储电极线131以相同距离与相邻的栅线121分隔开。
栅线121可由诸如Al或Al合金的含铝(Al)金属、诸如Ag或Ag合金的含银(Ag)金属、诸如Cu或Cu合金的含铜(Cu)金属、诸如Mo或Mo合金的含钼(Mo)金属、铬(Cr)、钽(Ta)、或钛(Ti)制成。供选地，栅线121可具有多层结构，包括具有不同物理特性的两个导电层(未示出)。在示例性实施例中，两导电层之一由低电阻率金属诸如含Al金属、含Ag金属或含Cu金属制成以减小信号延迟或电压降。另一方面，另一导电层由诸如含Mo金属的材料制成，其与其他材料特别是例如氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)具有良好的物理、化学和电接触特性。两层组合的良好例子包括下Cr层和上Al(合金)层的对，或者下Al(合金)层和上Mo(合金)层的对。然而，栅线121可由除了上述以外的各种金属或导体制成。
栅线121和存储电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，在示例性实施例中其倾斜角在从约30度到约80度的范围。
优选由硅氮化物(“SiNx”)或硅氧化物(“SiOx”)制成的栅绝缘层140形成在栅线121和存储电极线131上。
优选地由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅制成但不限于此的多个半导体岛154和157形成在栅绝缘层140上。半导体岛154设置在栅电极124上。半导体岛157交叠存储电极线131。
欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触163和165优选由重掺杂以诸如磷(P)的n型杂质的n+氢化a-Si制成，或由硅化物制成，但不限于此。欧姆接触岛163和165成对设置在半导体154上。也可在交叠存储电极线131的半导体岛157上形成欧姆接触岛(未示出)。
半导体154和157以及欧姆接触163和165的侧面也相对于基板110的表面倾斜，在示例性实施例中其倾斜角在从约30度到约80度的范围。
多条数据线171以及多个漏电极175形成在欧姆接触163和165以及栅绝缘层140上。
用于传输数据信号的数据线171基本在纵向方向上延伸且交叉栅线121和存储电极线131，如图1和2所示。每条数据线171包括朝向栅电极124分支的多个源电极173和具有大的面积以用于与另一层或外部驱动电路(未示出)连接的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在附着到基板110的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者其可以直接安装在基板110上，或其可以集成在基板110上。当数据驱动电路集成在基板110上时，数据线171可延伸得直接连接到数据驱动电路。
每个漏电极175与数据线171分隔开并且关于栅电极124与源电极173相对。漏电极175通过连接器176连接到交叠存储电极133的扩展部177。栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起形成TFT，该TFT具有形成在设置于源电极173和漏电极175之间的半导体154中的沟道。
数据线171和漏电极175优选由诸如Mo、Cr、Ta、Ti、或其合金的难熔金属(refractory metal)制成。但不限于此，它们可具有多层结构，包括难熔金属层(未示出)和具有低电阻率的导电层(未示出)。多层结构的例子包括下Cr或Mo(合金)层和上Al(合金)层的双层，下Mo(合金)层、中间Al(合金)层和上Mo(合金)层的三层。然而，除了上述之外，数据线171和漏电极175可由很多不同金属或导体制成。
数据线171和漏电极175的侧面也相对于基板110的表面倾斜，在示例性实施例中其倾斜角优选在约30度到约80度的范围。
