CN101002301A - 曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法 - Google Patents

曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法 Download PDF

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CN101002301A
CN101002301A CNA2005800269445A CN200580026944A CN101002301A CN 101002301 A CN101002301 A CN 101002301A CN A2005800269445 A CNA2005800269445 A CN A2005800269445A CN 200580026944 A CN200580026944 A CN 200580026944A CN 101002301 A CN101002301 A CN 101002301A
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Abstract

提供一种曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法。由于具备可根据来自C/D之与维护相关之信息决定装置自身动作的主控制装置(120)，因此，主控制装置(120)，当在C/D之维护中、亦即曝光装置原本之运转必然会停止时，能决定和此并行之方式，进行为了维持装置自身性能所必须的动作、且为须使装置原本之动作停止的特定动作。其结果，可减少进行该特定动作所必须之曝光装置整体的停机时间，由此可避免以线内方式连接于基板处理装置之曝光装置的装置性能降低，提升运转率。

Description

曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法
技术领域
本发明涉及曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法，详细地涉及以线内方式连接于基板处理装置之曝光装置、决定该曝光装置之动作的动作决定方法、具备曝光装置与以线内方式连接于该曝光装置之基板处理装置的基板处理***及管理基板处理***中各装置之维护的维护管理方法、以及使用前述曝光装置、***的组件制造方法。
背景技术
在制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等微型组件之光刻步骤中，除了使用曝光装置来将预定图案形成于晶片或玻璃板等基板(以下总称「晶片」)上之曝光步骤以外，尚包含在此曝光步骤前后，将抗蚀剂涂布于晶片表面之抗蚀剂涂布步骤、以及使曝光后之晶片显影的显影步骤等。
在光刻步骤中，曝光装置之曝光、抗蚀剂涂布装置(涂布器)之抗蚀剂涂布、使用显影装置(显影器)之晶片显影等在以往系分别进行。近年来，为了在洁净环境下将上述之曝光、抗蚀剂涂布、显影作为一连串处理来以良好效率进行，多采用将曝光装置与被称为涂布显影器(以下简称为「C/D」)之涂布显影装置以线内方式连接的***构成。C/D例如兼具旋转涂布器(使晶片一边高速旋转一边将抗蚀剂滴下至该晶片上，利用晶片之旋转来使抗蚀剂均一地涂布于晶片表面)或使喷嘴与晶片相对移动之扫描涂布器等抗蚀剂涂布装置之功能、以及显影装置之功能。
因此，通过上述之***构成，即可避免于每次进行抗蚀剂涂布步骤、曝光步骤、显影步骤等处理步骤时投入处理批量(作为处理对象之晶片批量)的繁杂步骤，又，不但可维持近来被大幅使用之化学放大型抗蚀剂(高感度抗蚀剂之一种)等化学特性，且能提升产量。
又，为了提升微型组件之生产性，对提升曝光装置运转率(开机时间)之要求是随时存在的。为了因应该要求，亦持续致力于减少装置故障。为了减少该故障，定期之维护亦相当重要。
对曝光装置等之运转率提升的要求逐年提高，目前已被期望可达成运转率95％以上。
然而，即使系曝光装置单体，欲达成运转率95％以上并不容易。其理由是，因随着半导体组件之高集成化，对曝光装置之精度提升及高精度状态之稳定化的要求亦逐渐强烈之故。亦即，为了响应对曝光装置之曝光精度提升及高精度状态之稳定化的要求，除了须增加定期维护之频度，亦须充实曝光装置之自我校准功能等，但当所要求之水准高至某程度以上时，此等方式即很有可能反而增加曝光装置之停机时间。
因此，欲通过上述之将曝光装置与C/D以线内方式连接之***(以下称为「线内光刻***」)来达成运转率95％，以现状而言可说是非常困难。其理由在于，线内光刻***中，当C/D因定期维护、零件更换、或其它理由而停止运转时，由于亦须停止曝光装置之运转，因此会使曝光装置之运转率降低，此情形与曝光装置单体之情形相较明显较多之故。
发明内容
本发明有鉴于上述情事，其第1目的，系提供一种在以线内方式连接于基板处理装置之情形下，亦可不使装置性能降低并提升运转率的曝光装置。
本发明之第2目的，系提供一种在曝光装置以线内方式连接于基板处理装置之情形下，亦可不使装置性能降低而提升运转率的动作决定方法。
本发明之第3目的，系提供一种可维持***性能且谋求运转率之提升的基板处理***。
本发明之第4目的，系提供一种可维持***性能且谋求运转率之提升的维护管理方法。
本发明之第5目的，系提供一种可提升高精度组件之生产性的组件制造方法。
本发明从第1观点观之，为一种曝光装置，以线内方式连接于基板处理装置，其特征在于：具备动作决定装置，根据来自该基板处理装置之与维护相关的信息，决定装置自身的动作。
根据上述，由于曝光装置具备动作决定装置，根据来自基板处理装置之与维护相关的信息决定装置自身的动作，因此动作决定装置，可在基板处理装置之维护中(曝光装置原本之运转必然会停止时)，以与此并行之方式，决定进行为了维持装置自身性能所必须的动作且为须使装置原本之动作停止的特定动作。其结果，可减少进行该特定动作所必须之曝光装置整体的停机时间(此亦为基板处理装置之停机时间)，由此可避免以线内方式连接于基板处理装置之曝光装置的装置性能降低，提升运转率。
此外，动作决定装置所决定之装置自身的动作(亦即上述特定动作)中，除了曝光装置自身进行之动作以外，亦包含通知给操作者等而使操作者参与进行之动作等。
在此情形下，来自前述基板处理装置之与维护相关的信息，可包含与在前述基板处理装置进行之维护作业内容相关的信息；该动作决定装置，可根据该维护作业之内容来决定装置自身的动作。又，来自前述基板处理装置之与维护相关的信息，可包含与在前述基板处理装置进行之维护所需时间相关的信息；前述动作决定装置，系根据前述维护作业所需时间来决定装置自身的动作。
又，该被决定之装置自身的动作可包含维护作业。
此情形下，该动作决定装置，能以与该基板处理装置之维护作业至少一部分并行的方式，决定进行装置自身之维护作业。
又，当被决定之装置自身的动作包含维护动作时，该装置自身之维护作业，可包含曝光用光源之激光装置的维护作业、包含不伴随基板之曝光的作业、或包含零件更换作业。
本发明从第2观点观之，为一种动作决定方法，系决定以线内方式连接于基板处理装置之曝光装置的动作，其特征在于，包含：取得来自该基板处理装置之与维护相关之信息的步骤；以及根据该信息来决定曝光装置之动作的步骤。
根据上述，由于曝光装置之动作，系根据来自基板处理装置之与维护相关的信息来决定，因此可在基板处理装置之维护中，以与此并行之方式，决定进行为了维持曝光装置性能所必须的动作。其结果，可减少曝光装置整体的停机时间，由此可避免以线内方式连接于基板处理装置之曝光装置的装置性能降低，提升运转率。
此外，曝光装置之动作中，除了曝光装置自身进行之作业以外，亦包含通知给操作者等而使操作者参与进行之作业等。
本发明从第3观点观之，为一种基板处理***，具备曝光装置与以线内方式连接于该曝光装置的基板处理装置，其特征在于：具备维护管理装置，其系协调进行该曝光装置之维护作业与该基板处理装置之维护作业。
根据上述，基板处理***具备维护管理装置，其系协调进行该曝光装置之维护作业与该基板处理装置之维护作业。如此，与以毫无关联之方式进行曝光装置之维护作业与基板处理装置之维护作业的情形相异，而是维护管理装置尽可能地同时进行两装置之维护作业以谋求维护时点的最佳化，由此可避免基板处理***之性能降低，提升其运转率。
此外，维护作业中，除了曝光装置自身进行之作业以外，亦包含通知给操作者等而使操作者参与进行之作业等。
此情形下，该维护管理装置，可系该曝光装置所具备之控制用计算机、以及该基板处理装置所具备之控制用计算机的任一个，该维护管理装置，亦可系共同连接于该曝光装置及该基板处理装置之计算机。
该维护管理装置，可系以与该曝光装置之维护作业至少一部分并行的方式，进行该基板处理装置之维护作业。
本发明之基板处理***中，该曝光装置，可作为曝光光源具有激光装置；该曝光装置之维护作业，可包含该激光装置之维护作业。
又，本发明之基板处理***中，该维护作业，可包含零件更换作业。
又，该维护管理装置，可储存该曝光装置之与零件更换时期相关的信息、以及该基板处理装置之与零件更换时期相关的信息，根据这些信息来进行各装置之零件更换时期的最佳化，该维护管理装置，可储存一个装置需要另一个装置之维护信息、以及各装置可单独进行作业之维护信息，根据这些信息来进行各装置之维护时期的最佳化。
