CN101162568A

CN101162568A - 模拟缓冲器及其补偿操作方法和具有模拟缓冲器的显示器

Info

Publication number: CN101162568A
Application number: CNA2007101226842A
Authority: CN
Inventors: 余承和; 薛富元; 林韦丞; 佐野景一; 戴亚翔
Original assignee: Toppoly Optoelectronics Corp
Current assignee: TPO Displays Corp
Priority date: 2006-10-10
Filing date: 2007-07-12
Publication date: 2008-04-16
Anticipated expiration: 2027-07-12
Also published as: TWI371023B; TW200818103A; JP2008112143A; CN101162568B

Abstract

一种具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器、一种新颖补偿操作和一种具有效极跟随器型模拟缓冲器的显示器。本发明经开发以降低模拟缓冲器的输入电压与输出电压之间的误差电压的差值。源极跟随器型模拟缓冲器还可使充电时间和设备特征两者的变化最小化并使输入电压范围最大化。

Description

模拟缓冲器及其补偿操作方法和具有模拟缓冲器的显示器

技术领域

本发明涉及一种模拟缓冲器。更具体地说，本发明涉及一种主动矩阵显示器使用多硅薄膜晶体管(TFT)的源极跟随型模拟缓冲器。

背景技术

低温多晶硅(LTPS，low temperature poly-Si)薄膜晶体管(TFT，thinfilm transistor)允许归因于高电流驱动能力的驱动电路与主动矩阵显示器的像素面板的***整合。然而，众所周知，由于多晶硅薄膜晶体管与单晶硅大尺寸集成电路(LSI，large scale integrated circuit)相比具有相当差的特性和非均一性，整个驱动电路与多晶硅薄膜晶体管(TFT)整合是非常困难的。多晶硅在使用多晶硅薄膜晶体管(TFT)的多个驱动电路中，模拟缓冲器对于驱动面板中数据总线的负载电容是不可缺少的。由于源极跟随器的简单性和低功率消耗，其被视为用于“面板上***”(SOP，System on Panel)应用的模拟缓冲器电路的极佳候选者。

图1A中示出了主动矩阵显示器使用LTPS薄膜晶体管的典型源极跟随器100。源极跟随器100中的薄膜晶体管110的栅极耦合到输入电压Vin，且薄膜晶体管110的漏极耦合到操作电压Vdd。薄膜晶体管110的源极经由负载电容器(Cload)耦合到接地。图1B示出了源极跟随器100的输出电压Vout的波形。可观测到，最终输出电压Vout并不保持恒定，而是会超过原则上所预期的Vin-Vth的值，其中Vth是TFT 110的临界值电压。其归因于次临界值电流。如图1C所示，其示出了漏极电流(I_D)和薄膜晶体管110的栅极与源极之间的电压(V_GS)曲线，LTPS薄膜晶体管的次临界值摆幅约为0.3V/dec，这比金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET，metal-oxide-semiconductorfield effectt ransistor)的次临界值摆幅(0.06V/dec)大得多。因而，典型源极跟随器100作为主动矩阵显示器的模拟缓冲器，将对于各种产品规格(例如主动矩阵显示器的图框率)的充电时间较为敏感，且不能具有恒定输出电压。

图2A示出了现有液晶显示器中使用多晶硅薄膜晶体管的另一源极跟随器。源极跟随器200包含薄膜晶体管M1和M2、电容器C1和多个开关S1到S4。经由开关S1耦合到输入电压Vin的节点N1在开关S2的控制下连接到节点N2，且还连接到薄膜晶体管M1的栅极。节点N2在开关S3的控制下连接到节点N3，且进一步连接到节点N4。节点N3连接到电容器C1的一个端子和薄膜晶体管M2的栅极端子。节点N4在开关S4的控制下连接到数据线。节点N4的电压电平是源极跟随器200的输出电压Vout。薄膜晶体管M1的源极连接到接地，且薄膜晶体管M1的漏极连接到节点N4(输出端子)。薄膜晶体管M2是PMOS晶体管，且其漏极连接到操作电压Vdd且其源极连接到节点N4。

