CN100594535C - 显示设备、其驱动方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示设备、其驱动方法以及电子设备,其中,该显示设备包括像素阵列部以及用于驱动所述像素阵列部的驱动部。通过本发明,可以执行从黑显示到白显示的所有信号电位内优化迁移率校正时间的迁移率校正,并且可对所有信号电位内改善显示图像的均匀性。

Description

显示设备、其驱动方法以及电子设备
相关申请的交叉参考
本发明包含于2007年3月26日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-078219的主题,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
发明涉及通过电流驱动对每个像素设置的发光装置以显示图像的显示设备、该显示设备的驱动方法以及使用该显示设备的电子设备。更具体地,本发明涉及有源矩阵型的显示设备的驱动方法,其中,通过设置在每个像素电路中的绝缘栅型场效应晶体管来控制提供给诸如有机EL装置的发光装置的电流量。
背景技术
例如,在诸如液晶显示设备的显示设备中,以矩阵形式配置大量的液晶像素,并响应于将被显示的图像信息来对每个像素控制入射光的透射光或反射光的强度以显示图像。尽管这种方式被类似地应用于有机EL显示设备(其中,在每个像素中使用有机EL装置)等,但有机EL装置是不同于液晶像素的自发光装置。因此,有机EL显示设备具有多种优势:其显示图像显示出很高的视觉可观察性,不需要背光,以及响应速度很高。此外,有机EL显示设备是电流控制型,其中,可通过流过其中的电流值来控制每个发光装置的亮度等级或灰度,并在这个方面与诸如液晶显示设备的电压控制型的显示设备有很大不同。
与LCD设备类似,可将单纯矩阵型驱动方式和有源矩阵型驱动方式用作有机EL显示器的驱动方式。尽管前一种方式结构简单,但它具有不适于实现大尺寸和高清晰度的显示设备的问题。因此,后者的有源矩阵型驱动方式的开发正在积极地进行中。在有源矩阵型驱动方式中,通过设置在每个像素电路内部的有源装置(通常为薄膜晶体管(TFT))来控制流过每个像素电路内部的发光装置的电流。例如,在日本专利公开第2003-255856号(以下称为专利文献1)、第2003-271095号(以下称为专利文献2)、第2004-133240号(以下称为专利文献3)、第2004-029791号(以下称为专利文献4)、第2004-093682号(以下称为专利文献5)及第2006-215213号(以下称为专利文献6)中公开了这种有源矩阵型驱动方式。
发明内容
过去的像素电路被设置在用于提供控制信号、在行方向上延伸的扫描线与用于提供图像信号、在列方向上延伸的信号线彼此相交的位置处。像素电路至少包括采样晶体管、像素电容器、驱动晶体管及发光装置。采样晶体管响应于由扫描线提供的控制信号而导通,以对由信号线提供的图像信号进行采样。像素电容器保持根据所采样的图像信号的信号电位的输入电压。在预定的发光周期内,驱动晶体管响应于保持在像素电容器中的输入电压来提供输出电流作为驱动电流。注意,通常,输出电流具有对驱动晶体管的沟道区的载流子迁移率和阈值电压的依赖性。通过由驱动晶体管提供的输出电流,发光装置以根据图像信号的亮度发光。
驱动晶体管在其栅极处接收保持在像素电容器中的输入电压,并提供其源极和漏极之间的输出电流,以对发光装置施加电压。通常,发光装置的发光亮度与流过其中的电流成正比地增加。此外,通过驱动晶体管的栅极电压(即,通过写入像素电容器的输入电压)控制驱动晶体管的输出电流提供量。在过去的像素电路中,将被施加给驱动晶体管的栅极的输入电压响应于输入图像信号而变化,以控制将被提供给发光装置的电流量。
这里,通过下面的表达式(1)表示驱动晶体管的操作特性:
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2    ...(1)
其中,Ids是驱动晶体管的源极和漏极之间流动的漏电流,并且在像素电路中是提供给发光装置的输出电流;Vgs是参照源极提供给驱动晶体管的栅极的栅极电压,并且在像素电路中是上文所描述的输入电压;Vth是驱动晶体管的阈值电压;μ是形成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率;W是沟道宽度;L是沟道长度;以及Cox为栅极电容。从晶体管特性表达式(1)可以明显看出,当薄膜晶体管在饱和区中操作时,如果栅极电压Vgs增大直至其超过阈值电压Vth,则晶体管被置于导通状态,并且漏电流Ids流过。原则上,如果栅极电压Vgs固定,则如由上面所给出的晶体管特征特性表达式(1)所示,通常相同量的漏极电流Ids被提供给发光装置。因此,如果相同电平的图像信号被提供给形成屏幕的像素,则所有像素都应该都以相同的亮度发光,并且应该获得屏幕的均匀性。
然而,实际上,由多晶硅等的半导体薄膜形成的薄膜晶体管(TFT)具有装置特性的偏差。具体地,在不同的像素中,阈值电压Vth不固定,而是表现为偏差。可以从这里给出的晶体管特性表达式(1)明显看出,如果不同驱动晶体管中的阈值电压Vth发生偏差,则即使栅极电压Vgs固定,在漏电流Ids中也出现偏差,导致像素之间亮度的偏差。这样破坏了屏幕图像的均匀性。已经开发了结合消除驱动晶体管的阈值电压偏差的功能的像素电路,并例如在上文提到的专利文献3中公开了该像素电路。
然而,发光装置的输出电流偏差的原因不仅仅是驱动晶体管的阈值电压Vth。可以从上文给出晶体管特性表达式(1)明显看出,在驱动晶体管中迁移率μ偏差的情况下,输出电流Ids也发生变化。结果,屏幕图像的均匀性被破坏。已经开发了结合校正驱动晶体管中的迁移率偏差的功能的像素电路,并例如在上文提到的专利文献6中公开了该像素电路。
在具有迁移率校正功能的传统像素电路中,响应于信号电位,流过驱动晶体管的驱动电流在预定的校正周期内负反馈至像素电路,以调节保持在像素电容器中的信号电位。随着驱动晶体管的迁移率增大,负反馈量也同样增大,信号电位的下降量增大。结果,可以抑制驱动电流。另一方面,随着驱动晶体管的迁移率减小,对像素电容器的负反馈量也同样减小,从而,保持在像素电容器中的信号电位的下降量减小。因此,驱动电流不会下降非常多。以这种方式,响应于每个像素的驱动晶体管的迁移率的大小在迁移率被消除的方向上调节信号电位。因此,尽管在各个像素的驱动晶体管中迁移率发生偏差,但各个像素也会响应于相同的信号电位表现出基本相同的发光亮度水平。
在预定的迁移率校正周期内执行上述迁移率校正操作。为了提高屏幕图像的均匀性,在最佳条件下应用迁移率校正是非常重要的。然而,最佳迁移率校正时间并不总是固定,而是实际上依赖于图像信号的电平。通常,存在随着图像信号的信号电位升高(即,当发光亮度很高并进行白显示时)最佳迁移率校正时间变短的趋势。相反,当信号电位不是很高时,即,当将执行灰阶或黑阶的显示时,存在最佳迁移率校正时间变长的趋势。然而,过去的显示设备不需要考虑最佳迁移率校正时间对图像信号的信号电位的依赖性。这提出了待被解决的提高屏幕图像的均匀性的课题。
根据本发明的一个实施例,提供了一种显示设备,包括:
像素阵列部;以及
驱动部,被配置为驱动像素阵列部;
像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在第一扫描线和第二扫描线以及信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向像素供电的多条电源线和地线;
驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描像素;第二扫描器,被配置为与逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与逐行扫描同步地将图像信号提供给信号线,
