CN100578723C - 发光装置、电子发射单元的制造方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光装置和具有所述发光装置的显示装置。所述发光装置包括：第一基板和面对所述第一基板的第二基板；在所述第一基板的内表面上的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与第二电极交叉；在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区内电连接到所述第一电极的多个电子发射区；在第二基板的内表面上的发光单元；和位于所述第一和第二基板之间的至少一间隔体。这里，所述间隔体和电子发射区之间的最短距离满足下列条件：500μm≤D≤0.2Dh，其中Dh是至少一所述交叉区的对角线长度。

Description

发光装置、电子发射单元的制造方法及显示装置

技术领域

本发明涉及发光装置和显示装置。

背景技术

具有无源型显示面板例如液晶显示面板的显示装置需要向显示面板发射光的光源。一般地，冷阴极荧光灯(CCFL)型发光装置和发光二极管(LED)型发光装置已被广泛地用作光源。

由于CCFL型发光装置和LED型发光装置分别是线型光源和点型光源，所以它们具有多个漫射光的多个光学构件。当光透过光学构件时，光学构件可引起光损失，并且因而CCFL型发光装置和LED型发光装置应当被施加以相对高的电压以便获得足够的亮度。但是这使得难于扩大显示装置。

最近，提出了包括第一基板和第二基板的发光装置以替代CCFL型发光装置和LED型发光装置，在第一基板上提供了具有电子发射区和驱动电极的电子发射单元，在第二基板上形成了荧光体层和阳极。该发光装置通过使用从电子发射区发出的电子激励荧光体层而发出可见光。

在发光装置中，在第一和第二基板的***(或***区)之间提供密封构件以将其密封在一起，因而形成真空容器。多个间隔体设置在第一和第二基板之间以承受施加到真空容器上的压力。

当发光装置用作显示装置的光源时，重要的光学特性是(a)使得能够以相对低的功耗实现高亮度，(b)在整个有源区上以均匀的强度发光，以及(c)改善通过显示装置实现的图像的显示质量(例如对比度)

在传统发光装置中，由于电子从电子发射区发出并且与间隔体碰撞，间隔体的表面可以被带电。在这种情形，在间隔体周围电子束的路径被扭曲，并且因而从间隔体周围的荧光体层发出过度大或小量的光。结果，在间隔体周围发光的均匀性会恶化。

发明内容

根据本发明示例实施例的方面针对一种发光装置，其被设计为通过抑制电子束路径的扭曲而改善亮度均匀性和改善通过显示装置实现的图像的对比度，以及一种使用该发光装置作为光源的显示装置。

根据本发明示例实施例的方面指向一种发光装置，其中间隔体和电子发射区之间的距离配置为通过抑制电子束路径的扭曲而改善亮度均匀性和改善通过显示装置实现的图像的对比度，以及一种使用该发光装置作为光源的显示装置。

在本发明的一示例实施例中，一种发光装置包括：第一基板和面对第一基板的第二基板；位于第一基板的面对第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧的发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是至少一交叉区的对角线长度。

在一实施例中，间隔体具有5至20mm范围的高度。在一实施例中，发光单元包括施加以10至15kV电压的阳极和在阳极一侧上的荧光体层。

在一实施例中，发光装置还包括：位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处第二电极和绝缘层内，并且其中电子发射区设置在绝缘层的开口内的第一电极上。在一实施例中，间隔***于至少一交叉区的对角的外侧部。在一实施例中，第二电极相互平行并且以100至400μm的范围的距离相互隔开。在一实施例中，绝缘层具有15至30μm范围的厚度。在一实施例中，在所述绝缘层和第二电极内形成的各个开口具有30至50μm范围的直径。

在本发明的另一示例实施例中，提供了一种发光装置的电子发射单元的制造方法。所述方法包括：在基板上以条形图案形成多个第一电极；在基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖所述第一电极并且具有15至30μm范围的厚度；在绝缘层上以与第一电极交叉的条形图案形成多个第二电极，第二电极以100至400μm的距离相互隔开；在第一和第二电极相互交叉的交叉区处的第二电极和绝缘层内形成多个开口，第二电极的开口暴露对应的绝缘层的开口；并且在绝缘层的开口内的第一电极上形成多个电子发射区。