参看图2B，其示出了输入电压Vin与输出电压Vout之间的关系，如参考组件符号210所示。在源极跟随器的理想情况下，输出电压Vout应与输入电压Vin相同。然而，在实际情况中存在误差电压，即输入电压Vin与输出电压Vout之间的差值。如参考组件符号220所示，其示出了当输入电压Vin增加时，输出电压Vout与输入电压Vin不相同，且如果输入Vin从2.5V变化到8V，那么误差电压在80mV到175mV之间浮动。如果源极跟随器的输出电压对于显示器的驱动而言较大(例如10V)，那么误差电压可能不会对驱动操作造成严重影响。然而，如果源极跟随器的输出电压对于显示器电压的驱动而言较小(例如0.5V到2V)，那么误差电压可能大于一个灰阶电压，而灰阶电压将对显示品质造成严重影响。

发明内容

因此，本发明的目的在提供一种具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器，及一种新颖补偿操作方法经开发以降低误差电压，且使充电时间和设备特征两者的变化最小化，并使输入电压的范围最大化。

在本发明的一个实施例中，提供一种模拟缓冲器和一种显示器，所述显示器具有多个源极跟随器型模拟缓冲器以用于驱动显示器中多个数据总线的负载电容。所述模拟缓冲器包含存储电容器、驱动晶体管和有效负载。存储电容器的第一端子经由第一开关连接到操作电压源，存储电容器的第二端子经由第三开关连接到源极跟随器型模拟缓冲器的输入端子。在驱动晶体管中，驱动晶体管的栅极端子连接到存储电容器的第一端子，驱动晶体管的漏极端子连接到操作电压源，且驱动晶体管的源极端子经由第二开关连接到存储电容器的第二端子。有效负载的第一端子连接到驱动晶体管的源极端子且经由第四开关连接到源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，且有效负载的第二端子连接到接地，有效负载由偏压控制，其中源极跟随器型模拟缓冲器的输入端子经由第五开关连接到源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子。

在补偿周期期间，第一开关和第二开关被接通，因而电压降存储在存储电容器中；且在数据输入周期期间，输入电压移位到逻辑高电平，第一开关和第二开关被断开，且第三开关和第四开关被接通，驱动晶体管的栅极端子被施加输入电压和保持在存储电容器中的电压差，因而模拟缓冲器的输出电压由存储在存储电容器的电压补偿。

在本发明的一个实施例中，提供上述模拟缓冲器的补偿操作方法。模拟缓冲器包含驱动晶体管和负载电容器。存储电容器和第一开关安置在驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间，且驱动晶体管的漏极端子连接到操作电压源，负载电容器安置在开关和源极端子的接点与接地之间。源极跟随器型模拟缓冲器的输入端子经由第二开关连接到源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子。所述补偿操作方法包含在补偿周期期间，第一开关被接通且存储电容器被耦合到操作电压源，因而电压降被存储在存储电容器中。在数据输入周期期间，在数据输入周期的第一周期，输入电压被施加到存储电容器与第一开关之间的接点处，因而驱动晶体管的栅极端子被施加输入电压和保持在存储电容器中的电压差，且模拟缓冲器的输出电压由存储在存储电容器中的电压补偿，且在数据输入周期的第二周期，第二开关被接通且源极跟随器型模拟缓冲器的输入端子被连接到源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A是主动矩阵显示器中使用LTPS薄膜晶体管的典型源极跟随器的电路图。

图1B示出了图1A源极跟随器的输出电压Vout的波形。

图1C示出了漏极电流(I_D)和图1A的薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压(V_GS)曲线。

