CN101036063A - 测试装置、测试方法、电子设备、以及设备生产方法 - Google Patents

测试装置、测试方法、电子设备、以及设备生产方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种测试装置，对包含场效应晶体管的电子设备进行测试，且该测试装置包括：电源，供给电子设备驱动用的电力；图案产生部，依次产生并供给多个测试图案，所述多个测试图案应供给到电子设备中；泄漏电流检测部，对场效应晶体管的泄漏电流进行检测；电压控制部，对施加到设置着场效应晶体管的衬底的衬底电压进行控制，以使由泄漏电流检测部所检测的泄漏电流成为规定的值；以及电源电流测定部，在每次施加各个测试图案时，对输入到电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的电源电流来判定电子设备的良否。

Description

测试装置、测试方法、电子设备、以及设备生产方法
技术领域
本发明涉及对设置着场效应晶体管(Field effect transistor)的电子设备进行测试的测试装置及测试方法、以及设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管的电子设备及设备生产方法。本发明尤其涉及测试时减小场效应晶体管的泄漏电流(leakage current)变动的影响的测试装置以及测试方法。关于通过文献的参照而允许编入的指定国，将下述日本专利申请案所记载的内容借由参照而并入本申请案中，以作为本申请案的一部分。
特愿2004-298260  申请日2004年10月12日
背景技术
先前，作为对半导体电路等电子设备进行测试的方法，众所周知有如下方法：对供给到电子设备中的电源电流进行测定，以检测电源电流的异常值(abnormal value)。例如，将各种测试图案施加到电子设备中，对电子设备的各种运行状态下的电源电流进行检测，根据电源电流是否处于规定的范围内来判定电子设备的良否。
因目前尚无相关联的专利文献等，所以省略相关联的专利文献等的记载。
然而近年来，因电子设备的微细化或电子设备中所含的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)的数量增多等，电子设备中的泄漏电流增加。泄漏电流因各电子设备的差异或温度变化等而变动。尤其是，COMS中的所谓亚阈值(subthreshold)泄漏电流因温度依存性(temperature dependency)大，所以难以稳定。因此，在先前的电源电流测试中，因泄漏电流的变动而导致供给到电子设备中的电源电流产生变动，从而产生如下问题：本应被判定为良品的电子设备也会被判定为不良。
而且，为了应对所述问题，众所周知的是如下方法：在电子设备内部设置温度传感器temperature sensor以及加热器(heater)等，以将电子设备的温度控制为固定。然而，对于所述控制而言，无法进行高精度的控制，因此无法充分减小泄漏电流的变动。
发明内容
因此本发明的目的在于提供可以解决所述问题的测试装置、测试方法、电子设备、以及设备生产方法。通过组合权利要求项中的独立项所述的特征来实现所述目的。而且，附属项规定了本发明的更有利的具体例。
为了解决所述问题，本发明的第1形态提供一种测试装置，对电子设备进行测试，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，且所述测试装置包括：电源，供给电子设备驱动用的电力；图案产生部，依次产生并供给多个测试图案，所述多个测试图案应供给到电子设备中；泄漏电流检测部，对场效应晶体管的泄漏电流进行检测；电压控制部，对施加到设置着场效应晶体管的衬底的衬底电压进行控制，以使由泄漏电流检测部所检测的泄漏电流维持规定的值；以及电源电流测定部，在每次施加各个测试图案时，对输入到电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的电源电流来判定电子设备的良否。
泄漏电流检测部分别测定p型的场效应晶体管的p型泄漏电流、与n型的场效应晶体管的n型泄漏电流，且电压控制部根据p型泄漏电流，对施加到衬底的高电压以及低电压中的高电压进行控制，并根据n型泄漏电流来对低电压进行控制。
电源电流测定部，使对各个测试图案所测定出的电源电流按照各个电源电流的大小顺序来排列，当排列后的电源电流不连续时，判定电子设备为不良。
