RU2258234C1 - Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности - Google Patents
Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2258234C1 RU2258234C1 RU2004120025/28A RU2004120025A RU2258234C1 RU 2258234 C1 RU2258234 C1 RU 2258234C1 RU 2004120025/28 A RU2004120025/28 A RU 2004120025/28A RU 2004120025 A RU2004120025 A RU 2004120025A RU 2258234 C1 RU2258234 C1 RU 2258234C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- noise intensity
- value
- semiconductor devices
- devices
- reliability
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Проводят измерение интенсивности шума полупроводникового прибора при нормальных условиях. Затем воздействуют 5-10 импульсами электростатического разряда обоих полярностей. Величину потенциала электростатического разряда выбирают равной допустимой по техническим условиям величине. Производят изотермический отжиг при максимально допустимой по техническим условиям температуре кристалла в течение 4-6 часов. Вновь измеряют значение интенсивности шума. По разности значений интенсивности шума определяют более надежные приборы. Изобретение направлено на повышение достоверности контроля надежности полупроводниковых приборов. 1 табл.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.
Известен способ разбраковки полупроводниковых приборов с использованием различных внешних воздействий (повышенной и пониженной температур, электрических нагрузок и т.п.), основанных на нагреве, охлаждении объекта испытаний с пропусканием электрического тока, с последующим измерением параметров [1].
Недостатком этого способа является невысокая достоверность полученных результатов.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [2], принятый за прототип.
Способ-прототип заключается в том, что после измерения интенсивности шумов пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной надежности приборов.
Недостатком метода является подача импульса, в 1,5-5 раз превышающего по амплитуде допустимое по техническим условиям (ТУ) значение на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести к недостаточной достоверности результатов и к критическим отказам приборов в эксплуатации.
Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей.
Для устранения указанных недостатков в способе разделения полупроводниковых приборов по надежности путем измерения интенсивности шумов до и после внешнего электрического воздействия, согласно изобретению воздействуют 5-10 электростатическими разрядами (ЭСР) обеих полярностей с величиной потенциала, допустимой по ТУ, производят изотермический отжиг при максимально допустимой температуре кристалла в течение 4-6 часов, по разности значений интенсивности шумов начального значения и после отжига определяют потенциально более надежные приборы.
Предлагаемый способ заключается в том, что на партии полупроводниковых приборов, в которых необходимо определить менее и более надежные приборы, проводят измерение интенсивности шума при нормальных условиях, затем воздействуют 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков допустимой по ТУ величины, проводят температурный отжиг при максимально допустимой по ТУ температуре кристалла прибора в течение 4-6 часов и вновь измеряют интенсивность шума при нормальной температуре. Определяют разность интенсивности шумов при начальном замере и после отжига для каждого полупроводникового прибора, то есть определяют . Полупроводниковый прибор считается более надежным при выполнении критерия: Δ≤А. Величина А устанавливается по набору статистики для каждого типа приборов.
Пример осуществления способа.
На 23 полупроводниковых резисторах интегральной схемы типа КА1034НР3 были измерены низкочастотные шумы типа 1/f. Распределение интенсивности до и после воздействия ЭСР пятью импульсами величиной ±800 В и после изотермического отжига при температуре 100°С в течение четырех часов представлены в таблице.
