CN101000943A - 包括传感增强层的磁性传感器件 - Google Patents

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Abstract

一种磁性传感器包括传感器叠层，该传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻－面积(RA)积时呈现出至少约80％的磁阻比。

Description

包括传感增强层的磁性传感器件
技术领域
本发明涉及磁性传感器。本发明尤其涉及包括隧道阻挡和层以改善传感器灵敏度的磁性传感器。
背景技术
在电子数据存储和检索***中，磁性记录头通常包括带有传感器以检索存储在磁盘上的磁性编码信息的读取器部分。来自盘表面的磁通量引起传感器的一个或多个传感层的磁化矢量旋转，这又会引起传感器电特性的变化。传感层通常可被称为自由层，因为传感层的磁化矢量可以响应于外部磁通量而自由旋转。传感器电特性的变化可通过让电流流经传感器并测量该传感器两端的电压来检测。取决于器件的几何结构，传感电流可以在器件的各层所在平面(CIP)中通过，或与器件的各层所在的平面(CPP)垂直地通过。外部电路随后将电压信息转换成恰当格式并在必要时处理该信息以恢复在磁盘上编码的信息。
现代读取头内的本质结构是含有呈现出某种类型的磁阻(MR)，诸如隧穿磁阻(TMR)的铁磁材料的薄膜多层结构。典型的TMR传感器构造包括由放置在合成反铁磁(SAF)和铁磁自由层之间，或放置在两层铁磁自由层之间的绝缘薄膜或阻挡层形成的多层结构。阻挡层薄到足以允许电子在各磁性层之间隧穿。从一个磁性层入射到阻挡层的电子隧穿的可能性取决于电子波函数的特性以及相对于另一磁性层内磁化方向的电子自旋。结果，TMR传感器的电阻取决于磁性层磁化的相对方位，从而对其中各磁性层的磁化平行的构造呈现出最小值，而对其中各磁性层的磁化反平行的构造呈现最大值。
某些TMR传感器结合有包括氧化镁(MgO)在内的阻挡层，这允许在TMR传感器的电阻-面积(RA)积较高(即，大于10Ω·μm2)时接近200％的磁阻比。为了实现高磁阻比，有时可以结合高温退火(即，高于300℃)使用紧接绝缘薄膜的CoFeB基单层自由层。然而，此种器件会导致高正磁致伸缩、高RA积、以及高退火温度，所有这些都会导致器件性能降低或使该器件加工困难。为了降低器件的磁致伸缩，CoFeB自由层可以被层叠或用具有负磁致伸缩的材料来共同溅射。虽然这样能的大具有低磁致伸缩的传感器，但是该传感器的磁阻比却会大幅下降。
发明内容
本发明是一种包括传感器叠层的磁性传感器，该传感器叠层具有第一磁性部分、第二磁性部分、以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该结构具有与阻挡层毗邻并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在该磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻-面积(RA)积时具有至少约80％的MR比。
附图说明
图1是包括带传感增强层的多层自由层的磁性传感器的层示意图。
图2是包括带传感增强层的多层基准层的磁性传感器的层示意图。
图3是包括带传感增强层的多层自由层的以及带传感增强层的多层基准层的磁性传感器的层示意图。
图4是图3的磁性传感器与不带传感增强层的磁性传感器相比较的磁阻(MR)比与电阻-面积(RA)积之间的关系的图表。
具体实施方式
图1是磁性传感器10的层示意图，其中包括自由层14、阻挡层16、基准层18、耦合层19、被销住层20和销住层21。自由层14包括第一铁磁层22、传感增强层24和第二铁磁层26。在一个实施例中，磁性传感器10被放置在磁性记录头内的两个电极或屏蔽之间。磁性传感器10还可以包括附加层，诸如促进磁性传感器10中后继层的生长的籽晶层、以及改变磁性传感器10的例如电阻-面积(RA)积和磁阻(MR)比之类的性质的覆盖层。应该注意到，磁性传感器10的构造仅是示意性的，并且可以依据本发明使用关于磁性传感器10的其他层构造。例如，可以用基准层18代替第二自由层以形成三层型的磁性传感器。此外，尽管图1中描绘了底部型传感器构造，但磁性传感器10的各层也可用顶部型传感器构造来构造。
在操作中，传感电流通过磁性传感器10。传感电流垂直于磁性传感器10各层所在的平面流动并经历一电阻，该电阻与在自由层磁化方向和基准层磁化方向之间，或是在两层自由层的磁化方向之间(在三层磁性传感器中)形成的角度的余弦呈正比。随后测量磁性传感器10两端的电压以确定电阻的变化，并使用所得信号例如从磁性介质中恢复编码信息。