每个像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器,
采样晶体管的栅极连接至第一扫描线中的一条,源极连接至信号线中的一条,以及漏极连接至驱动晶体管的栅极,
驱动晶体管和发光装置串联连接,以在一条电源线和一条地线之间形成电流通路,
开关晶体管***到电流通路中,开关晶体管的栅极连接至第二扫描线中的一条,
像素电容器连接在驱动晶体管的源极和栅极之间,
采样晶体管响应于由第一扫描线提供的第一控制信号而被置于导通状态,以对由信号线提供的图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在像素电容器中,
开关晶体管响应于由第二扫描线提供的第二控制信号而被置于导通状态,以将电流通路置于接通状态,
驱动晶体管响应于保持在像素电容器中的信号电位,通过置于接通状态的电流通路将驱动电流提供给发光装置,
第一扫描器将第一控制信号施加给第一扫描线,以导通采样晶体管,从而开始对信号电位进行采样,随后,第一扫描器取消被提供给第一扫描线的第一控制信号,以截止采样晶体管,以及
第二扫描器被配置为在采样晶体管导通直到采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的第二控制信号施加给第二扫描线,使得开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在像素电容器中的信号电位施加用于驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果图像信号的信号电位不高,则在图像信号写周期的最后对保持在像素电容器中的信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果图像信号的信号电位高,则防止施加第二次校正。
根据本发明的另一个实施例,提供了一种包括像素阵列部和用于驱动像素阵列部的驱动部的显示设备的驱动方法;
像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在第一扫描线和第二扫描线以及信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向像素供电的多条电源线和地线;
驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描像素;第二扫描器,被配置为与逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与逐行扫描同步地将图像信号提供给信号线;
每个像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器;
采样晶体管的栅极连接至第一扫描线中的一条,源极连接至信号线中的一条,以及漏极连接至驱动晶体管的栅极;
驱动晶体管和发光装置串联连接,以在一条电源线和一条地线之间形成电流通路;
开关晶体管***到电流通路中,开关晶体管的栅极连接至第二扫描线中的一条;
像素电容器连接在驱动晶体管的源极和栅极之间;
驱动方法包括步骤:
响应于由第一扫描线提供的第一控制信号将采样晶体管置于导通状态,以对由信号线提供的图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在像素电容器中;
响应于由第二扫描线提供的第二控制信号将开关晶体管置于导通状态,以将电流通路置于接通状态;
响应于保持在像素电容器中的信号电位通过被置于接通状态的电流通路使驱动晶体管将驱动电流提供给发光装置;
使第一扫描器将第一控制信号施加给第一扫描线,以导通采样晶体管,从而开始信号电位的采样,随后,第一扫描器取消被提供给第一扫描线的第一控制信号,以截止采样晶体管;以及
使第二扫描器在在采样晶体管导通直到采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的第二控制信号施加给第二扫描线,使得开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在像素电容器中的信号电位施加用于驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果图像信号的信号电位不高,则在图像信号写周期的最后对保持在像素电容器中的信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果图像信号的信号电位高,则防止施加第二次校正。
根据本发明的再一个实施例,提供了一种电子设备,包括:
显示设备,其具有;
像素阵列部;以及
驱动部,被配置为驱动像素阵列部;
像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在第一扫描线和第二扫描线以及信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向像素供电的多条电源线和地线;
驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描像素;第二扫描器,被配置为与逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与逐行扫描同步地将图像信号提供给信号线;
每个像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器,
采样晶体管的栅极连接至第一扫描线中的一条,源极连接至信号线中的一条,以及漏极连接至驱动晶体管的栅极。
驱动晶体管和发光装置串联连接,以在一条电源线和一条地线之间形成电流通路,
开关晶体管***到电流通路中,开关晶体管的栅极连接至第二扫描线中的一条,
像素电容器连接在驱动晶体管的源极和栅极之间,
采样晶体管响应于由第一扫描线提供的第一控制信号而被置于导通状态,以对由信号线提供的图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在像素电容器中,
开关晶体管响应于由第二扫描线提供的第二控制信号而被置于导通状态,以将电流通路置于接通状态,
驱动晶体管响应于保持在像素电容器中的信号电位通过置于接通状态的电流通路将驱动电流提供给发光装置,
第一扫描器将第一控制信号施加给第一扫描线,以导通采样晶体管,从而开始对信号电位进行采样,随后,第一扫描器取消被提供给第一扫描线的第一控制信号,以截止采样晶体管;以及
第二扫描器被配置为在采样晶体管导通直到采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的第二控制信号施加给第二扫描线,使得开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在像素电容器中的信号电位施加用于驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果图像信号的信号电位不高,则在图像信号写周期的最后对保持在像素电容器中的信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果图像信号的信号电位高,则防止施加第二次校正。