欧姆接触163和165只存在于下面的半导体154与其上在上面的数据线171和漏电极175之间，并减小它们之间的接触电阻。半导体岛154和157的宽度在半导体岛154和157遇到栅线121和存储电极线131的位置附近变宽从而使表面轮廓平滑，由此防止数据线171的不连续。半导体154包括未被数据线171和漏电极175覆盖的暴露部分，诸如源电极173和漏电极175之间的部分(例如沟道)。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175、以及半导体154的暴露部分上。
钝化层180优选由无机绝缘体或有机绝缘体制成，且其表面在示例性实施例中可以是平坦的。无机绝缘体的例子包括硅氮化物和硅氧化物。有机绝缘体可具有光敏性，且其优选的介电常数小于约4.0。供选地，钝化层180可具有双层结构，包括下无机层和上有机层，从而不损伤半导体154的暴露部分并利用有机层的优异绝缘特性。
钝化层180具有多个接触孔182和185，分别暴露数据线171的端部179和漏电极175，钝化层180和栅绝缘层140具有多个接触孔181，暴露栅线121的端部129。
由IZO或ITO制成的多个像素电极191、多个连接部件85、以及多个接触辅助件81和82形成在钝化层180上。
每个像素电极191包括第一子电极9a和第二子电极9b。第一子电极9a和第二子电极9b具有带圆角的四边形，且第一子电极9a和第二子电极9b通过连接部件85彼此连接。
连接部件85包括连接第一子电极9a和第二子电极9b的垂直部分、以及从垂直部分向右和左突出的突出部，这参照图1和2可以最好地观察到。
突出部通过接触孔185物理和电连接到扩展部177，并被提供以来自漏电极175的数据电压从而传送数据电压到像素电极191。
提供以数据电压的数据电极191与公共电极面板200上的供应有公共电压的公共电极270协同产生电场，从而决定置于两电极191和270之间的LC层3中LC分子的取向。根据所决定的LC分子的取向，穿过LC层3的光的偏振被改变。像素电极191和公共电极形成电容器(下面称为“LC电容器”)从而即使在TFT截止之后也能存储和保持所施加的电压。
相邻像素电极191之间的间隙可为约4μm至约7μm。当像素电极191之间的间隙超过4μm时，减少了像素电极之间的边缘场(fringe field)引起的旋错(disclination)导致的光泄漏。
接触辅助件81和82分别通过接触孔181和182连接到栅线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助件81和82补充栅线121的端部129和数据线171的端部179与外部器件的粘合属性并保护它们。
下面将更详细地描述公共电极面板200。
参照图1、3、4和5，光阻挡部件220a形成在优选由透明玻璃或塑料制成的绝缘基板210上。光阻挡部件220a也称为黑矩阵，并且形成为宽地覆盖设置TFT的栅线121的邻域(neighborhood)。
多个滤色器230也形成在基板210上，滤色器230可沿着像素电极191大体在垂直方向上延伸从而形成条，参考图1。例如，每个滤色器230可表示诸如红、绿和蓝的原色之一，但不限于此。
保护层250形成在滤色器230上。保护层250可由(有机)绝缘体制成。保护层250保护滤色器230并防止它们暴露且还提供平坦表面。
公共电极270形成在保护层250上。在示例性实施例中，公共电极270优选地由透明导电材料例如ITO和IZO制成。
公共电极270具有多个圆形切口(cutout)27，每个切口27对应于子电极9a和9b的中心。
用于维持两个面板100和200之间的均匀间隙的柱间隔件320a形成在公共电极270上。
柱间隔件320a可形成在与存储电极线131和数据线171彼此交叉的部分对应的区域中，并且它们以均匀的间距设置在面板100和200中。参照图6，柱间隔件320a的分布可以是每6个点(dot)(一个像素P的单位)1个柱间隔件320a，即，每cm21200个柱间隔件320a。然而，柱间隔件320a占据的面积不超过0.41μm2每cm2。未描述的附图标记D表示形成像素P的像素区域。
还在对应于柱间隔件320a的区域中形成辅助光阻挡部件220b。这是由于柱间隔件320a附近可能发生的光泄漏，并且辅助光阻挡部件220b宽度形成为比柱间隔件320a的最宽部分的宽度宽约8μm到约10μm。