自由层14包括第一铁磁层22、传感增强层24和第二铁磁层26。自由层14的磁化响应于诸如磁性介质所发出磁场等外部磁场而自由旋转。第一铁磁层22毗邻阻挡层16放置，而传感增强层21被放置在第一铁磁层22和第二铁磁层26之间。第一铁磁层22包括具有正磁致伸缩的材料，诸如CoFeB或CoFe基的合金，以改善磁性传感器10在高(即，大于10Ω·μm2)和低(即，小于4Ω·μm2)传感器电阻-面积(RA)积时的磁阻比。可以调整第一铁磁层22内各元素的比率以改善磁性传感器10的性能。
为补偿第一铁磁层22的正磁致伸缩，自由层14内在传感增强层24上与第一铁磁层22相反的一侧上还包括第二铁磁层26。第二铁磁层26包括带负磁致伸缩的材料，并且可以包括与第一铁磁层22交换耦合的结晶或非晶铁磁材料。在一个实施例中，第二铁磁层26包括Ni、诸如NiFe等Ni基合金或CoFe。第二铁磁层26可以层叠在第一铁磁层22上或与其共同溅射。
传感增强层24被放置在第一铁磁层22和第二铁磁层26之间。传感增强层24与不带有传感增强层24的传感器相比，能明显增大磁性传感器10的磁阻(MR)比。这可能是因为传感增强层24分隔了第一铁磁层22和第二铁磁层26的晶体生长，保护了第一铁磁层22和阻挡层16之间以及第一铁磁层22和第二铁磁层26之间的界面，或是防止了第一铁磁层22和第二铁磁层26之间的组成元素的扩散(从而防止这些层的劣化)。
在一个实施例中，传感增强层24由Ta组成。传感增强层24还可由其他非磁性材料制成，诸如Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti或它们的合金。在一个实施例中，非磁性传感增强层24的厚度tS1范围在约0.5至约10之间。传感增强层24还可包括磁性材料，诸如CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金。如果传感增强层24由磁性材料组成，则厚度tS1可以远大于传感增强层24由非磁性材料组成时的厚度。
第一铁磁层22和第二铁磁层26磁化的相对方位取决于传感增强层24的材料和厚度。即，第一铁磁层22和第二铁磁层26可以是铁磁耦合，使得各层的磁化相互平行排列。第一铁磁层22和第二铁磁层26还可以反铁磁耦合，使得各层相互反平行排列(例如，当传感增强层26由Ru组成并且其厚度范围在约4至约12之间时)。
阻挡层16由允许电子在自由层14和参考层18之间隧穿的材料组成。在一个实施例中，阻挡层16是氧化镁(MgO)层。该MgO层通过MgO射频(RF)沉积技术或分子束外延(MBE)形成。MgO层还可以通过氧化沉积的Mg层(诸如，通过等离子体氧化、自由基氧化或自然氧化)而形成。阻挡层16还可以包括其他结构，诸如Mg/MgO或MgO/Mg双层、Mg/MgO/Mg三层、或者包括MgO和Mg的任何其他层叠或多层结构。选择阻挡层16的厚度以在对磁性传感器10的MR比最大化和RA积最小化之间进行平衡。
基准层18包括铁磁材料，诸如CoFeB。基准层18还可以由任何其他种类的铁磁材料组成，包括结晶或非晶铁磁材料。基准层18、耦合层19和被销住层20都包括带有固定磁化方向的合成反铁磁体(SAF)。基准层18和被销住层20通过耦合层19磁性耦合，使得基准层18的磁化方向与被销住层20的磁化方向相反。通过被销住层20与销住层21的交换耦合可以销住被销住层20的磁化。在一个实施例中，被销住层20含有铁磁材料而销住层21则含有反铁磁材料。可选地，SAF和销住层21可由其磁化经由偏压场固定的单层铁磁层所代替，其中该偏压场例如可由毗邻磁性传感器10放置的永磁体(未示出)产生。
图2是磁性传感器30的层示意图，其中包括自由层34、阻挡层36、基准层38、耦合层39、被销住层40和销住层41。基准层38包括第一铁磁层42、传感增强层44和第二铁磁层46。在一个实施例中，磁性传感器30被放置在磁性记录头内的两个电极或屏蔽之间。磁性传感器30包括具有与图1所示的磁性传感器10中的相似元件相类似的性质的元件。更具体地，阻挡层36、耦合层39、被销住层40、和销住层41分别具有与参考图1描述的阻挡层16、耦合层19、被销住层20、和销住层21相类似的性质。
自由层34可以是具有响应于诸如从磁性介质所发出磁场等外部磁场而自由旋转的磁化的单层铁磁材料。在一个实施例中，自由层34由CoFeB或CoFe基的合金组成。可选地，自由层34可以是诸如CoFeB等铁磁层(毗邻阻挡层36)与Ni、Ni基合金或其他结晶或非晶铁磁材料共同溅射或层叠的双层。
基准层38、耦合层39和被销住层40包括具有固定磁化方向的SAF。基准层38和被销住层40通过耦合层39磁性耦合，使得基准层38的磁化方向与被销住层40的磁化方向相反。通过被销住层40与销住层41的交换耦合可销住被销住层40的磁化。