电源电流测定部对经排列的电源电流进行二阶微分，当微分值的峰值大于等于规定值时，判定电子设备为不良。而且，电源电流测定部计算出经排列的电源电流中相邻的电源电流的差分，当计算出的差分中存在大于预定值的值时，判定电子设备为不良。
本发明的第2形态提供一种测试方法，对电子设备进行测试，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，且所述测试方法包括：电源供给阶段，供给用来驱动电子设备的电力；图案产生阶段，依次产生并供给多个测试图案，所述多个测试图案应供给到电子设备中；泄漏电流检测阶段，对场效应晶体管的泄漏电流进行检测；电压控制阶段，对施加到设置着场效应晶体管的衬底的衬底电压进行控制，以使泄漏电流检测阶段中所检测的泄漏电流维持规定的值；以及电源电流测定阶段，在每次施加各个测试图案时，对输入到电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的电源电流来判定电子设备的良否。
本发明的第3形态提供一种电子设备，设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，且包括泄漏电流检测电路，将与场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
泄漏电流检测电路包括虚设(dummy)晶体管，所述虚设晶体管具有与场效应晶体管大致相同的特性，且被给予着与场效应晶体管大致相同的电源电压，所述虚设晶体管的栅极端子与源极端子相连接着，并将漏极电流输出到外部。泄漏电流检测电路与输入测试图案的输入引脚独立地设置着。
泄漏电流检测电路包括：n型的虚设晶体管，将与n型的场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部；以及p型的虚设晶体管，将与p型的场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
电子设备更包括：电源端子，从外部的电源接收电力；以及衬底电压端子，与电源端子独立地设置，并接收施加到设置着场效应晶体管的衬底的电压。
本发明的第4形态提供一种设备生产方法，其生产电子设备，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，且所述设备生产方法包括：准备阶段，其准备衬底；电路形成阶段，在所述衬底上形成场效应晶体管；以及检测电路形成阶段，在衬底上形成泄漏电流检测电路，所述泄漏电流检测电路将与场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
本发明的第5形态提供一种测试装置，其对电子设备进行测试且包括：电源，供给电子设备驱动用的电力；图案产生部，依次产生并供给多个测试图案，所述多个测试图案应供给到电子设备中；以及电源电流测定部，在每次施加各个测试图案时，对输入到电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的电源电流来判定电子设备的良否；且图案产生部在每次将规定数量的测试图案供给到电子设备中时，产生具有规定图案的基准测试图案，并将基准测试图案供给到电子设备中，在每次将基准测试图案被供给到电子设备中时，电源电流测定部对由电源施加到电子设备中的电源电压进行控制，以使根据所述基准测试图案而供给到电子设备中的静止时的电源电流成为规定的值。图案产生部交替地产生测试图案与基准测试图案，并将所述测试图案与所述基准测试图案供给到电子设备中。
本发明的第6形态提供一种测试方法，其对电子设备进行测试且包括：电源供给阶段，供给电子设备驱动用的电力；图案产生阶段，依次产生并供给多个测试图案，所述多个测试图案应供给到电子设备中；基准测试图案产生阶段，在图案产生阶段中，每次将规定数量的测试图案供给到电子设备中时，产生具有规定图案的基准测试图案，并将所述基准测试图案供给到电子设备中；电源电流测定阶段，在每次施加各个测试图案时，对输入到电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的电源电流来判定电子设备的良否；基准电流测定阶段，在每次将各个基准测试图案供给到电子设备中时，对根据所述基准测试图案而供给到电子设备中的电源电流进行测定；以及电源电压控制阶段，对在电源供给阶段中施加到电子设备中的电源电压进行控制，以使基准电流测定阶段中所测定的静止时的电源电流成为规定的值。