在显示设备中,分别执行两次迁移率校正操作。在第一次校正操作中,在采样晶体管导通直至采样晶体管截止的图像信号写周期内,仅在预定校正时间内将开关晶体管置于导通状态,以将用于驱动晶体管的迁移率的第一次校正施加保持在像素电容器中的信号电位。预定的校正时间由控制信号的脉冲宽度限定并可被精确控制。与图像信号具有高电平(即,当进行白显示时)的情况一致,优化第一次校正时间。此后,执行第二次迁移率校正。自动控制该追加的迁移率校正,使得当图像信号的信号电位不是很高时(即,在灰显示或黑显示的情况下)被执行,而当图像信号的信号电位很高时不被执行。因此,当信号电位不是很高时,迁移率校正被执行两次,并且迁移率校正时间被优化为第一次校正时间和第二次校正时间的和。另一方面,在信号电位很高的情况下,仅执行第一次迁移率校正,并根据信号电位很高的情况来优化其校正时间。以这种方式,可以执行从黑显示至白显示的所有信号电位内优化迁移率校正时间的迁移率校正,并且可对所有信号电位内改善显示图像的均匀性。
附图说明
图1是示出应用本发明实施例的显示设备的总体结构的框图;
图2是示出图1所示显示设备中所包括的像素电路的结构的方框电路图;
图3是示出图2所示像素电路的电路图;
图4是示出图1和图2所示显示设备的操作的定时图;
图5是示出图3所示像素电路的操作的电路图;
图6和图7是示出图3所示像素电路的操作的曲线图;
图8是示出图3所示像素电路的操作的波形图;
图9是示出图1所示显示设备中包括的写扫描器的结构的电路图;
图10和图11是示出图9所示写扫描器的操作的波形图;
图12是示出图1和图2所示显示设备的操作的定时图;
图13和图14是示出图1和图2所示显示设备的操作的波形图;
图15是示出应用本发明的实施例的显示设备的装置结构的截面图;
图16是示出应用本发明的实施例的显示设备的模块结构的平面图;
图17是示出包括应用本发明的显示设备的电视机的透视图;
图18是示出包括应用本发明的实施例的显示设备的数码相机的透视图;
图19是示出包括应用本发明的实施例的显示设备的笔记本式个人计算机的透视图;
图20是示出包括应用本发明的实施例的显示设备的便携式终端设备的透视图;以及
图21是示出包括应用本发明的实施例的显示设备的摄像机的透视图。
具体实施方式
首先,参照图1,示出了应用本发明的实施例的显示设备的总体结构。该显示设备包括像素阵列部1、扫描器部和信号部作为其主要组件。扫描器部和信号部结合形成驱动部。像素阵列部1包括均在行方向上延伸的第一扫描线WS、第二扫描线DS、第三扫描线AZ1和第四扫描线AZ2、以及在列方向上延伸的信号线SL。像素阵列部1还包括以行和列形式配置的并连接至扫描线WS、DS、AZ1和AZ2以及信号线SL的像素电路2。像素阵列部1还包括用于提供像素电路2的操作所需的第一电位Vss1、第二电位Vss2和第三电位VDD的多条电源线。信号部包括水平选择器3,并将图像信号提供给信号线SL。扫描器部包括将控制信号提供给第一扫描线WS、第二扫描线DS、第三扫描线AZ1和第四扫描线AZ2以顺序扫描各行的像素电路2的写扫描器4、驱动扫描器5、第一校正扫描器71和第二校正扫描器72。
现在,参照图2,示出了图1所示图像显示设备中包括的像素电路的结构。所示像素电路2包括采样晶体管Tr1、驱动晶体管Trd、第一开关晶体管Tr2、第二开关晶体管Tr3、第三开关晶体管Tr4、像素电容器Cs以及发光装置EL。采样晶体管Tr1在预定的采样周期内响应于从扫描线WS提供给其的控制信号而导通,以将由信号线SL提供的图像信号的信号电压采样至像素电容器Cs中。像素电容器Cs响应于其中采样的图像信号的信号电位将输入电压Vgs施加给驱动晶体管Trd的栅极G。驱动晶体管Trd将根据输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光装置EL。发光装置EL在预定的发光周期内以根据从驱动晶体管Trd提供给其的输出电流Ids的图像信号的信号电位的亮度发光。
第一开关晶体管Tr2在作为图像信号写周期的采样周期之前响应于从扫描线AZ1提供给其的控制信号而导通,以将驱动晶体管Trd的栅极G设置为第一电位Vss1。第二开关晶体管Tr3在采样周期之前响应于从扫描线AZ2提供给其的控制信号而导通,以将驱动晶体管Trd的源极S设置为第二电位Vss2。第三开关晶体管Tr4在采样周期之前响应于从扫描线DS提供给其的控制信号而导通,以将驱动晶体管Trd连接至第三电位VDD,使得将对应于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的电压保持在像素电容器Cs中,以补偿阈值电压Vth的影响。此外,第三开关晶体管Tr4在发光周期内响应于从扫描线DS提供给其的控制信号而导通,以将驱动晶体管Trd连接至第三电位VDD,使得输出电流Ids流向发光装置EL。
从以下描述可以看出,该像素电路2由五个晶体管Tr1~Tr4和Trd、一个像素电容器Cs以及一个发光装置EL构成。晶体管Tr1~Tr3和Trd为N沟道多晶硅TFT。只有第三开关晶体管Tr4为P沟道多晶硅TFT。然而,根据本发明的实施例,像素电路的结构不限于此,而是可以包括N沟道TFT和P沟道TFT的适当组合。例如,发光装置EL为包括阳极和阴极的二极管型的有机EL装置。然而,根据本发明的实施例,发光装置EL不限于此,而是可以为通常通过电流驱动发光的任意装置。
图3仅示出了从图2所示的图像显示设备中提取的像素电路2。为了便于理解,在图3中还示出了通过采样晶体管Tr1采样的图像信号的信号电位Vsig、驱动晶体管Trd的输入电压Vgs和输出电流Ids、发光装置EL具有的电容组件Coled等。下面,参照图3描述像素电路2的操作。
图4是示出图3所示像素电路2的操作的定时图。该定时图示出了已经被开发的驱动方法,本发明基于该驱动方法作出。为了阐明本发明的背景并利于理解本发明,特别参照图4的定时图描述先前已经开发的驱动方法。图4示出了沿时间轴T的施加给扫描线WS、AZ1、AZ2和DS的控制信号的波形。为了简化说明,还通过与对应扫描线类似的参考符号来表示控制信号。由于晶体管Tr1、Tr2和Tr3为N沟道类型,所以当扫描线WS、AZ1和AZ2具有高电平时表现为导通状态,而当扫描线WS、AZ1和AZ2具有低电平时表现为截止状态。另一方面,由于第三开关晶体管Tr4为P沟道类型,所以当扫描线DS具有高电平时表现为截止状态,而当扫描线DS具有低电平时表现为导通状态。注意,除控制信号WS、AZ1、AZ2和DS的波形之外,图4的定时图还示出了驱动晶体管Trd的栅极G处的电位变化和驱动晶体管Trd的源极S处的电位变化。
在图4的定时图中,定时T1~T8定义一场(1f)。在一场周期内,像素阵列的行被顺序扫描一次。该定时图示出了施加给一行的像素的控制信号WS、AZ1、AZ2和DS的波形。
在一场开始前的定时T0处,所有控制信号WS、AZ1、AZ2和DS都具有低电平。因此,当N沟道晶体管Tr1、Tr2和Tr3都处于截止状态时,仅有P沟道第三开关晶体管Tr4处于导通状态。因此,由于驱动晶体管Trd通过处于导通状态的晶体管Tr4连接至电源VDD,所以响应于预定的输入电压Vgs将输出电流Ids提供给发光装置EL。因此,在定时T0处,发光装置EL处于发光状态。此时,通过栅极电位(G)和源极电位(S)之间的差值来表示施加给驱动晶体管Trd的输入电压Vgs。
在场开始处的定时T1处,控制信号DS从低电平变为高电平。因此,开关晶体管Tr4截止,从而将驱动晶体管Trd与电源VDD断开。结果,发光停止,并进入非发光周期。因此,在定时T1处,所有晶体管Tr1~Tr4都进入截止状态。
随后,在定时T2处,控制信号AZ1和AZ2变为高电平,因此,开关晶体管Tr2和Tr3被置于导通状态。结果,驱动晶体管Trd的栅极G连接至基准电位Vss1,并且驱动晶体管Trd的源极S连接至基准电位Vss2。这里,满足Vss1-Vss2>Vth,并设置基准电位Vss1和Vss2、输入电压Vgs以及阈值电压Vth,以满足Vss1-Vss2=Vgs>Vth,从而执行用于在后面的定时T3处执行的Vth校正的准备。换句话说,定时T2和T3之间的周期对应于驱动晶体管Trd的复位周期。此时,如果通过VthEL表示发光装置EL的阈值,则设置第二电位Vss2和阈值VthEL,以满足VthEL>Vss2。因此,向发光装置EL施加负偏压,并建立反向偏置状态。这种反向偏置状态需要有规律地执行稍后执行的Vth校正操作和迁移率校正操作。