图2A示出了源极跟随器。

图2B示出了图2A源极跟随器的输出电压波形。

图3A示出了具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器。

图3B和图3C示出了施加到图3A的源极跟随器型模拟缓冲器的个别补偿操作。

图4A示出了具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器。

图4B和图4C示出了施加到图4A的源极跟随器型模拟缓冲器的个别补偿操作。

图5A示出了本发明优选实施例的具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器。

图5B示出了施加到图5A的源极跟随器型模拟缓冲器的个别补偿操作。

图6A示出了当输入电压变化时图5A的源极跟随器型模拟缓冲器的模拟结果。

图6B示出了图5A的源极跟随器型模拟缓冲器的输入电压Vin与输出电压Vout之间的关系。

图6C示出了图5A的所提议的源极跟随器型模拟缓冲器的输入电压Vin与误差电压之间的关系。

图7A示出了当输入电压为4V、5V或6V时图3A的源极跟随器型模拟缓冲器的蒙地卡罗(Monte Carlo)模拟结果。

图7B示出了Chung的模拟缓冲器、Kida的双偏移消除模拟缓冲器和本发明所提议的模拟缓冲器中根据蒙地卡罗模拟的与Vbias有关的输出电压标准偏差和功率消耗的结果。

图8A示出了具有有效负载的Chung的模拟缓冲器和其操作原理的示意图。

图8B示出了图8A的Chung的模拟缓冲器的输出电压变化的蒙地卡罗模拟结果。

图9A示出了具有有效负载的Kida的双偏移抵消模拟缓冲器。

图9B示出了具有有效负载的Kida的双偏移抵消模拟缓冲器的输出电压变化的蒙地卡罗模拟结果。

图10A示出了现有源极跟随器、Chung的模拟缓冲器、Kida的双偏移抵消模拟缓冲器和本发明所提议的模拟缓冲器中根据蒙地卡罗仿真计算得到的输出电压标准偏差的比较结果。

图10B示出了Chung的模拟缓冲器、Kida的双偏移抵消模拟缓冲器和本发明所提议的模拟缓冲器中根据蒙地卡罗模拟的与Vbias有关的输出电压标准偏差和功率消耗的结果。

图11示出了与显示器有关的本发明的一实施例，所述显示器具有多个源极跟随器型模拟缓冲器以用于驱动其中多个数据总线的负载电容。

附图符号说明

100：源极跟随器

110：薄膜晶体管

200：源极跟随器

300：源极跟随器

320：有效负载

400、500：源极跟随器型模拟缓冲器

410、510：驱动晶体管

420、520：有效负载

430：负载电容器

440、530：存储电容器

1100：显示器

1110：栅极驱动设备

1112₁、1112₂、1112₃、...、1112_n：栅极线

1120：源极驱动设备

1130：面板

1122₁、1122₂、1122₃、...、1122_m：数据线

1121：移位寄存器

1123：数据闩锁电路

1125：电平移位器

1127：数字/模拟转换器

1129：缓冲器

1129₁、1129₂、1129₃、...、1129_m：缓冲单元

M1、M2：薄膜晶体管

C1：电容器

S1～S4：开关

N1、N2、N3、N4、N5、N6：节点

T1：补偿周期

T2：数据输入周期

Cload：负载电容器

I_D：漏极电流

Vin：输入电压

Vdd：操作电压

Vout：输出电压

Vbias：偏压

具体实施方式

本发明提供一种具有有效负载的源极跟随器型模拟缓冲器，及一种新颖补偿操作方法经发展以降低模拟缓冲器的输入电压与输出电压之间误差电压的差值。源极跟随器型模拟缓冲器还可使充电时间和设备特征两者的变化最小化，并使输入电压范围最大化。