本发明从第4观点观之，为一种维护管理方法，系管理基板处理***之各装置的维护作业，该基板处理***具备曝光装置与以线内方式连接于该曝光装置的基板处理装置，其特征在于，包含：取得该曝光装置之与维护相关之信息的步骤；取得该基板处理装置之与维护相关之信息的步骤；根据该两信息来进行管理以便协调进行该两装置之维护作业的步骤。
根据上述，由于系根据曝光装置与基板处理装置之与维护相关之信息来进行管理，以协调进行曝光装置之维护作业与基板处理装置之维护作业，因此与以毫无关联之方式进行曝光装置之维护作业与基板处理装置之维护作业的情形相异，而是尽可能地同时进行两装置之维护作业以谋求维护时点的最佳化，由此可避免基板处理***之性能降低，提升其运转率。
此外，维护作业中，除了曝光装置自身进行之作业以外，亦包含通知给操作者等而使操作者参与进行之作业等。
又，可通过在光刻步骤中，使用本发明之曝光装置将组件图案形成于基板上，来提升高集成度之微型组件的生产性。又，在光刻步骤中，使用本发明之基板处理***，执行对基板的处理，该对基板的处理包含将组件图案形成于基板上，由此能提升高集成度之微型组件的生产性。因此，本发明自另一观点观之，亦可说是使用本发明之曝光装置及基板处理***的组件制造方法。
附图说明
图1系概略显示本发明第1实施形式之光刻***构成的俯视图。
图2系显示图1之曝光装置构成的图。
图3系概略显示图1之光刻***之控制***构成的方块图。
图4系概略显示第2实施形式之光刻***之控制***构成的方块图。
图5系用以说明本发明之组件制造方法之实施形式的流程图。
图6系显示图5之步骤404之处理的流程图。
具体实施方式
《第1实施形式》
以下，根据图1～图3说明本发明之第1实施形式。
图1，系以俯视图显示包含本发明之曝光装置及基板处理装置之第1实施形式的光刻***构成。
此图1所示之光刻***100系设置于洁净室内。此光刻***100，包含设置于洁净室之地面上的曝光装置10、以及透过线内(inline)接口部(以下称为「线内I/F部」)110连接于该曝光装置10之-Y侧(图1中之纸面左侧)的C/D50。此光刻***100系设置于洁净室内。
曝光装置10，包含在图1中X轴方向中央略靠+X侧之位置设有分隔壁14的处理室16、收容于被该处理室16内部之分隔壁14分隔出之X轴方向一侧(-X侧)之大房间12A内部的曝光装置主体10A(图1中省略晶片载台WST及投影光学***PL以外之部分的图式)、以及其大部分收容于被处理室16内部之分隔壁14分隔出之X轴方向另一侧(+X侧)之小房间12B内部的晶片装载器***40(作为基板搬送***)。配置于处理室16外部之激光装置1，系透过送光光学***BMU连接于曝光装置主体10A。
图2系以前视图概略显示曝光装置10之构成。而此图2中，处理室16系以假想线(两点链线)显示。此曝光装置10，系步进扫描方式之扫描型投影曝光装置、亦即扫描仪(亦称为扫描步进器)。
前述激光装置1，系使用发出KrF准分子激光光(振荡波长248nm)或ArF准分子激光光(振荡波长193nm)等远紫外区之脉冲光的脉冲激光。此激光装置1，系设置于设置处理室16之洁净室的地面上。此外，激光装置1，亦可配置于与洁净室分别独立之洁净度较低之房间(服务房)内或地面下方之效用空间内。此外，激光装置1亦可使用F2激光(振荡波长157nm)等真空紫外光源或使用EUV光源。
前述曝光装置主体10A，包含照明单元ILU、保持作为掩模之标线片R的标线片载台RST、投影光学***PL、可保持晶片W来自由移动于XY平面内的晶片载台WST、装载有前述标线片载台RST及投影光学***PL等的机体BD、以及统筹控制装置整体之主控制装置120等。
前述照明单元ILU，包含照明***外壳111、以预定位置关系配置于该照明***外壳111内之由光束整形光学***、能量粗调器、光学积分器、照明***孔径光阑板、以及分光器及中继光学***等(均未图示)构成的照明光学***。又，于照明光学***之中继光学***内部配置有由未图示之固定遮帘及可动遮帘构成的视野光阑(亦称为标线片遮帘或屏蔽板)。此外，作为光学积分器，系使用复眼透镜、杆型(内面反射型)积分器、或衍射光学元件等。
在设于该照明单元ILU之入射端部、亦即照明光学***之入射端部的上述光束整形光学***，系透过送光光学***BMU连接有激光装置1。
此照明单元ILU，系以均一照度分布照明保持于标线片载台RST上之标线片R上、且照明在X轴方向细长延伸之矩形(例如长方形)狭缝状的照明区域IAR(被固定遮帘之开口所规定)。与本实施形式相同之照明单元的内部构成，例如揭示于特开平10-112433号公报、特开平6-349701号公报及与此对应之美国专利第5,534,970号公报等。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)之国内法令允许范围内，援用上述美国专利中之揭示来作为本说明书记载之一部分。
前述标线片载台RST，系于后述第2柱架134(构成机体BD)顶板部之标线片底座136上面的上方，通过设于其底面之未图示空气轴承等透过例如数μm左右的间隙悬浮支撑。于此标线片载台RST上，例如通过真空吸附(或静电吸附等)固定有标线片R。标线片载台RST，可通过包含线性马达等之标线片载台驱动装置112，在与照明光学***之光轴(与投影光学***PL之光轴AX一致)垂直之XY平面内被微幅驱动于二维方向(X轴方向、Y轴方向、以及与XY平面正交之绕Z轴的旋转方向(θz方向))，且能以指定之扫描速度在标线片底座136上驱动于Y轴方向。
此处，标线片载台RST实际上虽包含：标线片粗动载台，可通过线性马达以预定行程范围在标线片底座136上驱动于Y轴方向；以及标线片微动载台，系通过至少三个音圈马达等之致动器来将该标线片粗动载台微幅驱动于X轴方向、Y轴方向、以及θz方向，但图2中系将标线片载台RST显示为单一载台。因此，以下说明中，标线片载台RST亦系以可通过标线片载台驱动装置112如前所述般微幅驱动于X轴方向、Y轴方向及θz方向且扫描驱动于Y轴方向的单一载台来进行说明。当然，亦可将各不具有粗动载台与微动载台之类型的载台机构用作为标线片载台RST。
本实施形式之情形，前述线性马达之可动件系分别安装于标线片载RST之X轴方向一侧与另一侧(图2中之纸面内侧与前侧)的端面，分别与这些可动件对应之固定件，分别通过与机体BD独立设置之未图示支撑构件来支撑。因此，在驱动标线片载台RST时作用于线性马达之固定件的反作用力，即透过这些支撑构件而传递(释放)至洁净室地面。此外，标线片载台驱动装置112，虽如前所述包含线性马达、音圈马达等之致动器，但图2中为了方便图示系单纯显示为方块。
此外，本实施形式中，如上所述，系采用透过与机体BD分别独立设置之支撑构件来释放反作用力的反应框构造，但亦可采用通过标线片载台RST之驱动力的反作用力作用，依据动量守恒原理移动平衡器，来抵销其反作用力之平衡器方式振动减弱机构。
标线片载台RST在XY面内之位置(包含绕Z轴旋转之旋转方向之θz方向旋转)，系由固定于标线片底座136之标线片干涉仪(以下称为「标线片干涉仪」)13透过移动镜15例如以0.5～1nm左右的分析能力随时检测。
此处，实际上于标线片载台RST上面之Y轴方向一侧(+Y侧)的端部，于X轴方向相隔预定间隔固定有由中空后向反射器构成的一对Y轴移动镜，于X轴方向一侧(+X侧)端部固定有具有与X轴方向正交之反射面之平面镜构成的X轴移动镜。又，分别设有与这些移动镜个别对应之一对标线片Y干涉仪及标线片X干涉仪。如上所述，虽分别设有多个标线片干涉仪及移动镜，但图2中系代表性地显示移动镜15、标线片干涉仪13。此外，例如亦可对标线片载台RST之+Y端面进行镜面加工来形成反射面(相当于X移动镜之反射面)。
标线片载台RST之位置信息(或速度信息)系送至主控制装置120，主控制装置120根据该位置信息(或速度信息)透过标线片载台驱动装置112来驱动标线片载台RST。
再者，本实施形式中，于标线片载台RST之标线片R装载区域的-Y侧位置，设有未图示之标线片基准标记板(RFM板)。于此RFM板形成有多种之测量用标记。与本实施形式同样之RFM板，例如详细揭示于特开2002-198303号公报及与此对应之美国专利申请公开第2001/0041377号说明书等。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)之国内法令允许范围内，援用上述美国专利申请公开中之揭示来作为本说明书记载之一部分。
前述机体BD，包含设置于洁净室之地面上的第1柱架132、以及配置于此第1柱架132上的第2柱架134。
第1柱架132，包含三支脚部137A，137B，137C(不过图2中纸面内侧之脚部137C之图式系省略)、以及通过这些脚部137A～137C来支撑成大致水平、构成第1柱架132之顶板的镜筒固定座(亦称为主柱架)138。
脚部137A～137C分别包含设置于地面之支柱140、以及固定于该支柱140上部之防振单元139。通过各防振单元139，以微G等级隔绝来自地面之微振动，使其几乎不会传达至镜筒固定座138。于镜筒固定座138之大致中央部形成有未图示圆形开口，投影光学***PL自上方***该开口内。于此投影光学***PL之镜筒之高度方向中央稍微靠下端部的位置设有突缘FLG，投影光学***PL透过该突缘FLG而被镜筒固定座138支撑。