Таблица Значения интенсивности шумов полупроводниковых резисторов интегральных схем типа КА1034НР3. |
||||
№ прибора | Значение , мВ2 | Δ, мВ2 | ||
Начальное | После ЭСР | После отжига | ||
1 | 1,9 | 2,8 | 1,9 | 0 |
2 | 1,8 | 2,6 | 1,9 | 0,1 |
3 | 1,95 | 2,7 | 2,0 | 0,05 |
4 | 2,05 | 3,8 | 2,05 | 0 |
5 | 3,00 | 4,8 | 2,8 | 0,2 |
6 | 1,98 | 2,7 | 1,98 | 0 |
7 | 2,15 | 3,9 | 2,25 | 0,1 |
8 | 1,20 | 4,0 | 2,40 | 0,2 |
9 | 2,58 | 4,0 | 2,68 | 0,1 |
10 | 2,35 | 4,2 | 2,45 | 0,2 |
11 | 1,98 | 2,8 | 1,98 | 0 |
12 | 2,5 | 3,9 | 2,7 | 0,2 |
13 | 2,32 | 3,5 | 2,4 | 0,08 |
14 | 2,4 | 3,7 | 2,6 | 0,2 |
15 | 3,2 | 5,0 | 3,6 | 0,4 |
16 | 2,6 | 4,2 | 2,7 | 0,1 |
17 | 2,9 | 4,7 | 3,1 | 0,2 |
18 | 2,8 | 4,8 | 3,0 | 0,2 |
19 | 2,0 | 3,0 | 2,0 | 0 |
20 | 2,1 | 3,4 | 2,2 | 0,1 |
21 | 1,95 | 2,6 | 1,95 | 0 |
22 | 2,35 | 3,7 | 2,55 | 0,2 |
23 | 2,19 | 2,9 | 2,22 | 0,03 |
6 приборов имели разность интенсивности шумов до и после воздействия, равную 0;
8 приборов - ≤0,1 мВ2;
8 приборов - ≤0,2 мВ2;
1 прибор - ≤0,4 мВ2.
Если принять для данного типа приборов критерий для более надежных приборов ≤0,1 мВ2, то приборы №1, 2, 3, 4, 6, 7, 9, 11, 13, 16, 19, 20, 21, 23 будут более надежными, чем приборы №5, 8, 10, 12, 14, 15, 17, 18, 22.
Источники информации
1 Авторское свидетельство СССР №438947, G 01 R 31/26, 1972.
2. Авторское свидетельство СССР №490047, G 01 R 31/26, 1976.
Claims (1)
- Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности путем измерения интенсивности шумов до и после внешнего электрического воздействия, отличающийся тем, что воздействуют 5-10 электростатическими разрядами обеих полярностей с величиной потенциала, допустимой по техническим условиям, производят изотермический отжиг при максимально допустимой температуре кристалла в течение 4-6 ч, по разности значений интенсивности шумов начального значения и после отжига определяют потенциально более надежные приборы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004120025/28A RU2258234C1 (ru) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004120025/28A RU2258234C1 (ru) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2258234C1 true RU2258234C1 (ru) | 2005-08-10 |
Family
ID=35845151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004120025/28A RU2258234C1 (ru) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2258234C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2465612C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности |
RU2484489C2 (ru) * | 2010-04-05 | 2013-06-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности |
RU2546998C2 (ru) * | 2012-04-19 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем |
-
2004
- 2004-06-30 RU RU2004120025/28A patent/RU2258234C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2465612C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности |
RU2484489C2 (ru) * | 2010-04-05 | 2013-06-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности |
RU2546998C2 (ru) * | 2012-04-19 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104237823B (zh) | 一种有效验证探针卡异常的方法 | |
US10267856B2 (en) | TSV first ends connected to test stimulus and response signals | |
RU2258234C1 (ru) | Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности | |
US20040133830A1 (en) | Semiconductor device with speed binning test circuit and test method thereof | |
US20090237088A1 (en) | Method for inspecting insulation property of capacitor | |
RU2311653C1 (ru) | Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности | |
RU2269790C1 (ru) | Способ выделения интегральных схем повышенной надежности | |
RU2324194C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности | |
CN108254669A (zh) | 集成电路测试方法 | |
RU2249227C1 (ru) | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов | |
RU2537104C2 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности | |
RU2309418C2 (ru) | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности | |
RU2309417C2 (ru) | Способ определения потенциально ненадежных биполярных транзисторов | |
RU2787306C1 (ru) | Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду | |
RU2786050C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности | |
RU2278392C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем | |
RU2276378C1 (ru) | Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем | |
CN104101855A (zh) | 监控探针卡漏电的方法及探针卡漏电监控*** | |
RU2472171C2 (ru) | Способ разбраковки полупроводниковых изделий | |
JPS6217376B2 (ru) | ||
JP2017059564A (ja) | 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
RU2511617C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2492494C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2507525C2 (ru) | Способ разделения транзисторов по надежности | |
RU2146827C1 (ru) | Способ отбраковки интегральных схем |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080701 |