在2006年2月16日申请名称为“SOURCE-FOLLOWER TYPE ANALOGUE BUFFER，COMPENSATING OPERATION METHOD THEREOF，AND DISPLAY THEREWITH”的第11/356,160号专利申请案中提出一种源极跟随器，其中上述专利申请案的全文以引用的方式并入本文中且成为本说明书的一部分。如图3A中所示，加入有效负载320，其为薄膜晶体管。有效负载320经设计以具有较大通道长度(L)以使得直流(DC)电流最小化且降低扭结效应(kink effect)。图3B中示出了输出电压Vout波形。显然，减少了输出电压Vout的非饱和现象。结果，具有有效负载的源极跟随器300优先拥有耐充电时间变化特征。

然而，如果将图3A的所提议的源极跟随器直接应用到主动矩阵显示器的模拟缓冲器中，那么对于应用来说要考虑LTPS薄膜晶体管的变化(例如临界值电压或迁移率等)。接着，请参看图3C，其示出了源极跟随器的模拟输出电压(Vout)波形与操作时间，其中对其施加相同输入电压Vin(4V或6V)。显然，典型源极跟随器受到因LTPS薄膜晶体管变化导致的巨大变化。

请参看图4A，本文介绍一种具有有效负载420的源极跟随器型模拟缓冲器400，其也在上述专利申请案中提出。所述源极跟随器型模拟缓冲器400包含驱动晶体管410、有效负载420、负载电容器430、存储电容器440和多个开关S1到S4。所述驱动晶体管410是薄膜晶体管，例如低温多晶硅薄膜晶体管。有效负载420是薄膜晶体管，且栅极端子在电压电平Vbias下恒定偏压。

耦合到输入电压Vin的节点N1在开关S3的控制下连接到节点N2。节点N2连接到存储电容器440的一个端子，且在开关S2的控制下进一步连接到节点N5。节点N3连接到存储电容器440的另一个端子和驱动晶体管410的栅极端子，且在开关S1的控制下进一步连接到节点N4。节点N4耦合到操作电压Vdd且还连接到驱动晶体管410的漏极端子。节点N5连接到有效负载420和驱动晶体管410的源极端子，且在开关S4的控制下进一步连接到节点N6。节点N6连接到负载电容器430。节点N6的电压电平是源极跟随器型模拟缓冲器400的输出电压Vout。

在上述专利申请案中提议一种补偿操作方法以使充电时间和设备特征两者的变化最小化且使得输入电压范围最大化。举例来说，在图4B和图4C中示出了替代性提议。首先请连同图4A所示的模拟缓冲器400来参看图4B。在时间t0处，作为有效负载420的薄膜晶体管的栅极电压在电压电平Vbias下恒定偏压。在补偿周期T1期间，开关S1和S2在从时间t0到时间t1被接通，且在时间t1处，开关S1被断开。在补偿周期T1结尾(即，时间t2)，开关S2被断开。因而，电压降被存储在存储电容器440中。

在数据输入周期T2期间，输入电压Vin移位到逻辑高电平且施加到节点N1，且开关S3和S4被接通。驱动晶体管410的栅极端子被施加输入电压Vin电压和保持在存储电容器440中的电压差。因此，输出电压由存储在存储电容器440中的电压补偿。

对于另一补偿操作提议请连同图4A所示的模拟缓冲器400来参看图4C。在时间t0处，作为有效负载420的薄膜晶体管的栅极电压在电压电平Vbias下恒定偏压。在补偿周期T1期间，开关S1和S2在整个补偿周期T1中被接通。在补偿周期T1结尾(即时间t1)，开关S1和S2被断开。因而，电压降存储在存储电容器440中。在数据输入周期T2期间，输入电压Vin移位到逻辑高电平且施加到节点N1，且开关S3和S4被接通。驱动晶体管410的栅极端子被施加输入电压Vin电压和保持在存储电容器440中的电压差。因此，输出电压由存储在存储电容器440中的电压补偿。