前述第2柱架134，系于镜筒固定座138之上面设置成包围投影光学***PL，其包含分别沿身于上下方向之多支(例如三支)脚41A，41B，41C(不过图2中纸面内侧之脚41C之图式省略)、以及连结这些脚41A～41C之上端面相互间且被这些脚41A～41C支撑成大致水平的前述标线片底座136。
作为前述投影光学***PL，此处系使用两侧远心之缩小***，且系具有共同之Z轴方向光轴AX之多片透镜组件所构成的折射光学***。作为此投影光学***PL，系使用投影倍率β例如为1/4之缩小光学***。因此，当通过来自照明单元ILU(照明光学***)之照明用光IL照明标线片R上之狭缝状照明区域IAR时，即通过通过此标线片R之照明用光IL，将透过该狭缝状照明区域IAR内之标线片R之电路图案透过投影光学***PL的缩小像(部分倒立像)，形成于与在表面涂布有抗蚀剂之晶片W上之前述照明区域IAR共轭的曝光区域IA。
前述晶片载台WST，包含：XY载台141，可通过线性马达或平面马达等未图示驱动***来沿载台底座SB上面自由地驱动在XY二维面内(包含θz旋转)；以及装载于该XY载台141上的晶片台TB。
前述载台底座SB亦称为固定座，在本实施形式中，系透过设置于地面上之多个(例如三个或四个)防振单元43来支撑成大致水平。亦即，载台底座SB系与保持投影光学***PL等之机体BD分离的构成。
各防振单元43，包含支撑载台底座SB之空气承架机构、以及能以高反应将载台底座SB微幅驱动于重力方向(垂直方向：图2中之Z轴方向)的音圈马达。前述空气承架机构，包含从下方支撑载台底座SB之支撑构件一部分、以及于其开口端部透过弹性构件(例如隔膜)安装有该支撑构件一部分的外壳。此情形下，于外壳内部形成有气密室。气密室，透过形成于外壳之开口连接于电磁调整器，通过该电磁调整器来调整依据来自主控制装置120之指示而自外部充填至气密室的气体、例如空气压力。通过此电磁调整器调整空气压力，空气承架机构即能主动追随约低至20Hz之低频振动。又，空气承架机构，亦可作为吸收音圈马达无法追随之高频振动成分的被动防振装置(防振垫)来进行动作。又，前述音圈马达，具有直接安装于载台底座SB之可动件、以及通过与该可动件间产生之电磁相互作用来产生将载台底座SB驱动于重力方向的固定件。此音圈马达，能主动追随高于约20Hz之频率的振动。此音圈马达由主控制装置120控制。
该晶片台TB，系通过未图示驱动***(包含配置于XY载台141上之音圈马达等致动器)来被驱动于光轴AX方向(Z轴方向)及相对与光轴正交之面呈倾斜的方向，亦即被驱动于绕X轴之旋转方向(θx方向)、绕Y轴之旋转方向(θy方向)。
晶片W透过晶片保持具25真空吸附(或静电吸附)保持于晶片台TB上。
于晶片台TB上固定有用以反射来自晶片激光干涉仪(以下称为「晶片干涉仪」)31之激光束的移动镜27，通过从镜筒固定座138悬吊支撑之晶片干涉仪31，例如以0.5～1nm左右之分析能力随时检测晶片台TB(晶片W)在XY面内的位置。
此处，实际上，虽于晶片台TB设有具有与Y轴方向(扫描曝光时之扫描方向)正交之反射面的移动镜和与X轴方向(非扫描方向)正交之反射面的移动镜，且与此对应地，激光干涉仪亦设有X轴方向位置测量用之X激光干涉仪与Y轴方向位置测量用之Y激光干涉仪，但图2中仅将这些代表性地图示移动镜27、晶片干涉仪31。此外，例如亦可对晶片台TB之端面进行镜面加工来形成反射面(相当于移动镜27之反射面)。又，X激光干涉仪及Y激光干涉仪系具有多个测距轴的多轴干涉仪，除了能测量晶片台TB之X、Y位置以外，亦能测量旋转(偏摇(绕Z轴旋转之θz旋转)、纵摇(绕X轴旋转之θx旋转)、以及横摇(绕Y轴旋转之θy旋转))。因此，以下说明中，系视为可通过晶片干涉仪31来测量晶片台TB在X、Y、θz、θy、θx之5自由度方向的位置。又，前述多轴干涉仪，亦可系透过倾斜45°配置于晶片台TB之反射面，将激光束照射于设置于机体BD(装载投影光学***PL)之未图示反射面，以检测投影光学***PL在光轴方向(Z轴方向)之相对位置信息。
此外，晶片载台驱动装置128虽包含线性马达或平面马达、音圈马达等，但图2中为了方便图示系单纯显示为方块。
于晶片台TB上，固定有其表面与晶片W表面大致同一面高的基准标记板FM。于此基准标记板FM表面形成有各种基准标记。
又，于晶片台TB上固定有其上面之平坦度设定成非常高的基准平面板143。此基准平面板143之表面，系与上述基准标记板FM同样地，与晶片W之表面大致同一面高。
于基准平面板143一部分形成有狭缝开口，除此狭缝开口外之部分为形成有反射膜的反射面。于狭缝开口下方之晶片台TB内部配置有光电倍增管(PMT)等未图示光电转换组件。来自此光电转换组件之光电转换信号供应至主控制装置120。主控制装置120系使前述RFM板位于投影光学***PL之视野内，通过一边使晶片台TB移动于Y轴方向或X轴方向、一边接收来自光电转换组件之光电转换信号，而能以狭缝扫描方式测量藉投影光学***PL形成于像面之各种测量用标记的空间像。亦即，本实施形式，系包含形成于基准平面板143之狭缝开口及晶片台TB内的光电转换组件等，来构成揭示于前述特开2002-198303号公报及与此对应之美国专利第5,448,332号等的空间像测量器。
此外，亦可通过对基准标记板FM进行镜面加工等来提高其平坦度，而亦能将未形成有该标记之部分兼用为基准平面板。
前述晶片台TB之位置信息(或速度信息)送至主控制装置120，主控制装置120，系根据前述位置信息(或速度信息)透过晶片载台驱动装置128来控制晶片台TB。
再者，于本实施形式之曝光装置主体10A具有送光***160a及受光***160b，且设有斜入射方式之多焦点位置检测***(以下适当称为「多点AF***」)，用以检测晶片W表面在光轴AX方向(Z轴方向)之位置及相对XY面之倾斜。与本实施形式之多点AF***相同之多点AF***，例如详细揭示于特开平6-283403号公报等。
主控制装置120，除了在后述之扫描曝光时等，根据来自多点AF***160a，160b之聚焦信号透过晶片载台驱动装置128来将晶片载台WST往Z轴方向移动以外，亦通过控制二维之倾斜(亦即θx，θz方向之旋转)、亦即使用多点AF***控制晶片载台WST的移动，来执行在照明用光IL之照射区域(前述曝光区域IA)内使投影光学***PL之成像面与晶片W表面实质上一致的自动聚焦(自动对焦)及自动调平。
又，曝光装置主体10A中，用以检测晶片W上之对准标记(对齐标记)、基准标记板FM上之基准标记等之离轴方式对准***ALG，系配置于投影光学***PL之镜筒侧面。作为此种对准***ALG，例如可使用影像处理方式之FIA(Field Image Alignment，场图像对准)***之传感器，其将不会使晶片W上之抗蚀剂感光之宽频检测光束照射于对象标记，并使用拍摄元件(CCD等)，拍摄因来自该对象标记之反射光而成像于受光面之对象标记像与未图示指针像，再输出这些影像信号。此外，并不限于FIA***，当然亦可单独或适当地组合使用对准传感器，其系以同调检测光照射对象标记后，检测从该对象标记所产生之散射光或衍射光、或使该对象标记所产生之2个衍射光(例如同次数)彼此干涉来检测。
回到图1，前述晶片装载器***40，具有作为搬送导件之延伸于Y轴方向之Y导件18、以及位于该Y导件18上方(图1中之纸面前侧)且延伸于X轴方向的X导件20。X导件20系以贯通分隔壁14之状态设置。
于前述Y导件18上设有受未图示驱动装置之驱动而沿Y导件18移动的水平多关节型机器人(SCARA ROBOT)26。又，于X导件20设有通过未图示驱动装置来驱动、沿该X导件20移动之晶片装载臂28与晶片卸载臂30。此外，于分隔壁14形成有这些晶片装载臂28、晶片卸载臂30分别可通过之开口。
再者，于X导件20之+Y侧端部附近之-Y侧位置配置有旋转台(turn table)32，于此旋转台32附近配置有未图示晶片边缘传感器。
此外，于装载器室12B内设有装载器控制装置34，用以控制上述晶片装载器***40之各部，且透过通信线路在与后述C/D侧之控制装置之间进行与搬送中晶片相关信息之更换，亦即进行通信。
前述线内I/F部110，包含配置于处理室16-Y侧之处理室212、配置于该处理室212内部之+Y侧端部附近之线内承交部114、以及配置于该线内承交部114-Y侧之水平多关节型机器人116等。
前述线内承交部114，包含基台、以及沿X轴方向相距预定间隔设于该基台上之三支一组之支撑销构成的两个晶片承交部124A，124B。
此外，线内承交部114并不限于图1所示之构成，例如亦可具有在上下方向相距预定间隔配置、通过未图示驱动机构而连动被驱动于上下方向的装载侧晶片承交部及卸载侧晶片承交部。作为各晶片承交部，亦能采用具备板状构件与固定于该板状构件上面之三支一组之支撑销的构成。
于处理室212内部视需要配置有置放台118，于该置放台118上装载有用以暂时保管晶片W之缓冲载台119。
该C/D50，如图1所示包含在Y轴方向相邻配置之两个处理室52，54。于一处理室52内部配置有延伸于X轴方向之X导件56。于X导件56上设有受未图示驱动装置之驱动而沿X导件56移动的水平多关节型机器人(SCARA ROBOT)58。
