CN101005101A - 光生伏打元件及其制造方法和具备该元件的光生伏打模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具备可提高耐候性的透明导电膜的光生伏打元件。该光生伏打元件，包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。
Description
技术领域
本发明涉及光生伏打元件、具备该光生伏打元件的光生伏打模块和光生伏打元件的制造方法，特别是涉及具备含有氧化铟层的透明导电膜的光生伏打元件、具备该光生伏打元件的光生伏打模块和光生伏打元件的制造方法。
背景技术
以往，在日本特开2004-281586号公报中公开了具备含有氧化铟层的透明导电膜的光生伏打元件。公开了一种光生伏打装置(光生伏打元件)，在该光生伏打元件中，包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于光电变换层的表面上，由具有2个X射线衍射峰的氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)层构成。在该光生伏打装置中，氧化铟锡层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的峰；和高角侧的峰，其强度大于低角侧峰的强度。
此外，在日本特开2004-281586号公报中公开的光生伏打装置中，形成透明导电膜，使得氧化铟锡层具有2个X射线衍射峰，分别是低角侧的峰、和强度大于低角侧峰的强度的高角侧的峰。由此与氧化铟层仅具有一个X射线衍射峰的情况相比，能够降低透明导电膜的电阻。并且，如上所述形成透明导电膜，与氧化铟层仅具有一个X射线衍射峰的情况相比，能够降低透明导电膜的光吸收损失。再者，在光生伏打装置(光生伏打元件)中，透明导电膜为低电阻、低光吸收损失，可知对于增加光生伏打元件的单元输出(Pmax)是有效的。在日本特开2004-281586号公报中公开的光生伏打装置中，与氧化铟层仅具有一个X射线衍射峰的情况相比，能够降低透明导电膜的电阻和光吸收损失，所以可以增加光生伏打装置的单元输出(Pmax)。
但是，在日本特开2004-281586号公报中公开的光生伏打装置中，就耐候性没有进行充分的研究，故存在难以提高耐候性的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，本发明的一个目的在于提供一种具备可提高耐候性的透明导电膜的光生伏打元件、具备该光生伏打元件的光生伏打模块和光生伏打元件的制造方法。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种光生伏打元件，其包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于所述光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。
在该第一方面的光生伏打元件中，如上所述，设有透明导电膜，该透明导电膜包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。并且氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。与氧化铟层的2个X射线衍射峰包括低角侧的峰、和强度大于低角侧的峰强度的高角侧的峰的情况相比，能够提高耐候性。结果，能够得到具有耐候性提高、并且能够进一步增加经过长时间后的单元输出(Pmax)的透明导电膜的光生伏打元件。并且，上述效果已通过后述的实验确认。
在上述第一方面的光生伏打元件中，优选氧化铟层的低角侧的第一峰，2θ(θ：X射线衍射角)在30.1度附近；氧化铟层的高角侧的第二峰，2θ(θ：X射线衍射角)在30.6度附近。在这种2θ的角度位置上具有第一峰和第二峰，并且，在低角侧的第一峰大于高角侧的第二峰的情况下，能够提高耐候性。
在上述第一方面的光生伏打元件中，优选氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为1以上。若如此构成，与氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比小于1的情况相比，能够提高耐候性。该效果也已通过后述的实验确认。
在这种情况下，优选氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为2以下。若如此构成，能够增加单元输出(Pmax)。该效果也已通过后述的实验确认。
在上述第一方面的光生伏打元件中，优选氧化铟层含有W。若如此构成，在具备由含有W的氧化铟层(IWO层)构成的透明导电膜的光生伏打装置中，能够提高耐候性。
在上述第一方面的光生伏打元件中，优选氧化铟层含有Sn。若如此构成，在具备由含有Sn的氧化铟层(ITO层)构成的透明导电膜的光生伏打装置中，能够提高耐候性。
在上述第一方面的光生伏打元件中，还包括：半导体层，其上形成有透明导电膜，由非晶半导体和微晶半导体中的至少任何一种构成；和集电极，其形成于所述透明导电膜上。
在这种情况下，半导体层也可以包含非晶硅层。
本发明第二方面的光生伏打模块包括：多个光生伏打元件，该光生伏打元件包括光电变换层和透明导电膜，该透明导电膜形成于光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层；透明的表面保护材料，其配置于多个光生伏打元件的透明导电膜的表面上；和树脂薄膜，该树脂薄膜与表面保护材料之间夹入多个光生伏打元件。并且，光生伏打元件的氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。
在本发明第二方面的光生伏打模块中，如上所述，包括含有透明导电膜的光生伏打元件，该透明导电膜包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。并且氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。与氧化铟层的2个X射线衍射峰包括低角侧的峰、和强度大于低角侧的峰强度的高角侧的峰的情况相比，能够提高耐候性。结果，能够得到具备耐候性提高、并且能够进一步增加经过长时间后的单元输出(Pmax)的透明导电膜的光生伏打模块。