在定时T3处,控制信号AZ2被设置为低电平,并且紧在此后,控制信号DS也被设置为低电平。因此,晶体管Tr3截止,而晶体管Tr4导通。结果,漏电流Ids流入像素电容器Cs,以开始Vth校正操作。此时,驱动晶体管Trd的栅极G被保持为电位Vss1,并且电流Ids持续流过,直至驱动晶体管Trd截止。如果驱动晶体管Trd截止,则驱动晶体管Trd的源极电位(S)变得等于Vss1-Vth。在漏电流切断之后的定时T4处,控制信号DS返回高电平,以截止开关晶体管Tr4。控制信号AZ2也返回低电平,以截止开关晶体管Tr2。结果,阈值电压Vth被保持并固定在像素电容器Cs中。以这种方式,在定时T3和T4之间的周期中,检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。这里,检测周期T3-T4被称作Vth校正周期。
在以这种方式执行Vth校正之后的定时T5处,控制信号WS变为高电平,且采样晶体管Tr1导通,以将图像信号Vsig写入像素电容器Cs。像素电容器Cs充分低于发光装置EL的等效电容Coled。结果,大部分图像信号Vsig被写入像素电容器Cs。准确地,图像信号Vsig与电位Vss1的差值Vsig-Vss1被写入像素电容器Cs。因此,驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的电压Vgs变得等于先前检测并保持的阈值电压Vth与当前操作周期中所采样的电压差Vsig-Vss1的和的电平Vsig-Vss1+Vth。如果为了简化后面的描述假设第一电位Vss1为Vss1=0V,则从图4的定时图可以看出,通过Vsig+Vth给出栅极/源极电压Vgs。在控制信号WS变回低电平的定时T7之前,执行图像信号Vsig的这种采样。换句话说,定时T5和T7之间的周期对于采样周期或图像信号写周期。
在采样周期结束的定时T7之前的定时T6处,控制信号DS被置于低电平,以导通开关晶体管Tr4。由于这将驱动晶体管Trd与电源VDD连接,所以像素电路从非发光周期前进至发光周期。在以这种方式采样晶体管Tr1仍然保持为导通状态并且开关晶体管Tr4处于导通状态的周期T6-T7内,执行驱动晶体管Trd的迁移率校正。具体地,在先前开发的驱动方法中,在采样周期的末端和发光周期的开头彼此叠加的周期T6-T7内,执行迁移率校正。注意,在执行迁移率校正的发光周期的开头处,因为发光装置EL处于反向偏置状态,所以实际上不发光。在迁移率校正周期T6-T7内,漏电流Ids流过驱动晶体管Trd,同时驱动晶体管Trd的栅极G被固定为图像信号Vsig的电平。这里,由于如果设置第一电位Vss1以满足Vss1-Vth<VthEL而使发光装置EL置于反向偏置状态,所以发光装置EL不表现为二极管特性,而是表现为简单的电容器特性。因此,流向驱动晶体管Trd的电流Ids被写入电容器C=Cs+Coled,其是像素电容器Cs和发光装置EL的等效电容Coled的和。因此,驱动晶体管Trd的源极电位(S)逐渐升高。在图4的定时图中,通过ΔV表示源极电位(S)的上升量。由于该上升量ΔV最终从保持在像素电容器Cs中的栅极/源极电压Vgs中减去,所以这等效于施加负反馈。可通过以这种方式将驱动晶体管Trd的输出电流Ids负反馈至驱动晶体管Trd的输入电压Vgs来校正迁移率μ。注意,可通过调节迁移率校正周期T6-T7的时间宽度t来优化负反馈量ΔV。
在定时T7处,控制信号WS变为低电平,以截止采样晶体管Tr1。结果,驱动晶体管Trd的栅极G与信号线SL断开。由于取消了图像信号Vsig的应用,所以能够升高驱动晶体管Trd的栅极电压(G),因此同时升高源极电位(S)。同时,保持在像素电容器Cs中的栅极/源极电压Vgs保持其值Vsig-ΔV+Vth。随着源极电位(S)的上升,发光装置EL的反向偏置状态很快被消除,从而,随着输出电流Ids流入发光装置EL,发光装置EL实际开始发光。通过将Vsig-ΔV+Vth带入上文给出的晶体管特性表达式(1),由下面的表达式(2)给出这种情况下的漏电流Ids和栅极电压Vgs之间的关系:
Ids=kμ(Vgs-Vth)2=kμ(Vsig-ΔV)2    ...(2)
其中,k=(1/2)(W/L)Cox。从特性表达式(2)可以看出,Vth项被取消,并且提供给发光装置EL的输出电流Ids不依赖于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。基本上,漏电流Ids依赖于图像信号的信号电位Vsig。换句话说,发光装置EL以根据信号电位Vsig的亮度发光。因此,信号电位Vsig具有通过负反馈量ΔV校正的值。校正量ΔV用于消除恰好位于特性表达式(2)的系数部分处的迁移率μ的影响。因此,漏电流Ids基本上仅依赖于图像信号Vsig。
最后,在定时T8处,控制信号DS变为高电平,以截止第三开关晶体管Tr4。因此,发光结束,并且场结束。因此,开始下一场,并对于下一场重复Vth校正操作、迁移率校正操作和发光操作。
图5示出了迁移率校正周期T6-T7内的像素电路2的状态。如图5所示,在迁移率校正周期T6-T7中,采样晶体管Tr1和第三开关晶体管Tr4处于导通状态,而其它开关晶体管Tr2和Tr3处于截止状态。在这种状态下,驱动晶体管Tr4的源极电位(S)为Vss1-Vth。该源极电位(S)也为发光装置EL的阳极电位。如上所述,在设置第一电位Vss1以满足Vss1-Vth<VthEL的情况下,发光装置EL被置于反向偏置状态,从而没有表现出二极管特性,而是表现出简单的电容器特性。因此,流过驱动晶体管Trd的电流Ids流入像素电容器Cs和发光装置EL的等效电容器Coled的组合电容器C=Cs+Coled。换句话说,部分漏电流Ids被负反馈至像素电容器Cs,以执行迁移率校正。
图6是上文给出的晶体管特性表达式(2)的曲线图,其中,纵坐标表示输出电流Ids,横坐标表示图像信号Vsig。在曲线图下面还示出了特性表达式(2)。在图6的曲线图中,画出特性曲线以比较像素1和另一像素2之间的特性。像素1的驱动晶体管的迁移率μ相对较高。相反,包括在像素2中的驱动晶体管的迁移率μ相对较低。在以这种方式通过多晶硅薄膜晶体管等形成驱动晶体管的情况下,不能避免迁移率μ在像素之间发生偏差。例如,如果具有相同电平的图像信号的信号电位Vsig被写入两个像素1和2,如果不执行迁移率校正,则流向具有高迁移率μ的像素1的输出电流Ids1′与流过具有低迁移率μ的像素2的输出电流Ids2′表现出很大差异。由于以这种方式通过迁移率μ的偏差引起输出电流Ids的很大差异,所以显示图像出现不均匀条纹,并破坏显示图像的均匀性。
因此,在上述先前开发的驱动方法中,输出电流被负反馈至输入电压侧,以消除迁移率的偏差。从上文给出的晶体管特性表达式(1)可以明显看出,随着迁移率的增大,漏电流Ids增大。因此,随着迁移率的增大,负反馈量ΔV增大。从图6的曲线图看出,具有高迁移率μ的像素1的负反馈量ΔV1高于具有低迁移率的像素2的负反馈量ΔV2。因此,随着迁移率μ的越大,施加更大的负反馈量,因此,可以抑制偏差。如图6所示,如果向具有高迁移率μ的像素1施加负反馈量ΔV1的校正,则输出电流从Ids1′到Ids1下降很大量。另一方面,由于具有低迁移率μ的像素1的校正量ΔV2较小,所以输出电流Ids2′没有下降很多至Ids2。结果,输出电流Ids1和输出电流Ids2变得基本彼此相等,并且消除了它们之间迁移率的偏差。由于对从黑电平至白电平的信号电位Vsig的整个范围内执行迁移率偏差的消除,所以屏幕图像的均匀性变得非常高。总之,在包括具有不同迁移率值的像素1和2的情况下,具有高迁移率的像素1的校正量ΔV1小于具有低迁移率的像素2的校正量ΔV2。换句话说,随着迁移率的增大,校正量ΔV增大,并且输出电流Ids的减小量增大。因此,具有不同迁移率值的像素的电流值被均匀化,并且可校正迁移率的偏差。