又，于处理室52内部之X导件56-Y侧位置，沿X轴方向配置有置放台60A，60B，60C。于这些置放台60A，60B，60C上分别装载有可收纳多片晶片之开放式载体(Open Carrier：以下简称为「OC」)24A，24B，24C。这些OC24A，24B，24C，可透过未图示出入口(可通过设于处理室52之-Y侧侧壁之未图示门来开关)来进出。OC24A，24B，24C之进出，虽可在透过PGV(Person Guided Vehicle：手动型搬送车)搬送这些OC24A，24B，24C后通过操作者之手动作业来进行，但亦可在透过AGV(Automated Guided Vehicle：自走型搬送车)搬送后自动进行。当然，亦可使用OHT(Over Head Transfer)将OC24A，24B，24C从上方分别装载于置放台60A，60B，60C上。
此外，于处理室52内部设有统筹控制C/D50之构成各部之涂布显影控制装置62。涂布显影控制装置62，除了控制C/D50内之晶片搬送***等以外，亦控制前述线内I/F部110内之水平多关节型机器人116等。
于处理室52之与处理室54的边界部分，在X轴方向中央略靠+X侧之位置设有晶片承交部64。此晶片承交部64，包含基台与固定于该基台上之三支一组的支撑销。
于处理室54内部之晶片承交部64之+Y侧，配置有延伸于Y轴方向之Y导件66。于Y导件66上设有受未图示驱动装置之驱动而沿Y导件66移动的水平多关节型机器人(SCARA ROBOT)68。
又，于处理室54内部之Y导件66的-Y侧，于图1之左至右依序配置有第1显影部70、第2显影部72、以及烘烤部74。又，于Y导件66之+Y侧，以分别与第1显影部70、第2显影部72、以及烘烤部74相对之方式配置有第1涂布部76、第2涂布部78、以及冷却部80。
前述第1涂布部76及第2涂布部78具有旋转涂布器。此旋转涂布器，系通过将抗蚀剂滴下至成水平之晶片上并使晶片旋转，来于晶片上形成均一之抗蚀剂膜。此旋转涂布器，包含抗蚀剂供应器、旋转马达、吸盘的组合。转数可设定成每分钟数千转。
前述烘烤部74包含烘烤装置。作为此烘烤装置，系使用电阻加热方式、红外线加热方式等。此处，系通过烘烤装置进行预烘烤(PB)及显影前烘烤(post-exposure bake：PEB)。前者系在将抗蚀剂涂布于晶片上后，为了使涂布膜中之残留溶剂蒸发、强化涂布膜与晶片之密合性而实施的热处理。为了在曝光前进行，系在不会使聚合物聚合、或不致产生添加物之热分解之温度以下进行。又，后者，系在以单一波长之光曝光时为了减轻驻波效果所导致之抗蚀剂图案(抗蚀剂侧壁形状)变形，而在曝光后显影处理前进行的热处理。又，亦为了促进光学放大型抗蚀剂之曝光后的触媒反应而进行。
前述冷却部80，包含例如被称为冷却板之经冷却的平坦板。此板例如系通过冷却水之循环等来冷却。此外，亦有利用泊耳帖效应之电子冷却的情形。本实施形式，系将在进行PB时被加热之晶片冷却至在曝光装置不会产生影响的温度。
前述第1显影部70及第2显影部72，包含通过曝光装置10曝光、使在抗蚀剂形成有图案像之晶片显影的显影装置。作为此显影装置，能使用旋转式、浸渍式、或喷雾式等任一方式。
再者，于Y导件66之+Y侧且为处理室54与处理室212之边界部分设有晶片承交部82。此晶片承交部82，包含基台与固定于该基台上之三支一组的支撑销。
图3系以方块图显示光刻***100之控制***构成。如此图3所示，曝光装置10侧之控制***，系以主控制装置120为中心所构成，于该主控制装置120之管理下设置有前述装载器控制装置34。主控制装置120，系由工作站(或微电脑)等构成，于此主控制装置120并设有键盘、鼠标等指向装置、或具备CRT显示器或液晶显示器等之输出入装置230。
另一方面，C/D50侧之控制***，亦以涂布显影控制装置62为中心所构成，通过此涂布显影控制装置62来控制水平多关节型机器人58，68，116等。又，本实施形式中，系通过水平多关节型机器人58，68，116、Y导件66、以及X导件56等来构成C/D侧之基板搬送***。于涂布显影控制装置62亦连接有与输出入装置230相同之输出入装置63。
本实施形式，系构成为在曝光装置10侧之装载器控制装置34与C/D50之涂布显影控制装置62之间、以及在主控制装置120与涂布显影控制装置62之间分别能进行数据通信。此时，在装载器控制装置34与涂布显影控制装置62之间，主要系进行与搬送中之晶片相关之信息的传输。又，在装载器控制装置34与涂布显影控制装置62之间，系进行如后述之各种信息的传输。
下面，说明光刻***100之晶片处理动作。
作为前提，晶片W系以批量(例如25片)单位分别收纳于OC24，24B，24C，这些OC24，24B，24C分别装载于置放台60A，60B，60C上。
此处，系以处理OC24B内之晶片W的情形为例来进行说明。此外，以下各部之动作，虽系通过图3所示之涂布显影控制装置62、以及在主控制装置120管理下之装载器控制装置34等来执行，但以下为简化说明，除特别必要之情形以外，省略与这些控制装置相关之记述。
首先，水平多关节型机器人58从OC24B内取出第1片晶片(以下，为了方便说明，记述为「晶片W1」)，并装载于晶片承交部64上。此时，水平多关节型机器人68系移动至图1之左端位置。因此，水平多关节型机器人68，系从晶片承交部64上将晶片W1搬入例如第1涂布部76内。由此以第1涂布部76内之旋转涂布器开始抗蚀剂之涂布。
以与上述水平多关节型机器人68之动作并行的方式，水平多关节型机器人58从OC24B内取出第2片晶片(为了方便说明，记述为「晶片W2」)，并装载于晶片承交部64上。又，水平多关节型机器人68将该晶片W2从晶片承交部64上搬入例如第2涂布部78。接着，当晶片W1之抗蚀剂涂布结束时，水平多关节型机器人68，即将该晶片W1从第1涂布部76取出并搬入烘烤部74。由此，即以烘烤部74内之烘烤装置开始晶片W1的加热处理(PB)。
在进行将上述晶片W1搬入烘烤部74之前的期间，水平多关节型机器人58，从OC24B内取出第3片晶片(为了方便说明，记述为「晶片W3」)，并装载于晶片承交部64上。又，水平多关节型机器人68将该晶片W3从晶片承交部64上搬入第1涂布部76内。
接着，当前述晶片W1之PB结束时，水平多关节型机器人68即将该晶片W1从烘烤部74取出并搬入冷却部80内。由此，即在冷却部80内部开始进行晶片W1之冷却。此冷却，系在搬入曝光装置10之处理室16内部、特别是搬入曝光室12A内时，以不会对该曝光室12A内各部造成影响之温度、例如以定在20～25℃范围内之曝光室12A内之空调***目标温度作为其目标温度来进行。此外，由于近年来之曝光装置系将微小线宽之图案转印形成于晶片上，因此温度管理为一重要项目。之所以如此，系因即使系极微小之温度变化所造成之晶片膨胀、收缩，亦会因而导致线宽异常或重迭不良等各种不良影响。此外，亦可考量在冷却后搬送至曝光装置之晶片载台WST前之温度变化来决定冷却时的目标温度。
其次，水平多关节型机器人68，即将已结束抗蚀剂涂布之晶片W2从第2涂布部78取出并搬入烘烤部74，接着将在该时点已被水平多关节型机器人58装载于晶片承交部64上的第4片晶片(为了方便说明，称为「晶片W4」)从晶片承交部64搬入第2涂布部78。
接着，当在冷却部80内结束晶片W1之冷却时，水平多关节型机器人68即将该晶片W1装载于晶片承交部82上。其次，水平多关节型机器人68在结束烘烤部74内之晶片W2的PB后，即将该晶片W2从烘烤部74取出并搬入冷却部80内。其次，水平多关节型机器人68将已结束抗蚀剂涂布之晶片W3从第1涂布部76取出并搬入烘烤部74内后，即将在该时点已被水平多关节型机器人58装载于晶片承交部64上的第5片晶片(为了方便说明，称为「晶片W5」)从晶片承交部64搬入第1涂布部76。其后，在C/D50内，系依序反复进行与上述相同之一连串对晶片之抗蚀剂涂布、PB、冷却、以及伴随这些一连串处理之上述晶片搬送动作，晶片W即依序被装载于晶片承交部82上。
在前述线内I/F部110内，水平多关节型机器人116，系将依序装载于晶片承交部82上之曝光前(未曝光)的晶片，依序装载于线内承交部114之装载侧的晶片承交部124A上。
另一方面，在曝光装置10侧，首先水平多关节型机器人26沿Y导件18移动至左端位置，透过处理室之开口从线内承交部114承接晶片W1。其次，水平多关节型机器人26，即沿Y导件18往图1中右侧移动至旋转台32前方，将晶片W1装载于旋转台32上后，水平多关节型机器人26为了立即承接次一晶片W2，即沿Y导件18向左端位置移动。
其后，通过未图示驱动***旋转驱动旋转台32，从而使保持于旋转台32之晶片W1旋转。在此晶片W1之旋转中，通过晶片边缘传感器进行晶片边缘之检测，并根据其检测信号，通过装载器控制装置34求出晶片W1之缺口方向、以及晶片中心与旋转台32中心之偏心量(方向及大小)。装载器控制装置34系使旋转台32旋转以使晶片W之缺口部方向一致于预定方向。
此时，虽装载臂28系位于预定晶片承接位置，以承接旋转台32上之晶片W1，但此情形下，系在暂时移动至可修正先前求出之晶片中心与旋转台32中心之偏心量之X成分的位置后才承接。其后，装载臂28即开始朝向在预定装载位置待机之晶片载台WST上方沿X导件20移动。