在上述第二方面的光生伏打模块中，优选氧化铟层的低角侧的第一峰，2θ(θ：X射线衍射角)在30.1度附近；氧化铟层的高角侧的第二峰，2θ(θ：X射线衍射角)在30.6度附近。在这种2θ的角度位置上具有第一峰和第二峰，并且，在低角侧的第一峰大于高角侧的第二峰的情况下，能够提高耐候性。
在上述第二方面的光生伏打模块中，优选氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为1以上。若如此构成，与氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比小于1的情况相比，能够提高耐候性。该效果也已通过后述的实验确认。
在这种情况下，优选氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为2以下。若如此构成，能够增加单元输出(Pmax)。该效果也已通过后述的实验确认。
在上述第二方面的光生伏打模块中，优选氧化铟层含有W。若如此构成，在具备由含有W的氧化铟层(IWO层)构成的透明导电膜的光生伏打装置中，能够提高耐候性。
在上述第二方面的光生伏打模块中，优选氧化铟层含有Sn。若如此构成，在具备由含有Sn的氧化铟层(ITO层)构成的透明导电膜的光生伏打装置中，能够提高耐候性。
在上述第二方面的光生伏打模块中，还包括：半导体层，其上形成有透明导电膜，由非晶半导体和微晶半导体中的至少任何一种构成；和集电极，其形成于透明导电膜上。
在这种情况下，半导体层也可以包含非晶硅层。
本发明第三方面中的光生伏打元件的制造方法，包括：形成光电变换层的工序；和采用离子镀法，在光电变换层的表面上形成透明导电膜的工序，该透明导电膜包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。并且，氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。
在该第三方面的光生伏打元件的制造方法中，如上所述，形成透明导电膜，该透明导电膜包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。并且氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。与氧化铟层的2个X射线衍射峰包括低角侧的峰、和强度大于低角侧的峰强度的高角侧的峰的情况相比，能够提高耐候性。结果，能够制造具备耐候性提高、并且能够进一步增加经过长时间后的单元输出(Pmax)的透明导电膜的光生伏打元件。
在上述第三方面的光生伏打元件的制造方法中，优选形成透明导电膜的工序，包括在10eV～20eV的离子能量的条件下采用离子镀法形成透明导电膜的工序。若如此构成，能够降低离子对光电变换层的损伤，所以能够抑制因离子对光电变换层的损伤导致的耐候性的降低。
在上述第三方面的光生伏打元件的制造方法中，优选形成透明导电膜的工序，包括靶中所含的WO3粉末为1wt％～3wt％、并且在Ar和O2混合气体的压力为0.7Pa～1.0Pa的条件下，采用离子镀法形成透明导电膜的工序。若如此构成，则能够容易地使氧化铟层的X射线衍射峰包括低角侧的第一峰、和峰强度小于第一峰的峰强度的高角侧的第二峰，并且能够使氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为1～2。
在上述第三方面的光生伏打元件的制造方法中，优选形成透明导电膜的工序，包括使用含有SnO2粉末的靶，并且在Ar和O2混合气体的压力为0.4Pa～1.0Pa的条件下，采用离子镀法形成透明导电膜的工序。若如此构成，则能够容易地使氧化铟层的X射线衍射峰包括低角侧的第一峰、和峰强度小于第一峰的峰强度的高角侧的第二峰，并且能够使氧化铟层的第一峰与第二峰的强度比为1～2。
附图说明
图1是表示具备本发明一个实施方式的光生伏打元件的光生伏打模块结构的截面图。
图2是说明Ar和O2混合气体的压力与透明导电膜的X射线衍射谱之间关系的图。
图3是说明Ar和O2混合气体的压力与光生伏打元件的标准化单元输出(Pmax)之间关系的图。
图4是说明Ar和O2混合气体的压力、靶内的WO3的含有率与透明导电膜的第一峰(P1)和第二峰(P2)的强度比(P1/P2)之间关系的图。
图5是说明透明导电膜的第一峰(P1)和第二峰(P2)的强度比(P1/P2)与光生伏打元件的标准化耐候性之间关系的图。
图6是说明Ar和O2混合气体的压力、靶内的WO3的含有率与光生伏打元件的标准化单元输出(Pmax)之间关系的图。
具体实施方式
下面，根据附图，说明本发明的实施方式。
首先，对于本发明一个实施方式的光生伏打元件1的结构进行说明。如图1所示，在本发明的一个实施方式的光生伏打元件1中，在包含光电变换层的半导体1a的上面上，形成有透明导电膜1b。此外，在透明导电膜1b的上面上，形成有集电极1c。包含光电变换层的半导体1a包括：n型(100)单晶硅基板(光电变换层)(以下称为n型单晶硅基板)，具有大约1Ω·cm的电阻率与大约200μm的厚度；实质上本征的i型非晶硅层，形成在n型单晶硅基板的上面上，具有大约5nm的厚度；和p型非晶硅层，形成在i型非晶硅层上，具有大约5nm的厚度。此外，在p型非晶硅层上，形成有具有大约100nm厚度的由氧化铟膜构成的透明导电膜1b。
这里，在本实施方式中，透明导电膜1b由具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟膜形成。
此外，在本实施方式中，透明导电膜1b的2个X射线衍射峰包括2θ(θ：X射线衍射角)为30.1±0.1度的低角侧的第一峰(P1)；和2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的高角侧的第二峰(P2)，该第二峰的峰强度小于第一峰(P1)的峰强度。此外，第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)形成为1～2。
此外，在透明导电膜1b的上面上的规定区域，形成有集电极1c，该集电极由银(Ag)构成，具有大约10μm～大约30μm的厚度。该集电极1c包括：多个指状(finger)电极部，其隔开规定的间隔，以相互平行地延伸的方式形成；和母线电极部，其集合在指状电极部中流过的电流。此外，在n型单晶硅基板的背面上，形成有具有大约10μm～大约30μm厚度的由银(Ag)构成的背面电极。该背面电极包括：多个指状电极部，其隔开规定的间隔，以相互平行地延伸的方式形成；和母线电极部，其集合在指状电极部中流过的电流。