基准层38包括第一铁磁层42、传感增强层44和第二铁磁层46。第一铁磁层42毗邻阻挡层36放置，而传感增强层44则放置在第一铁磁层42和第二铁磁层46之间。第一铁磁层42可包括诸如CoFeB或CoFe基的合金等结晶或非晶铁磁材料，以改善磁性传感器30在高和低传感器RA时的磁阻比。可以调整第一铁磁层42内各元素的比率以改善磁性传感器30的性能。
第二铁磁层46被放置在基准层38内传感增强层44上与第一铁磁层42相反的一侧上。第二铁磁层26可包括与第一铁磁层42交换耦合的任何结晶或非晶铁磁材料，并与被销住层40和销住层41有着良好的耦合。
传感增强层44放置在第一铁磁层42和第二铁磁层46之间。传感增强层44与不带有传感增强层44的传感器相比，能明显增大磁性传感器30的MR比。在一个实施例中，传感增强层44由Ta组成。传感增强层44还可由其他非磁性材料制成，诸如Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti或它们的合金。在一个实施例中，非磁性传感增强层24的厚度tS2范围在约0.5至约10之间。传感增强层44还可以包括磁性材料，诸如CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金。如果传感增强层44由磁性材料组成，则厚度tS2将远大于传感增强层44由非磁性材料组成时的厚度。
图3是磁性传感器50的层示意图，其中包括自由层54、阻挡层56、基准层58、耦合层59、被销住层60和销住层61。自由层54包括第一铁磁层62、传感增强层64和第二铁磁层66。基准层58包括第一铁磁层72、传感增强层74和第二铁磁层76。在一个实施例中，磁性传感器50被放置在磁性记录头内的两个电极或屏蔽之间。磁性传感器50还可以包括具有与图1所示的磁性传感器10中的相似元件相类似的性质的元件。更具体地，阻挡层56、耦合层59、被销住层60、和销住层61分别具有与参考图1描述的阻挡层16、耦合层19、被销住层20、和销住层21相类似的性质。
自由层54与图1中的自由层14具有类似的构造和性质。自由层54包括第一铁磁层62、传感增强层64和第二铁磁层66。自由层54的磁化响应于诸如从磁性介质所发出磁场等外部磁场而自由旋转。第一铁磁层62毗邻阻挡层56放置，而传感增强层64则放置在第一铁磁层62和第二铁磁层66之间。第一铁磁层62包括具有正磁致伸缩的材料，诸如CoFeB或CoFe基的合金，以改善磁性传感器50在高和低传感器RA积时的磁阻比。可以调整第一铁磁层62内各元素的比率以改善磁性传感器50的性能。
第二铁磁层66由带负磁致伸缩的材料组成，并且被包括在自由层54内传感增强层64上与第一铁磁层62相反的一侧上。第二铁磁层66可包括与第一铁磁层62交换耦合的结晶或非晶铁磁材料。在一个实施例中，第二铁磁层66包括Ni、诸如NiFe等Ni基合金或CoFe。第二铁磁层66可以层压在第一铁磁层62上或与其共同溅射。
传感增强层64放置在第一铁磁层62和第二铁磁层66之间。传感增强层64与不带有传感增强层64的传感器(以下将会参考图4做出更为详细的描述)相比，能明显增大磁性传感器10的MR比。在一个实施例中，传感增强层64由Ta组成。传感增强层64还可由其他非磁性材料制成，诸如Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti或它们的合金。在一个实施例中，非磁性传感增强层64的厚度tS3范围在约0.5至约10之间。传感增强层64还可包括磁性材料，诸如CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金。如果传感增强层64由磁性材料组成，则厚度tS3将远大于传感增强层64由非磁性材料组成时的厚度。
第一铁磁层62和第二铁磁层66磁化的相对方位取决于传感增强层64的材料和厚度。即，第一铁磁层62和第二铁磁层66可以是铁磁耦合，使得各层的磁化相互平行排列。第一铁磁层62和第二铁磁层66还可以反铁磁耦合，使得各层相互反平行排列(例如，当传感增强层66由Ru组成并且其厚度范围在约4至约12之间时)。
基准层58、耦合层59和被销住层60包括具有固定磁化方向的SAF。基准层58和被销住层60通过耦合层59磁性耦合，使得基准层58的磁化方向与被销住层60的磁化方向相反。通过将被销住层60与销住层61交换耦合可销住被销住层60的磁化。
基准层58具有与图1的基准层18相类似的构造和性质。基准层58包括第一铁磁层72、传感增强层74和第二铁磁层76。第一铁磁层72毗邻阻挡层56放置，而传感增强层74则放置在第一铁磁层72和第二铁磁层76之间。第一铁磁层72可包括诸如CoFeB或CoFe基的合金等带有正磁致伸缩的磁性材料，以改善磁性传感器50在高和低传感器RA积时的磁阻比。可以调整第一铁磁层72内各元素的比率以改善磁性传感器50的性能。