仅供参考,执行上述迁移率校正的数值分析。在该分析中,如图5所示,晶体管Tr1和Tr4处于导通的状态下,驱动晶体管Trd的源极电位被视为变量。在通过V表示驱动晶体管Trd的源极电位(S)的情况下,通过下面的表达式(3)给出流过驱动晶体管Trd的漏电流Ids:
Ids=kμ(Vgs-Vth)2=kμ(Vsig-V-Vth)2    (3)
此外,通过漏电流Ids和电容器C(=Cs+Coled)之间的关系,如下面表达式(4)所给出的,满足Ids=dQ/dt=Cdv/dt的关系:
I ds = dQ dt = C dV dt ∫ 1 C dt = ∫ 1 I ds dV
⇔ ∫ 0 t 1 C dt = ∫ - Vth V 1 kμ ( V sig - V th - V ) 2 dV
⇔ kμ C t = [ 1 V sig - V th - V ] - Vth V = 1 V sig - V th - V - 1 V sig
⇔ V sig - V th - V = 1 1 V sig + kμ C t = V sig 1 + V sig kμ C t - - - ( 4 )
表达式(3)被替换为表达式(4),替换结果的相对侧求积分。这里,假设源极电位V的初始状态为-Vth,并通过t表示迁移率偏差校正时间(T6-T7)。如果该微分式被求解,则通过下面的表达式(5)给出校正时间t的像素电流:
Ids=kμ(Vgs-Vth)2=kμ(Vsig-V-Vth)2    (5)
顺便提及,最佳迁移率校正时间不需要被固定,而是响应于信号电压而改变。图7示出了最佳迁移率校正时间和信号电压之间的关系。如图7所示,当信号电压处于较高的白电平时,最佳迁移率校正时间相对较短。当信号电压处于灰电平时,最佳迁移率校正时间变长,进一步,在黑电平时,最佳迁移率校正时间倾向于进一步增大。如上所述,在迁移率校正周期内将负反馈至像素电容的校正量ΔV与信号电位Vsig成比例地增大。由于随着信号电压的增大,负反馈量也同样增大,所以最佳迁移率校正时间倾向于减小。相反,随着信号电压的下降,驱动晶体管的电流供应能力下降,因此,充分校正所需的最佳迁移率校正时间倾向于增大。
因此,在上述先前开发的驱动方法中,自动调节采样晶体管Tr1的截止定时,使得当提供给信号线SL的图像信号的信号电位Vsig较高时,校正时间t较短,反之,当提供给信号线SL的图像信号的信号电位Vsig较低时,校正时间t较长。在图8的波形图中示出了该原理。
参照图8,该波形图示出了限定开关晶体管TR4的导通定时和采样晶体管Tr1的截止定时的控制信号DS的下降沿波形和控制信号WS的下降沿波形(限定迁移率校正时间t)。如上所述,开关晶体管Tr4导通,以在施加给开关晶体管Tr4的栅极的控制信号DS变得低于VDD-|Vtp|的时间点开始迁移率校正时间。
同时,将控制信号WS施加给采样晶体管Tr1的栅极。控制信号WS的下降沿的波形发生改变,使得其电平首先从电源电位Vcc急剧下降并随后缓慢地朝向地电位Vss下降。这里,当施加给采样晶体管Tr1的源极的信号电位Vsig1在白电平处较高时,采样晶体管Tr1的栅极电位迅速下降至Vsig1+Vth,因此,最佳迁移率校正时间t1变短。如果信号电位变为灰电平Vsig2,则在栅极电位从Vcc下降至Vsig2+Vth的时间点处,采样晶体管Tr1截止。结果,对应于灰电平的信号电位Vsig2的最佳迁移率校正时间t2变得比最佳迁移率校正时间t1更长。此外,当信号电位变为黑电平附近的信号电位Vsig3时,最佳迁移率校正时间t3进一步变得比处于灰电平的最佳迁移率校正时间t2更长。
为了自动设置每个灰阶的最佳迁移率校正时间,需要将施加给扫描线WS的控制信号脉冲的下降沿的波形整形为最佳形状。因此,先前开发的驱动方法采用对电源脉冲进行采样的类型的写扫描器。因此,参照图9,描述写扫描器。图9示出了用于三个输出部的写扫描器4和用于连接至写扫描器4的输出部的三行或三条线的像素阵列部1。
写扫描器4包括移位寄存器S/R,并响应于从外部输入其中的时钟信号进行操作,以顺序传送类似地从外部输入其中的开始信号,从而顺序输出各级的信号。NAND装置连接至每级的移位寄存器S/R,并逻辑地对从移位寄存器S/R的移位级的临近的一个顺序输出的信号进行NAND运算,以生成形成控制信号WS的矩形波形。矩形波形通过反相器输入至输出缓冲器。输出缓冲器响应于从移位寄存器侧提供的输入信号进行操作,以将最终的控制信号WS提供给像素阵列部1的扫描线WS。
通过在电源电位Vcc和线电位Vss之间串联连接的一对开关装置来形成输出缓冲器。在本发明的实施例中,输出缓冲器具有反相器结构,一个开关装置是典型地为PMOS晶体管形式的P沟道晶体管Pch,而另一个开关装置是典型地为NMOS晶体管形式的N沟道晶体管Nch。注意,以等效电路的方式通过电阻组件和电容组件表示像素阵列部1侧连接至每个输出缓冲器的每条线。
配置本实施例,使得输出缓冲器对将提供给电源线的电源脉冲进行采样,并生成控制信号的确定波形。如上所述,输出缓冲器具有反相器结构,其中,P沟道晶体管Pch和N沟道晶体管Nch串联连接在电源线和地电位Vss之间。当响应于来自移位寄存器S/R侧的输入信号导通输出缓冲器的P沟道晶体管Pch时,提供给电源线的电源脉冲的下降沿波形被采样。然后,将所采样的波形被作为控制信号WS的确定波形提供至像素阵列部1侧。通过生成包括分别来自输出缓冲器的确定波形的脉冲并将脉冲提供给输出缓冲器的电源线,可生成期望确定波形的控制信号WS。在这种情况下,当上部开关装置侧的P沟道晶体管Pch导通且下部开关装置侧的N沟道晶体管Nch截止时,输出缓冲器对从外部提供的电源脉冲的下降沿波形进行采样,并输出采样波形作为控制信号WS的确定波形。
图10示出了图9所示写扫描器的操作。参照图10,将在1H周期中改变的一串电源脉冲从外部输入至写扫描器的输出缓冲器的电源线。与此同步,将输入脉冲施加给输出缓冲器的反相器。图10的定时图示出了将提供给第N-1级和第N级中的反相器的输入脉冲。从移位寄存器S/R的第N-1级和第N级提供的输出脉冲以相同的时间顺序与输入脉冲一起示出。输出脉冲是施加给对应扫描线WS的控制信号。
从图10的定时图可以明显看出,写扫描器每一级处的输出缓冲器响应于输入脉冲对电源脉冲进行采样,并将采样的电源脉冲按原样作为输出脉冲提供给对应的扫描线WS。从外部提供电源脉冲,并且可预先优化设置电源脉冲的下降沿波形。写扫描器按原样对下降沿波形进行采样,并按原样使用采样的波形作为控制信号脉冲。
图11示出了从图9所示的写扫描器输出的控制信号WS的下降沿波形。还在共同的时间轴上示出了从驱动扫描器5输出的控制信号DS的下降沿波形。
图9所示的写扫描器采用电源脉冲采样方法,并且可基本上按原样对电源脉冲的下降沿波形进行采样,以形成扫描线WS的下降沿。然而,实际上,通过构成输出缓冲器的反相器的晶体管的操作特性的影响破坏了控制信号WS的下降沿波形。图11的控制信号WS的波形图通过曲线(1)表示基准相位,并通过偏差最差相位(2)表示经受特别大偏差的波形。
当如图9所示输出缓冲器的输入变为低电平时,形成输出缓冲器的反相器的P沟道晶体管导通,以对电源脉冲进行采样。随着这里采样的电源脉冲的电平的降低,在P沟道晶体管的操作期间施加在P沟道晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs降低。随着操作期间电压Vgs的降低,所采样电源脉冲的瞬态变得更容易受P沟道晶体管的特性偏差的影响,导致校正时间偏差的出现。在所示出的实例中,当扫描线WS具有偏差最差相位(2)时,当与扫描线WS具有标准相位(1)的情况相比时,采样晶体管Tr1响应于控制信号WS的下降沿而导通的定时向后移动。因此,迁移率校正时间也同样增大。由于最佳校正时间尤其在白灰阶处较短,所以偏差显著出现,并且如果不将其消除,则会引起不均匀的条纹。
