CN100593870C - 有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种有机半导体结构及其制造方法、使用该有机半导体结构的有机薄膜晶体管及其制造方法以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。有机薄膜晶体管包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在氧化物层上的源极，其中源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在氧化物层上的漏极，其中漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；具有暴露第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在栅绝缘层的与有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。
背景技术
近来，随着半导体技术的发展，已能够制造诸如薄膜晶体管(TFT)的非常小型的开关器件。另外，TFT技术的发展促进了诸如液晶显示(LCD)器件、有机发光二极管(OLED)、等离子显示(PDP)或类似能够显示全彩色图像的显示器件的各种研发。
并且，近几年开发了其显示屏幕可由用户弯曲和拉直的柔性显示器件。
为了制造这种柔性显示器件，使用柔性的塑料基板替代玻璃基板，并且采用包含有机半导体的有机薄膜晶体管(OTFT)替代包含无机材料的开关器件。
对于制造现有技术的OTFT而言，在基板上形成薄厚度的源极和漏极。此后，在基板上形成有机半导体层以覆盖该源极和漏极。随后，形成栅绝缘层以覆盖该有机半导体层，然后在该栅绝缘层上形成栅极。
然而，在用于对形成在有机半导体层上的光刻胶膜进行显影的显影工艺以及用于去除形成在有机半导体图案上的光刻胶图案的灰化工艺和/或剥离工艺期间，现有技术的OTFT的有机半导体层将受损。
发明内容
因此，本发明提出了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷带来的一个或多个技术问题。
本发明的目的是提供一种提高OTFT的电子特性的有机薄膜晶体管(OTFT)。
本发明的另一个目的是提供一种制造该OTFT的方法。
本发明的再一个目的是提供一种具有该有机薄膜晶体管的显示器件。
本发明的其它优点、目的及特征一部分将在下述说明中阐明，并且一部分对于本领域的普通技术人员在研究下文时变得显而易见，或可以从本发明的实践中理解。本发明的目的及其他优点可由在书面的说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和获得。
为了实现这些目的及其它优点以及根据本发明的目的，如此处具体实施及概括阐明地，本发明提供一种有机薄膜晶体管，包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在所述氧化物层上的源极，其中所述源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，所述第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；具有暴露所述第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过所述开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极，其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
在本发明的另一个技术方案中，提供了一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括：在基础基板上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成疏水源极和漏极，其中所述源极与所述漏极相间隔；在所述基础基板上形成具有开口的疏水有机层图案，该开口分别暴露部分所述源极和部分所述漏极；将所述源极和漏极的暴露部分的疏水特性转换为亲水特性，从而在源极中形成亲水源极部分以及在漏极中形成亲水漏极部分；形成亲水有机半导体图案，该亲水有机半导体图案通过所述开口与所述亲水源极部分和亲水漏极部分电连接；形成覆盖所述亲水有机半导体图案的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上形成栅极。
在本发明的又一技术方案中，提供了一种显示器件，包括：第一显示基板、第二显示基板以及***在所述第一显示基板和所述第二显示基板之间的液晶层。第一显示基板包括形成在第一基础基板上的氧化物层，设置在所述氧化物层上的源极，其中所述源极包括第一源极部分和第二源极部分，设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，所述第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分，具有暴露所述第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案，通过所述开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性，覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层，与所述漏极的所述第一漏极部分连接的像素电极；以及形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极；第二显示基板形成在与所述第一基础基板相对的第二基础基板上，所述第二显示基板包括形成在所述第二基础基板的与所述像素电极相对应的预定部分上的滤色片，其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