第二铁磁层76被放置在基准层58内传感增强层74上与第一铁磁层72相反的一侧上。基准层38的磁致伸缩可以是正或负的。由此，第二铁磁层76可包括与第二铁磁层76交换耦合的结晶或非晶铁磁材料并与被销住层60和销住层61有着良好的耦合。
传感增强层74放置在第一铁磁层72和第二铁磁层76之间。传感增强层74与不带有传感增强层74的传感器(以下将会参考图4做出更为详细的描述)相比，能明显增大磁性传感器50的MR比。在一个实施例中，传感增强层74由Ta组成。传感增强层74还可由其他非磁性材料制成，诸如Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti或它们的合金。在一个实施例中，非磁性传感增强层74的厚度tS4范围在约0.5至约10之间。传感增强层74还可以包括磁性材料，诸如CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金。如果传感增强层74由磁性材料组成，则厚度tS4将远大于传感增强层74由非磁性材料组成时的厚度。
参考图1至图3示出并描述的磁性传感器可通过使用低温退火(即，接近250℃)来制造。所得的器件在至少300℃时仍然热稳定，并在具有约1.0Ω·μm2的RA积的传感器中具有超过300mV的击穿电压。此外，根据本发明的磁性传感器证明了与自由层或基准层内不含传感增强层的对应器件相比，能够显著改善MR比。
图4是磁性传感器50与具有类似构造但不带传感增强层64和74的磁性传感器相比较的磁阻(MR)比与电阻-面积(RA)积之间的关系的图表。被测磁性传感器50中的传感增强层64和74由Ta组成。磁性传感器50的测试数据在图上由圆圈标出，而比较传感器的测试数据由方块标出。每个数据点表示从一块晶片上多个传感器获取的平均值。如图所示，磁性传感器50在1.4Ω·μm2的传感器RA积处可以实现约100％的MR比，在1.0Ω·μm2的传感器RA积处约75％，在0.8Ω·μm2的传感器RA积处约60％，而在0.5Ω·μm2的传感器RA积处约30％。磁性传感器50证明了相对于具有类似RA积(下至0.5Ω·μm2)的比较传感器而言，MR比有着接近100％的改善。这样，根据本发明的磁性传感器实现了在适用于磁性记录头应用的RA积范围内(即，小于4.0Ω·μm2)，尤其是在超过300 Gbit/in2记录区密度的记录应用中对MR比的改善。
总之，本发明是一种包括了传感器叠层的磁性传感器，其中传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻-面积(RA)积时呈现出至少约80％的磁阻比。根据本发明的磁性传感器可通过使用低温退火来制造，在超过300℃时仍热稳定，具有负磁致伸缩，具有高击穿电压，并在低RA积时表现出高MR比。
虽然已参考较佳实施例描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该认识到，可以做出形式和细节上的变化而不背离本发明的精神和范围。例如，尽管在磁性记录头应用的上下文中描述了根据本发明的磁性传感器，但是应该理解这些磁性传感器也可用于各种其他应用，包括磁性随机存取存储器的应用。

Claims (21)

1.一种磁性传感器，包括：
传感器叠层，所述传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层，
其中所述第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，所述多层结构具有毗邻所述阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的中间层，并且
其中所述磁性传感器在所述磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻-面积RA积时呈现出至少约80％的磁阻比。
2.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述中间层含有选自由Ta、Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti、CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金所组成的组的材料。
3.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述中间层包括非磁性材料，并且具有范围在约0.5至约10之间的厚度。
4.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述阻挡层含有选自由MgO和Mg组成的组的材料。