此时，水平多关节型机器人26在该时点前，已通过水平多关节型机器人116而承接装载于线内承交部114之晶片承交部124A之晶片W2。因此，当装载臂28从Y导件18移动一定距离以上时，即沿Y导件18往右侧移动至旋转台32前方，将晶片W2装载于旋转台32上。其后，水平多关节型机器人26即移动至预定待机位置，且开始旋转台32之旋转及藉晶片边缘传感器之晶片边缘检测，之后通过装载器控制装置34算出晶片W2之缺口方向、以及晶片中心与旋转台32中心之偏心量(方向及大小)。
装载臂28，当将晶片W1搬送至晶片载台WST上方时，即将该晶片W1交给晶片载台WST。此情形下，在从装载臂28将晶片W1交付晶片载台WST前一刻，系使晶片载台WST微幅驱动于Y轴方向，以修正上述偏心量之Y成分。
接着，进行对交付至晶片载台WST上之晶片W1的曝光动作。此外，此曝光系与一般扫描仪同样地，通过反复定位动作与扫描曝光动作来进行，该定位动作系使标线片R(标线片载台RST)与晶片W1(晶片载台WST)定位至供进行各照射区域之曝光的扫描开始位置，该扫描曝光动作，系一边使标线片R与晶片W1同步移动，一边以曝光用照明光照明标线片R上之狭缝状照明区域，使标线片R之图案透过投影光学***PL依序转印至晶片W1上的各照射区域。
当上述曝光结束时，晶片载台WST即移动至卸载位置、亦即前述装载位置，卸载臂30承接已曝光完毕之晶片W1，并搬送至Y导件18上方，交给在该处待机之水平多关节型机器人26。接着，通过水平多关节型机器人26搬送晶片W1，最后交付至线内承交部114之卸载侧的线内承交部124B。
此情形下，当水平多关节型机器人26往线内承交部114侧移动至不会干涉之位置时，装载臂28即从旋转台32上承接已结束旋转调整之晶片W2，并搬送向在装载位置待机之晶片载台WST上方，交付至晶片载台WST上。
其后，对已交付至晶片载台WST上之晶片W2进行曝光动作。之后，在曝光装置10内反复进行以下处理，亦即依序取入装载于晶片承交部124A之第3片晶片W3之后的晶片，透过与前述相同之路径搬送至晶片载台WST上并进行曝光后，最后交付至线内承交部114之卸载侧的晶片承交部124B。
另一方面，在线内I/F部110内，系以前述方式，在曝光装置10侧对第1片晶片W1之曝光结束、并通过曝光装置10侧之水平多关节型机器人26将该晶片W1搬送至晶片承交部124B之时点以后，即以预定顺序，反复进行水平多关节型机器人116从上述晶片承交部82将曝光前之晶片W搬送装载至晶片承交部124A上的动作、以及将已结束曝光之晶片W从晶片承交部124B搬送装载至晶片承交部82上的动作。
如前所述，通过线内I/F部110内之水平多关节型机器人116而从晶片承交部124B搬送装载至晶片承交部82上之已曝光完毕的第1片晶片W1，系被水平多关节型机器人68搬入烘烤部74内，通过该烘烤部74内之烘烤装置进行PEB。于烘烤部74内可同时收容多片晶片。
另一方面，已结束PEB之晶片W1，即被水平多关节型机器人68从烘烤部74取出而例如搬入第1显影部70内，开始以该第1显影部70内之显影装置进行显影。
在此显影中，水平多关节型机器人68，当已结束曝光之第2片晶片W2装载于晶片承交部82上时，即将该晶片W2从晶片承交部82搬入烘烤部74内。由此，即以该烘烤部74内之烘烤装置进行PEB。其次，水平多关节型机器人68以预定顺序，进行将次一晶片装载于晶片承交部82上、或将已结束PEB之晶片W2搬入第2显影部72等的动作。
接着，当晶片W1之显影结束时，水平多关节型机器人68即将晶片W1从第1显影部70取出并装载于晶片承交部64上。此晶片W1，最后会通过水平多关节型机器人58搬入OC24B内之预定收纳格。其后，在C/D50内，以与晶片W1相同之顺序对第2片之后之晶片反复进行PEB、显影、以及晶片之搬送。
总结至此为止之说明如下，在第1片晶片之曝光结束之前，系通过在涂布显影控制装置62管理下之C/D50内构成各部、以及线内I/F部110内之水平多关节型机器人116等，以预定步骤及顺序反复进行从OC24B取出晶片、抗蚀剂涂布、PB、冷却、以及伴随这些动作之晶片搬送，使曝光前之晶片依序装载至晶片承交部124A。又，在第1片晶片之曝光结束后，即以预定步骤及顺序反复进行从OC24B取出晶片、抗蚀剂涂布、PB、冷却、及伴随这些动作之晶片搬送动作，以及对依序装载至晶片承交部124B之已曝光结束之晶片的PEB、显影、将晶片搬入OC24B内、及伴随这些动作之晶片搬送动作。
本实施形式，系在涂布显影控制装置62与装载器控制装置34之间进行与晶片之搬送相关之信息的传输，并根据该信息，通过以涂布显影控制装置62、装载器控制装置34控制各晶片搬送***各部，来顺畅地进行上述各晶片透过上述线内I/F部110在C/D50侧与曝光装置10侧之传送(承交)。
此外，为了长时间顺畅进行上述之晶片处理动作，须进行构成光刻***100之曝光装置10或C/D50构成各部之维护等必要特定动作，以维持装置性能。此外，此处所述之特定动作，包含维护(除了定期维护、其它维护以外，亦包含零件更换等)、以及自我校准等所有为了维持装置性能之必要动作且系停止装置原本之动作所必须的动作。
下面，说明以曝光装置10进行之维护及自我校准的具体例。
a.激光装置1之***体更换
准分子激光，一般系将介质气体之氟等卤素气体、及氪、氩等惰性气体、以及缓冲气体之氦、氖等三种混合气体封入激光处理室，通过激光处理室内之放电电极间之辉光放电使卤素气体(氟F2)与惰性气体(Kr、Ar等)反应，以放出激光光来作为毫微秒级之脉冲光。准分子激光，由于在反复进行激光光之放出时，卤素气体会与在处理室内产生之杂质结合或吸附于处理室内侧，因此会使卤素气体之浓度降低而使激光之脉冲能量降低，且会使准分子激光光源之各构件零件劣化。又，由于射出光强度高之紫外光，因此亦会导致供激光光通过之透射窗或激光积分器(未图示)等恶化。
又，当使用此种准分子激光来作为曝光装置之光源时，脉冲能量之变动，会导致晶片上之曝光量控制精度降低、因光学***使用以减低晶片上之干涉纹的功能降低、或脉冲能量马达***之光电检测***之信号S/N比降低等。因此，使用准分子激光来作为光源之曝光装置，系监测随着气体浓度之降低而降低的脉冲能量，并根据此监测结果对高压电源之电源电压(从高压电源施加于放电电极之电压)进行反馈控制，从而缓缓提高该电源电压，以将脉冲能量保持于一定。然而，由于可施加之电源电压有其上限，因此须在施加电源一达到上限时即进行气体更换动作，使气体浓度回复适当值，并伴随于此降低施加电源以将脉冲能量保持于一定。
因此，本实施形式之曝光装置10，由于系使用由KrF准分子激光或ArF准分子激光构成之激光装置1来作为光源，因此须进行气体更换。例如当激光装置1为ArF准分子激光时，须以三天一次之频度更换激光装置1内的气体。进行此气体更换须约30分钟左右，而在此气体更换中，曝光装置10系完全无法进行使用激光光之动作。
又，此气体更换，系在对批量前头之晶片开始进行曝光前一刻进行。之所以如此，系因通过在进行气体更换后一刻对晶片进行曝光(换言之，系在对晶片开始进行曝光前一刻进行气体更换)，即可防止因时间经过导致之气体劣化来有效保持气体使用寿命。因此，进行此气体更换之批量，会较一般多花上三十分钟之时间。此外，关于准分子激光光源之气体更换，例如揭示于特开平2-294013号公报及与此对应之美国专利第5,383,217号公报等。在本国际申请案所指定之指定国或选择之选择国之国内法令允许范围内，援用上述美国专利中之揭示来作为本说明书记载之一部分。
b.晶片台TB上之移动镜27(更正确而言为X移动镜、Y移动镜)之弯曲测量
晶片台TB之位置，系通过将激光束(测距光束)垂直照射于X移动镜、Y移动镜之反射面、并接收来自各反射面之反射光束的激光干涉仪来测量。各激光干涉仪系以未图示参照镜(固定镜)为基准来测量移动镜反射面在测距轴方向(测距光束之方向)的位置变化。因此，当移动镜之反射面有弯曲时，所测量之晶片台的位置信息即会包含对应该反射面弯曲之误差。
然而，各移动镜由于须有与晶片台TB(XY载台141)之移动行程对应之X轴方向及Y轴方向的长度而具有相当之长度，因此，即使进行极高精度的表面加工(镜面加工)也不容易良好地确保其平坦度。又，纵使可以制作平坦度良好之移动镜，但将该移动镜固定于晶片台TB时产生扭曲、或固定后随时间变化而产生扭曲之可能性亦很高。再者，随着对曝光装置要求之曝光精度越高而须考量所要求之重迭精度、对准精度等时，欲制作具有可满足该要求精度等级之平坦度的平面镜即极为困难。因此，为了维持曝光装置之性能，时常测量移动镜反射面之形状、并使用该测量结果来修正起因于移动镜反射面形状之激光干涉仪的测量误差是不可或缺的。
作为此移动镜反射面形状(移动镜弯曲)之测量方法，例如可使用日本专利第3295846号公报等所揭示之方法，其系通过干涉仪测定移动镜之局部性倾斜，并加算该倾斜来求出移动镜反射面之形状。通过此方法测量移动镜弯曲需要10分钟左右的时间。
c.多点AF***(160a，160b)之传感器间偏置量之校正及晶片保持具25的平坦度(flatness)测量等
晶片系通过真空吸附或静电吸附等吸附保持在晶片保持具上。因此，晶片系仿傲晶片保持具之表面形状而变形。而当晶片保持具之平坦度不良时，吸附保持于该晶片保持具之晶片表面的平坦度亦变得不良，结果即导致起因于散焦的曝光不良。特别是，当为了达成所要求之分辨率，而使用ArF准分子激光光或KrF准分子激光光来作为曝光用照明光IL、且使用数值孔径(N.A.)较大之投影光学***的曝光装置时，以往不构成问题之程度之晶片保持具凹凸亦变得无法忽视。