在一实施例中，第二电极通过丝网印刷工艺而形成。

在一实施例中，绝缘层的形成包括：通过经多个第一掩模层的开口部分地湿法蚀刻所述绝缘层而形成多个第一开口，并且通过经多个第二掩模层的多个开口而进一步湿法蚀刻第一开口的基区从而形成多个第二开口，第二掩模层的每个开口比第一掩模层的每个开口小。

在本发明的另一示例实施例中，一种显示装置包括：显示图像的显示面板；及用于向显示面板发射光的发光装置。发光装置包括：第一基板和面对所述第一基板的第二基板；位于第一基板面对第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是至少一交叉区的对角线长度。

在一实施例中，间隔体具有5至20mm范围的高度；并且发光单元包括施加以10至15kV的电压的阳极和在阳极一侧上形成的荧光体层。

在一实施例中，显示装置还包括位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于所述绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处的第二电极和绝缘层内，并且其中电子发射区设置在所述绝缘层的开口内的第一电极上。在一实施例中，间隔***于至少一交叉区的对角的外侧部。在一实施例中，第二电极相互平行并且以100至400μm的间距相互隔开。在一实施例中，绝缘层具有15至30μm范围的厚度；并且在绝缘层和第二电极内形成的各个开口具有30至50μm范围的直径。

在一实施例中，显示面板具有多个第一像素，并且发光装置具有多个第二像素，其中第二像素比第一像素的数量少，并且其中各个第二像素的发光强度独立控制。

在本发明的示例实施例中，一种发光装置，包括：第一基板和面对第一基板的第二基板；第一电极和位于第一基板面对第二基板的一侧的第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧的发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是所述交叉区的对角线长度。

在一实施例中，发光装置还包括位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处第二电极和绝缘层内，并且电子发射区设置在所述绝缘层的开口内的第一电极上。

附图说明

附图和说明书一起示出了本发明的示例实施例，并且与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明示例实施例的发光装置的部分透视图；

图2是图1的发光装置的部分截面图；

图3是图1和2的发光装置的电子发射单元的部分平面图；

图4是示出根据间隔体和电子发射区之间的最短距离D的变化的电子束中心的偏移距离的曲线图；

图5是对比实例的发光装置的电子发射单元的部分平面图，其中间隔体和电子发射区之间的最短距离D′大于0.2Dh；

图6是示出根据交叉区的对角线长度与间隔体和电子发射区之间的最短距离的比率(D/Dh)的变化的间隔体周围亮度恶化率的曲线图；

图7A、7B、7C、7D、7E、和7F是示出图1和2的发光装置的电子发射单元的制造方法的部分截面图；并且

图8是根据本发明示例实施例的显示装置的示意分解透视图。

具体实施方式

在下列详细描述中，简单地通过示例的方式，仅示出和描述了本发明的某些示例实施例。本领域的技术人员应当理解，描述的实施例可以以各种不同方式进行变更，而不偏离本发明的精神和范围。因而，附图和描述应看作示例性而非限制性的。另外，当一元件被成为在另一元件“上”时，可以直接在另一元件上或具有***在其间的一或多个中间元件而不直接在另一元件上。此后，相似的参考标号指称相似的元件。

参考图1至3，根据本发明示例实施例的发光装置10包括真空容器16，真空容器16具有以平行方式彼此面对且其间具有一距离(其中该距离可以是预定的)的第一和第二基板12和14。在第一和第二基板12和14的***(或***部)之间提供密封构件以将它们密封在一起从而形成真空容器16。真空容器16的内部保持在大约10^-6托(Torr)的真空度。