下面，参照图1，对本发明一个实施方式的具备光生伏打元件1的光生伏打模块10的结构进行说明。本发明一个实施方式的光生伏打模块10具备多个具有上述结构的光生伏打元件1，这些多个光生伏打元件1分别经由阶梯状地弯曲的薄片(タブ)电极2，与邻接的光生伏打元件1连接。此外，用EVA(Ethylene Vinyl Acetate：乙烯-醋酸乙烯共聚物)树脂构成的填充材料3，将经由薄片电极2连接的光生伏打元件1密封。此外，在密封多个光生伏打元件1的填充材料3的上面上(光入射面侧)，配置有由表面保护用的玻璃构成的表面保护材料4。此外，在密封多个光生伏打元件1的填充材料3的下面上，配置有PVF(Poly Vinyl Fluoride：聚氟乙烯)薄膜(树脂薄膜)5。
下面，对于本发明一个实施方式的光生伏打元件1的制作过程进行说明。首先，通过清洗具有大约1Ω·cm的电阻率和大约300μm厚度的n型单晶硅基板，去除杂质，利用蚀刻等形成网纹(texture)结构(凹凸形状)。然后，采用RF等离子体CVD法，在频率：大约13.56MHz、形成温度：大约100℃～大约300℃、反应压力：大约5Pa～大约100Pa、RF功率：大约1mW/cm2～大约500mW/cm2的条件下，在n型单晶硅基板上，分别以大约5nm的厚度依次堆积i型非晶硅层和p型非晶硅层。由此，形成pin结。再者，作为形成p型非晶硅层时的p型掺杂剂，可以举出第IIIA族元素B、Al、Ga、In。在形成p型非晶硅层时，通过在SiH4(硅烷)气体等原料气体中，混合含有上述p型掺杂剂中的至少一种的化合物气体，可以形成p型非晶硅层。
接着，在本实施方式中，在p型非晶硅层上，采用离子镀法，形成具有大约100nm厚度的由氧化铟膜构成的透明导电膜。具体而言，将靶设置在腔室(未图示)内的与基板对置的位置，该靶由含有大约1％～大约5wt％掺杂用的WO3粉末或SnO2粉末的In2O3粉末的烧结体构成。在这种情况下，通过改变WO3粉末或SnO2粉末的量，能够使氧化铟膜中的W或Sn量发生变化。在本实施方式中，采用离子镀法在p型非晶硅层上形成由氧化铟膜构成的透明导电膜，因此可以使在p型非晶硅层上形成透明导电膜时的离子能量减小到大约10eV～大约20eV，例如，与采用通常的溅射法形成透明导电膜时离子能量为数100eV以上的情况相比，能够大幅度地降低离子的能量。由此，能够减少对p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型单晶硅基板的损伤。
然后，在将形成有p型非晶硅层的n型单晶硅基板与靶平行对置配置的状态下，将腔室(未图示)进行真空排气。然后，流入Ar和O2的混合气体，使压力保持在大约0.4 Pa～大约1.0Pa，开始放电。其中Ar气的分压恒定在大约0.36Pa。在这种情况下，在使n型单晶硅基板相对于靶静止的状态下，成膜速度为大约10nm/min～大约80nm/min。这样，将由氧化铟膜构成的透明导电膜形成为大约100nm的厚度，然后停止放电。
接着，采用网板印刷法，在透明导电膜的上面上的规定区域，以大约10μm～大约30μm的厚度、大约100μm～大约500μm的宽度形成在环氧树脂中混入银(Ag)微细粉末的Ag糊剂，然后在大约200℃下烧制大约80分钟，进行固化。由此，形成集电极，该集电极包括：多个指状电极部，隔开规定的间隔，以相互平行地延伸的方式形成；和母线电极部，其集合在指状电极部中流过的电流。然后，采用网板印刷法，在n型单晶硅基板的下面上，以大约10μm～大约30μm的厚度形成在环氧树脂中混入银(Ag)微细粉末的Ag糊剂，然后在大约200℃下烧制大约80分钟，进行固化。由此，形成背面电极，该背面电极包括：多个指状电极部，隔开规定的间隔，以相互平行地延伸的方式形成；和母线电极部，其集合在指状电极部中流过的电流。这样，形成本实施方式的光生伏打元件1。
下面，参照图1，对具备本发明一个实施方式的光生伏打元件1的光生伏打模块10的制作过程进行说明。如图1所示，将由铜箔构成的薄片电极2的一端侧与如上所述形成的多个光生伏打元件1的集电极的母线电极部连接。然后，将薄片电极2的另一端侧与邻接的光生伏打元件1的背面电极的母线电极部(未图示)连接。这样一来，如图1所示，将多个光生伏打元件1串联地连接。
然后，在由玻璃构成的表面保护材料4与PVF薄膜5之间，从表面保护材料4侧依次配置以后作为填充材料3的EVA片、由薄片电极2连接的多个光生伏打元件1和以后作为填充材料3的EVA片。然后，边加热边进行真空层压处理，形成图1所示的本实施方式的光生伏打模块10。
在本实施方式中，如上所述，通过设置包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟膜的透明导电膜，并且使氧化铟膜的2个X射线衍射峰包括低角侧的第一峰、和峰强度小于第一峰的峰强度的高角侧的第二峰，与氧化铟膜的2个X射线衍射峰包括低角侧的峰、和强度大于低角侧的峰强度的高角侧的峰的情况相比，能够提高耐候性。结果，能够得到具备提高耐候性、并且能够进一步增加经过长时间后的单元输出(Pmax)的透明导电膜的光生伏打元件1。
图2～图6是说明为了确认图1所示的本实施方式的光生伏打元件和具备该光生伏打元件的光生伏打模块的效果而进行的实验的图。接下来，参照图2～图6，对于为了确认本实施方式的光生伏打元件1和具备光生伏打元件1的光生伏打模块10的效果而进行的实验，进行说明。
首先，参照图2，对于评价Ar和O2混合气体的压力与透明导电膜的X射线衍射谱之间的关系的实验，进行说明。并且，在该实验中，制作对应于本实施方式的实施例1-1、1-2的试样和比较例1-1、1-2的试样，并且对这些制作的试样测定透明导电膜的X射线衍射谱。