5.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述第一磁性层含有选自由CoFeB、CoFeNiB、CoFe和它们的合金组成的组的材料。
6.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个是自由层，且所述第二磁性层含有带负磁致伸缩的材料。
7.如权利要求6所述的磁性传感器，其特征在于，所述第二磁性层含有选自由Ni和Ni基合金所组成的组的材料。
8.如权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述第二磁性层含有选自由结晶铁磁材料和非晶铁磁材料所组成的组的材料。
9.一种传感器叠层，包括：
含有MgO的阻挡层；以及
第一多层磁性结构，所述第一多层磁性结构包括毗邻所述阻挡层的第一铁磁层、第二铁磁层、以及在所述第一和第二铁磁层之间的中间层，所述中间层含有选自由Ta、Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti、CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金所组成的组的材料。
10.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述中间层的厚度范围在约0.5至约10之间。
11.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述第一铁磁层含有选自由CoFeB、CoFeNiB、CoFe和它们的合金组成的组的材料。
12.如权利要求11所述的传感器叠层，其特征在于，所述第二铁磁层含有选自由Ni和Ni基合金所组成的组的材料。
13.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述第一多层结构是自由层，且所述第二铁磁层含有带负磁致伸缩的材料。
14.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述第二铁磁层含有选自由结晶铁磁材料和非晶铁磁材料所组成的组的材料。
15.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述第一多层结构是自由层，并且所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的耦合是选自由铁磁耦合和反铁磁耦合组成的组。
16.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，所述第一多层磁性结构是自由层，且所述第二铁磁层含有带负磁致伸缩的材料。
17.如权利要求9所述的传感器叠层，其特征在于，还包括：
第二多层磁性结构，所述第二多层磁性结构包括毗邻所述阻挡层且带有正磁致伸缩的第三磁性层、第四磁性层、以及在所述第三和第四磁性层之间的中间层，并所述中间层含有选自由Ta、Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti、CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金所组成的组的材料。
18.一种具有改善的灵敏度的磁阻MR传感器，包括：
第一磁性结构；
毗邻所述第一磁性结构的MgO阻挡层；以及
毗邻所述MgO阻挡层、在与第一磁性结构相反的一侧上的第二磁性结构，所述第二磁性结构包括毗邻所述阻挡层的正磁致伸缩层、负磁致伸缩层、以及在所述正磁致伸缩层和所述负磁致伸缩层之间的传感增强层，
其中所述MR传感器的特征在于其MR比率：(a)在约0.5Ω·μm2的电阻-面积RA积的情况下至少约为30％，(b)在约0.8Ω·μm2的RA积的情况下至少约为50％，(c)在约1.0Ω·μm2的RA积的情况下至少约为80％，并且(d)在约1.4Ω·μm2的RA积的情况下至少约为100％。
19.如权利要求18所述的磁性传感器，其特征在于，所述传感增强层含有选自由Ta、Ru、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Pt、Rh、Ir、Al、Cu、Cr、Ti、CoZrNb、CoZrTa、FeTa、FeTaN、NiFeZr、CoFeTa、CoNb或它们的合金所组成的组的材料。
20.如权利要求18所述的磁性传感器，其特征在于，所述传感增强层包括非磁性材料，并且具有范围在约0.5至约10之间的厚度。
21.如权利要求18所述的传感器叠层，其特征在于，所述正磁致伸缩层含有选自由CoFeB、CoFeNiB、CoFe和它们的合金组成的组的材料。
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