用于向第二基板14发射电子的电子发射单元18位于第一基板12的内表面上并且用于通过利用该电子而发出可见光的发光单元20位于第二基板14的内表面上。

电子发射单元18包括以相互交叉(或相交)的条形图案布置且其间***绝缘层24的第一和第二电极22和26，以及电连接到第一电极22的电子发射区28。

开口261和开口241分别形成于第一和第二电极22和26相互交叉(或相交)的每个区域处的第二电极26和绝缘层24内，由此部分暴露第一电极22的表面。电子发射区28位于绝缘层24的开口241内的第一电极22上。接触电子发射区28的第一电极22是可以对电子发射区28施加电流的阴极，并且第二电极26是通过利用与阴极的电压差形成电场而导入电子发射的栅极。

在第一和第二电极22和26之中，在发光装置10的行方向上(图1中的x轴)延伸的电极(例如第二电极26)主要起被施加以扫描驱动电压的扫描电极的作用，并且在发光装置10的列方向上(图1中的y轴)延伸的电极(例如第一电极22)主要起被施加以数据驱动电压的数据电极的作用。

电子发射区28由用于当在真空环境下在其周围形成电场时发射电子的材料形成，例如碳基材料和/或纳米尺寸材料。例如，电子发射区28可以包括从包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、球壳状碳分子C60(fullerene)、硅纳米线及其组合的组中所选择的至少一种材料。

在上述结构的实施例中，第一电极22与第二电极26交叉或(相交)的各个区对应于发光装置10的单个像素区。

替代地，两个或更多交叉区可以对应于单个像素区。在这种情形，对应于单个像素区的两个或更多第一电极22和/或两个或更多第二电极26，相互电连接从而接收公共驱动电压。

发光单元20包括阳极30和位于阳极30一侧的荧光体层32。荧光体层32可以由红、绿、和篮色的荧光体的混合物形成从而发出白光。荧光体层32可以形成于第二基板14的整个有源区域上或以具有对应于像素区的多个部分的图案(其中图案可以是预定的)形成。

阳极30通过例如氧化铟锡(ITO)层的透明导电层形成。阳极30是通过接收高电压而将从电子发射区28发出的电子拉向荧光体层32的加速电极。荧光体层32可以由金属反射层覆盖。金属反射层通过向第二基板14反射从荧光体层32朝向第一基板12发射的可见光而提高屏幕亮度。

设置在第一和第二基板12和14之间的是适于承受施加到真空容器16上的压力并且均匀地保持第一和第二基板12和14之间的间隙的间隔体34。间隔体34可以以各种结构形式形成，例如矩形柱型、圆柱型、和/或条型。每个间隔体34位于第一和第二电极22和26的交叉(或相交)区的外侧(或外侧部)。

在一实施例中，当间隔体34是柱型间隔体时，间隔体34可以位于在第一电极22之间且在第二电极26之间界定的部分，即，在各个像素区的对角的外侧。另外，为了减少间隔体34的数量，各个间隔体34可以设计为具有相对大的宽度。在这种情形，间隔体34的宽度比相邻的第二电极26之间的距离(图2的G)大，从而接触第二电极26。

在发光装置10中，通过结合作为驱动电极的第一和第二电极22和26而形成多个像素区。通过对第一和第二电极22和26施加驱动电压(可以预先确定)并且通过对阳极30施加几千伏或更高的正直流(DC)电压(阳极电压)而驱动发光装置10。

在第一和第二电极22和26之间的电压差大于或等于阈值电压的像素处的电子发射区28周围形成电场，并且因而从电子发射区28发出电子(e^-)。通过被施加到阳极30的阳极电压所吸引，发出的电子与相关像素的荧光体层32的对应部分碰撞，由此激发荧光体层32。每个像素的荧光体层32的发光强度对应于相关像素的电子发射数量。

在前述示例实施例中，间隔体34在发光装置10的厚度方向(图1的z轴)具有大约5至大约20mm范围的高度。第一和第二基板12和14之间的间距基本对应于间隔体34的高度。由于第一和第二基板12和14之间相对大的距离，可以抑制真空容器16中的电弧放电产生，并且阳极30可以施加以10kV或更高的电压，且在一实施例中为从10至15kV的电压。发光装置10的屏幕亮度与阳极电压成正比。