另外，所述的发明概要并未列举出本发明的所有必要特征，所述多个特征群的次(sub)组合也可以成为发明。
根据本发明，可以消除电子设备200中所含的场效应晶体管的亚阈值泄漏电流的变动，从而可以高精度地对电子设备200的电源电流进行测定。因此，可以高精度地对电子设备200进行测试。
附图说明
图1是表示本发明的实施形态的测试装置100的构成的一例的图。
图2是表示电子设备200的构成的一例的图。
图3是表示对供给到电子设备200中的各测试图案进行测定而得的电源电流值的一例的图。
图3(a)表示依次所供给的各测试图案的电源电流值，图3(b)表示使经测定的电源电流值按照值从小到大的顺序排列。
图4是表示对经排列的电源电流的波形进行二阶微分后所得结果的一例的图。
图5是表示本发明的实施形态的对电子设备200进行测试的测试方法的一例的流程图。
图6是表示测试装置100的构成的其他例的图。
图7是表示测试装置100的构成的其他例的图。
图8是表示测试方法的其他例的流程图。
[符号的说明]
10：图案产生部                12：电源
14：电源电流测定部            16：第1电压控制部
18：第1泄漏电流检测部         20：第2泄漏电流检测部
22：第2电压控制部             100：测试装置
200：电子设备                 202：被测试电路部
204：p型场效应晶体管          206：n型场效应晶体管
208：p型虚设晶体管            210：n型虚设晶体管
212：衬底电压端子             214：泄漏电流检测端子
216：衬底电压端子             218：泄漏电流检测端子
220、222：电源端子            S300～S314、S400～S412：步骤
具体实施方式
以下，通过发明的实施形态来说明本发明，以下的实施形态并不限定权利要求中的发明，对于发明的解决手段而言，实施形态中所说明的所有特征的组合不一定是必须的。
图1是表示本发明的实施形态的测试装置100的构成的一例的图。测试装置100是对设置着场效应晶体管的电子设备200进行测试的装置，包括图案产生部10、电源12、电源电流测定部14、第1电压控制部16、第1泄漏电流检测部18、第2泄漏电流检测部20、以及第2电压控制部22。本例中，所谓场效应晶体管是指金属氧化物半导体(Metal-oxidesemiconductor，MOS)型的场效应晶体管。
电源12供给电子设备200驱动用的电力。本例中，电源12将恒定电压(constant voltage)的电力供给到电子设备200中。而且，图案产生部10依次产生并供给应供给到电子设备200中的多个测试图案。即，图案产生部10将不同的测试图案依次供给到电子设备200中，由此可以使电子设备200中产生不同的运行状态。在每次施加各个测试图案时，电源电流测定部14对从电源12供给到电子设备200中的电源电流进行检测。电源电流测定部14可以对电子设备200静止时的电源电流(IDD quiescent，IDDQ)进行检测。
第1泄漏电流检测部18以及第2泄漏电流检测部20，对电子设备200中所包含的场效应晶体管的泄漏电流进行检测。本例中，第1泄漏电流检测部18，对电子设备200中所包含的每单位数量的p型场效应晶体管的亚阈值泄漏电流进行检测，第2泄漏电流检测部20，对电子设备200中所包含的每单位数量的n型场效应晶体管的亚阈值泄漏电流进行检测。所谓亚阈值泄漏电流，是指流入场效应晶体管的通道间的泄漏电流。
而且，第1电压控制部16以及第2电压控制部22，对施加到电子设备200的衬底的衬底电压进行控制，以使由第1泄漏电流检测部18以及第2泄漏电流检测部20所检测的泄漏电流维持规定的值。即，根据泄漏电流的变动来控制衬底电压。此处所谓衬底，是指形成着场效应晶体管等半导体元件的半导体基板。
通常，将第1电压(高电压)施加到电子设备200的衬底的n型基板，将低于第1电压的第2电压(低电压)施加到p型区域(p-井)。
本例中，第1电压控制部16对施加到电子设备200的衬底的n型基板的第1电压进行控制，以使第1泄漏电流检测部18所检测出的泄漏电流固定。由此，将电子设备200所具有的p型场效应晶体管的泄漏电流控制为固定。