然而，考虑到误差电压(其为模拟缓冲器的输入电压与输出电压之间的差值)，本发明中提出一种新颖结构。请参看图5A，本文介绍一种具有有效负载520的源极跟随器型模拟缓冲器500，其为本发明的优选实施例。源极跟随器型模拟缓冲器500包含驱动晶体管510、有效负载520、存储电容器530和多个开关S1到S5。驱动晶体管510是薄膜晶体管，例如低温多晶硅薄膜晶体管。有效负载520是薄膜晶体管，且栅极端子在电压Vbias下恒定偏压。

连接到输入电压(Vin)源的节点N1在开关S3的控制下连接到节点N2，且还在开关S5的控制下连接到节点N6。节点N2连接到存储电容器530的一个端子，且在开关S2的控制下进一步连接到节点N5。节点N3连接到存储电容器530的另一个端子和驱动晶体管510的栅极端子，且在开关S1的控制下进一步连接到节点N4。节点N4耦合到操作电压Vdd且还连接到驱动晶体管510的漏极端子。节点N5连接到有效负载520和驱动晶体管510的源极端子，且在开关S4的控制下进一步连接到节点N6。节点N6处的电压电平是源极跟随器型模拟缓冲器500的输出电压Vout。

本文提到本发明中所提议的补偿操作方法以降低输入电压与输出电压之间的误差电压，且使充电时间和设备特征两者的变化最小化并使得输入电压范围最大化。举例来说，图5B中示出了对于操作原理的本发明实施例。首先请伴随图5A所示的模拟缓冲器500来参看图5B。在时间t0处，作为有效负载520的薄膜晶体管的栅极电压在电压电平Vbias下恒定偏压。在补偿周期T1期间，开关S1和S2在从时间t0到时间t1被接通，且在时间t1处，开关S1被切断。在补偿周期T1结尾(即，时间t2)，开关S2被断开。因而，电压降被存储在存储电容器530中。

在数据输入周期T2内从时间t2到时间t3的周期期间，输入电压Vin转换成逻辑高电平且施加到节点N1，且开关S3和S4被接通。驱动晶体管510的栅极端子被施加输入电压Vin电压和保持在存储电容器530中的电压差。因此，输出电压由存储在存储电容器530中的电压来补偿。在数据输入周期T2内从时间t3到时间t4的周期期间，开关S3和S4被断开且开关S5被接通，以将输出电压Vout耦合到输入电压Vin。从时间t3到时间t4的周期期间中，将输出电压Vout耦合到输入电压Vin来显著降低误差电压的影响，其中误差电压为模拟缓冲器500的输入电压与输出电压之间的差值。

请参看图6A，其示出了当输入电压变化时图5A的源极跟随器型模拟缓冲器500的模拟结果。在图6A中，示出了源极跟随器型模拟缓冲器500的模拟输出电压(Vout)波形与操作时间。本发明所提出的源极跟随器型模拟缓冲器500和其补偿操作方法可使充电时间和设备特征两者的变化最小化，并使得输入电压范围最大化。所提议的源极跟随器型模拟缓冲器500的充电时间低于15μs(微秒)，且现有源极跟随器型的充电时间大于本发明的充电时间。从图6A中可见，充电时间约为8μs。

另请参看图6B，其示出了所提议的源极跟随器型模拟缓冲器500的输入电压Vin与输出电压Vout之间的关系。输入电压Vin与输出电压Vout之间的线性关系得到了改良。输入电压Vin与输出电压Vout之间的电压差显著降低，这意味着所提议的源极跟随器型模拟缓冲器500和其补偿操作方法减小了误差电压。请再参看图6C，其示出了所提议的源极跟随器型模拟缓冲器500中的输入电压Vin与误差电压之间的关系。误差电压被降低到低于0.05(5.00E-02)V，其显著地降低而并非像现有源极跟随器型模拟缓冲器中的误差电压那样。