第一和第二电极22和26相互交叉(或相交)的每个区具有几至几十毫米范围的宽度，并且几十个电子发射区28位于每个交叉(或相交)区。通过示例，每个交叉(或相交)区可以具有10mm×10mm的尺寸，第二电极26的每个开口261可以具有30至50μm的直径，并且20或更多个每个具有比开口261的直径小的直径的电子发射区28可以排列在每个交叉(或相交)区处。

上述发光装置10可以实现有源区的中心部分处的10,000cd/m²的亮度。即，与冷阴极荧光灯(CCFL)型发光装置和发光二极管(LED)型发光装置相比，发光装置10用较低的电功耗可以实现较高的亮度。

另外，由于从电子发射区28发出向第二基板14行进的电子会散开一些电子与间隔体34的表面碰撞，由此使间隔体34的表面带电。带电了的间隔体34扭曲了间隔体34周围的电子束路径。在本示例实施例的发光装置10中，配置间隔体34和电子发射区28之间的最短距离(图3的D)从而满足下列方程1。

方程1

500μm≤D≤0.2Dh，

其中，Dh(见图3)是第一和第二电极22和26相互交叉(或相交)的区的对角线长度。

图4是示出根据间隔体和电子发射区之间的最短距离的变化的电子束中心的偏移距离的曲线图。电子束的偏移距离可以由于电子束在带电的间隔体附近行进而被吸引向带电的间隔体或从带电的间隔体被排斥而变化。在第一和第二电极22和26之间的电压差是90V并且10kV的电压施加到阳极30的状态下进行了测试。

参考图4，随着间隔体和电子发射区之间的最短距离D减小，带电的间隔体导致电子束中心的偏移距离增加。当电子束的偏移距离大于大约115μm时，可以产生间隔体周围的荧光体层发出过度大或小量的光的现象。

在本示例实施例的发光装置10中，由于间隔体34和电子发射区28之间的最短距离D设置为大于大约500μm，使得带电的间隔体导致的电子束中心的偏移距离不大于大约115μm。因此，本示例实施例的发光装置10可以减小(或最小化)间隔体34周围的亮度变化。

另外，尽管由带电的间隔体引起的电子束路径的扭曲可以随着间隔体34和电子发射区28之间的最短距离D的增加而得到有效的抑制，但是可以设置在对应的间隔体34周围的电子发射区28的数量减小。这种电子发射区28数量的减小引起间隔体34周围亮度的恶化。

在根据本示例实施例的发光装置10中，考虑到第一和第二电极22和26的交叉(或相交)区的尺寸，间隔体34和电子发射区28之间的最短距离配置(或设计)为不超过0.2Dh，由此保证了不过度降低间隔体34周围的亮度。

图5是对比实例的发光装置的电子发射单元的部分平面图，其中间隔体和电子发射区之间的最短距离D′大于0.2Dh，并且图6是示出根据交叉区的对角线长度与间隔体和电子发射区之间的最短距离的比率(D/Dh)的变化的间隔体周围亮度恶化率的曲线图。

在图6中，间隔体周围的亮度恶化表率示相对于在发光装置的有源区的不相邻于间隔体的部分处所观察到的最大亮度的值。在第一和第二电极22和26之间的电压差是90V并且10kV的电压施加到阳极30的状态下进行测试。

参考图5，在对比实例的电子发射装置中，电子发射区28’不可以设置在间隔体34’周围。因此，在单个交叉(或相交)区，相对接近于间隔体34’的部分和相对远离间隔体34’的部分在电子发射区28’的分布上有差别。

因此，可以从在图6中示出的测试结果中注意到，随着间隔体和电子发射区之间的距离增加，间隔体周围的亮度恶化率增加，并且当间隔体和电子发射区之间的最短距离D大于0.2Dh(例如D’)时，间隔体周围的亮度恶化率变得大于50％。

但是，在本示例实施例的发光装置10中，由于间隔体34和电子发射区28之间的最短距离设置为满足上述方程1，所以可以抑制由带电的间隔体34所导致的电子束的扭曲。此外，可以抑制间隔体34周围过度的亮度恶化并且因而可以改善有源区的亮度均匀性。