而且，第2电压控制部22对施加到电子设备200的衬底的p型区域的第2电压进行控制，以使第2泄漏电流检测部20所检测出的泄漏电流固定。由此，将电子设备200所具有的n型场效应晶体管的泄漏电流控制为固定。
利用所述动作，在图案产生部10将多个测试图案输入至电子设备200期间，将电子设备200中所包含的场效应晶体管的泄漏电流控制为固定。接着，电源电流测定部14根据对各测试图案测定出的电源电流的值，来判定电子设备200的良否。例如，电源电流测定部14使对各个测试图案所测定出的电源电流按照各个电源电流的大小顺序来排列，计算出相邻的电源电流的差分，当计算出的差分中存在大于预定值的值时，判定电子设备200为不良。
根据本例中的测试装置100，可以消除电子设备200中所包含的场效应晶体管的亚阈值泄漏电流的变动，从而可以高精度地判定电子设备200的良否。
图2是表示电子设备200的构成的一例的图。电子设备200包括：根据所给予的测试图案来运行的被测试电路部202、p型的虚设晶体管208、n型的虚设晶体管210、电源端子(220、222)、衬底电压端子(212、216)、以及泄漏电流检测端子(214、218)。
电源端子220中施加着电源电压VDD，所述电源电压VDD是从电源12经由电源电流测定部14而施加的。而且，电源端子222中施加着电源电压VSS。本例中，电源端子222接地。
而且，衬底电压端子(212、216)与电源端子(220、222)独立地设置着。衬底电压端子212中，施加着由第1电压控制部16所输出的电压(VBBP)，衬底电压端子216中施加着由第2电压控制部22所输出的电压(VBBN)。如此，独立地设置电源端子与衬底端子，由此可以控制电子设备200的衬底电压。
被测试电路部202设置在电源线(VDD)与电源线(VSS)之间，且被供给着电源电力。电源线(VDD)中经由电源端子220而施加着电源电压VDD。而且电源线(VSS)中施加着低于电源线(VDD)的电压。本例中，电源线(VSS)经由电源端子222而接地。而且，被测试电路部202中设置着多个p型场效应晶体管204、以及多个n型场效应晶体管206。各个场效应晶体管(204、206)的栅极端子上被给予了如下信号，并根据运行状态来消耗电源电流，所述信号对应于施加至电子设备200的测试图案。
p型的虚设晶体管208以如下方式而形成，即，具有与设置在电子设备200中的p型场效应晶体管204大致相同的特性，且p型的虚设晶体管208被施加着与p型场效应晶体管204大致相同的电源电压。本例中，p型的虚设晶体管208的源极端子上被施加着电源电压VDD。
n型的虚设晶体管210以如下方式而形成，即，具有与设置在电子设备200中的n型场效应晶体管206大致相同的特性，且n型的虚设晶体管210被施加着与n型场效应晶体管206大致相同的电源电压。本例中，n型的虚设晶体管210的源极端子上被施加着电源电压VSS。
各个虚设晶体管(208、210)使栅极端子与源极端子短路，将漏极电流输出到外部。p型的虚设晶体管208经由泄漏电流检测端子214，将漏极电流输出到第1泄漏电流检测部18。而且，n型的虚设晶体管210经由泄漏电流检测端子218，将漏极电流输出到第2泄漏电流检测部20。而且，各个虚设晶体管(208、210)与输入上述测试图案的输入引脚(未图示)独立地设置着。
虚设晶体管(208、210)与场效应晶体管(204、206)分别具有大致相同的特性，因被施加着大致相同的电源电压以及衬底电压，所以由虚设晶体管(208、210)输出的漏极电流，与所对应的场效应晶体管(204、206)中的泄漏电流大致相等。即，各个虚设晶体管(208、210)作为本发明中的泄漏电流检测电路而发挥作用。
根据所述构成，测试装置100可以对设置在电子设备200中的每单位数量的场效应晶体管的泄漏电流的大小进行检测。接着，测试装置100根据所述泄漏电流来对电子设备200的衬底电压进行控制，由此可以将电子设备200中所包含的场效应晶体管中的泄漏电流保持为固定。因此，测试装置100一边进行所述控制一边依次供给该测试图案，并对电源电流进行测定，由此可以高精度地对电源电流进行检测。
而且，本例中，电子设备200具有一对虚设晶体管(208、210)，但在其他例中，电子设备200可以具有多对虚设晶体管(208、210)。例如可以使虚设晶体管(208、210)大致均匀地分布在衬底上。此时，第1泄漏电流检测部18以及第2泄漏电流检测部20可以计算出由多个虚设晶体管(208、210)输出的电流的平均值。