实施例1-1的试样，使用由含有大约1wt％WO3粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，制作采用离子镀法在p型非晶硅层上形成有大约100nm厚度的透明导电膜(IWO膜)的光生伏打元件1。将此时的Ar和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa。再者，为了良好地检测X射线衍射谱的信号，使用表面形成为比较平坦的形状的基板作为n型单晶硅基板。此外，在实施例1-1的试样中，不形成集电极和背面电极，考虑形成集电极和背面电极时的热处理，在大约200℃的温度下进行大约80分的热处理。该实施例1-1的试样的其他结构和制作过程与上述本实施方式的光生伏打元件1相同。此外，实施例1-2的试样，将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.0Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa，形成透明导电膜。此外，比较例1-1的试样，将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.4Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa，形成透明导电膜。此外，比较例1-2的试样，将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.3Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa，形成透明导电膜。其中，实施例1-2、比较例1-1和1-2的试样，除上述以外的条件，与实施例1-1的试样同样地制作。再者，由于Ar气的分压(大约0.36Pa)在实施例1-1、实施例1-2、比较例1-1和比较例1-2中相同，所以Ar和O2混合气体的压力越大，则表示混合气体中氧气(O2)的量越增加。对这些试样，用X射线分析装置测定X射线衍射谱。其结果示于图2。
如图2所示，判定通过控制Ar和O2的混合气体的压力，能够控制透明导电膜的X射线衍射峰。具体而言，在分别将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa和大约1.0Pa而形成透明导电膜的实施例1-1的试样和实施例1-2的试样中，具有2个峰：2θ(θ：X射线衍射角)为30.1±0.1度的低角侧的第一峰(P1)；和峰强度小于第一峰(P1)的峰强度、且2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的高角侧的第二峰(P2)。此外，在将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.4Pa而形成透明导电膜的比较例1-1的试样中，具有2个峰：2θ(θ：X射线衍射角)为30.1±0.1度的低角侧的第一峰(P1)；和峰强度大于第一峰(P1)的峰强度、且2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的高角侧的第二峰(P2)。此外，在将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.3Pa而形成透明导电膜的比较例1-2的试样中，仅具有2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的峰。再者，实施例1-1、实施例1-2、比较例1-1和比较例1-2的透明导电膜的比电阻未图示，为大约3×10-1(Ω·cm)～大约9×10-4(Ω·cm)。而且，将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.3Pa而形成透明导电膜的比较例1-2的比电阻最小，可以看出通过增加Ar和O2混合气体的压力，透明导电膜的比电阻减少的趋势。
下面，参照图3，对于评价Ar和O2混合气体的压力与光生伏打元件1的标准化单元输出(Pmax)之间的关系的结果，进行说明。再者，在该实验中，制作对应于本实施方式实施例2-1、2-2的试样和比较例2-1、2-2的试样，并且对这些制作的试样测定标准化单元输出(Pmax)。
实施例2-1、实施例2-2、比较例2-1和比较例2-2的试样，与上述根据实施例1-1、实施例1-2、比较例1-1和比较例1-2的试样不同，使用在表面上形成有网纹结构(凹凸形状)的基板作为n型单晶硅基板，并且分别在p型非晶硅层的上面上形成的透明导电膜(IWO膜)上和n型单晶硅基板的下面上形成集电极和背面电极。这些实施例2-1、实施例2-2、比较例2-1和比较例2-2的试样的其他结构和IWO膜的制作过程，分别与上述实施例1-1、实施例1-2、比较例1-1和比较例1-2的试样相同。具体而言，在实施例2-1中，将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa；在实施例2-2中，将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.0Pa。此外，在比较例2-1中，将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.4Pa；在比较例2-2中，将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.3Pa。由此，在实施例2-1和2-2中，分别与图2所示的实施例1-1和1-2同样，能够得到峰强度小于低角侧的第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)。此外，在比较例2-1中，与图2所示的比较例1-1同样，能够得到峰强度大于低角侧的第一峰(P1)的高角侧的第二峰(P2)。此外，在比较例2-2中，与图2所示的比较例1-2同样，仅能够得到一个峰(P2)。对这些实施例2-1、实施例2-2、比较例2-1和比较例2-2的试样，测定单元输出(Pmax)，进行单元输出(Pmax)的标准化。其结果示于图3。
并且，单元输出(Pmax)的标准化通过具备由ITO膜构成的透明导电膜的标准化用光生伏打元件的单元输出(Pmax)进行，该ITO膜具有2个峰：2θ(θ：X射线衍射角)为30.1±0.1度的低角侧的第一峰(P1)、和峰强度大于第一峰(P1)的峰强度且2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的高角侧的第二峰(P2)。该标准化用光生伏打元件，使用含有大约5wt％SnO2粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，采用DC溅射法形成透明导电膜(ITO膜)。该DC溅射法的透明导电膜(ITO膜)的形成条件为，基板温度：60℃、Ar流量：200sccm、压力：0.5Pa、DC电力：1kW、对阴极施加的磁场：2000Gauss。此外，标准化用光生伏打元件的其他结构和制作过程与上述本实施方式的光生伏打元件1相同。