在本示例实施例中，为了增加工艺裕量并且防止(或保护其免于)可在制造工艺期间产生的第二电极26之间的短路，第二电极26以平行方式布置并且以大约100μm或更大的距离(图2的G)彼此间隔开，在一实施例中该距离是100至400μm。在一实施例中，如果相邻的第二电极26之间的距离小于大约100μm，则工艺裕量减小并且可在构图工艺期间在相邻的第二电极26之间产生短路。在另一实施例中，如果相邻的第二电极26之间的距离大于大约400μm，则难于在发光装置10中形成合适数量的像素。

在本示例实施例中，绝缘层24可以具有大约15μm或更大的厚度(图2的t)，并且在一实施例中是15至30μm的范围。当绝缘层24满足该厚度条件时，第一和第二电极22和26的耐压特性得到改善从而稳定了发光装置10的驱动。此外，即便当第一电极22的材料(即金属材料)在形成绝缘层24的工艺期间扩散到绝缘层24内时，绝缘层24的耐压特性也不恶化。

在如上所述绝缘层24形成得相对较厚的状态下，开口241形成于绝缘层24内。如果开口241通过湿法蚀刻工艺形成，则由于各向同性蚀刻特性，在绝缘层24底部的开口241的宽度会小，其中随着开口的深度增加开口的宽度逐渐减小。即，界定绝缘层的开口的侧壁不是垂直形成的，而是倾斜的或凹的。

根据本发明的示例实施例，界定绝缘层24的开口241的侧壁可以通过此后将更详细描述的第二湿法蚀刻工艺而几乎垂直地形成。通过该第二湿法蚀刻工艺，开口261和开口241，其每个具有大约30至大约50μm范围的较小直径，可以分别形成于第二电极26和绝缘层24内。

下面将参考图7A至7F描述根据本发明的示例实施例的电子发射单元的制造方法。

参考图7A，在第一基板12上形成导电层并且以条形图案构图从而形成第一电极22。绝缘材料沉积在第一基板12上，同时覆盖第一电极22，由此形成具有厚度t大约为15μm或更大，并且在一实施例中为15至30μm的绝缘层24。绝缘层24通过重复两次以上的丝网印刷工艺、干燥工艺和烘烤工艺而形成从而获得这样的厚度。

参考图7B，导电层以条形图案丝网印刷在绝缘层24上从而形成与第一电极22交叉的第二电极26。这里，相邻的第二电极26之间的距离G是大约100μm或更大，并且在一实施例中是100至400μm。如果第二电极26通过丝网印刷工艺形成，则可以省略例如光刻的构图工艺。

参考图7C，第一掩模层36完全形成于绝缘层24上，同时覆盖第二电极26，并且被构图从而形成其中将形成电子发射区的开口361。蚀刻通过开口361暴露的第二电极26的暴露部分从而形成开口261。

参考图7D，通过第二电极26的开口261暴露的绝缘层24的暴露部分通过第一湿法蚀刻工艺蚀刻从而形成第一开口242。这里，由于绝缘层24相对较厚，所以开口242不形成为完全贯穿绝缘层24而是部分地形成在绝缘层24内。接着，去除第一掩模36。

参考图7E，第二掩模38完全形成于绝缘层24上同时覆盖第二电极26并且被构图从而形成其中将形成电子发射区的开口381。第二掩模层38的每个开口381的宽度可以比第一掩模层36的每个开口361的宽度小。在这种情形，第二掩模层38位于第一开口242的每个侧壁的***上方。

接着，绝缘层24的通过第二掩模层38的开口381所暴露的部分通过第二湿法蚀刻工艺蚀刻，从而形成贯穿绝缘层24的第二开口243。随后，去除第二掩模层38。通过进行两个湿法蚀刻工艺(或两次湿法蚀刻工艺)，可以形成具有基本或相对垂直于绝缘层24的侧壁的开口241而不扩大第二电极26和绝缘层24的每个开口261和241的宽度。

