CN101092233A - 微机电***装置 - Google Patents

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CN101092233A CNA2007100047455A CN200710004745A CN101092233A CN 101092233 A CN101092233 A CN 101092233A CN A2007100047455 A CNA2007100047455 A CN A2007100047455A CN 200710004745 A CN200710004745 A CN 200710004745A CN 101092233 A CN101092233 A CN 101092233A
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赵镇佑
朴勇和
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Abstract

本发明提供一种双轴微机电***(MEMS)装置。该MEMS装置包括移动板、台、驱动线圈、一对磁体、以及轭磁性体。该移动板被共轴支承在垂直于第二轴设置的第一轴上从而绕该第一轴枢转地移动。该台在该移动板的内部区域中被共轴支承在该第二轴上。该驱动线圈包括沿该驱动板的第一轴布置且通过所述台在中心分开的共轴线圈部分、以及第一连接线圈部分和第二连接线圈部分。该对磁体分别设置。该轭磁性体设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中并由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然地改变磁通密度。该MEMS装置提供了绕两个轴的可靠驱动并使旋转力加倍。

Description

微机电***装置
技术领域
本发明涉及微机电***(MEMS)装置，更特别地，涉及能绕两个相互垂直的轴旋转的双轴MEMS装置。
背景技术
近来，在各种技术领域中正在积极进行对可利用半导体制造技术制造的MEMS装置的研究，例如在显示装置、激光打印机、精密测量和精密制造等领域。例如，进行了许多研究以开发可以在显示装置中用来将从光源入射的束照射到预定显示区域上以形成图像的MEMS装置、以及可以用于开发微小MEMS光扫描器的MEMS装置，其可以聚集照射到预定显示区域以及从预定显示区域反射的光以读取图像信息。
这样的MEMS装置包括用于反射入射光的反射镜。反射镜具有彼此垂直地旋转的水平轴和垂直轴，并将从光源入射的光二维地照射到预定显示区域上。也就是说，镜通过绕水平轴在预定照射角范围内的旋转形成到显示器上的多个照射光线，且同时地在绕垂直轴在另一预定入射角范围内旋转时移动束斑从显示器的上部分到下部分。当一个显示器上的照射结束时，束斑的位置返回到该显示器的上部分。
在常规双轴MEMS装置的一种构造中，驱动线圈绕反射镜缠绕，一对第一磁体沿反射镜的水平旋转方向彼此面对地设置，镜在中间，一对第二磁体沿反射镜的垂直旋转方向彼此面对地设置，镜在中间。由第一和第二磁体的对形成的磁场与流过驱动线圈的电流形成的磁场相互作用以提供分别绕垂直和水平旋转轴的转矩，由此绕两个轴驱动反射镜。在常规双轴光扫描器的另一构造中，包在驱动线圈中的反射镜设置在彼此面对的一对磁体之间，反射磁体的水平和垂直旋转轴相对于该对磁体形成的磁场对角地设置。与流过驱动线圈的电流交叉的磁场提供绕轴之一的转矩。来自于转矩的力沿水平旋转轴的分量和沿垂直旋转轴的分量被用来绕两个轴旋转反射镜。
然而，在具有第一和第二磁体对的常规构造中，由于磁体需要彼此接近地设置，因此产生了磁干扰，其引起驱动功率损失和具有不期望的噪声分量的振动模式。此外，在具有相对于磁场对角设置的水平和垂直旋转轴且利用所得转动力分量的常规构造中，来自相同转矩的转动力分量被用来绕两个轴驱动所述镜。因此，当共振通常发生时为了以不同频率获得精确的水平和垂直扫描，需要非常精确的控制技术。另外，磁场和旋转轴之间的对准误差直接影响水平和垂直驱动力之间力的分布。
发明内容
本发明提供一种可靠地双轴驱动且具有常规MEMS装置两倍的驱动功率的MEMS装置。