如图3所示，判定透明导电膜由IWO膜构成、具有峰强度小于低角侧的第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的实施例2-1和2-2的试样，与具有峰强度大于低角侧的第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的比较例2-1的试样和具有一个峰(P2)的比较例2-2的试样相比，单元输出(Pmax)增加。具体而言，在具有峰强度小于低角侧的第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的实施例2-1和2-2的试样中，标准化单元输出(Pmax)分别为大约102.7％和101.9％。另一方面，在具有峰强度大于低角侧的第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的比较例2-1的试样中，标准化单元输出(Pmax)为大约100.1％。此外，在具有一个峰的比较例2-2的试样中，标准化单元输出(Pmax)为大约98.9％。再者，本发明人认为，比较例2-2的试样的标准化单元输出(Pmax)为小于100％的值，是因为与标准化用光生伏打元件具有2个峰相对照，比较例2-2的试样仅具有一个峰的缘故。
下面，参照图4，对评价Ar和O2混合气体的压力、靶内WO3的含有率与透明导电膜的第一峰(P1)和第二峰(P2)的强度比(P1/P2)之间的关系，进行说明。并且，在该实验中，制作对应于本实施方式的实施例3-1～3-7的试样和比较例3-1～3-9的试样，并且对这些制作的试样测定透明导电膜的X射线衍射谱，计算透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)。
实施例3-1的试样，使用由含有大约1wt％WO3粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，制作采用离子镀法在p型非晶硅层上形成有大约100nm厚度的透明导电膜(IWO膜)的光生伏打元件1。将此时的Ar气和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa，将混合气体中Ar的分压设为大约0.36Pa。再者，为了良好地检测X射线衍射谱的信号，使用表面形成为比较平坦的形状的基板作为n型单晶硅基板。此外，在实施例3-1的试样中，不形成集电极和背面电极，考虑形成集电极和背面电极时的热处理，在大约200℃的温度下进行大约80分的热处理。该光生伏打元件1的其他结构和制作过程与上述本实施方式的光生伏打元件1相同。此外，实施例3-2、3-3、3-4、3-5、3-6和3-7的试样，分别使用WO3粉末的含有率为大约1wt％、大约3wt％、大约3wt％、大约4wt％、大约4wt％和大约4wt％的靶进行制作。此外，实施例3-2、3-3、3-4、3-5、3-6和3-7的试样，分别将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.0Pa、大约0.7Pa、大约1.0Pa、大约0.4Pa、大约0.7Pa和大约1.0Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa进行制作。此外，比较例3-1、3-2、3-3、3-4、3-5、3-6、3-7、3-8和3-9的试样，分别使用WO3粉末的含有率为大约1wt％、大约1wt％、大约3wt％、大约3wt％、大约4wt％、大约5wt％、大约5wt％、大约5wt％和大约5wt％的靶进行制作。此外，比较例3-1、3-2、3-3、3-4、3-5、3-6、3-7、3-8和3-9的试样，分别将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.4Pa、大约1.3Pa、大约0.4Pa、大约1.3Pa、大约1.3Pa、大约0.4Pa、大约0.7Pa、大约1.0Pa和大约1.3Pa，将混合气体中Ar气的分压设为大约0.36Pa进行制作。再者，实施例3-2～3-7和比较例3-1～3-9的试样，除上述以外的条件与实施例3-1的试样同样地制作。对这些实施例3-1～3-7和比较例3-1～3-7的试样，用X射线分析装置测定X射线衍射谱，测定透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)。其结果示于图4。
如图4所示，判定在靶内WO3的含有率在大约1wt％～大约4wt％的范围内，随着WO3的含有率的增加，透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)增加。此外，在将Ar和O2混合气体的压力设定为大约0.7Pa和大约1.0Pa的情况下，在WO3粉末的含有率大约1wt％～大约4wt％的试样(实施例3-1、3-2、3-3、3-4、3-6和3-7)中，透明导电膜的第一峰(P1)大于第二峰(P2)。再者，在使用WO3粉末的含有率为大约5wt％的靶制作的比较例3-6～比较例3-8的试样中，由于观察不到第二峰(P2)的峰强度，仅能观察到第一峰(P1)，所以透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)未在图4中示出。此外，在将Ar和O2混合气体的压力设为大约1.3Pa制作的比较例3-2、3-4、3-5和3-9的试样中，仅看到第二峰(P2)。此外，在将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.4Pa的情况下，在WO3粉末的含有率为大约1wt％和大约3wt％的试样(比较例3-1和3-3)中，透明导电膜的第一峰(P1)小于第二峰(P2)，无法得到第一峰(P1)大于第二峰(P2)的X射线衍射谱。另一方面，判定在将Ar和O2的混合气体的压力设为大约0.4Pa的情况下，如果如实施例3-5，使靶内WO3粉末的含有率为大约4wt％，则能够得到透明导电膜的低角侧的第一峰(P1)大于高角侧的第二峰(P2)的X射线衍射谱。
下面，参照图5，对评价透明导电膜的第一峰(P1)和第二峰(P2)的强度比(P1/P2)与光生伏打元件1的标准化耐候性之间的关系的结果，进行说明。并且，在该实验中，制作对应于本实施方式的实施例4-1～4-7的试样和比较例4-1～4-3的试样。