没有外加压力和低温现象时，柱间隔件320a不接触TFT阵列面板100。这将在下面更详细地说明。
取向层11和21分别涂覆在面板100和200的内表面上，它们可以是垂直的(homeotropic)。
另外，两个面板100和200被珠间隔件320b支承从而两个面板100和200可维持其间均匀的间隙。
参照图6，珠间隔件320b在某种程度上随机地分布在面板100和200中，且它们设置在对应于像素P的区域中而不是在数据线171或栅线121处。
同时，柱间隔件320的高度小于珠间隔件320b的直径。通过使两个间隔件320a和320b的尺寸彼此不同，可以维持更稳定的单元间隙，即使物理外压力施加到两个面板100和200，或者由于低温发生体积改变。
换言之，由于两间隔件320a和320b的高度彼此不同，两个面板100和200被珠间隔件320b支承，而在没有外界影响时柱间隔件320a不与TFT阵列面板100接触。然而，当有外界影响时，珠间隔件320b的直径逐渐下降，并且随着珠间隔件320b的直径达到一定程度且下降更多时，TFT阵列面板100与柱间隔件320a接触使得TFT阵列面板同时被两间隔件320a和320b支承。
这里，在形成之后彼此附着的两个面板100和200彼此附着之前，珠间隔件320b的直径为约4.2μm，而柱间隔件320a的高度为约3.2μm，这意味着珠间隔件320b和柱间隔件320a之间存在约1μm的差。另一方面，在两个显示面板100和200附着之后，珠间隔件320b的直径为约4.0μm，而柱间隔件320a的高度为约3.2μm，这意味着上述差下降到比两个显示面板100和200附着之前的差1μm小。
另外，在现有技术中，仅形成柱间隔件320a从而随着LC层3的体积在低温下改变，像素电极处的单元间隙显著下降，但是根据本发明的示例性实施例，即使在低温下也可以保持稳定的单元间隙，因为如上所述额外形成的珠间隔件320b维持像素电极191处的单元间隙。
这可以参照图7和8得到确认。
图7是三维图，示出在根据现有技术的LCD的各部分处的单元间隙，图8是三维图，示出在根据本发明示例性实施例的LCD的各部分处的单元间隙。这里，LCD的目标单元间隙是4μm。
参照图7，根据现有技术的LCD中的平均单元间隙为3.8μm，而图8中根据本发明实施例的LCD中的平均单元间隙为3.89μm，其更接近于4μm的目标单元间隙。
偏振器12和22分别设置在面板100和200的外表面上，并且它们的偏振轴可彼此垂直。
LCD还可包括用于补偿LC层3的延迟的延迟膜(未示出)。LCD还可包括用于向偏振器12和22、延迟膜、面板100和200、以及LC层3提供光的背光单元(未示出)。
LC层3处于负介电各向异性状态，且LC层3中的LC分子取向为使得它们的长轴在没有电场时基本垂直于面板100和200的表面。因此，入射到LC层3中的光不能通过交叉的偏振器11和22，入射光被阻挡。
当公共电压施加到公共电极270且数据电压施加到像素电极191时，产生基本垂直于面板100和200的表面的电场。LC分子(未示出)趋于响应该电场改变它们的取向，从而它们的长轴垂直于电场方向。
场产生电极191和270的切口27及像素电极191的边缘使电场扭曲从而产生水平分量，该水平分量决定LC分子31的倾斜方向(见图4)。电场的水平分量基本垂直于切口27和像素电极191的边缘。由于LC分子31根据第一子电极9a和第二子电极9b的四个边缘及切口27产生的电场而倾斜，倾斜方向的方位角分布局域化到四个方向。以此方式，如果LC分子31的倾斜方向多种多样，则增加了LCD的基准视角。
另外，根据本发明的示例性实施例，通过仅在栅线121周围形成光阻挡部件220a，增加了LCD的透射。
如上所述，通过形成柱间隔件和珠间隔件，根据本发明的示例性实施例提供了具有稳定单元间隙的LCD，该稳定的单元间隙即使在外加压力下和低温下也能维持。
另外，通过在公共电极中形成四边形子电极和切口，增加了LCD的视角。
尽管本发明参照其目前认为实用的示例性实施例进行了描述，应该理解，本发明不限于这里所公开的示例性实施例。相反，本领域技术人员能够在不脱离本发明的权利要求所定义的精神和范围的情况下可以进行各种修改和等价布置。

Claims (20)