根据本发明的一个方面，  提供一种微机电***(MEMS)装置，包括：移动板，共轴地支承在第一轴上从而绕垂直于第二轴设置的第一轴枢转地移动；台，在该移动板的内部区域中共轴地支承在该第二轴上；驱动线圈，包括沿移动板的第一轴布置且通过所述台在中心分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；一对磁体，具有相反的极性且分别靠近第一和第二连接线圈部分设置，从而形成横贯该驱动线圈的磁场；以及轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然改变磁通密度。
根据本发明的另一方面，提供一种MEMS装置，包括：移动板，共轴地支承在第一轴上从而绕垂直于第二轴设置的第一轴枢转地移动，且包括形成在其中心的台区域；驱动线圈，包括沿该移动板的第一轴布置且通过该台区域分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；一对磁体，具有相反极性且分别靠近该第一和第二连接线圈部分设置，以形成横贯该驱动线圈的磁场；以及轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然改变磁通密度。
根据本发明的另一方面，提供一种MEMS装置，包括：万向架，被支承从而绕第一轴移动；移动板，被支承从而绕第二轴枢转地移动，且包括形成在其中心的台区域；驱动线圈，包括沿该移动板的该第一轴布置并被该台区域分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；一对磁体，具有相反极性且分别靠近该第一和第二连接线圈部分设置以形成横贯该驱动线圈的磁场；以及轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然改变磁通密度。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加显然，附图中：
图1是根据本发明一实施例的MEMS装置的平面图；
图2是图1的MEMS装置的平面图，示出绕第二轴的旋转；
图3是沿线III-III截取的图1的MEMS装置的垂直剖视图；
图4和5分别示出图1的MEMS装置中仅通过一对磁体形成的磁场的磁通分布和磁通矢量分布；
图6示出当轭(yoke)磁体设置在图1的MEMS装置中的一对磁体之间时磁场的磁通矢量分布；
图7A至7C是曲线图，示出图1的MEMS装置中一对磁体之间形成的磁通密度在不同垂直位置处的分布；
图8至10是根据本发明另一些实施例的MEMS装置结构的平面图；以及
图11是沿线XI-XI截取的图10的垂直剖视图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述根据本发明优选实施例的MEMS装置，附图中示出了本发明的示例性实施例。图1是根据本发明一实施例的MEMS装置的平面图。参考图1，该MEMS装置包括绕第一轴(x-轴)支承的移动板100、在移动板100内绕第二轴(y-轴)支承的台155、缠绕在移动板100上的驱动线圈110、以及一对磁体(magnet)130，移动板100设置在其间。移动板100通过第一轴部件151在两端被支承，且绕第一轴(x-轴)和垂直于第一轴的第二轴(y-轴)枢转(pivot)。为了弹性地支承绕两轴枢转的移动板，第一轴部件151由能沿轴方向扭曲(twist)且沿与地表面垂直的方向弯曲的一类弹性弹簧制成。通过第二轴部件152支承的台155设置在移动板100内。台155通过第二轴部件152接收移动板100的旋转运动，且与移动板100一道绕x-轴和y-轴旋转。
驱动线圈110以闭合回路结构绕移动板100上的台155缠绕。更详细地。驱动线圈110包括沿第一轴(x-轴)设置的共轴线圈部分111a和111b、以及连接共轴线圈部分111a和111b的末端的第一和第二连接线圈部分115和115’。共轴线圈部分111a和111b沿第一轴(x-轴)布置，并且通过移动板100中心的台155分成两个部分。第一和第二连接线圈部分115和115’的每个在彼此相对的位置连接共轴线圈部分111a和111b的左和右末端，使得它们与磁体130接近地布置。连接线圈部分115和115’可包括与第一轴(x-轴)间隔开且与该轴平行地行进的直线圈部分115a、以及在直线圈部分115a两端形成圆化形状的弯曲线圈部分115b。例如，直线圈部分115a可以延伸与共轴线圈部分111a和111b的一段相同的长度，弯曲线圈部分115b可以是具有预定半径的部分圆。