在再一技术方案中，提供了一种有机薄膜晶体管，包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在所述氧化物层上的源极；设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极与所述源极相间隔；具有暴露部分所述源极和部分所述漏极的开口的有机层图案；通过所述开口与部分所述源极和部分所述漏极自对准的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极，其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
应该理解对本发明进行的上述的概括说明和以下的详细说明为示例性和解释性的，并旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。
附图说明
当结合附图参照以下详细描述时，本发明的上述及其它优点将显而易见，其中：
图1为表示根据本发明一个实施方式的有机薄膜晶体管(OTFT)的平面图；
图2为沿着图1中线I-I’的横截面图；
图3到图9为表示根据本发明一个实施方式的制造OTFT的方法的横截面图；以及
图10为根据本发明一个实施方式的显示器件的横截面图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地说明根据本发明的优选实施方式的有机薄膜晶体管及其制造方法，以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。然而，本发明可以不同形式实施并且不限制于在此所阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式使得本公开是充分和完整的，并且本领域的技术人员充分理解本发明的范围。在附图中，为了清楚地阐明本发明，层(膜)、区域以及图案的尺寸均经过放大。在本发明中，也应理解，当基板、层(膜)、区域、图案或结构描述为位于另一基板、另一层(膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案之“上”或“上方”时，其可为直接在该层(膜)、区域或图案上，或者也存在***的层。并且，应理解，当基板、层(膜)、图案或结构描述为位于另一基板、层(膜)、图案或结构之“下”时，其可为直接在其之下，以及也存在一个或多个***的层。另外，层(膜)、区域、图案或结构描述为“第一”、“第二”、“第三”和/或“第四”，其并非用于限制这些元件，而在于将所述层(膜)、区域、图案或结构彼此区分开。所以，诸如“第一”、“第二”、“第三”和/或“第四”的描述可有选择地或可更换地用于各个层(膜)、区域、电极、图案或结构。
有机薄膜晶体管
图1为表示根据本发明一个实施方式的有机薄膜晶体管(OTFT)的平面图，以及图2为沿着图1中线I-I’的横截面图。
参照图1和图2，有机薄膜晶体管(OTFT)包括氧化物层OXL、源极SE、漏极DE、疏水有机层图案OLP、亲水有机半导体图案OSC、栅绝缘层OGI以及从延伸栅线GL的栅极GE。
根据本发明的一个实施方式的OTFT形成在基础基板BS(base substrate)上。在该实施方式中，该基础基板BS可包括玻璃基板或柔性基板，且该基础基板可具有与玻璃基本相等的透光率。
氧化物层OXL形成在基础基板BS的表面上，该氧化物层OXL可由氧化硅层或氮化硅层等构成。该氧化物层OXL可具有亲水特性。
源极SE设置在该氧化物层OXL上。可用作源极的材料示例可包括铝、铝合金、金、银、铜等。
源极SE可包括第一源极部分SE2和第二源极部分SE1。在该实施方式中，第一源极部分SE2具有疏水特性，且当下述有机半导体图案OSC形成在第二源极部分SE1上时，该第二源极部分SE1具有临时的亲水特性。在该实施方式中，该第二源极部分SE1具有约两小时到约三小时的亲水特性。
在平面图中，大约源极SE整个面积的一半为第一源极部分SE2，并且源极SE的另一半为第二源极部分SE1。
在该实施方式中，第二源极部分SE1设置为紧邻漏极DE，而第一源极部分SE2设置为与第二源极部分SE1相比相对远离漏极DE。
漏极DE设置在氧化物层OXL上。在该实施方式中，漏极DE可设置为与源极SE共面，其中该漏极DE与源极SE间隔预定距离。
在该实施方式中，可用作漏极DE的材料示例可包括铝、铝合金、金、银、铜等。优选地，漏极DE可由与源极SE相同的材料构成。
漏极DE可包括第一漏极部分DE2和第二漏极部分DE1。在实施方式中，第一漏极部分DE2可具有疏水特性，而当下述有机半导体图案OSC形成在该第二漏极部分DE1上时，第二漏极部分DE1具有临时的亲水特性。
在该实施方式中，漏极DE的第二漏极部分DE1与源极SE的第二源极部分SE1在平面图中相对设置。
所以，源极SE和漏极DE在平面图中彼此平行设置。
如图1所示，在该实施方式中，第一源极部分SE2、第二源极部分SE1、第二漏极部分DE1以及第一漏极部分DE2按照从左到右的顺序设置在氧化物层OXL上。
亲水有机半导体图案OSC可包括诸如硅或类似的半导体材料，该有机半导体图案OSC具有与外部施加的电压电平相对应的导电特性或绝缘特性。