实施例4-1～4-7和比较例4-1～4-3的试样，与上述实施例3-1～3-7和比较例3-1～3-3的试样不同，使用在表面上形成网纹结构(凹凸形状)的基板作为n型单晶硅基板，并且分别在p型非晶硅层的上面上形成的透明导电膜(IWO膜)上和n型单晶硅基板的下面上形成集电极和背面电极。这些实施例4-1～4-7和比较例4-1～4-3的试样(光生伏打元件)的其他结构和IWO膜的制作过程，分别与上述实施例3-1～3-7和比较例3-1～3-3的试样相同。并且，使用与上述本实施方式的光生伏打模块10同样的制作过程，制作包含这些实施例4-1～4-7和比较例4-1～4-3的光生伏打元件的光生伏打模块。再者，在实施例4-1～4-7和比较例4-1～4-3的试样中，在EVA的下侧，用高透湿性的PVF薄膜5进行加速实验。该加速实验在湿度：85％、温度：85℃、时间：2000h的条件下进行。并且，测定加速实验前与加速实验后的单元输出(Pmax)，通过用加速实验后的单元输出(Pmax)除以加速实验前的单元输出(Pmax)，计算耐候性，进行耐候性的标准化。其结果示于图5。再者，耐候性的标准化由仅观察到2θ(θ：X射线衍射角)为30.6±0.1度的峰的比较例4-2的试样来进行。
如图5所示，判定透明导电膜由IWO膜构成、第-峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)大于1的实施例4-1～4-7的试样，相比于透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)小于1的比较例4-1和4-3的试样、和具有一个峰的比较例4-2的试样，耐候性得以提高。本发明人认为，这是因为以下理由。即本发明人认为，在实施例4-1～4-7中，由于在形成透明导电膜时，采用离子镀法，在p型非晶硅层上形成透明导电膜，可以使形成透明导电膜时的离子能量减小到大约10eV～大约20eV，由此，由于能够降低离子对p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型单晶硅基板的损伤，所以能够抑制因离子对p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型单晶硅基板的损伤导致的耐候性的降低。此外，本发明人认为，这是因为在实施例4-1～4-7中，在如离子镀法这种促进溅射材料的再配置的条件下形成透明导电膜，能够提高透明导电膜的致密性的缘故。此外，判定在透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)小于1的比较例4-1和4-3的试样，和具有一个峰的比较例4-2的试样中，没有观察到很大差别。在透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)小于1的比较例4-1和4-3的试样中，和透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)大于1的实施例4-1～4-7不同，虽然详细的机理尚不清楚，但是本发明人认为，这是因为透明导电膜的致密性未提高的缘故。
再者，在透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)大于1的实施例4-1～4-7的试样中，标准化耐候性为大约100.92％～大约101.63％。此外，在透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)小于1的比较例4-1和4-3的试样中，标准化耐候性分别为大约99.90％和大约100.20％。
下面，参照图6，对于评价Ar和O2混合气体的压力、靶内的WO3的含有率与光生伏打元件1的标准化单元输出(Pmax)之间的关系的结果，进行说明。并且，在该实验中，制作对应于本实施方式的实施例5-1～5-7的试样和比较例5-1～5-9的试样，并且对这些制作的试样测定单元输出(Pmax)。
实施例5-1～5-7和比较例5-1～5-9的试样，与上述实施例3-1～3-7和比较例3-1～3-9的试样不同，使用在表面上形成网纹结构(凹凸形状)的基板作为n型单晶硅基板，并且分别在p型非晶硅层的上面上形成的透明导电膜(IWO膜)上和n型单晶硅基板的下面上形成集电极和背面电极。这些实施例5-1～5-7和比较例5-1～5-9的试样的其他结构和IWO膜的制作过程，分别与上述实施例3-1～3-7和比较例3-1～3-9的试样相同。对这些试样测定单元输出(Pmax)，进行单元输出(Pmax)的标准化。其结果示于图6。再者，通过与计算图3所示的实施例2-1、2-2和比较例2-1、2-2的标准化单元输出(Pmax)时使用的相同的标准化用光生伏打元件的单元输出(Pmax)，进行单元输出(Pmax)的标准化。
如图6所示，判定随着靶内WO3的含有率的增加，可以看到光生伏打元件1的单元输出(Pmax)减少的趋势。本发明人认为这是因为以下理由。即，本发明人认为，这是因为随着靶内的WO3的含有率的增加，能够降低透明导电膜的比电阻，另一方面由于透明导电膜内的W增加，光的透过率降低至透明导电膜的比电阻的降低率以上。再者，在Ar和O2混合气体的压力为大约0.4Pa～大约1.0Pa的条件下，在靶内的WO3的含有率为1wt％或3wt％的实施例5-1～5-4和比较例5-1、5-3中，任何一例的标准化单元输出(Pmax)均为1以上。此外，在靶内的WO3的含有率为4wt％的实施例5-5～5-7中，实施例5-5和5-6标准化单元输出(Pmax)均为1以上，另一方面在实施例5-7中，标准化单元输出(Pmax)小于1。此外，在靶内的WO3的含有率为5wt％的比较例5-6～5-9中，任何一例的标准化单元输出(Pmax)都小于1。此外，在靶内的WO3的含有率在大约1wt％～大约5wt％的范围内、Ar和O2混合气体的压力为大约1.3Pa的比较例5-2、5-4、5-5和5-9中，任何一例的标准化单元输出(Pmax)也都小于1。
再者，如图4所示，具有与标准化单元输出(Pmax)为1以上、靶内的WO3的含有率为1wt％或3wt％的实施例5-1～5-4同样的结构，并且通过同样的制作过程制作的上述实施例3-1～3-4的透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)，为2以下。由此本发明人认为，为了提高光生伏打元件1的单元输出(Pmax)和耐候性，优选透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)为1～2。
下面，对于评价与图2～图6所示的由IWO膜形成透明导电膜的情况不同、由ITO膜形成透明导电膜的情况的透明导电膜的第一峰(P1)和第二峰(P2)的强度比(P1/P2)与光生伏打元件1的标准化耐候性之间的关系的结果，进行说明。并且，在该实验中，制作对应于本实施方式的实施例6-1的试样，对该制作的试样测定单元输出(Pmax)。