还可以绕驱动线圈110的外部设置辅助线圈120。辅助线圈120可以沿移动板100的周边缠绕得相关于第一轴(x-轴)和第二轴(y-轴)对称。辅助线圈120不是本发明的必要元件；然而，它可以有助于台155被驱动的速度且通过增大转矩允许增大的位移(displacement)。驱动线圈110和辅助线圈120用相同的薄金属线以对应形状连续地缠绕，且可以电连接以共享不同信号。附图标记125表示用于施加驱动电流到驱动线圈110和辅助线圈120的接触端子。
磁体对130设置为彼此面对，移动板100在其间，且磁体130的对沿横贯驱动线圈110的方向形成磁场B以根据Lorentz法则产生电磁力Tx和Ty。通常，由磁体对130形成的磁场B在磁场方向(y-轴)上磁通密度逐渐减弱。因此，设置在磁体附近的连接线圈部分115处于高密度磁通区域，设置在较远离磁体130的移动板100中心部分的共轴线圈部分111a和111b处于低密度磁通区域。因此，对每个连接线圈部分115和115’以及共轴线圈部分111a和111b，存在不均匀的感应电磁力。
通过驱动线圈110的预定电流(i)与通过磁体对130形成的磁场B相互作用从而感应沿图1所示方向的电磁力。例如，当驱动电流(i)以顺时针方向环行时，电磁力沿从地面向上推动第一连接线圈部分115的方向施加到第一连接线圈部分115上，且电磁力施加到第二连接线圈部分115’上，将其向下朝地面推。这里，作用到第一和第二连接线圈部分115和115’上的沿彼此相反方向的电磁力用作相关于第一轴(x-轴)的一对力以产生转矩从而沿相同方向枢转移动板100。这里，布置在第一轴(x-轴)上的共轴线圈部分111a和111b不具有绕相同的第一轴(x-轴)的矩臂(moment arm)，因此它们不能提供转矩。移动板100绕第二轴(y-轴)的转动情形根据驱动线圈110的每个部分提供的转矩的值来确定。参考图2以更详细地说明，位于磁体130附近的直线圈部分115a的转矩(Mc)相对大于共轴线圈部分111a和111b的转矩(Ma)(Mc＞＞Ma)。这是由磁体130之间形成的磁场B的磁通分布引起的。直线圈部分115a利用高磁通密度(接近于Bmax)感应电磁力，而另一方面，共轴线圈部分111a和111b利用低磁通密度(Bmin)。因此，直线圈部分115a的转矩(Mc)克服共轴线圈部分111a和111b的转矩(Ma)从而沿相同方向枢转移动板100。这里，为了根据与磁体130的相对距离迅速改变磁通密度，当梯度增大时，暴露到最小磁通密度(Bmin)的共轴线圈部分111a和111b与暴露到最大磁通密度(Bmax)的直线圈部分115和115’之间的磁通密度会增大，因此力非均匀性有助于绕第二轴(y-轴)的旋转。此外，为了迅速改变本发明的磁场B的磁通分布，轭磁性体(yokemagnetic body)180设置在磁体130之间。这将在下面详细描述。
相关于第二轴(y-轴)，较远设置的弯曲线圈部分115b具有比移动板内的弯曲线圈部分115b更长的矩臂(Lo＞＞Li)，因此较外的弯曲线圈部分115b的转矩克服里面的弯曲线圈部分115b的转矩(Mo＞＞Mi)，且移动板100沿相同方向旋转。结果，移动板100绕第二轴(y-轴)的转动利用驱动线圈110的部分处转矩的非均匀性，且利用转矩差(Mc-Ma)和(Mo-Mi)作为驱动力。参考图1的辅助线圈120中感应的电磁力分布，辅助线圈120由于力平衡而提供绕第一轴(x-轴)的额外转矩，且提供绕第二轴(y-轴)的额外转矩。
当顺时针环行的正充电驱动电流应用到逆时针环行的负充电驱动电流时，移动板100绕第一轴(x-轴)和第二轴(y-轴)以相反方向枢转，因此，以预定频率放电的正和负充电交流信号被施加从而驱动移动板100绕第一轴(x-轴)和第二轴(y-轴)枢转。移动板100可以绕第一轴(x-轴)和第二轴(y-轴)以分别不同的第一和第二频率移动，例如，它可以以60Hz绕第一轴(x-轴)且以25kz绕第二轴(y-轴)被驱动。为此，施加到驱动线圈110的驱动信号可以是具有第一频率的驱动信号和具有第二频率的驱动信号的叠加形式。移动板100内的台155通过次级轴部件152接收绕两个轴(x-轴和y-轴)的移动。台155可以绕第一轴(x-轴)和第二轴(y-轴)转动，并将从光源入射的光以二维照射到显示区域上。例如，台155以高频率绕第二轴(y-轴)在预定照射角内转动从而形成显示器上的多条照射线(用于水平照射)，且以低频率绕第一轴(x-轴)在另一预定照射角内转动从而在垂直方向上移动照射角(用于垂直照射)。