而且，利用如下的设备生产方法来生产电子设备200，所述设备生产方法包括：准备阶段，准备电子设备200的衬底；电路形成阶段，在衬底上形成场效应晶体管(204、206)；以及检测电路形成阶段，在衬底上形成虚设晶体管(208、210)，且所述虚设晶体管(208、210)将与场效应晶体管(204、206)的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。设备生产方法可以更包括形成所述电源端子(220、222)、衬底电压端子(212、216)、以及泄漏电流检测端子(214，218)的阶段。
图3(a)、(b)是表示对供给到电子设备200的各测试图案进行测定而得的电源电流值的一例的图。图3(a)、(b)中，横轴表示已供给到电子设备200的测试图案，纵轴表示测定后的电源电流值。
图3(a)表示所依次供给的各测试图案的电源电流值。如图3(a)所示，电源电流测定部14对各个测试图案，测定与电子设备200的运行状态相对应的电源电流。此时，测试图案产生部10针对各测试图案，以使电子设备200中所包含的多个场效应晶体管中成为ON状态的场效应晶体管的数量依次变化的方式，生成多个测试图案。例如，测试图案产生部10，以使成为ON状态的场效应晶体管的数量以预定单位数量逐渐增加的方式，来生成各个测试图案。图3(a)中，横轴表示例如按照供给到电子设备200中的顺序来排列的测试图案。接着，电源电流测定部14按照从小到大的顺序来排列经测定的电源电流。
图3(b)表示按照值从小到大的顺序来排列经测定的电源电流值的状态。当成为ON状态的场效应晶体管的数量，在各测试图案中，各每单位数量不同时，所排列的电源电流的测定值近似直线。然而，当电子设备200发生故障时，如图3(b)所示，所排列的电源电流的测定值成为不连续的值。电源电流测定部14对所排列的电源电流的测定值中不连续处进行检测，以对电子设备200的故障进行检测。例如，电源电流测定部14对所排列的电源电流的波形进行二阶微分，并检测所述微分值的峰值，由此对不连续处进行检测。
图4是表示对所排列的电源电流的波形进行二阶微分后所得结果的一例的图。
如图4所示，由图3中电源电流的测定值不连续处来表现二阶微分值的峰值。当所述峰值的值大于等于预定基准值时，电源电流测定部14判定电子设备200发生了故障。
而且，因对于多个测试图案的电源电流进行测定需要较长时间，所以为了缩短测定时间，电源电流测定部14可以对更少的测试图案的电源电流进行测定，并根据所述电源电流的测定值来判定电子设备200的良否。
此时，电源电流测定部14利用例如最小平方法(least squares method)等来使所排列的电源电流的测定值近似于直线。接着，当近似的直线与电源电流的测定值的一致度大于规定的值时，判定电子设备200为良品。当近似的直线与电源电流的测定值的一致度小于等于规定的值时，电源电流测定部14可以对所排列的电源电流的测定值进行分割，在经分割的各个区域中，使电源电流的测定值近似于直线。
接着，电源电流测定部14可以在经分割的各个区域中，计算近似的直线与电源电流的测定值的一致度。而且电源电流测定部14可以在经分割的各个区域中，对近似的直线的倾斜度(inclination)进行比较，当倾斜度的差大于等于规定值时，可以判定电子设备200发生了故障。
图5是表示本发明的实施形态的对电子设备200进行测试的测试方法的一例的流程图。所述测试方法是与图1至图4中所说明的方法相同的方法，可以对电子设备200进行测试。
首先，在电源供给阶段中，供给用以驱动电子设备200的电力。接着，在图案产生阶段S300中，产生并供给上述应供给到电子设备200的测试图案。
而且，在泄漏电流测定阶段S302中，对电子设备200中所包含的场效应晶体管的泄漏电流进行检测。其次，在电压控制阶段S304中，对施加到设置着场效应晶体管的电子设备200的衬底的电压进行控制，以使泄漏电流成为规定的值。优选在测试中常时(full time)进行S302以及S304的处理。
接着，在使泄漏电流保持规定的值的状态下，在电源电流测定阶段S306中，对输入至电子设备200的电源电流进行测定。对电源电流进行测定之后，判定是否已对应施加到电子设备200中的所有测试图案完成了测定，当存在未测定的测试图案时，在S300中生成下一个测试图案，然后重复S300～S306的处理。