参考图7F，电子发射区28形成于绝缘层24的开口241内的第一电极22上。为了形成电子发射区28，进行丝网印刷工艺，其中通过将溶剂(或溶剂媒介物(solvent vehicle))和粘合剂与诸如碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、球壳状碳分子(C60)、和/或硅纳米线的电子发射材料混合而制备具有适合于印刷的粘度的糊膏(paste)混合物。所述混合物被丝网印刷在绝缘层24的开口241内并被干燥、和/或烘烤。

但是，本发明不限于该丝网印刷工艺。例如，直接生长工艺、溅射工艺、和/或化学气相沉积工艺可以用于形成电子发射区28。

图8是根据本发明示例实施例使用上述图1至3的发光装置作为光源的显示装置的分解透视图。在图8中示出的显示装置仅作为示例提供，本发明并不限制于此。

参考图8，显示装置100包括发光装置10和位于发光装置10前(或上)的显示面板40。用于均匀地向显示面板40漫射从发光装置10发出的光的漫射板50可以位于发光装置10和显示面板40之间。漫射板50通过可以预先确定的距离与发光装置10隔开。

具有上述结构的发光装置10可以提高有源区的亮度均匀性并且因而可以减小发光装置10和漫射器50之间的间距。发光装置10和漫射器50之间间距的减小允许显示装置10相对薄(或纤细)并且减小(或最小化)由漫射器50所引起的光损失，由此提高了发光效率。

顶架(top chassis)52位于显示面板40的前(或上)并且底架54位于发光装置10的后(或下)面。液晶显示面板或其它无源型(非发射型)显示面板可以用作显示面板40。在下列描述中，作为示例将更详细地描述显示面板40是液晶显示面板的情形。

显示面板40包括具有多个TFT的薄膜晶体管(TFT)面板42、位于TFT面板42上方的滤色器面板44、和形成在面板42和44之间的液晶层。偏振板附着在滤色器面板44的上表面和TFT面板42的下表面以偏振穿过显示面板40的光。

每个TFT具有连接到数据线的源极端子、连接到栅极线的栅极端子、和连接到由透明导电材料形成的像素电极的漏极端子。当电信号从电路板组件46和48输入到各栅极和数据线时，电信号输入到TFT的栅极和源极端子，并且TFT根据电信号而打开或关闭，从而向漏极端子输出驱动像素电极所需的电信号。

滤色器面板44包括当光透过滤色器面板44时用于发出颜色(可以被预先确定的)的RGB滤色器和由透明导电材料形成的公共电极。当TFT打开时，在像素电极和公共电极之间形成电场。TFT面板42和滤色器面板44之间的液晶分子的扭向角改变，根据该改变，对应像素的光透射率改变。

显示面板40的电路板组件46和48分别连接到驱动IC封装461和481。为了驱动显示面板40，栅极电路板组件46发送栅极驱动信号并且数据电路板组件48发送数据驱动信号。

发光装置10包括多个像素，其数量比显示面板40的像素数量小，使得发光装置10的一像素对应于显示面板40的两个或更多像素。发光装置10的每个像素响应显示面板40的对应像素的灰度中最高的灰度而发光。发光装置10可以在每个像素处表现2-8比特的灰度。

为方便起见，显示面板40的像素称为第一像素并且发光装置10的像素成为第二像素。对应于一第二像素的第一像素称为第一像素组。

描述发光装置10的驱动过程。用于控制显示面板40的信号控制单元检测第一像素组的最高灰度，响应检测到的最高灰度而计算从第二像素发光所需的灰度，将计算的灰度转换为数字数据，并且使用该数字数据产生发光装置10的驱动信号。发光装置10的驱动信号包括扫描驱动信号和数据驱动信号。

发光装置10的扫描和数据电路板组件分别连接到驱动IC封装561和581。为了驱动发光装置10，扫描电路板组件发送扫描驱动信号并且数据电路板组件发送数据驱动信号。

当在第一像素组上显示图像时，发光装置10的对应的第二像素发射光，该光具有可以通过与第一像素组同步而预先确定的灰度。如上所述，发光装置10独立控制每个像素的发光强度并且因而对于显示面板40的对应像素提供合适的光强度。结果，本示例实施例的显示装置100可以提高屏幕的对比度，由此改善了显示质量。