图3是沿线III-III截取的图1的MEMS装置的垂直剖视图。参考图3，移动板100设置在彼此面对的磁体对130之间，轭磁性体180设置在磁体对130之间在下面的区域。轭磁性体180由可以被磁体130磁化的铁磁或顺磁材料形成。例如，其大多可由具有2500的相对磁导率(relative permeability)的铁形成。
图4和5分别示出由磁体对130形成的磁场的磁通分布和磁通矢量分布。参考图4和5，磁通密度在磁场聚集的磁体表面处最大，且随着从磁体130发射的磁场扩展，磁通密度逐渐减小，使得磁通密度在磁体130之间的中心区域处最小。图3和6示出设置在磁体对130之间的轭磁性体180以及磁体130之间的空间中的磁通矢量和磁通线。参考图3和6，被磁化的轭磁性体180使磁通线(磁通矢量)在轭磁性体180上方弯曲，磁场扩展且磁通密度向设置轭磁性体180处磁体130之间的中部逐渐减小。图7A至7C是曲线图，示出在不同的垂直位置处(z-轴上)磁体130之间形成的磁通密度的分布。这里，垂直高度(z-轴上)开始于磁体的中间(该处z＝0)。参考图7A至7C，水平轴是沿电场方向(沿y-轴)的位置，垂直轴示出磁通密度B。在仅用磁体对130形成的具有剖面(profile)P的磁场中，没有基于垂直高度(z＝-1、0、1)改变的突变，且近似分布的范围在从0.58T的最大值到0.23T的最小值，反映了约0.35T的偏差。当增加轭磁性体180时，具有剖面N的磁场具有更低的最小磁通密度和增大的磁通密度偏差。在z＝-1、0和1的垂直高度处，磁通密度变化分别为0.56T、0.46T和0.42T。磁通密度变化在具有低垂直高度的轭磁性体180周围的空间中增大。因此，在利用磁通密度变化的绕第二轴(y-轴)的旋转中，调整了移动板100的垂直位置，使得移动板100靠近轭磁性体180，由此增大了旋转力。
在下面的表1中，改变最小对最大磁通密度的比率(Bmin/Bmax)以计算第一轴转矩Tx和第二轴转矩Ty。参考表1，磁通密度的比率(Bmin/Bmax)下降且第一轴转矩Tx相应地变小。另一方面，随着磁通密度比率(Bmin/Bmax)下降，第二轴转矩Ty逐渐增大。当轭磁性体180设置在磁体130之间时，磁通密度突然改变，从而当磁通密度比率(Bmin/Bmax)下降时，第二轴转矩Ty增大。
表1
    Bmin/Bmax     Tx     Ty
    1     514     0
    0.9     506     23
    0.8     498     46
    0.7     490     69
    0.6     483     92
    0.5     475     115
    0.4     467     138
图8是根据本发明另一实施例的MEMS装置结构的平面图。下面，详细描述将集中在上述实施例和图8所示的实施例之间的区别上。根据本实施例的MEMS装置也包括设置在彼此面对的一对磁体230之间的移动板200、以及以预定形状缠绕在移动板200上且包括共轴线圈部分211a和211b以及连接线圈部分215和215’的驱动线圈210。此外，辅助线圈220还可以设置在驱动线圈210的外边缘上，且驱动线圈210和辅助线圈220可以接收来自相同连接端子225的驱动电流(i)。驱动线圈210和辅助线圈220的形状和功能与参考图1已经给出的描述相同。台255设置在移动板200的中心部分。台255不构造为可从移动板200移动，且可形成移动板200的一部分或者可以形成在移动板200上作为光反射表面。
为了弹性地支承在第一和第二轴(x-轴和y-轴)上枢转的移动板200，轴部件251可以沿其轴方向扭曲且在垂直于地面的方向上弯曲。也就是说，轴部件251用作弹性弹簧，其变形以允许移动板200绕第一轴(x-轴)转动，且弯曲以允许移动板200绕第二轴(y-轴)转动。轭磁性体280设置在磁体230之间且在磁体230之上或之下的区域以扩展作为绕第二轴的驱动力Ty的基础的磁通密度的范围。