在该实施方式中，有机半导体图案OSC可具有亲水特性。因此，有机半导体图案OSC可选择地不与第一源极部分SE2和第一漏极部分DE2粘附，而可选择地与源极SE的第二源极部分SE1和漏极DE的第二漏极部分DE1粘附。所以，第二源极部分SE1和第二漏极部分DE1通过有机半导体图案OSC彼此电连接，其中该有机半导体图案OSC在平面图中具有岛形。也就是说，有机半导体图案OSC通过自对准方法与源极SE和漏极DE电连接。
同时，为了将源极SE划分为第一源极部分SE2和第二源极部分SE1，将漏极DE划分为第一漏极部分DE2和第二漏极部分DE1，以及使有机半导体图案OSC与第二源极部分SE1和第二漏极部分DE1电连接，可在基础基板BS上形成有机层图案OLP。
在该实施方式中，有机层图案OLP可具有疏水特性。例如，有机层图案OLP可包括丙烯酸合成树脂。另外，有机层图案OLP还可包括感光物质，以通过光刻工艺以及显影工艺进行构图。可选择地，有机层图案OLP可通过使用等离子体或类似物进行干蚀刻形成。
在第四实施方式中，有机层图案OLP具有暴露源极SE的第二源极部分SE1和漏极DE的第二漏极部分DE1的开口OP。相反地，源极SE的第一源极部分SE2和漏极DE的第一漏极部分DE2可由有机层图案OLP覆盖。
由于有机层图案OLP具有疏水特性，所以有机半导体图案OSC的亲水半导体材料既不会与有机层图案OLP的表面粘附，也不会与有机层图案OLP的开口OP的侧壁粘附，但是其可与具有临时亲水特性的第二源极部分SE1和第二漏极部分DE1粘附。
栅绝缘层OGI可形成在栅有机层图案OLP的上表面，以便覆盖有机半导体图案OSC。
栅极GE可形成在栅绝缘层OGI上。更具体地，栅极GE可形成在栅绝缘层OGI的与有机半导体图案OSC相对应的预定部分。
OTFT的制造方法
图3到图9为表示根据本发明的一个实施方式的制造OTFT的方法的横截面图。
图3为表示根据本发明的一个实施方式的形成OTFT源极和漏极的工艺的横截面图。
参照图3，氧化物层OXL形成在诸如玻璃基板或柔性基板的基础基板BS的整个上表面。在该实施方式中，可通过CVD工艺或类似方法将氧化物层OXL形成在基础基板BS的整个上表面。可选择地，氮化物层可替代氧化物层OXL形成在基础基板BS的上表面上，或配置有氧化物层OXL和氮化物层的双层可形成在基础基板BS的上表面上。在该实施方式中，氧化硅层可用作氧化物层，以及氮化硅层可用作氮化物层。
在基础基板BS的上表面上形成氧化物层OXL以后，在该氧化物层OXL上形成金属层(未示出)。该金属层可通过CVD工艺或溅射工艺形成。
在形成该金属层以后，通过旋转涂布工艺或窄缝涂布工艺在该金属层上形成光刻胶膜(未示出)。
在金属层上形成光刻胶膜以后，通过曝光工艺将该光刻胶膜部分曝光并随后显影，从而在该金属层上形成光刻胶图案。该光刻胶图案可选择地设置在金属层待受保护的预定部分。
在金属层上形成光刻胶图案以后，使用光刻胶图案作为蚀刻掩模对该金属层进行蚀刻，从而分别形成源极SE和漏极DE。
在该实施方式中，在形成源极SE的同时可形成数据线(未示出)，其中源极SE与数据线在平面图中彼此垂直设置。
同时，漏极DE平行于源极SE设置，其中漏极DE与源极SE间隔预定距离。
图4为表示形成覆盖如图3所示的源极和漏极的有机层的工序的横截面图。
参照图4，在氧化物层OXL上形成源极SE和漏极DE以后，在氧化物层OXL上形成有机层(未示出)。在该实施方式中，可通过旋转涂布工艺或窄缝涂布工艺等将有机层形成在氧化物层OXL上。该有机层可包括用于对有机层进行构图的丙烯酸合成树脂和感光物质。
图5为表示形成具有暴露如图4所示部分源极和部分漏极的开口的有机层图案的工序的横截面图。
参照图5，为了从有机层暴露部分源极SE和部分漏极DE，具有感光物质的有机层曝光于透过刻线的光，并随后由预定的显影溶液显影。从而，形成具有暴露部分源极SE和部分漏极DE的开口OP的有机层图案OLP。
图6为表示对如图5所示的有机层图案和所述开口的内部进行氧等离子体处理的工序的横截面图。
参照图6，在形成具有开口OP的有机层图案OLP以后，通过从有机层图案OLP流向基础基板BS的氧(O2)等离子体处理所述基础基板BS。
由有机层图案OLP的开口OP暴露的部分源极SE、部分漏极DE以及部分氧化物层OXL均由氧等离子体处理。
因此，源极SE划分为第一源极部分SE2和第二源极部分SE1，并且漏极DE划分为第一漏极部分DE2和第二漏极部分DE1。
图7为表示在如图6所示的源极的第二源极部分和漏极的第二漏极部分上形成有机半导体图案的工序的横截面图。
参照图7，通过氧等离子体在源极SE中形成第二源极部分SE1以及在漏极DE中形成第二漏极部分DE1以后，在有机层图案OLP的上表面上形成亲水有机半导体材料。在该实施方式中，具有流动性的亲水有机半导体材料根据电场可具有导电特性或绝缘特性。
由于对于亲水有机半导体材料而言，难于与疏水有机层图案OLP粘附，但该亲水有机半导体材料可轻易地与第二源极部分SE1和第二漏极部分DE1粘附，所以该有机半导体材料填充有机层图案OLP的开口OP中，并且对聚集在开口OP中的有机半导体材料进行硬化以形成有机半导体图案OSC。
图8为表示形成覆盖如图7所示的有机半导体图案的栅绝缘层的工序的横截面图。
参照图8，在形成有机半导体图案OSC以后，在有机层图案OLP和有机半导体图案OSC上形成用于使有机半导体图案OSC绝缘的栅绝缘层OGI。在第五实施方式中，栅绝缘层OGI可包括有机材料。在形成有机材料的栅绝缘层时，可通过旋转涂布工艺或窄缝涂布工艺形成该栅绝缘层。
图9为表示在如图8所示的栅绝缘层上形成栅极的工序的横截面图。
参照图9，在有机层图案OLP和有机半导体图案OSC上形成栅绝缘层OGI以后，在栅绝缘层OGI的整个表面上形成栅金属层和光刻胶膜。随后，通过光刻蚀刻工艺对光刻胶膜进行构图，形成光刻胶图案。然后，使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模对栅金属层进行蚀刻，从而在栅绝缘层OGI上形成栅极GE。