为了解决上述先前开发的驱动方法中的问题,根据本发明的实施例,分别执行两次迁移率校正,以抑制迁移率校正时间的偏差。在第一次迁移率校正中,仅基于控制信号DS的脉冲确定迁移率校正时间。根据白灰阶优化迁移率校正时间。仅在灰阶为灰灰阶或黑灰阶的情况下,执行第二次迁移率校正。在这种情况下,从中采样波形整形电源脉冲的控制信号WS和不同的控制信号DS用于确定校正时间。因此,可通过精确地控制用于对校正时间偏差敏感的白灰阶的迁移率校正时间以及通过不仅调节第一次校正的校正时间而且调整需要很长校正时间的低灰阶的第二次校正的校正时间实现不存在所有灰阶的条纹的高均匀性。这里,如果通过0~100的水平表示亮度灰阶,则黑显示对应于低于水平30的水平;灰显示对应于水平30和水平70之间的水平;以及白显示对应于水平70和水平100之间的水平。因此,在亮度水平等于或高于70的情况下,迁移率校正仅被执行一次,而在亮度水平低于70的情况下,迁移率校正被执行两次。具体地,在亮度水平低于70的情况下,响应于灰度来优化用于第二次校正的校正时间。
图12示出了根据本发明实施例的驱动方法。为了便于理解,图12的定时图采用与根据上文所述先前开发的驱动方法的图4的定时图相同的表示。首先,在场开始的定时T1处,扫描线DS从低电平变为高电平。因此,第三开关晶体管Tr4导通,以将驱动晶体管Trd与第三电位VDD断开。结果,发光停止,并进入非发光周期。因此,在定时T1处,所有晶体管Tr1~Tr4都被置于截止状态。
然后,在定时T2处时,控制信号AZ1和AZ2变为高电平,因此,开关晶体管Tr2和Tr3导通。结果,驱动晶体管Trd的栅极G连接至第一电位Vss1,并且驱动晶体管Trd的源极S连接至第二电位Vss2。这里,基准电位Vss1和Vss2满足Vss1-Vss2>Vth,并且设置它们以满足Vss1-Vss2=Vgs>Vth,从而对定时T3处稍后执行的Vth校正进行预备。换句话说,周期T2-T3对应于驱动晶体管Trd的复位周期。此外,在通过VthEL表示发光装置EL的阈值电压的情况下,设置该阈值电压以满足VthEL>Vss2。因此,将负偏压施加给发光装置EL,以将发光装置EL置于反向偏置状态。为了正常执行稍后执行的Vth校正操作和迁移率校正操作,需要该反向偏置状态。
在定时T3处,控制信号AZ2被设置为低电平,随后,控制信号DS也被立刻设置为低电平。因此,晶体管Tr3截止,并且晶体管Tr4导通。结果,输出电流Ids流入像素电容器Cs,以开始Vth校正操作。此时,驱动晶体管Trd的栅极G保持为第一电位Vss1,并且电流Ids持续流动直至驱动晶体管Trd截止。当驱动晶体管Trd截止时,驱动晶体管Trd的源电位(S)变得等于Vss1-Vth。在漏电流切断之后的定时T4处,控制信号DS变回到高电平,以截止开关晶体管Tr4。此外,控制信号AZ1也变回到低电平,以截止开关晶体管Tr2。结果,像素电容器Cs保持并固定为阈值电压Vth。以这种方式,在定时T3到定时T4的周期内,检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。该周期T3-T4在下文中称作Vth校正周期。
在以这种方式执行Vth校正后,在定时T5处,控制信号WS变为高电平,以导通采样晶体管Tr1,从而将图像信号Vsig写入像素电容器Cs。当与发光装置EL的电容组件Coled相比时,像素电容器Cs足够低。结果,大部分图像信号Vsig被写入像素电容器Cs。更精确地,图像信号Vsig相应于Vss1的差值Vsig-Vss1被写入像素电容器Cs。因此,驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的电压Vgs等于电平Vsig-Vss1+Vth,其是先前检测并保持的阈值电压Vth与本操作循环中采样的差值Vsig-Vss1的和。如果为了简化后面的描述而假设Vss1=0V,则通过如图12的定时图所示的Vsig+Vth给出栅极/源极电压Vgs。在控制信号WS返回低电平的定时T9之前,执行信号电位Vsig的这种采样。换句话说,定时T5和T9之间的周期对应于采样周期。
在采样周期(即,图像信号写周期)结束的定时T9之前的定时处,将脉冲形式的控制信号DS施加给扫描线DS。该脉冲形式的控制信号在定时T6处下降并在定时T7处上升,因此,其是相对较小脉冲宽度的负脉冲。在从定时T6到定时T7的迁移率校正周期T6-T7内,开关晶体管Tr4导通,以定义迁移率校正周期。该迁移率校正周期T6-T7仅依赖于扫描线DS的脉冲宽度,并且在像素之间很少出现偏差。在图像信号写周期T5-T9中包含了迁移率校正周期T6-T7。
以这种方式,在定时T6到定时T7的校正时间内,执行第一次迁移率校正。换句话说,迁移率校正周期T6-T7为迁移率校正周期1。通过应用第一次迁移率校正,驱动晶体管Trd的源极电位(S)升高ΔV1。根据图像信号的信号电位较高(即,白显示)的情况,优化该迁移率校正周期1。
此后,在定时T8处,控制信号DS再次变为低电平,以导通第三开关晶体管Tr4。此后,在定时T9处,控制信号WS下降,以截止采样晶体管Tr1。在定时T8到定时T9的周期内,执行附加迁移率校正。换句话说,周期T8-T9为迁移率校正周期2。仅当图像信号的信号电位具有灰电平或黑电平时执行第二次迁移率校正。具体地,设置控制信号WS的下降沿波形,使得当图像信号具有灰电平或黑电平时,在开关晶体管在定时T8处首先导通之后,采样晶体管Tr1在定时T9处截止。通过第二次迁移率校正,驱动晶体管Trd的源极电位(S)升高ΔV2。结果,当将被显示的灰阶为灰或黑灰阶时,迁移率校正值被优化为ΔV1+ΔV2。另一方面,当将被显示的灰阶为白灰阶时,迁移率校正量为ΔV1,此外在这种情况下,迁移率校正量处于优化状态。
图13示出了当图像信号表示白灰阶时的迁移率校正操作并示出了相同时间轴上的控制信号WS和DS的波形。如图13所示,当图像信号表示白灰阶时,尽管在周期T6-T7内执行第一次迁移率校正,但没有执行第二次迁移率校正。具体地,在将显示白灰阶的情况下,当扫描线WS下降时,采样晶体管Tr1在定时T9处迅速截止。此后,在控制信号DS下降并变得低于VDD-|Vtp|的定时T8处,采样晶体管Tr1导通。由于开关晶体管Tr4在采样晶体管Tr1截止之后导通,所以没有执行第二次迁移率校正。结果,当信号电位Vsig具有高电平并且为白灰阶时,通过迁移率校正周期T6-T7确定迁移率校正时间。
图14示出了当图像信号的信号电位Vsig较低并且将显示灰灰阶时的迁移率校正操作。当灰阶水平较低时,在第一次迁移率校正的迁移率校正周期T6-T7之后,添加第二次迁移率校正的迁移率校正周期T8-T9。在第二次迁移率校正中,在定时T8处,首先控制信号DS变得低于VDD-|Vtp|,并且采样晶体管Tr1被置于导通状态。此后,在定时T9处,控制信号WS变得低于Vsig-Vth,因此,采样晶体管Tr1截止。由于与定时T8相比定时T9向后移动,所以可以确保采样晶体管Tr1和开关晶体管Tr4都表现为导通状态的时间,并且在该时间内执行第二次迁移率校正。从图14可以明显看出,随着电位Vsig+Vth的下降,定时T9向后移动很大量,并且迁移率校正时间2也同样增大。换句话说,随着亮度水平的下降,迁移率校正时间增大,并且可根据亮度水平执行最佳迁移率校正。