实施例6-1的试样，使用由含有大约3wt％SnO2粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，制作采用离子镀法在p型非晶硅层上形成有大约100nm厚度的透明导电膜(ITO膜)的光生伏打元件1。该光生伏打元件1的其他结构和制作过程与上述本实施方式的光生伏打元件1相同。并且，使用与上述本实施方式的光生伏打模块10同样的制作过程，制作包含本实施例6-1的光生伏打元件1的光生伏打模块。再者，在实施例6-1的试样中，在EVA的下侧，用高透湿性的PVF薄膜5进行加速实验。加速实验在湿度：85％、温度：85℃、时间：2000h的条件下进行。然后，测定加速实验前与加速实验后的单元输出(Pmax)，用加速实验后的单元输出(Pmax)除以加速实验前的单元输出(Pmax)，计算耐候性，进行耐候性的标准化。实施例6-1的试样的透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)为大约1.3。此外，实施例6-1的试样的标准化耐候性为1.012。由此，能够判定，即使在采用离子镀法由ITO膜形成透明导电膜的情况下，也能够使透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)为1以上，并且，不仅是在透明导电膜使用IWO膜的情况下，在使用ITO膜的情况下也能够提高耐候性。
再者，耐候性的标准化通过透明导电膜的第一峰(P1)与第二峰(P2)的强度比(P1/P2)为大约0.5的标准化用光生伏打模块来进行。在该标准化用光生伏打模块中，使用由含有大约5wt％SnO2粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，采用DC溅射法形成透明导电膜(ITO膜)。该DC溅射法的透明导电膜(ITO膜)的形成条件为，基板温度：60℃、Ar流量：200sccm、压力：0.5Pa、DC电力：1kW、对阴极施加的磁场：2000Gauss。再者，标准化用光生伏打模块的其他结构和制作过程与上述实施例6-1的标准化用光生伏打模块相同。
此外，本发明者根据实验判定，即使在薄膜类的光生伏打元件中，透明导电膜使用IWO膜，与透明导电膜使用ITO膜的情况相比，单元输出(Pmax)和耐候性得以提高。具体而言，在该实验中，使用由含有大约3wt％WO3粉末的In2O3粉末的烧结体构成的靶，在将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa的状态下，金属基板上形成IWO膜。然后，准备2个在IWO膜上形成有n型微晶硅膜、i型微晶硅膜和p型微晶硅膜的元件。然后，一个在p型微晶硅膜上，形成IWO膜和集电极；另一个在p型微晶硅膜上，形成ITO膜和集电极。再者，IWO膜的形成条件为，将WO3粉末的含有率设为大约3wt％，将Ar和O2混合气体的压力设为大约0.7Pa。此外，ITO膜的形成条件为与计算图3所示的实施例2-1、2-2和比较例2-1、2-2的标准化单元输出(Pmax)时使用的标准化用光生伏打元件相同的形成条件。比较这些单元输出(Pmax)和耐候性，结果，使用IWO膜的试样与使用ITO膜的试样相比，单元输出(Pmax)和耐候性提高。此外，通过在金属基板与n型微晶硅膜之间形成IWO膜，与在金属基板与n型微晶硅膜之间形成ITO膜或ZnO膜的情况相比，单元输出(Pmax)提高。
此外，此次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不应理解为是限制。本发明的范围不是上述实施方式的说明，而由权利要求书表示，并且包括与权利要求书等效的意义和范围内的所有的变更。
例如，在上述实施方式中，对于使用由n型单晶硅基板构成的光电变换层的情况进行了说明，但是本发明不限于此，在使用由p型单晶硅基板或非晶硅层构成的光电变换层的情况下，也能够得到同样的效果。
此外，在上述实施方式中，本发明适用于具有透明导电膜、并且具有在n型单晶硅基板上形成有i型非晶硅层和p型非晶硅层结构的光生伏打元件，但是本发明不限于此，对于具有透明导电膜、而不具有上述结构的光生伏打元件也适用，能够得到同样的效果。
此外，在上述实施方式中，以在非晶硅层上形成透明导电膜的情况为例进行了说明，但是本发明不限于此，在微晶硅层、非晶SiC层、非晶SiO层上形成本发明的透明导电膜的情况下，也能够得到同样的效果。
此外，在上述实施方式中，作为构成透明导电膜的材料，使用掺杂W或Sn的氧化铟(IWO或ITO)膜，但是本发明不限于此，也可以使用除了在氧化铟中添加W或Sn外，还掺杂其他材料的透明导电膜。例如，也可以在透明导电膜中掺杂Ti、Zn、Ta和Re中的至少一种或两种以上的组合。例如，除了W外，也可以掺杂Ti、Sn和Zn中的至少一种以上。
此外，在上述实施方式中，通过将采用离子镀法形成透明导电膜时的离子能量减小到大约10eV～大约20eV，形成由氧化铟膜构成的透明导电膜，但是本发明不限于此，也可以采用离子镀法以外的能够使形成透明导电膜时的离子能量为大约100eV以下的方法，形成由具有低角侧的第一峰(P1)、和峰强度小于第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的氧化铟膜构成的透明导电膜。例如，采用一边施加强磁场一边在DC上叠加RF的溅射法，脉冲调制DC放电、RF放电、VHF放电、微波放电或离子束蒸镀法，并且设定为能够使形成透明导电膜时的离子能量为大约100eV以下的形成条件，由此也能够形成由具有低角侧的第一峰(P1)、和峰强度小于第一峰(P1)的峰强度的高角侧的第二峰(P2)的氧化铟膜构成的透明导电膜。在这利种情况下，如果形成由具有2个峰的包含(222)峰的氧化铟膜构成的透明导电膜，也能够得到与本发明同样的效果。此外，已经确认，在采用一边施加强磁场一边在DC上叠加RF的溅射法的情况下，通过在施加磁场：大约3000Gauss、DC电力：1.2kW、RF电力：0.6kW的条件下形成，能够使形成透明导电膜时的离子能量减小到大约100eV以下，并且能够抑制等离子体对作为透明导电膜基底的半导体层的损伤。此外，在采用一边施加强磁场一边在DC上叠加RF的溅射法，脉冲调制DC放电、RF放电、VHF放电或微波放电的情况下，为了促进溅射材料(W或Sn)的再配置，优选在大约150℃～大约200℃的温度下形成透明导电膜。再者，在采用离子束蒸镀法的情况下，也可以与采用离子镀法的上述实施方式相同，没有成膜时的加热。