对所有的测试图案进行的测定结束后，在排列阶段S310中，以如图3(b)中所说明的方式来排列电源电流的测定值。接着，在峰值检测阶段S312中，以如图4中所说明的方式，对所排列的电源电流的测定结果进行二阶微分，且对微分值的峰值进行检测。其次，在判定阶段S314中，根据微分值的峰值来对电子设备200的故障进行检测。
图6是表示测试装置100的构成的其他例的图。本例中的测试装置100包括图案产生部10、电源12、电源电流测定部14、第1泄漏电流检测部18、以及第2泄漏电流检测部20。
本例中的图案产生部10、电源电流测定部14、第1泄漏电流检测部18、以及第2泄漏电流检测部20，具有与图1中所说明的图案产生部10、电源电流测定部14、第1泄漏电流检测部18、以及第2泄漏电流检测部20相同的作用。
电源12供给用以驱动电子设备200的电力。本例中的电源12，对施加到电子设备200的电源电压值进行控制，以使由第1泄漏电流检测部18以及第2泄漏电流检测部20检测出的泄漏电流保持为规定的值。根据所述构成，可以减小电子设备200中所包含的场效应晶体管中的泄漏电流的影响，从而可以高精度地对电源电流进行测定。
图7是表示测试装置100的构成的其他例的图。测试装置100包括图案产生部10、电源12、以及电源电流测定部14。电源12与图1中所说明的电源12相同，以供给用来驱动电子设备200的电力。
图案产生部10与图1中所说明的图案产生部10相同，依次产生并供给应供给到电子设备200的多个测试图案。而且，图案产生部10在每次将规定数量的测试图案供给到电子设备200时，生成具有规定的图案的基准测试图案，并将所述基准测试图案供给到电子设备200。此时，优选的是，图案产生部10发出一种将基准测试图案供给到电子设备200的指令。而且，所谓基准测试图案，可以是用以将电子设备200的各元件的状态设为初始状态的复位(reset)图案。
在每次施加各个测试图案时，电源电流测定部14对输入到电子设备200的电源电流进行测定。而且，在将基准测试图案供给到电子设备200时，电源电流测定部14也对输入到电子设备200的电源电流进行测定。
接着，电源电流测定部14对由电源12供给到电子设备200的电源电压进行控制，以使对应基准测试图案而供给到电子设备200的电源电流成为规定的值。例如，将供给到电子设备200的最初的基准测试图案所对应的电源电流作为基准值，在每次将基准测试图案供给到电子设备200时，对电源电压进行控制，以使电源电流与所述基准值一致。电源电流测定部14在每次从图案产生部10接收将基准测试图案供给到电子设备200的指令的通知时，可根据经测定的电源电流来对电源电压进行控制。
根据所述动作，在各规定的期间将基准测试图案施加到电子设备200，并对将电子设备200的运行状态设为规定的状态时的电源电流进行测定，由此可以检测因温度变化等外部主要原因而产生的泄漏电流的变动。接着，对电源电压进行控制以使所述电源电流成为规定值，由此可以将因外部主要原因而产生的泄漏电流控制为固定值。
在进行所述控制的状态下，即，电源12维持着受到电源电流测定部14控制的电源电压的状态下，图案产生部10将测试图案输入电子设备200，电源电流测定部14对上述对应于所述测试图案而被供给到电子设备200的电源电流进行测定。由此，可以对如下的电源电流进行测定，所述电源电流中已去除了因外部主要原因而产生的泄漏电流的变动的影响。
接着，电源电流测定部14根据对应各个测试图案而测定的电源电流，来判定电子设备200的良否。对电子设备200的良否进行判定的方法，与图1中所说明的电源电流测定部14进行的判定方法相同。根据本例中的测试装置100，可以去除因外部主要原因而产生的泄漏电流的变动的影响，从而可以高精度地判定电子设备200的良否。
而且，图案产生部10可以交替地生成通常的测试图案与基准测试图案，并将所述通常的测试图案与基准测试图案供给到电子设备200。此时，每次对各个测试图案所对应的电源电流进行测定时，因去除了泄漏电流的变动，所以可以更高精度地进行测定。
图8是表示对电子设备200进行测试的测试方法的其他例的流程图。所述测试方法与图8中所说明的方法相同，可以对电子设备200进行测试。
首先，在电源供给阶段S400中，供给电子设备200驱动用的电力。其次，在温度控制阶段S402中，使电子设备200的温度上升到定常状态。例如，图案产生部10将适当的测试图案反复输入到电子设备200中，由此可以使电子设备200的温度上升。