显示器件
图10为表示根据本发明一个实施方式的显示器件的横截面图。
参照图10，本发明的显示器件400包括第一显示基板100、第二显示基板200以及***在两者之间的液晶层300。
第一显示基板100包括OTFT以及像素电极146。
该OTFT包括氧化物层120、源极130、漏极140、疏水有机层图案155、亲水有机半导体图案150、栅绝缘层160以及栅极170。
该OTFT形成在第一基础基板110上。在该实施方式中，第一基础基板110包括诸如玻璃基板或塑料基板等的透明基板。
氧化物层120设置在第一基础基板110的一侧，其中该氧化物层120可由氧化硅或氮化硅构成。
源极130形成在氧化物层120上。源极130可由例如铝、铝合金、金、银、铜等构成。
源极130包括第一源极部分132和第二源极部分134。在该实施方式中，第一源极部分132具有疏水特性，而第二源极部分134具有亲水特性。在平面图中，大约源极130整个面积的一半为第一源极部分132，且源极130的另一半为第二源极部分134。
例如，第二源极部分134设置为紧邻漏极140，而第一源极部分132设置为与第二源极部分134相比相对远离漏极140。
漏极140设置在氧化物层120上。在该实施方式中，漏极140可设置为与源极130共面，其中该漏极140与源极130间隔预定距离。
在该实施方式中，用于漏极140的材料可为例如铝、铝合金、金、银、铜等。
漏极140可包括第一漏极部分144和第二漏极部分142。在该实施方式中，第一漏极部分144具有疏水特性，而第二漏极部分142具有亲水特性。
在该实施方式中，漏极140的第二漏极部分142与源极130的第二源极部分134在平面图中相对设置。
所以，源极130和漏极140在平面图中彼此平行设置。因此，如图10所示，第一源极部分132、第二源极部分134、第二漏极部分142以及第一漏极部分144在氧化物层120按照从左到右的顺序设置。
亲水有机半导体图案150可包括诸如硅或类似半导体材料，该有机半导体图案具有与外部施加的电压电平相对应的导电特性或绝缘特性。
在该实施方式中，有机半导体图案150可具有亲水特性。因此，具有亲水特性的有机半导体图案150不与第一源极部分132和第一漏极部分144粘附，而与源极130的第二源极部分134和漏极140的第二漏极部分142粘附。所以，第二源极部分134和第二漏极部分142通过有机半导体图案150彼此电连接，其中该有机半导体图案150在平面图中具有岛形。
同时，为了将源极130划分为第二源极部分134和第一源极部分132，将漏极140划分为第二漏极部分142和第一漏极部分144，以及使有机半导体图案150与第二源极部分和第二漏极部分142电连接，有机层图案155可形成在第一基础基板110上。
在该实施方式中，有机层图案155可具有疏水特性。例如，有机层图案155可包括丙烯酸合成树脂。另外，有机层图案155还可包括感光物质，以通过光刻工艺以及显影工艺对有机层图案155进行构图。
在该实施方式中，有机层图案155具有暴露源极130的第二源极部分134和漏极140的第二漏极部分142的开口。相反地，源极130的第一源极部分132和漏极140的第一漏极部分144可由有机层图案155遮蔽。
由于有机层图案155具有疏水特性，所以有机半导体图案150的亲水半导体材料不会与有机层图案155的表面以及有机层图案155的开口的侧壁粘附，但是其与亲水部分粘附，即，与第二源极部分134和第二漏极部分142粘附。
栅绝缘层160可形成在有机层图案155的上表面，以覆盖有机半导体图案150。
栅极170可形成在栅绝缘层160上。也即，栅极170可形成在栅绝缘层160的与有机半导体图案150相对应的预定部分上。
其后，在栅极170上设置形成有定向沟槽的定向膜180。
像素电极146与OTFT的漏极140的第一漏极部分144电连接。在该实施方式中，像素电极146可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、非晶氧化铟锡(a-ITO)或类似的透明导电氧化物。
具有OTFT和像素电极146的第一显示基板100与第二显示基板200相对设置。在该实施方式中，第二显示基板200包括栅格状的阻挡图案220和形成在其上的滤色片230。在该实施方式中，阻挡图案220可由铬和/或氧化铬、吸光率与铬相似的黑树脂构成。
在该实施方式中，第一显示基板100和第二显示基板200的边缘由密封件密封，并因此液晶层300设置于由该密封件、第一显示基板100以及第二显示基板200形成的空间中。例如，可设置球状衬垫料或柱状衬垫料以保持第一显示基板100和第二显示基板200之间液晶层300的盒间隙。
根据如上的说明，可通过更简单的方法制造该OTFT，以及结构稳定的薄膜晶体管。
显然，熟悉本领域的技术人员可以对本发明进行改进和变型。因此，本发明意欲覆盖落入所附权利要求及其等效范围内的本发明的所有改进和变型。
Claims (14)
1、一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：
形成在基础基板上的氧化物层；
设置在所述氧化物层上的源极，其中所述源极包括第一源极部分和第二源极部分；
设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，所述第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；