图9是根据本发明另一实施例的MEMS装置结构的平面图。参考图9，该MEMS装置包括设置在彼此面对的一对磁体330之间的移动板300、以及以预定形状缠绕在移动板300上的驱动线圈310。移动板300包括绕第一轴(x-轴)枢转地支承的外万向架(gimbal)302和绕第二轴(y-轴)枢转地支承的内万向架301。台355设置在内万向架301的中心部分，且可以具有形成在适当区域中的光反射表面的形式。驱动线圈310形成在内万向架301上并包括共轴线圈部分311a和311b以及连接线圈部分315和315’以提供绕第一和第二轴(x-轴和y-轴)的驱动力。外万向架302可以具有形成在其上的辅助线圈320以提供绕第一轴的驱动力。驱动线圈310和辅助线圈320的形式以及本实施例中感应的转矩与已经描述的实施例中相同。因此，绕第一轴的驱动力Tx由通过驱动线圈310感应的电磁力引起，且绕第二轴的驱动力Ty由来自磁通密度变化的电磁力非均匀性引起。内和外万向架301和302一起绕第一轴(x-轴)枢转，且内万向架301同时绕第二轴(y-轴)枢转。这里，外和内万向架302和301分别通过第一和第二轴部件351和352设置有旋转轴，第一和第二轴部件351和352用作弹性地支承枢转万向架301和302的弹性弹簧。由磁材料制成的轭磁性体380设置在磁体对330之间在磁体之上或之下的区域中，以增大磁通密度的梯度并增强绕第二轴的旋转力Ty。图9中的附图标记325表示将驱动电流施加到驱动线圈310和辅助线圈320的连接端子。
图10和11是根据本发明又一实施例的MEMS装置的平面图和垂直剖视图。该MEMS装置包括：彼此面对的一对磁体430；设置在磁体对430之间并包括近似长方形的外框架401的移动板400，移动板400可转动地支承在外框架401上；形成在移动板400的中心部分的台455；以及通过缠绕台455形成在移动板上的驱动线圈410。轭磁性体480设置在磁体430之间且之下的区域。移动板400通过从外框架401延伸的轴部件415被弹性地支承，从而绕第一和第二轴(x-轴和y-轴)枢转。包括形成有直线圈部分415a和弯曲线圈部分415b的连接线圈部分415以及共轴线圈部分411a和411b的驱动线圈410的形状、以及由其感应的绕第一和第二轴的转矩(Tx和Ty)与参考图1和2描述的实施例相同。因此，绕第一轴的枢转由驱动线圈410感应的转矩产生，绕第二轴的枢转由来自磁通密度变化的转矩非均匀性产生。在本实施例中，与共轴线圈部分411a和411b的磁通密度相比，连接线圈部分415的磁通密度由于连接线圈部分415，更具体地，直线圈部分415a设置得与磁体430交迭的事实而更强。也就是说，凹陷部分430’形成在彼此面对的磁体的表面中，移动板400置于磁体430之间，使得连接线圈部分415，更具体地，直线圈部分415a设置在凹陷部分430’中。为移动板400提供移动空间以在其中枢转，且外框架401由足够厚的膜材料或薄膜的多层结构形成，以防止移动板400与磁体430之间的物理干扰。设置在磁体对430之间且之下的轭磁性体480，如在其他实施例中所述，有利地改变磁通分布以获得更大的转动力。附着到轭磁性体480的屏蔽板481将内磁场空间与外部环境屏蔽。图10中的附图标记425表示用于电连接驱动线圈410的任一端的连接端子。
在本发明的双轴MEMS装置中，驱动线圈中感应的电磁力提供了绕第一轴的驱动力，且根据磁通密度分布的电磁力变化提供了绕第二轴的驱动力。在本发明中，引起磁通密度突变的轭磁性体设置在所述磁体之间以增大绕第二轴的旋转力。因此，所提供的MEMS装置适合于更快的驱动和更宽的位移。例如，当应用于光学扫描器时，显示分辨率可通过更快的光照射而提高，且更宽的显示面积可通过更宽的位移而形成。在本发明一实施例中，通过将驱动线圈的边缘部分插在形成于磁体中的凹陷部分中，根据驱动线圈位置的磁通密度改变可以进一步增大从而使驱动力增大加倍。
虽然已经参考其示例性实施例特别显示和描述了本发明，但本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求定义的本发明的思想和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (18)

1.一种微机电***MEMS装置，包括：
移动板，共轴地支承在第一轴上从而绕该第一轴和垂直于该第一轴设置的第二轴枢转地移动；
台，在该移动板的内部区域中共轴地支承在该第二轴上；