在第一次迁移率校正中,通过控制信号DS的脉冲宽度控制迁移率。由于通过简单的反相器操作输出DS脉冲,所以当DA脉冲接通和切断时,约15V那么高的电压被施加作为形成反相器的晶体管的输入电压Vgs,并且这使得特性偏差很少出现。因此,可以抑制白灰阶的校正时间的偏差。另一方面,第二次迁移率校正仅在灰或黑灰阶处执行,并且对白灰阶没有影响。由于在灰或黑灰阶处所需的校正时间相对较长,所以可通过对电源脉冲的波形进行整形并利用所整形的波形执行迁移率校正来对每个灰阶执行迁移率偏差的最佳校正。此外,由于在低灰阶处的校正时间很长,所以不需要考虑关于由校正时间的偏差所引起的条纹不均匀的劣化。如上所述,还可以校正白灰阶处的校正时间偏差,同时适当地校正在所有灰阶的迁移率偏差,从而获得所有灰阶的高均匀性的屏幕图像。
根据本发明实施例的显示设备具有如图15所示的这种薄膜装置结构。图15示出了形成在绝缘基板上的像素的示意性截面结构。参照图15,像素包括:晶体管部,包括多个薄膜晶体管(图15中示出一个TFT);电容部,包括保持电容器等;以及发光部,包括有机EL装置。通过TFT处理在基板上形成晶体管部和电容部,并且在晶体管部和电容部上形成有机EL装置的发光部等。通过粘合剂将透明相对基板结合至发光部以形成平板。
根据本发明实施例的显示设备包括如图16所示的平板模块型的这种显示设备。参照图16,所示的显示器包括像素阵列部,其中,每一个均包括有机EL装置、薄膜晶体管、薄膜电容器等的像素以矩阵形式集成并形成在例如绝缘基板上。以围绕像素阵列部或像素矩阵部周围的这种方式来设置粘合剂,并将玻璃等的相对基板结合至像素阵列部,以形成显示模块。根据需要,可在透明相对基板上设置滤色片、保护膜、遮光膜等。例如,显示模块可包括作为用于从/向外部向/从像素阵列部输入/输出信号的连接器的柔性印刷电路(FPC)。
例如,根据本发明实施例的显示设备可被用作显示输入其中或在其中生成的驱动信号作为图像的的各种领域的各种电子设备的显示设备,例如,数码相机、笔记本式个人计算机、便携式电视机和摄像机。下面,描述应用如上所述显示设备的电子设备的几个实例。
图17示出了应用本发明的实施例的电视机。参照图17,该电视机包括由前面板12、滤色玻璃板13等构成的图像显示屏幕部11。通过应用本发明实施例的显示设备形成图像显示屏幕部11。
图18示出了应用本发明的数码相机,具体地,在其上部和下部示出了前透视图和后透视图。参照图18,该数码相机包括成像透镜、用于发射闪光的发光部15、显示部16、控制开关、菜单开关、快门按钮19等。通过应用本发明实施例的显示设备形成显示部16。
图19示出了应用本发明实施例的笔记本式个人计算机。参照图19,该笔记本式个人计算机包括设置在主体20上并为了输入字符等进行操作的键盘21以及设置在主体盖上用于显示图像的显示部22。通过应用本发明实施例的显示设备形成显示部22。
图20示出了应用本发明实施例的便携式终端设备,并在其左边和右边分别示出处于打开状态和关闭状态的便携式终端。参照图20,盖便携式终端设备包括上机体23、下机体24、铰接构件形式的连接部25、显示部26、副显示部27、镜前灯28、相机29等。通过应用本发明实施例的显示设备形成显示部26或副显示部27。
图21示出了应用本发明实施例的摄像机。参照图21,该摄像机包括主体部30以及设置在向前的主体部30的侧面上的用于拍摄成像目标的图像的透镜34、用于开始和停止图像拍摄的开始/停止开关35、监控器36等。通过应用本发明实施例的显示设备形成监控器36。
本领域的技术人员应该理解,根据设计要求和其它因素,可以有多种修改、组合、再组合和改进,均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围之内。

Claims (5)

1.一种显示设备,包括:
像素阵列部;以及
驱动部,被配置为驱动所述像素阵列部;
所述像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在所述第一扫描线和所述第二扫描线以及所述信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向所述像素供电的多条电源线和地线;
所述驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给所述第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描所述像素;第二扫描器,被配置为与所述逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给所述第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与所述逐行扫描同步地将图像信号提供给所述信号线,
每个所述像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器,
所述采样晶体管的栅极连接至所述第一扫描线中的一条,原极连接至所述信号线中的一条,以及漏极连接至所述驱动晶体管的栅极,
所述驱动晶体管和所述发光装置串联连接,以在一条所述电源线和一条所述地线之间形成电流通路,
所述开关晶体管***到所述电流通路中,所述开关晶体管的栅极连接至所述第二扫描线中的一条,
所述像素电容器连接在所述驱动晶体管的源极和栅极之间,
所述采样晶体管响应于由所述第一扫描线提供的所述第一控制信号而被置于导通状态,以对由所述信号线提供的所述图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在所述像素电容器中,
所述开关晶体管响应于由所述第二扫描线提供的所述第二控制信号而被置于导通状态,以将所述电流通路置于接通状态,
所述驱动晶体管响应于保持在所述像素电容器中的信号电位。通过置于接通状态的所述电流通路将驱动电流提供给所述发光装置,
所述第一扫描器将所述第一控制信号施加给所述第一扫描线,以导通所述采样晶体管,从而开始对所述信号电位进行采样。随后,所述第一扫描器取消被提供给所述第一扫描线的所述第一控制信号,以截止所述采样晶体管,以及
所述第二扫描器被配置为在所述采样晶体管导通直到所述采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,使得所述开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加用于所述驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果所述图像信号的信号电位不高,则在所述图像信号写周期的最后对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果所述图像信号的信号电位高,则防止施加所述第二次校正,
在取消通过所述第一扫描器施加给所述第一扫描线的所述第一控制信号以截止所述采样晶体管的截止定时之前或之后,所述第二扫描器在预定定时处将所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,以导通所述开关晶体管,以及
当所述采样晶体管在其截止定时被截止时,所述第一扫描器对所述第一控制信号的下降沿波形施加倾斜,使得当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电位不高时,所述采样晶体管的截止定时变得迟于所述开关晶体管的导通定时,使得可施加所述第二次校正,而当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电压高时,所述截止定时先于所述导通定时,使得不能施加所述第二次校正。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一扫描器对所述第一控制信号的下降沿波形施加倾斜,使得随着所述图像信号的信号电位的下降,附加校正时间增加。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一扫描器包括用于输出所述第一控制信号的输出缓冲器,以及