作为测量上述晶片保持具之平坦度的方法，如本实施形式般具备多点AF***(160a，160b)之曝光装置，多采用下述方法，亦即使用该多点AF***，取得吸附保持于晶片保持具上、平坦度设定成非常高之测量用晶片(超平坦晶片)之多个检测点(测量点)的面位置信息，并使用该面位置信息(在Z轴方向之位置信息)来算出该超平坦晶片的平坦度(亦即保持具平坦度)。
不过，多点AF***(160a，160b)，由于系通过多个传感器个别测量在多个检测点(测量点)之被测量物的面位置信息，因此当这些传感器间产生输出不均(如起因于个体差等)时，该输出不均即成为误差之主要原因而难以正确地测量保持具平坦度，且亦成为曝光时晶片焦点位准之控制误差的主要原因，对图案之成像性能带来莫大影响。
因此，本实施形式，系进行多点AF***(160a，160b)之传感器间偏置校正(校准)，且使用该校准后之多点AF***(160a，160b)进行上述保持具平坦度测量。
此处，在进行多点AF***(160a，160b)之传感器间偏置校正(校准)时，能以与例如国际公开第02/054462号小册子等所揭示之方法同样地，使用基准平面板143进行传感器间偏置校正。又，作为保持具平坦度测量之方法，例如能采用揭示于特开2002-048527号公报等之方法。亦即，在进行上述保持具平坦度之测量时，使用已校正上述传感器间偏置后之多点AF***(160a，160b)，来测量吸附保持于晶片保持具25上之超平坦晶片表面于多个测量点中在Z轴方向的位置信息(面位置信息)。上述测量，系一边移动晶片载台WST、一边在超平坦晶片上之多处进行。接着，在已取得预定之预定数目面位置信息的阶段中，对至此为止已取得之面位置信息群进行预定统计处理，以算出作为晶片保持具平坦度之超平坦晶片的平坦度(flatness)。
根据上述晶片平坦度之测量结果，亦能检测出存在于晶片保持具上之杂质等异物，当检测出异物时，即进行晶片保持具之清扫或更换。当晶片保持具之平坦度测量结果为不良时，亦进行晶片保持具之更换等。
上述之多点AF***(160a，160b)之传感器间偏置校正、晶片保持具之平坦度测量、以及根据该结果进行之晶片保持具的更换等作业，约需30分钟左右。
此外，在进行上述传感器间偏置之校准时，亦可不使用基准平面板143而使用超平坦晶片。使用此种超平坦晶片之方法亦揭示于国际公开第02/054462号小册子。
d.形成于基准标记板FM之基准标记之旋转测量(载台正交测量)
在使用离轴方式之对准***ALG的情形下进行该对准***之基线测量时，一定要测量形成于晶片台TB上之基准标记板FM的基准标记(fiducial mark)在载台坐标系上的位置坐标。基准标记在载台坐标系上之位置坐标的测量，系在晶片台TB上之移动镜27(X移动镜、Y移动镜)与基准标记板FM之位置关系为预定关系的前提下进行，根据对准***ALG之检测中心与基准标记之位置关系、以及以该检测时之晶片干涉仪31所测量之X，Y坐标(亦即X移动镜与Y移动镜之参照镜)为基准的位置信息，算出基准标记在载台坐标系上的位置坐标。因此，基准标记板FM与晶片台TB上之移动镜27(X移动镜、Y移动镜)的关系最好恒保持于一定。
然而，在进行其它维护作业时，有时会因操作者接触于移动镜27(X移动镜、Y移动镜)或基准标记板FM、或因热影响等之随时间变化，导致基准标记板FM相对移动镜27(X移动镜、Y移动镜)旋转。当如上述般两者间之位置关系变动时，基准标记位置之测量即很有可能产生误差，使基线测量精度下降而导致曝光精度恶化。因此，本实施形式中，系通过以对准***ALG检测基准标记板FM上之基准标记，并根据该检测结果与当时之晶片干涉仪31的测量结果，测量出移动镜与基准标记之位置关系从初期状态偏移了多少，再进行初期值之修正。
此外，上述基准标记之旋转测量需要5～10分左右之时间。
e.标线片载台RST与晶片载台WST之同步精度确认
如本实施形式之步进扫描方式之扫描曝光装置，在进行扫描曝光时标线片载台RST(标线片)与晶片载台WST(晶片)之同步误差的动态要因，会成为转印至晶片上之图案像位置偏移(或畸变)或分析能力劣化的要因。又，目前已知标线片载台RST(标线片)与晶片载台WST(晶片)之同步精度会随时间变化，因此有可能会随着时间之经过而使曝光精度降低。
因此，本实施形式中，例如系根据照射图来同步移动标线片载台RST与晶片载台WST，并撷取用以测量在其间之标线片载台RST位置的干涉仪13、以及用以测量晶片载台WST位置之干涉仪31的测量结果。接着，判断在标线片侧干涉仪13之测量结果与晶片侧干涉仪31之测量结果之间是否产生同步误差。此种同步误差之测量例如记载于特开平11-067655号公报等。
此外，上述同步精度之测量约需要15分左右之时间。
f.晶片装载之再现性测量
在将晶片W装载于晶片台TB上时，若不一直装载于所欲位置，即会产生例如在进行晶片对准时即使欲使用对准***ALG来测量晶片W上之对准标记(搜寻标记或微细标记)，对准标记亦无法进入对准***之测量区域(视野)的状况。此种情况下，操作者即必须进行援助，而很有可能成为引起产能降低之主要原因。
因此，晶片装载之再现性测量系相当重要，本实施形式中，系从C/D侧将预定片数之晶片送至曝光装置侧，反复依序执行装载、卸载，以测量晶片装载之再现性。或者使用一片晶片，反复执行装载、卸载，以测量晶片装载之再现性。当通过这些测量而造成再现性降低时，即须进行搬送行程之修正等。
上述晶片装载之再现性测量，虽亦会视进行测量所使用之晶片片数或测量之反复次数而有所不同，但一般需要15～30分钟左右。
g.AF面与晶片台上面之面对齐
此处之AF面，系指前述传感器间偏置经调整之多点AF***(160a，160b)的多个传感器输出均规定成基准值(例如零)的假想基准平面。
当进行曝光中之焦点位准控制，晶片台上之晶片表面与投影光学***PL之像面分离时，即须耗费时间追随进行该焦点位准控制时之晶片的面位置，或会产生追随延迟，导致产能或曝光精度降低。因此，在进行曝光时，晶片表面最好位于投影光学***PL之像面附近。
因此，本实施形式中，AF面与晶片台上面之面对齐、亦即为了使AF面与晶片载台之移动面(行走面)平行之调整，系以下述方式执行。
亦即，本实施形式之曝光装置10中，晶片载台WST系支撑在与保持投影光学***PL之第1柱架132分别独立置放的载台底座SB上(参照图2)。此载台底座SB由前述防振单元43支撑。
此情形下，晶片载台WST在高度方向(投影光学***PL之光轴方向)之位置，可通过调整空气承架机构(构成防振单元43)内之空气量来调整载台底座SB的高度位置，来进行粗调整。又，晶片台TB上之基准平面板143的面位置，系位于与保持于晶片保持具25上时之晶片的面位置大致同一面上。
另一方面，多点AF***(160a，160b)之各传感器，例如系预先进行校准，以使在使用空间像测量器以后述方式测量出之最佳聚焦位置成为原点。其结果，前述AF面即与投影光学***PL之像面大致一致。
因此，本实施形式，系使用多点AF***(160a，160b)测量基准平面板143之面位置信息，并根据该测量结果透过防振单元43来调整载台底座SB之高度位置，从而执行使基准平面板143之面位置与AF面一致、使AF面与晶片载台之移动面(行走面)平行的调整。
上述之面对齐需要约5分钟左右。
h.投影光学***PL之成像特性测量等
由于投影光学***PL之成像特性会对图案之转印精度带来很大影响，因此须频繁地测量，并使用未图示成像特性调整机构、例如用以驱动特定之多个透镜组件(构成投影光学***PL)之机构等来调整该成像特性。又，投影光学***PL之最佳聚焦位置的测量结果，亦用于调整多点AF***(160a，160b)之各传感器的原点位置。
因此，本实施形式中，系通过和前述特开2002-198303号公报及对应于此之美国专利申请公开第2001/0041377号说明书等所揭示者相同的方法，使用前述空间像测量器，透过狭缝扫描方式测量前述REM板上之各种测量用标记的空间像，从而以预定时序测量投影光学***PL之最佳聚焦位置、畸变、或彗形像差等。这些测量需要3、4分钟左右之时间。此外，除了最佳聚焦位置、畸变、或彗形像差以外，亦可测量波面像差。测量波面像差之装置，例如揭示于国际公开第99/60361号小册子及与此对应之美国申请第09/714,183号。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)之国内法令允许范围内，援用上述美国专利申请公开中之揭示来作为本说明书记载之一部分。
i.曝光装置内之零件的定期更换作业
于曝光装置10之构成零件中，存在有对准***ALG光源之卤素灯、设于曝光装置10之处理室16等的化学过滤器、构成激光装置1之消耗品(激光消耗品)、以及照明单元ILU内之光学零件等有使用寿命且须定期更换的零件。
例如，卤素灯须以一个半月左右之周期来更换。化学过滤器须以三～六个月左右之周期、激光消耗品及光学零件则须以一年左右之周期来更换。另一方面，可知上述更换周期越长者，每次更换所需时间、亦即更换时曝光装置之停机时间则越长。不过，除了卤素灯以外之零件的使用寿命会随曝光装置之设置环境、或使用状况而变化，因此无法将其使用寿命规定成一定。