驱动线圈，包括沿该移动板的该第一轴布置且通过该台在中心分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；
一对磁体，具有相反极性且分别靠近该第一和第二连接线圈部分设置从而形成横贯该驱动线圈的磁场；以及
轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中，且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然地改变磁通密度。
2.根据权利要求1的MEMS装置，其中该轭磁性体主要由铁形成。
3.根据权利要求1的MEMS装置，其中该移动板位于该磁体对之间在比该磁体对的垂直中心线更高或更低的位置从而靠近该轭磁性体设置。
4.根据权利要求1的MEMS装置，其中该对磁体的每个磁体包括形成于其面对另一磁体的表面中且沿从另一磁体后退的方向凹进的凹陷部分，且该第一和第二连接线圈部分的至少一部分设置在该凹陷部分内。
5.根据权利要求1的MEMS装置，其中该第一和第二连接线圈部分包括与该第一轴分隔开且平行于该第一轴行进的直线圈部分、以及将该直线圈部分以圆化方式连接到该共轴线圈部分的弯曲线圈部分。
6.根据权利要求1的MEMS装置，还包括沿该移动板的周边关于该第一和第二轴对称地缠绕的辅助线圈。
7.一种MEMS装置，包括：
移动板，共轴地支承在第一轴上从而绕该第一轴和垂直于该第一轴设置的第二轴枢转地移动，且包括形成在其中心的台区域；
驱动线圈，包括沿该移动板的第一轴布置且通过该台区域分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；
一对磁体，具有相反极性且分别靠近该第一和第二连接线圈部分设置，从而形成横贯该驱动线圈的磁场；以及
轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中，且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然地改变磁通密度。
8.根据权利要求7的MEMS装置，其中该轭磁性体主要由铁形成。
9.根据权利要求7的MEMS装置，其中该移动板位于该磁体对之间在比该磁体对的垂直中心线更高或更低的位置从而靠近该轭磁性体设置。
10.根据权利要求7的MEMS装置，其中该对磁体的每个磁体包括形成于其面对另一磁体的表面中且沿从另一磁体后退的方向凹进的凹陷部分，且该第一和第二连接线圈部分的至少一部分设置在该凹陷部分内。
11.根据权利要求7的MEMS装置，其中该第一和第二连接线圈部分包括与该第一轴分隔开且平行于该第一轴行进的直线圈部分、以及将该直线圈部分以圆化方式连接到该共轴线圈部分的弯曲线圈部分。
12.根据权利要求7的MEMS装置，还包括沿该移动板的周边关于该第一和第二轴对称地缠绕的辅助线圈。
13.一种MEMS装置，包括：
万向架，被支承从而绕第一轴移动；
移动板，被支承从而绕第二轴枢转地移动，且包括形成在其中心的台区域；
驱动线圈，包括沿该移动板的第一轴布置且通过该台区域分开的共轴线圈部分、以及分别在其相反末端将该共轴线圈部分的左和右端部分连接到另一个的第一连接线圈部分和第二连接线圈部分；
一对磁体，具有相反极性且分别靠近该第一和第二连接线圈部分设置，从而形成横贯该驱动线圈的磁场；以及
轭磁性体，设置在该对磁体之间在该磁体之上或之下的区域中，且由能够被该磁体磁化的材料形成，从而根据该对磁体之间的距离突然地改变磁通密度。
14.根据权利要求13的MEMS装置，其中该轭磁性体主要由铁形成。
15.根据权利要求13的MEMS装置，其中该移动板位于该磁体对之间在比该磁体对的垂直中心线更高或更低的位置从而靠近该轭磁性体设置。
16.根据权利要求13的MEMS装置，其中该对磁体的每个磁体包括形成于其面对另一磁体的表面中且沿从另一磁体后退的方向凹进的凹陷部分，且该第一和第二连接线圈部分的至少一部分设置在该凹陷部分内。
17.根据权利要求13的MEMS装置，其中该第一和第二连接线圈部分包括与该第一轴分隔开且平行于该第一轴行进的直线圈部分、以及将该直线圈部分以圆化方式连接到该共轴线圈部分的弯曲线圈部分。
18.根据权利要求13的MEMS装置，还包括沿该移动板的周边关于该第一和第二轴对称地缠绕的辅助线圈。
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20071226