图7A中示出了当输入电压为4V、5V或6V时，图5A的源极跟随器型模拟缓冲器500的蒙地卡罗模拟结果，其示出了源极跟随器型模拟缓冲器500的仿真输出电压(Vout)波形与操作时间。为了研究设备变化对电路性能的影响，在平均值中执行假设正态分布的蒙地卡罗仿真，且临界值电压和移动率的偏差分别为1V、1V、77.1cm²/vs和20cm²/vs。电路仿真中LTPS薄膜晶体管的每一者独立变化。经由比较图2A的源极跟随器200的结果，显然源极跟随器200比图5A的源极跟随器型模拟缓冲器500受到更多因LTPS薄膜晶体管变化导致的变化。

本发明的源极跟随器型模拟缓冲器具有对于多晶硅薄膜晶体管特征变化的高抗扰性特征、简单配置能力、低功率消耗和信号定时变化(即非饱和现象)最小化的能力。本发明的源极跟随器型模拟缓冲器适合用于有效矩阵显示器中，例如主动矩阵液晶显示器(AMLCD，active matrix liquid crystaldisplay)或主动矩阵有机发光显示器(AMOLED，active matrix organic lightemitting display)。更具体地说，本发明的源极跟随器型模拟缓冲器适合用于AMLCD或AMOLED的“面板上***”应用。在使用多晶硅薄膜晶体管的驱动电路中，所提议的模拟缓冲器对于驱动面板中数据总线的负载电容是不可缺少的。

在所属领域中曾提出若干具有有效负载的现有源极跟随器型模拟缓冲器。请参看图8A，其示出了具有有效负载的Chung的模拟缓冲器和其操作原理(H.J.Chung、S.W.Lee和C.H.Han，IEE Electronics Letters，第37卷，第1093页，2001年)的示意图，且图8B示出了输出电压变化的蒙地卡罗模拟结果。请再参看图9A，其示出了具有有效负载的Kida的模拟缓冲器(Y.Kida、Y.Nakajima、M.Takatoku、M.Minegishi、S.Nakamura、Y.Maki和T.Maekawa，EURODISPLAY，第831页，2002年)，且其蒙地卡罗模拟结果也在图9B中示出了。

请参看图10A，其比较现有源极跟随器、Chung的模拟缓冲器、Kida的双偏移抵消模拟缓冲器和本发明所提议的模拟缓冲器中根据蒙地卡罗模拟结果计算得到的输出电压标准偏差。所有电路包含有效负载以抵消非饱和行为。与现有技术相比，本发明所提议的模拟缓冲器以包含较宽操作范围和较小偏差在内的优点而显著。此外，偏差更少依赖于输入电压，这反映了所提议的电路的良好补偿。图10B中示出了与Vbias有关的输出电压标准偏差和功率消耗，其展现Vbias应有恰当设计以使偏差最小化且同时功率消耗最低。

本发明的源极跟随器型模拟缓冲器具有对于多晶硅薄膜晶体管特征变化的高抗扰性特征、简单配置能力、低功率消耗和信号定时变化(即，非饱和现象)最小化的能力，其适于驱动主动矩阵显示器中多个数据总线的负载。显示器具有多个源极跟随器型模拟缓冲器以用于驱动显示器中多个数据总线的负载电容，其在图11中示出了。显示器1100包含面板1130、栅极驱动设备1110和源极驱动设备1120。栅极驱动设备1110的多个栅极线(例如，n个栅极线1112₁、1112₂、1112₃、...、1112_n)连接到面板1130，且源极驱动设备1120的多个数据线(例如，m个数据线1122₁、1122₂、1122₃、...、1122_m)连接到面板1130，且栅极线和数据线以数组方式互相连接。多个像素被***在栅极线与数据线的互连点之间。