其次，在基准测试图案产生阶段S404中，产生具有规定的图案的基准测试图案。接着，在基准电流测定、电源电压控制阶段S406中，对将基准测试图案供给到电子设备200时的电源电流进行测定。而且，在S406中，对S400中所生成的电源电压进行控制，以使经测定的电源电流成为规定值。
其次，在图案产生、电源电流测定阶段S408中，施加上述应供给到电子设备200的测试图案，并对此时的电源电流进行测定。接着，当未对所有应施加的测试图案测定电源电流时，重复S404～S408的处理，当对所有测试图案测定了电源电流之后，根据经测定的电源电流来判定电子设备200的良否(S412)。
以上，已使用实施形态来说明了本发明，但本发明的技术性范围不限于所述实施形态所记载的范围。可以对所述实施形态进行多种变更或改良。权利要求的记载表明，添加了所述变更或改良的形态也可以包含在本发明的技术想范围内。
如以上所明示般，根据本发明，可以消除电子设备200中所包含的场效应晶体管的亚阈值泄漏电流的变动，从而可以高精度地对电子设备200的电源电流进行测定。因此，可以高精度地对电子设备200进行测试。

Claims (18)

1.一种测试装置，对电子设备进行测试，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，其特征在于所述测试装置包括：
电源，供给所述电子设备驱动用的电力；
图案产生部，依次产生并供给多个所述测试图案，多个所述测试图案应供给到所述电子设备中；
泄漏电流检测部，对所述场效应晶体管的泄漏电流进行检测；
电压控制部，对施加到设置着所述场效应晶体管的衬底的衬底电压进行控制，以使由所述泄漏电流检测部所检测的所述泄漏电流维持规定的值；以及
电源电流测定部，在每次施加各个所述测试图案时，对输入到所述电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的所述电源电流来判定所述电子设备的良否。
2.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述泄漏电流检测部分别测定p型的所述场效应晶体管的p型泄漏电流、与n型的所述场效应晶体管的n型泄漏电流，且
所述电压控制部根据所述p型泄漏电流，对施加到所述衬底的高电压以及低电压中的所述高电压进行控制，并根据所述n型泄漏电流来对所述低电压进行控制。
3.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部，使对各个所述测试图案所测定出的所述电源电流按照各个所述电源电流的大小顺序来排列，当排列后的所述电源电流不连续时，判定所述电子设备为不良。
4.如权利要求3所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部对经排列的所述电源电流进行二阶微分，当所述微分值的峰值大于等于规定值时，判定所述电子设备为不良。
5.如权利要求3所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部计算出经排列的所述电源电流中相邻的所述电源电流的差分，当计算出的差分中存在着大于预定值的值时，判定所述电子设备为不良。
6.一种测试方法，对电子设备进行测试，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，其特征在于所述测试方法包括：
电源供给阶段，供给所述电子设备驱动用的电力；
图案产生阶段，依次产生并供给多个所述测试图案，多个所述测试图案应供给到所述电子设备中；
泄漏电流检测阶段，对所述场效应晶体管的泄漏电流进行检测；
电压控制阶段，对施加到设置着所述场效应晶体管的衬底的衬底电压进行控制，以使所述泄漏电流检测阶段中所检测的所述泄漏电流维持规定的值；以及
电源电流测定阶段，在每次施加各个所述测试图案时，对输入到所述电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的所述电源电流来判定所述电子设备的良否。
7.一种电子设备，其特征在于其设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，且包括泄漏电流检测电路，将与所述场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于所述泄漏电流检测电路包括虚设晶体管，所述虚设晶体管具有与所述场效应晶体管大致相同的特性，且被给予着与所述场效应晶体管大致相同的电源电压，所述虚设晶体管的栅极端子与源极端子相连接着，并将漏极电流输出到外部。