具有暴露所述第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；
通过所述开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；
覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；以及
形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极，
其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
2、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机层图案包括感光物质。
3、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机层图案包括丙烯酸合成树脂。
4、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体图案在平面图中为岛形。
5、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物层具有亲水特性。
6、一种制造所述有机薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：
在基础基板上形成氧化物层；
在所述氧化物层上形成疏水源极和漏极，其中所述源极与所述漏极相间隔；
在所述基础基板上形成具有开口的疏水有机层图案，该开口分别暴露部分所述源极和部分所述漏极；
将所述源极和漏极的暴露部分的疏水特性转换为亲水特性，从而在该源极中形成亲水源极部分以及在该漏极中形成亲水漏极部分；
形成亲水有机半导体图案，该亲水有机半导体图案通过所述开口与所述亲水源极部分和亲水漏极部分电连接；
形成覆盖所述亲水有机半导体图案的栅绝缘层；以及
在该栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上形成栅极。
7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极的暴露部分暴露于氧等离子体。
8、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有机半导体图案的形成包括：
在具有疏水特性的疏水有机层图案上涂覆用于有机半导体图案的材料，所述材料具有流动性；
将用于所述有机半导体图案的所述材料填充所述开口中；以及
硬化用于所述有机半导体图案的所述材料。
9、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述开口暴露设置于所述源极与漏极之间的氧化物层部分。
10、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述疏水有机层图案具有感光物质。
11、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述疏水有机层图案包括丙烯酸合成树脂。
12、一种显示器件，其特征在于，包括：
第一显示基板，其包括：形成在第一基础基板上的氧化物层；设置在所述氧化物层上的源极，其中所述源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分；所述第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；具有暴露所述第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过所述开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；与所述漏极的所述第一漏极部分连接的像素电极；以及形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极；
第二显示基板，其形成在与所述第一基础基板相对的第二基础基板上，其中所述第二显示基板包括形成在所述第二基础基板的与所述像素电极相对应的预定部分上的滤色片；以及
***在所述第一显示基板与第二显示基板之间的液晶层，
其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
13、根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述有机半导体图案在平面图中具有岛形。
14、一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：
形成在基础基板上的氧化物层；
设置在所述氧化物层上的源极；
设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极与所述源极相间隔；
具有暴露部分所述源极和部分所述漏极的开口的有机层图案；
通过所述开口与部分所述源极和部分所述漏极自对准的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；
覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；以及
形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极，
其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。
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