1.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
形成在所述第一基板上的多条栅线；
交叉所述栅线的多条数据线；
连接到所述栅线和所述数据线的多个薄膜晶体管；
多个像素电极，每个连接到所述多个薄膜晶体管中的各薄膜晶体管，每个所述像素电极部分交叠数据线并包括第一子电极和第二子电极；
多条存储电极线，形成在所述第一基板上，每条所述存储电极线设置在所述第一子电极和所述第二子电极之间并包括与多个像素电极中的各像素电极交叠的部分；
与所述第一基板相对的第二基板；
形成在所述第二基板上的公共电极，所述公共电极包括对应于所述第一子电极和所述第二子电极的切口；
液晶层，形成在所述公共电极和所述像素电极之间；
多个珠间隔件，支承所述第一基板和所述第二基板；以及
多个柱间隔件，形成在所述第二基板上并与所述第一基板分隔开。
2.如权利要求1的液晶显示器，其中所述柱间隔件以每cm2约1200个柱间隔件分布。
3.如权利要求2的液晶显示器，其中所述柱间隔件占据的总面积为每cm2占据0.41μm2。
4.如权利要求1的液晶显示器，其中所述柱间隔件具有约3.21μm的高度。
5.如权利要求1的液晶显示器，还包括形成在所述第二基板上且对应于所述栅线的光阻挡部件。
6.如权利要求5的液晶显示器，还包括形成在所述第二基板上且对应于所述柱间隔件的辅助光阻挡部件。
7.如权利要求6的液晶显示器，其中所述辅助光阻挡部件的宽度比所述柱间隔件的最宽部分的宽度宽约8μm至约10μm。
8.如权利要求1的液晶显示器，其中所述柱间隔件设置在所述存储电极线和所述数据线交叉的区域中。
9.如权利要求1的液晶显示器，其中所述第一子电极和所述第二子电极具有圆化的角。
10.如权利要求1的液晶显示器，还包括形成在所述公共电极和所述第二基板之间的多个滤色器。
11.如权利要求1的液晶显示器，其中每个薄膜晶体管包括：
栅电极，连接到所述多条栅线中相应的栅线；
半导体，交叠相应的栅电极；
漏电极，形成在所述半导体上；以及
源电极，在所述半导体上与所述漏电极相对并连接到所述多条数据线中相应的数据线。
12.如权利要求11的液晶显示器，其中每个所述漏电极包括扩展部，该扩展部交叠所述多条存储电极线中的各存储电极线。
13.如权利要求12的液晶显示器，其中：
所述第一子电极和所述第二子电极通过连接部件彼此连接；以及
所述连接部件包括连接所述第一子电极和所述第二子电极的在平面内的垂直部分、以及从所述垂直部分突出并连接到所述扩展部的突出部。
14.如权利要求1的液晶显示器，其中所述第一子电极和第二子电极具有基本相同的面积。
15.如权利要求1的液晶显示器，其中相邻像素电极之间的间隙为约4μm至约7μm。
16.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成多条栅线；
以多条数据线交叉所述栅线；
连接多个薄膜晶体管到所述栅线和所述数据线；
将多个像素电极中的每个连接到所述多个薄膜晶体管中的各薄膜晶体管，每个所述像素电极部分交叠数据线并包括第一子电极和第二子电极；
在所述第一基板上形成多条存储电极线，每条所述存储电极线设置在所述第一子电极和所述第二子电极之间并包括交叠多个像素电极中的各像素电极的部分；
使所述第一基板与第二基板相对；
在所述第二基板上形成公共电极，所述公共电极包括对应于所述第一子电极和所述第二子电极的切口；
在所述公共电极和所述像素电极之间形成液晶层；
在其间用多个珠间隔件支承所述第一基板和所述第二基板；以及
在所述第二基板上且与所述第一基板间隔开地形成多个柱间隔件。
17.如权利要求16的方法，还包括以每cm2约1200个柱间隔件分布所述柱间隔件。
18.如权利要求17的方法，其中所述柱间隔件占据的总面积为每cm2占据0.41μm2。
19.如权利要求16的方法，其中形成所述多个柱间隔件包括形成具有约3.21μm高度的所述柱间隔件。
20.如权利要求16的方法，还包括在所述第二基板上与所述栅线对应地形成光阻挡部件。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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