此外，在上述实施方式中，以本发明适用于仅在n型单晶硅基板的表面侧形成i型非晶硅层和p型非晶硅层的光生伏打元件为例进行了说明，但是本发明不限于此，本发明也适用于在n型单晶硅基板的表面侧形成i型非晶硅层和p型非晶硅层、并且在n型单晶硅基板的背面侧形成i型非晶硅层和n型非晶硅层的光生伏打元件，在这种情况下，也能够得到同样的效果。在这种情况下，在n型单晶硅基板的下面(背面)上，依次形成具有大约5nm厚度的i型非晶硅层、和具有大约5nm厚度的n型非晶硅层即可。再者，形成n型非晶硅层，可以使用含有第VA族元素P、N、As、Sb中至少一种的化合物气体。
此外，在上述实施方式中，在形成构成透明导电膜的氧化铟膜时使用Ar气，但是本发明不限于此，也可以使用He、Ne、Kr、Xe其他不活泼气体或它们的混合气体。
此外，在上述实施方式中，采用RF等离子体CVD法形成i型非晶硅层和p型非晶硅层，但是本发明不限于此，也可以采用蒸镀法、溅射法、微波等离子体CVD法、ECR法、热CVD法、LPCVD(减压CVD)法等其他方法，形成非晶硅层。
此外，在上述实施方式中，使用硅(Si)作为半导体材料，但是本发明不限于此，也可以使用SiGe、SiGeC、SiC、SiN、SiGeN、SiSn、SiSnN、SiSnO、SiO、Ge、GeC、GeN中的任何一种半导体。在这种情况下，这些半导体可以是结晶，或者含有氢和氟中至少一种的非晶或微晶。
此外，在上述实施方式中，以光生伏打元件中形成一个pin结构为例进行了说明，但是本发明不限于此，也可以在光生伏打元件中叠层多个pin结构。
Claims (20)
1.一种光生伏打元件，其特征在于：
包括：光电变换层；和
透明导电膜，该透明导电膜形成于所述光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层，
并且，所述氧化铟层的所述2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于所述第一峰的峰强度。
2.如权利要求1所述的光生伏打元件，其特征在于：
所述氧化铟层的所述低角侧的第一峰，2θ在30.1度附近，其中θ为X射线衍射角，
所述氧化铟层的所述高角侧的第二峰，2θ在30.6度附近，其中θ为X射线衍射角。
3.如权利要求1所述的光生伏打元件，其特征在于：
所述氧化铟层的所述第一峰与所述第二峰的强度比为1以上。
4.如权利要求3所述的光生伏打元件，其特征在于：
所述氧化铟层的所述第一峰与所述第二峰的强度比为2以下。
5.如权利要求1所述的光生伏打元件，其特征在于：所述氧化铟层含有W。
6.如权利要求1所述的光生伏打元件，其特征在于：所述氧化铟层含有Sn。
7.如权利要求1所述的光生伏打元件，其特征在于，还包括：
半导体层，其上形成有所述透明导电膜，由非晶半导体和微晶半导体中的至少任何一种构成；和
集电极，其形成于所述透明导电膜上。
8.如权利要求7所述的光生伏打元件，其特征在于：所述半导体层包含非晶硅层。
9.一种光生伏打模块，其特征在于：
包括：多个光生伏打元件，该光生伏打元件包括光电变换层和透明导电膜，该透明导电膜形成于所述光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层；
透明的表面保护材料，其配置于所述多个光生伏打元件的所述透明导电膜的表面上；和
树脂薄膜，该树脂薄膜与所述表面保护材料之间夹入所述多个光生伏打元件，
并且，所述光生伏打元件的所述氧化铟层的所述2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于所述第一峰的峰强度。
10.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于：
所述氧化铟层的所述低角侧的第一峰，2θ在30.1度附近，其中θ为X射线衍射角，
所述氧化铟层的所述高角侧的第二峰，2θ在30.6度附近，其中θ为X射线衍射角。
11.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于：
所述氧化铟层的所述第一峰与所述第二峰的强度比为1以上。
12.如权利要求11所述的光生伏打模块，其特征在于：
所述氧化铟层的所述第一峰与所述第二峰的强度比为2以下。
13.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于：所述氧化铟层含有W。
14.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于：所述氧化铟层含有Sn。
15.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于，还包括：
半导体层，其上形成有所述透明导电膜，由非晶半导体和微晶半导体中的至少任何一种构成；和
集电极，其形成于所述透明导电膜上。
16.如权利要求9所述的光生伏打模块，其特征在于：所述半导体层包含非晶硅层。
17.一种光生伏打元件的制造方法，其特征在于：
包括：形成光电变换层的工序；和
采用离子镀法，在所述光电变换层的表面上形成透明导电膜的工序，该透明导电膜包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层，
并且，所述氧化铟层的所述2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于所述第一峰的峰强度。
18.如权利要求17所述的光生伏打元件的制造方法，其特征在于：
形成所述透明导电膜的工序，包括在10eV～20eV的离子能量的条件下采用离子镀法形成所述透明导电膜的工序。
19.如权利要求17的光生伏打元件的制造方法，其特征在于：
形成所述透明导电膜的工序，包括靶中所含的WO3粉末为1wt％～3wt％、并且在Ar和O2混合气体的压力为0.7Pa～1.0Pa的条件下，采用离子镀法形成所述透明导电膜的工序。
20.如权利要求17所述的光生伏打元件的制造方法，其特征在于：
形成所述透明导电膜的工序，包括使用含有SnO2粉末的靶，并且在Ar和O2混合气体的压力为0.4Pa～1.0Pa的条件下，采用离子镀法形成所述透明导电膜的工序。
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