因此，本实施形式中，系在曝光装置内监测曝光装置之环境或使用状况，由主控制装置120管理其使用状况等。接着，在到了适当更换时期之阶段，即于输出入装置230之显示器上显示更换时期，以通知操作者已到各零件之更换时期。
另一方面，C/D50侧亦与上述曝光装置10同样地存在各种维护项目。
例如，C/D50内之前述第1涂布部76及第2涂布部78具有旋转涂布器，此旋转涂布器包含将晶片保持于水平并以高速使其旋转之旋转驱动机构，使远心力作用于供应至晶片之抗蚀剂等处理液，以进行将处理液涂满晶片全面之处理。在进行此旋转涂布时，供应至晶片上之处理液之剩余部分会飞溅至晶片外侧。因此，在旋转涂布器中，系设置包围晶片周围之中空杯体来防止处理液飞溅至外侧。
如上所述，于用以防止处理液往外侧飞溅之杯体内壁，由于会附着在进行旋转涂布时飞溅之处理液，因此当该附着之处理液干燥并固化时，会因振动或冲击等从杯体内壁剥离，并附着于晶片表面而引起处理不良或晶片之污染。又，当处理液之固化物积层于杯体内壁时，其表面形状即成凹凸，扰乱在进行旋转处理时之杯体内的气流。又，该气流之乱流会对晶片外周部之涂布膜带来影响，而有产生涂布膜之膜厚不均一之虞。
因此，目前已提出各种用以洗净杯体内壁之洗净方法。例如于特开平5-82435号公报及与此对应之美国专利第5,312,487号公报即揭示有具备杯体洗净机构之涂布装置。
本实施形式中，系进行以往所提出之洗净方法中之一方法。
又，本实施形式，系在例如对预定片数(例如五百片)之晶片进行抗蚀剂涂布的阶段进行上述杯体洗净。此外，此杯体洗净需要约10分钟左右之时间。
又，在C/D50侧亦与曝光装置10侧同样地存在有须定期进行更换之零件。例如可想到有各种过滤器或配管等(例如参照特开平11-40490号公报、特开平11-156132号公报(对应美国专利第6,287,023号公报))。因此，在C/D50，涂布显影控制装置62亦监测各部之使用状况，当到了各零件之适当更换时期之阶段即于输出入装置63之显示器上显示更换时期，以通知操作者已到各零件之更换时期。
再者，本实施形式中，上述C/D50侧之与维护相关之信息、例如与杯体洗净相关之信息(时序及所需时间)、零件更换之时期、零件更换所需时间等的信息，系在涂布显影控制装置62进行管理，并将该信息送至主控制装置120。
因此，曝光装置10之主控制装置120，系自涂布显影控制装置62接收C/D50侧之与上述维护相关的信息，以决定装置自身(曝光装置10)之动作。此时，曝光装置10之主控制装置120，系根据与该维护相关之信息的具体内容，协调进行装置自身(曝光装置10)之维护作业(例如前述a～i等特定动作之至少一个)与C/D之维护作业。具体而言，主控制装置120，系考量在C/D50之维护作业内容、该作业之开始时期、以及该作业所需时间等，从例如前述a～i等特定动作中，至少决定一个能与在C/D50侧之维护作业同时执行之装置自身的作业，以谋求维护时机之最佳化。如此，可减少进行该特定动作所必须之曝光装置10整体的停机时间(此亦为C/D50之停机时间)，由此可避免以线内方式连接于C/D50之曝光装置10的装置性能降低，提升运转率。
特别是，由于主控制装置120综合性地管理关于装置自身与C/D50侧之零件更换的信息，因此能使其更换时期一致(彼此配合)。由此，例如于某天进行C/D50侧之零件更换，并于其次日进行在曝光装置10侧之零件更换，即可连续两天两次避免停止曝光装置10原本之动作等的事态产生，且通过与C/D50侧之零件更换作业同时执行曝光装置10侧之零件更换作业，即能明显地减低曝光装置10及C/D50之停机时间、亦即光刻***100整体之停机时间。
此外，作为维护作业，截至目前为止虽说明了以曝光装置10及C/D50个别进行之维护作业，但就光刻***100之维护项目而言，亦存在若不使用曝光装置10与C/D50即无法进行之项目。此种维护项目之具体例，可举出利用印刷法之各种测量方法，其系以曝光装置10将任意一个或多个测量用图案转印至晶片W上的多个区域，以C/D50使转印有该测量用图案之晶片W显影，于显影后使用SEM(扫描型电子显微镜)或对准检测***ALG等测量形成于该晶片W上之抗蚀剂像的线宽、间隔等，再根据该测量结果求出曝光装置10各部的性能。此种测量方法，例如可举出投影光学***PL之各种成像特性(包含最佳聚焦位置)之测量方法来作为其代表。
本实施形式中，曝光装置10之主控制装置120，系储存有一装置需要另一装置之维护信息、例如与上述之利用印刷法的各种测量方法相关的信息，以及各装置可单独进行作业之维护信息、前述a.～h.之维护信息、与C/D侧之杯体洗净相关之信息、以及与零件更换相关之信息等。又，主控制装置120，系根据这些信息来进行各装置维护时期的最佳化。由此，可减低光刻***100整体之停机时间。
如以上所说明般，本实施形式之曝光装置10，系根据来自C/D50之与维护相关的信息，主控制装置120，当在C/D50之维护中(亦即曝光装置原本之运转必然会停止时)，能以与此并行之方式，决定进行为了维持装置自身性能所必须的动作且为须使装置原本之动作停止的特定动作。其结果，可减少进行该特定动作所必须之曝光装置整体的停机时间(此亦系C/D50之停机时间)，由此可避免以线内方式连接于C/D50之曝光装置的装置性能降低，提升运转率。
又，根据本实施形式之光刻***100，曝光装置10之主控制装置120，系兼作为协调进行曝光装置之维护作业与前述C/D50之维护作业的维护管理装置。如此，与以毫无关联之方式进行曝光装置之维护作业与C/D50之维护作业的情形相异，而是可通过主控制装置120尽可能地同时进行两装置之维护作业以谋求维护时点的最佳化，从而可避免光刻***100之性能降低，提升其运转率。
此外，上述实施形式中，虽根据C/D50之维护信息决定曝光装置的维护动作，但本发明并不限于此，亦能根据C/D50之维护信息决定曝光装置之某些动作，如此同样可谋求停机时间之缩短。
《第2实施形式》
下面，根据图4说明本发明之第2实施形式。此处，对与前述第1实施形式相同或同等之构成部分系使用相同符号，省略其说明。本第2实施形式之光刻***，由于仅有控制***之构成与前述第1实施形式相异，因此以下以此相异点为中心进行说明。
图4，系以方块图显示本第2实施形式之光刻***的控制***构成。
如此图4所示，第2实施形式所具有之特征，系于C/D50侧之涂布显影控制装置62与曝光装置10之主控制装置120共同连接有主计算机90。当然，本第2实施形式中，应以C/D50执行之维护作业项目(包含零件更换等)、应以曝光装置10执行之维护作业项目(包含零件更换、各种自我校准)系与前述第1实施形式相同。
本第2实施形式之光刻***，由主控制装置120管理之曝光装置10侧之与前述各种维护(包含零件更换)相关的信息(维护作业之内容、时期(时点)、所需时间等)，系随时送至主计算机90。又，由涂布显影控制装置62管理之C/D50侧之与维护(包含零件更换)相关的信息(维护作业之内容、时期(时点)、所需时间等的信息)等，系随时送至主计算机90。
因此，主计算机90，系综合性地管理曝光装置10侧及C/D50侧之维护必要性等，协调进行C/D50侧之维护作业与曝光装置10侧之维护作业。
又，本第2实施形式中，主计算机90，系将使用曝光装置10与C/D50来进行之维护项目、以及以前述各装置单独进行之维护项目分类，以两装置尽可能可同时进行各装置单独进行之维护项目的方式来进行管理。
如以上所说明，根据本实施形式之光刻***100，曝光装置10之主控制装置120，由于系协调进行曝光装置10之维护作业与以线内方式连接于该曝光装置10之C/D50之维护作业，因此与以毫无关联之方式进行曝光装置10之维护作业与C/D50之维护作业的情形相异，而是可通过主计算机90尽可能地同时进行两装置之维护作业以谋求维护时点的最佳化，从而可避免光刻***之性能降低，提升其运转率。
又，主计算机90，系将需要曝光装置10与C/D50两装置来进行之维护、以及能以各装置单独进行之维护项目分类，并以最佳时点(亦即，在单独之维护之情况下，两装置同时进行个别之维护)进行，从而能极力缩短光刻***整体之停机时间，提升其运转率。
此外，上述第2实施形式中，虽说明从曝光装置10之主控制装置120及C/D50之涂布显影控制装置62除了将维护作业的时期(时点)送至主计算机90以外，亦将维护作业之内容与其所需时间送至主计算机90，但本发明并不限于此，当于主计算机90内之内存储存有与各维护作业之所需时间相关的信息时，主控制装置120、涂布显影控制装置62，亦可仅将与维护作业之时期(时点)及维护作业之内容相关的信息送至主计算机90。
此外，上述第2实施形式中，虽系协调进行曝光装置10之维护与C/D50之维护，但本发明并不限于此，亦能与C/D50之维护作业协调进行为了维持曝光装置10侧性能所必须的动作且为须使装置停止的某些动作。
又，上述第2实施形式中，曝光装置10(主控制装置120)及C/D50(涂布显影控制装置62)与主计算机90虽透过通信线路来收发送该信息，但作为此种通信线路，除了能使用平行通信线路、串行通信线路等有线线路外，亦可使用无线、红外线、或其它方式来传输信息。又，在进行例如平行通信时亦可使用既有之信号线之空线。在进行串行通信时，亦可仅对以往传输之信号(或信息)附加上述信息。