所述输出缓冲器对包括在由外部脉冲电源提供的电源脉冲中的下降沿波形进行采样,并将所采样的下降沿波形作为所述第一控制信号输出至所述第一扫描线。
4.一种包括像素阵列部和用于驱动所述像素阵列部的驱动部的显示设备的驱动方法,
所述像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在所述第一扫描线和所述第二扫描线以及所述信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向所述像素供电的多条电源线和地线;
所述驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给所述第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描所述像素;第二扫描器,被配置为与所述逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给所述第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与所述逐行扫描同步地将图像信号提供给所述信号线;
每个所述像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器;
所述采样晶体管的栅极连接至所述第一扫描线中的一条,源极连接至所述信号线中的一条,以及漏极连接至所述驱动晶体管的栅极;
所述驱动晶体管和所述发光装置串联连接,以在一条所述电源线和一条所述地线之间形成电流通路;
所述开关晶体管***到所述电流通路中,所述开关晶体管的栅极连接至所述第二扫描线中的一条;
所述像素电容器连接在所述驱动晶体管的源极和栅极之间;
所述驱动方法包括以下步骤:
响应于由所述第一扫描线提供的所述第一控制信号将所述采样晶体管置于导通状态,以对由所述信号线提供的所述图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在所述像素电容器中;
响应于由所述第二扫描线提供的所述第二控制信号将所述开关晶体管置于导通状态,以将所述电流通路置于接通状态;
响应于保持在所述像素电容器中的信号电位通过被置于接通状态的所述电流通路使所述驱动晶体管将驱动电流提供给所述发光装置;
使所述第一扫描器将所述第一控制信号施加给所述第一扫描线,以导通所述采样晶体管,从而开始所述信号电位的采样,随后,所述第一扫描器取消被提供给所述第一扫描线的所述第一控制信号,以截止所述采样晶体管,以及
使所述第二扫描器在在所述采样晶体管导通直到所述采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,使得所述开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加用于所述驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果所述图像信号的信号电位不高,则在所述图像信号写周期的最后对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果所述图像信号的信号电位高,则防止施加所述第二次校正,
其中,在取消通过所述第一扫描器施加给所述第一扫描线的所述第一控制信号以截止所述采样晶体管的截止定时之前或之后,所述第二扫描器在预定定时处将所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,以导通所述开关晶体管,以及
当所述采样晶体管在其截止定时被截止时,所述第一扫描器对所述第一控制信号的下降沿波形施加倾斜,使得当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电位不高时,所述采样晶体管的截止定时变得迟于所述开关晶体管的导通定时,使得可施加所述第二次校正,而当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电压高时,所述截止定时先于所述导通定时,使得不能施加所述第二次校正。
5.一种电子设备,包括:
显示装置,包括;
像素阵列部;以及
驱动部,被配置为驱动所述像素阵列部;
所述像素阵列部包括在行方向上延伸的多条第一扫描线和第二扫描线、在列方向上延伸的多条信号线、在所述第一扫描线和所述第二扫描线以及所述信号线的交叉位置处以矩阵形式设置的多个像素以及被配置为向所述像素供电的多条电源线和地线;
所述驱动部包括:第一扫描器,被配置为将第一控制信号顺序提供给所述第一扫描线,从而以行为单位逐行扫描所述像素;第二扫描器,被配置为与所述逐行扫描同步地将第二控制信号顺序提供给所述第二扫描线;以及信号选择器,被配置为与所述逐行扫描同步地将图像信号提供给所述信号线;
每个所述像素均包括发光装置、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管以及像素电容器,
所述采样晶体管的栅极连接至所述第一扫描线中的一条,源极连接至所述信号线中的一条,以及漏极连接至所述驱动晶体管的栅极,
所述驱动晶体管和所述发光装置串联连接,以在一条所述电源线和一条所述地线之间形成电流通路,
所述开关晶体管***到所述电流通路中,所述开关晶体管的栅极连接至所述第二扫描线中的一条,
所述像素电容器连接在所述驱动晶体管的源极和栅极之间。
所述采样晶体管响应于由所述第一扫描线提供的所述第一控制信号而被置于导通状态,以对由所述信号线提供的所述图像信号的信号电位进行采样,并将所采样的信号电位保持在所述像素电容器中,
所述开关晶体管响应于由所述第二扫描线提供的所述第二控制信号而被置于导通状态,以将所述电流通路置于接通状态,
所述驱动晶体管响应于保持在所述像素电容器中的信号电位通过置于接通状态的所述电流通路将驱动电流提供给所述发光装置,
所述第一扫描器将所述第一控制信号施加给所述第一扫描线,以导通所述采样晶体管,从而开始对所述信号电位进行采样,随后,所述第一扫描器取消被提供给所述第一扫描线的所述第一控制信号,以截止所述采样晶体管;以及
所述第二扫描器被配置为在所述采样晶体管导通直到所述采样晶体管截止的图像信号写周期内,将脉冲形式的所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,使得所述开关晶体管在预定的校正时间内表现为导通状态,对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加用于所述驱动晶体管的迁移率的第一次校正,随后,如果所述图像信号的信号电位不高,则在所述图像信号写周期的最后对保持在所述像素电容器中的所述信号电位施加追加的校正时间的第二次校正,而如果所述图像信号的信号电位高,则防止施加所述第二次校正,
其中,在取消通过所述第一扫描器施加给所述第一扫描线的所述第一控制信号以截止所述采样晶体管的截止定时之前或之后,所述第二扫描器在预定定时处将所述第二控制信号施加给所述第二扫描线,以导通所述开关晶体管,以及
当所述采样晶体管在其截止定时被截止时,所述第一扫描器对所述第一控制信号的下降沿波形施加倾斜,使得当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电位不高时,所述采样晶体管的截止定时变得迟于所述开关晶体管的导通定时,使得可施加所述第二次校正,而当提供给所述信号线的所述图像信号的信号电压高时,所述截止定时先于所述导通定时,使得不能施加所述第二次校正。
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