尽管结合某些示例实施例描述了本发明，但是应当理解本发明不限于公开了的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在所附权利要求及其等效物的精神和范围内的各种改进和等效布置。

Claims (17)

1.一种发光装置，包括：

第一基板和面对所述第一基板的第二基板；

位于所述第一基板面对所述第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极交叉；

在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到所述第一电极的多个电子发射区；

位于所述第二基板面对所述第一基板的一侧的发光单元；及

位于所述第一和第二基板之间的间隔体，

其中所述间隔体和所述电子发射区之间的最短距离满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是至少一所述交叉区的对角线长度。

2.根据权利要求1的发光装置，其中所述间隔体具有5至20mm范围的高度。

3.根据权利要求2的发光装置，其中所述发光单元包括施加以10至15kV范围的电压的阳极和在所述阳极一侧上的荧光体层。

4.根据权利要求1的发光装置，还包括位于所述第一和第二电极之间的绝缘层，其中所述第二电极位于所述绝缘层上方，其中多个开口形成于所述交叉区处的所述第二电极和绝缘层内，并且其中所述电子发射区设置在所述绝缘层的所述开口内的所述第一电极上。

5.根据权利要求4的发光装置，其中所述间隔***于至少一所述交叉区的对角的外侧部。

6.根据权利要求4的发光装置，其中所述第二电极相互平行并且以100至400μm的范围的距离相互隔开。

7.根据权利要求6的发光装置，其中所述绝缘层具有15至30μm范围的厚度。

8.根据权利要求7的发光装置，其中在所述绝缘层和第二电极内形成的每个开口具有30至50μm范围的直径。

9.一种显示装置，包括：

显示图像的显示面板；及

用于向所述显示面板发射光的发光装置，

其中所述发光装置包括：

第一基板和面对所述第一基板的第二基板；

位于第一基板面对所述第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与第二电极交叉；

在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到所述第一电极的多个电子发射区；

位于第二基板面对所述第一基板的一侧的发光单元；及

位于所述第一和第二基板之间的间隔体，

其中所述间隔体和所述电子发射区之间的最短距离D满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是至少一所述交叉区的对角线长度。

10.根据权利要求9的显示装置，其中所述间隔体具有5至20mm范围的高度；并且

所述发光单元包括施加以10至15kV的电压的阳极和在所述阳极一侧上形成的荧光体层。

11.根据权利要求9的显示装置，还包括位于所述第一和第二电极之间的绝缘层，其中所述第二电极位于所述绝缘层上方，其中所述多个开口形成于交叉区处的所述第二电极和所述绝缘层内，并且其中所述电子发射区设置在所述绝缘层的所述开口内的所述第一电极上。

12.根据权利要求11的显示装置，其中所述间隔***于至少一所述交叉区的对角的外侧部。

13.根据权利要求11的显示装置，其中所述第二电极相互平行并且以100至400μm范围的间距相互隔开。

14.根据权利要求13的显示装置，其中所述绝缘层具有15至30μm范围的厚度；并且

在所述绝缘层和所述第二电极内形成的每个开口具有30至50μm范围的直径。

15.根据权利要求9的显示装置，其中所述显示面板具有多个第一像素，并且所述发光装置具有多个第二像素，其中所述第二像素比第一像素的数量少，并且其中所述每个第二像素的发光强度独立控制。

16.一种发光装置，包括：

第一基板和面对所述第一基板的第二基板；

位于所述第一基板面对所述第二基板的一侧的第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极交叉；

在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到所述第一电极的多个电子发射区；

位于所述第二基板面对所述第一基板的一侧的发光单元；及

位于所述第一和第二基板之间的间隔体，

其中所述间隔体和电子发射区之间的最短距离满足下列条件：

500μm≤D≤0.2Dh，

其中Dh是所述交叉区的对角线长度。

17.根据权利要求16的发光装置，还包括位于所述第一和第二电极之间的绝缘层，其中所述第二电极位于所述绝缘层上方，其中多个开口形成于所述交叉区处的所述第二电极和绝缘层内，并且其中所述电子发射区设置在所述绝缘层的所述开口内的所述第一电极上。

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