此外，上述各实施形式中，虽说明透过线内I/F部110来以线内方式连接C/D50与曝光装置10，但本发明并不限于此，亦可直接连接基板处理装置与曝光装置。又，上述各实施形式中，虽说明基板处理装置系一以线内方式连接于曝光装置的C/D，但并不限于此，基板处理装置只要系以线内方式连接于曝光装置之装置，即亦可系显影装置(显影器)、抗蚀剂涂布装置(涂布器)之任一者或亦可系两者，或亦可系其它基板处理装置。
又，上述各实施形式中，虽系以与C/D50之维护作业(动作)之至少一部分并行之方式，来执行曝光装置10之维护作业(动作)或校准作业(动作)，但亦可系与连接于曝光装置10之其它装置之维护作业(动作)或校准作业(动作)之至少一部分并行的方式来进行。
例如，由于连接于曝光装置10之激光装置1不仅有如上述之气体更换，尚须进行例如特开平10-275951号公报及与此对应之美国专利6,219,367号公报等所揭示般、光学零件或放电电极等电气相关零件等的更换，因此亦能以与这些维护作业(动作)之至少一部分并行之方式，以曝光装置10执行前述a～i等作业(动作)中、不使用来自激光装置1之激光光的至少一个作业(动作)。
此外，上述各实施形式中，虽说明了将本发明适用于以线内方式连接于C/D50之单一晶片载台型的步进扫描方式投影曝光装置，但并不限于此，当然亦可将本发明适用于双晶片载台型之步进扫描方式投影曝光装置，或适用于步进重复型之投影曝光装置、或近接方式之曝光装置等其它曝光装置。又，亦可将本发明适用于如国际公开第99/49504号小册子所揭示之使用液浸法的曝光装置。
又，曝光装置之用途并不局限于半导体制造用，亦可系用以将液晶显示元件图案转印至方形玻璃板的液晶用曝光装置、电浆显示器或有机EL等之显示装置、以及用以制造薄膜磁头、摄影元件(CCD等)、微型机器、DNA芯片等的装置。又，曝光装置，不局限于供制造半导体元件等微型组件之曝光装置，亦可系为了要制造在光曝光装置、EUV曝光装置、X线曝光装置、及电子线曝光装置等所使用之标线片或掩模，而将电路图案转印至玻璃基板或硅晶片的曝光装置。
《组件制造方法》
接着，说明将上述实施形式之光刻***使用在光刻步骤之组件制造方法的实施形式。
第5图，系显示元件(IC或LSI等半导体芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微型机器等)的制造例流程图。如第5图所示，首先，步骤401(设计步骤)，进行组件之功能、性能设计(例如半导体组件之电路设计等)，并进行用以实现其功能之图案设计。接着，步骤402(掩模制作步骤)，制作形成有所设计电路图案之掩模。另一方面，步骤403(晶片制造步骤)中，使用硅等材料来制造晶片。
其次，步骤404(晶片处理步骤)，使用在步骤401～步骤403所准备的掩模与晶片，并如后述般通过光刻技术等将实际电路等形成于晶片上。其次，步骤405(组件组装步骤)，使用在步骤404所处理之晶片进行组件组装。于此步骤405中，系视需要而包含切割步骤、接合步骤及封装步骤(芯片封入)等步骤。
最后，步骤406(检查步骤)，系进行在步骤405制成之组件的动作确认测试、耐久性测试等检查。在经过这些步骤后组件即告完成，并将之出货。
第6图，系显示若为半导体组件时，该步骤404之详细流程例。第6图中，步骤411(氧化步骤)，系使晶片表面氧化。步骤412(CVD步骤)，系于晶片表面形成绝缘膜。步骤413(电极形成步骤)，系通过蒸镀将电极形成于晶片上。步骤414(离子植入步骤)，系将离子植入晶片。以上步骤411～步骤414之各步骤，系构成晶片处理之各阶段的前置处理步骤，并视各阶段所需处理加以选择并执行。
晶片处理的各阶段中，当结束上述前置处理步骤时，即如以下进行后续处理步骤。此后续处理步骤中，首先，步骤415(抗蚀剂形成步骤)，将感光剂涂布于晶片。接着，步骤416(曝光步骤)，将掩模之电路图案转印于晶片。其次，步骤417(显影步骤)，使已曝光之晶片显影。此步骤415～417之处理系由上述实施形式之光刻***100来进行。
接着，步骤418(蚀刻步骤)，通过蚀刻除去抗蚀剂残存部分以外之部分的露出构件。接着，步骤419(抗蚀剂除去步骤)，除去结束蚀刻后不需要之抗蚀剂。
通过反复进行这些前置处理步骤及后续处理步骤，于晶片上形成多重电路图案。
由于若使用以上说明之本实施形式的组件制造方法，即会在步骤415～417之处理步骤(光刻步骤)中使用具备上述实施形式之光刻***，而在曝光装置10与C/D50之间传输与维护相关之信息，可谋求停机时间之缩短，因此能谋求组件生产性之提升。特别是，当使用F2激光光源等真空紫外光源来作为曝光用光源时，即能与投影光学***PL之解析力之提升产生相乘效果，即使例如最小线宽为0.1μm左右亦能提升其生产性。
如以上说明，本发明之曝光装置、动作决定方法、基板处理***及维护管理方法、以及组件制造方法，系适用于微型组件之生产。

Claims (20)

1.一种曝光装置，以线内方式连接于基板处理装置，其特征在于：
具备动作决定装置，根据来自所述基板处理装置的与维护相关的信息，决定装置自身的动作。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其中，来自所述基板处理装置的与维护相关的信息包含与在所述基板处理装置进行的维护作业内容相关的信息；
所述动作决定装置根据所述维护作业内容来决定装置自身的动作。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其中，来自所述基板处理装置的与维护相关的信息包含与在所述基板处理装置进行的维护作业所需的时间相关的信息；
所述动作决定装置根据所述维护作业所需的时间来决定装置自身的动作。
4.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述被决定的装置自身的动作包含维护作业。
5.如权利要求4所述的曝光装置，其中，所述动作决定装置与所述基板处理装置的维护作业的至少一部分并行地进行装置自身的维护作业。
6.如权利要求4所述的曝光装置，其中，所述装置自身的维护作业包含曝光用光源即激光装置的维护作业。
7.如权利要求4所述的曝光装置，其中，所述装置自身的维护作业包含不伴随基板的曝光的作业。
8.如权利要求4所述的曝光装置，其中，所述装置自身的维护作业包含零件更换作业。
9.一种动作决定方法，决定以线内方式连接于基板处理装置的曝光装置中的动作，其特征在于，包含：
取得来自所述基板处理装置的与维护相关的信息的步骤；以及
根据所述信息来决定曝光装置的动作的步骤。
10.一种基板处理***，具备曝光装置、和以线内方式连接于所述曝光装置的基板处理装置，其特征在于：
具备维护管理装置，协调进行所述曝光装置的维护作业与所述基板处理装置的维护作业。
11.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护管理装置为所述曝光装置所具备的控制用计算机、以及所述基板处理装置所具备的控制用计算机的任一个。
12.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护管理装置为共同连接于所述曝光装置及所述基板处理装置的计算机。
13.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护管理装置与所述曝光装置的维护作业的至少一部分并行地进行所述基板处理装置的维护作业。
14.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述曝光装置作为曝光光源具有激光装置；
所述曝光装置的维护作业包含所述激光装置的维护作业。
15.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护作业包含零件更换作业。
16.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护管理装置储存与所述曝光装置的零件更换时期相关的信息、以及与所述基板处理装置的零件更换时期相关的信息，根据这些信息来进行各装置的零件更换时期的最佳化。
17.如权利要求10所述的基板处理***，其中，所述维护管理装置储存一个装置需要另一个装置的维护信息、以及各装置可单独进行作业的维护信息，根据这些信息来进行各装置的维护时期的最佳化。
18.一种维护管理方法，管理基板处理***中的各装置的维护作业，该基板处理***具备曝光装置、和以线内方式连接于所述曝光装置的基板处理装置，该方法的特征在于，包含：
取得所述曝光装置的与维护相关的信息的步骤；
取得所述基板处理装置的与维护相关的信息的步骤；
根据所述两个信息来进行管理，以便协调地进行所述两个装置中的维护作业的步骤。
19.一种组件制造方法，包含光刻步骤，其特征在于：
在所述光刻步骤中，使用权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，将组件图案形成于基板上。
20.一种组件制造方法，包含光刻步骤，其特征在于：
在所述光刻步骤中，使用权利要求10至17中任一项所述的基板处理***，执行对基板的处理，该对基板的处理包含将组件图案形成于基板上。
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