9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于所述泄漏电流检测电路与输入所述测试图案的输入引脚独立地设置着。
10.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于所述泄漏电流检测电路包括：n型的所述虚设晶体管，将与n型的所述场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部；以及p型的所述虚设晶体管，将与p型的所述场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
11.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于所述电子设备更包括：
电源端子，从外部的电源接收电力；以及
衬底电压端子，与所述电源端子独立地设置，并接收施加到设置着所述场效应晶体管的衬底的电压。
12.一种设备生产方法，生产电子设备，所述电子设备设置着根据所给予的测试图案来运行的场效应晶体管，其特征在于所述设备生产方法包括：
准备阶段，准备衬底；
电路形成阶段，在所述衬底上形成所述场效应晶体管；以及
检测电路形成阶段，在所述衬底上形成泄漏电流检测电路，所述泄漏电流检测电路将与所述场效应晶体管的泄漏电流大致相同的电流输出到外部。
13.一种测试装置，对电子设备进行测试，其特征在于其包括：
电源，供给所述电子设备驱动用的电力；
图案产生部，依次产生并供给多个所述测试图案，多个所述测试图案应供给到所述电子设备中；以及
电源电流测定部，在每次施加各个所述测试图案时，对输入到所述电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的所述电源电流来判定所述电子设备的良否；且
所述图案产生部在每次将规定数量的所述测试图案供给到所述电子设备中时，产生具有规定图案的基准测试图案，并将所述基准测试图案供给到所述电子设备中，
在每次所述基准测试图案被供给到所述电子设备中时，所述电源电流测定部对由所述电源施加到所述电子设备中的电源电压进行控制，以使根据所述基准测试图案而供给到所述电子设备中的静止时的所述电源电流成为规定的值。
14.如权利要求13所述的测试装置，其特征在于所述图案产生部交替地产生所述测试图案与所述基准测试图案，并将所述测试图案与所述基准测试图案供给到所述电子设备中。
15.如权利要求13所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部，使对各个所述测试图案所测定出的所述电源电流按照各个所述电源电流的大小顺序来排列，当排列后的所述电源电流不连续时，判定所述电子设备为不良。
16.如权利要求15所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部对经排列的所述电源电流进行二阶微分，当所述微分值的峰值大于等于规定值时，判定所述电子设备为不良。
17.如权利要求15所述的测试装置，其特征在于所述电源电流测定部计算出经排列的所述电源电流中相邻的所述电源电流的差分，当计算出的差分中存在着大于预定值的值时，判定所述电子设备为不良。
18.一种测试方法，对电子设备进行测试，其特征在于包括：
电源供给阶段，供给所述电子设备驱动用的电力；
图案产生阶段，依次产生并供给多个所述测试图案，多个所述测试图案应供给到所述电子设备中；
基准测试图案产生阶段，在所述图案产生阶段中，每次将规定数量的所述测试图案供给到所述电子设备中时，产生具有规定图案的基准测试图案，并将所述基准测试图案供给到所述电子设备中；
电源电流测定阶段，在每次施加各个所述测试图案时，对输入到所述电子设备中的电源电流进行测定，并根据经测定的所述电源电流来判定所述电子设备的良否；
基准电流测定阶段，在每次将各个所述基准测试图案供给到所述电子设备中时，对根据所述基准测试图案而供给到所述电子设备中的电源电流进行测定；以及
电源电压控制阶段，对在所述电源供给阶段中施加到所述电子设备中的电源电压进行控制，以使所述基准电流测定阶段中所测定的静止时的所述电源电流成为规定的值。
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