源极驱动设备1120可包含移位寄存器1121、数据闩锁电路1123、电平移位器1125、数字/模拟转换器1127和缓冲器1129。缓冲器1129包含m个缓冲单元1129₁、1129₂、1129₃、...、1129_m以耦合到相应的数据线1122₁、1122₂、1122₃、...、和1122_m。缓冲单元1129₁、1129₂、1129₃、...、1129_m如本发明前述实施例中介绍的模拟缓冲器。本发明的源极跟随器型模拟缓冲器适合用于AMLCD或AMOLED的“面板上***”(SoP，System on Panel)应用。在使用多晶硅薄膜晶体管的驱动电路中，所提议的模拟缓冲器对于驱动面板中数据总线的负载电容是不可缺少的。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视本发明的申请专利范围所界定者为准。

Claims

1.一种源极跟随器型模拟缓冲器，其包括：

存储电容器，其中，所述存储电容器的第一端子经由第一开关(S1)连接到操作电压源，所述存储电容器的第二端子经由第三开关(S3)连接到输入电压(Vin)源；

驱动晶体管，其中，所述驱动晶体管的栅极端子连接到所述存储电容器的所述第一端子，所述驱动晶体管的漏极端子连接到所述操作电压源，且所述驱动晶体管的源极端子经由第二开关(S2)连接到所述存储电容器的所述第二端子；以及

有效负载，其中，所述有效负载的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述源极端子且经由第四开关(S4)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，且所述有效负载的第二端子连接到接地，所述有效负载由偏压控制，其中所述输入电压源经由第五开关(S5)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

2.如权利要求1所述的源极跟随器型模拟缓冲器，其中，所述驱动晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的源极跟随器型模拟缓冲器，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管。

4.一种模拟缓冲器的补偿操作方法，所述模拟缓冲器包括驱动晶体管和负载电容器，其中，存储电容器和第一开关安置在所述驱动晶体管的栅极端子与源极端子之间，且所述驱动晶体管的漏极端子连接到操作电压源，所述负载电容器安置在所述开关和所述源极端子的接点与接地之间，其中，输入电压源经由第二开关连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，其中所述补偿操作方法包括：

在补偿周期期间，所述第一开关被接通且所述存储电容器耦合到所述操作电压源，因而电压降被存储在所述存储电容器中；以及

在数据输入周期期间，在所述数据输入周期的第一周期，输入电压被施加到所述存储电容器与所述第一开关之间的接点处，因而所述驱动晶体管的所述栅极端子被施加所述输入电压和保持在所述存储电容器中的电压差，且所述模拟缓冲器的输出电压由存储在所述存储电容器中的电压来补偿，且在所述数据输入周期的第二周期，所述第二开关被接通且所述输入电压源连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

5.如权利要求4所述的补偿操作方法，其中，在停止所述存储电容器耦合到所述操作电压源之后的预定时间间隔，所述第一开关被断开。

6.如权利要求5所述的补偿操作方法，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管，且由偏压控制。

7.一种显示器，其具有多个源极跟随器型模拟缓冲器以用于驱动所述显示器中多个数据总线的负载电容，所述源极跟随器型模拟缓冲器的每一者包括：

存储电容器，其中所述存储电容器的第一端子经由第一开关(S1)连接到操作电压源，所述存储电容器的第二端子经由第三开关(S3)连接到输入电压源；

驱动晶体管，其中所述驱动晶体管的栅极端子连接到所述存储电容器的所述第一端子，所述驱动晶体管的漏极端子连接到所述操作电压源，且所述驱动晶体管的源极端子经由第二开关(S2)连接到所述存储电容器的所述第二端子；以及

有效负载，其中所述有效负载的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述源极端子且经由第四开关(S4)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的输出端子，且所述有效负载的第二端子连接到接地，所述有效负载由偏压控制，其中所述输入电压源经由第五开关(S5)连接到所述源极跟随器型模拟缓冲器的所述输出端子。

8.如权利要求7所述的显示器，其中，所述驱动晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

9.如权利要求7所述的显示器，其中，所述有效负载是低温多晶硅薄膜晶体管。