CN100555366C - 有源矩阵衬底、显示装置、电视接收装置、有源矩阵衬底的制造方法、以及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

包括设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极(12)；分别设置在各像素电极(12)之间，相互平行延伸的多条栅极线(1)；分别设置在各像素电极(12)之间，沿与各栅极线(1)交叉的方向延伸的多条第一源极线(3a)；分别设置在每个各像素电极(12)上，连接在该各像素电极(12)、各栅极线(1)、以及各第一源极线(3a)上的多个薄膜晶体管(5)；分别设置在各栅极线(1)之间，相互平行延伸的多条电容线(2)；分别设置在各像素电极(12)之间，与各第一源极线(3a)平行延伸的多条第二源极线(3b)。

Description

有源矩阵衬底、显示装置、电视接收装置、有源矩阵衬底的制造方法、以及显示装置的制造方法
技术领域
[0001]本发明，涉及构成液晶显示装置、EL(electroluminescence电致发光)显示装置等的显示装置的有源矩阵衬底，特别是有关有源矩阵衬底的缺陷修正技术。
背景技术
[0002]有源矩阵衬底，被广泛地运用在液晶显示装置、电致发光显示装置等的显示装置中。例如，构成液晶显示装置的有源矩阵衬底，揭示在专利文献1等。
[0003]图14，是表示以前的有源矩阵衬底120的一个像素的平面图。这个有源矩阵衬底120，包括：设置成矩阵状的多个像素电极112、设置在每个像素电极112上的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)105、在各像素电极112之间相互平行延伸的多个栅极线101、与各栅极线101交叉在各像素电极112之间相互平行延伸的多条源极线103、在各栅极线101之间相互平行延伸的电容线102。
[0004]薄膜晶体管(TFT)105，包括：连接在栅极线101上的栅电极101a、以覆盖栅电极101a的方式设置的半导体层104、连接于设置在半导体层104上的源极线103的源电极103a、在半导体层104上以与源电极103a对恃的方式设置的漏电极103b。并且，漏电极103b，延长设置在电容线102延伸的区域，通过接线孔111b连接于像素电极112成为漏极引出电极107及电容电极106。
[0005]还有，包括上述构成的有源矩阵衬底120、具有共通电极的相对衬底、包含设置在这两衬底间的液晶分子的液晶层的液晶显示装置(液晶显示面板)中，由薄膜晶体管(TFT)105的开关机能，向连接在薄膜晶体管(TFT)105上的各像素电极112传递适宜的画像信号，由此显示画像。还有，有源矩阵衬底120中，为了防止薄膜晶体管(TFT)105非导通期间的液晶层的自放电、或由于薄膜晶体管(TFT)105的非导通电流的画像信号劣化，或者是使用于液晶驱动中各种变谐信号的施加经路等，在电容线102、和电容电极106之间形成了辅助电容。
[0006]还有，近年，在用于大型液晶电视接收装置(液晶TV)等的液晶显示装置中，为了宽视角的目的，具有多重区域(Multi-domain)的垂直取向方式(VA：Vertical Alignment)，也就是所谓的MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式得到广泛地运用(例如，参照专利文献2)。
[0007]这样的MVA方式的液晶显示装置中，有源矩阵衬底的像素电极、以及相对衬底的共通电极上设置了切除图案(长隙部)或者液晶分子的取向控制用突起部，利用由此形成的Fringe Field，通过多个分散液晶分子的取向方向实现宽视角。尚，专利文献3中，揭示了以防止漏光以及改善施加电压后的对应速度为目的，在对应上述像素电极以及共通电极的切除图案的位置埋设电极的技术。
[0008]然而，在制造有源矩阵衬底之际的制造过程中，由于在衬底上附着了异物等而使栅极线断线。在这个断线了的栅极线上，就无法在像素电极上施加正常的电压(漏极电压)，所以，在液晶显示装置的显示画面上就能看到沿着这条栅极线的线状点欠缺。若是这个线状的点欠缺的个数增多，这个液晶显示装置就成为不良，也就降低了液晶显示装置的制造合格率。
[0009]例如，专利文献4中，揭示了为了能够修正这样的栅极线的断线，包括设置在与电容线同层中的，具有与像素电极以及源极线重叠部分的修正用交叉部的有源矩阵方式的液晶显示装置。
(专利文献1)日本专利公开平9-152625号公报
(专利文献2)日本专利公开2001-83523号公报
(专利文献3)日本专利公开2001-117083号公报
(专利文献4)日本专利公开平5-333373号公报
(注：平9＝1997年、平5＝1993年)
[0010](发明所要解决的课题)
然而，专利文献4等记载的液晶显示装置的修正方法中，修正断线的话，存在着邻接对应断线位置的像素的像素无法再正常工作、形成像素欠缺的问题。
发明内容
[0011]本发明，鉴于以上各点而发明，其目的在于：抑制像素欠缺的发生修正断线。
[0012](为解决课题的方法)
为了达成上述的目的，本发明，在各像素电极之间分别设置了相互平行延伸的第一源极线以及第二源极线的同时，也以与它们交叉的方式设置了电容线。
[0013]具体地讲，本发明涉及的有源矩阵衬底，其特征在于包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线。
[0014]根据上述构成，当栅极线断线的情况，与断线位置对应的像素的像素电极的两侧设置的各第二源极线中，切断超过通过对应断线位置的像素的像素电极的电容线的部分、和超过断线了的栅极线的部分，形成具有重叠通过对应断线位置的像素的像素电极的电容线、以及断线了的栅极线的部分的源极线旁通部。并且，在通过对应断线位置的像素的像素电极的电容线中，切断超过设置在对应断线位置的像素的像素电极的两侧的各第二源极线的部分，形成具有重叠第二源极线的部分的电容线旁通部。再有，在连接重叠上述各源极线旁通部的电容线的部分和断线了的栅极线的同时，连接重叠上述源极线旁通部的电容线的部分和上述电容线旁通部。由此，对于比栅极线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及电容线旁通部，供给扫描信号。
[0015]还有，源极线，也就是，连接在开关元件上的第一源极线断线的情况，在通过对应断线位置的像素的像素电极的电容线中，切断断线了的第一源极线和与这个第一源极线相邻的第二源极线的两外侧的部分，形成具有重叠断线了的第一源极线、以及与它相邻的第二源极线的部分的电容线旁通部。并且，连接上述电容线旁通部的与第一源极线重叠的部分和断线了的第一源极线的同时，连接上述电容线旁通部的与第二源极线重叠的部分和与断线了的第一源极线相邻的第二源极线。由此，对于比第一源极线的断线位置下游一侧，通过上述第二源极线及电容线旁通部，供给数据信号。
[0016]因此，不再需要以前那样的为修正断线的作为迂回路使用像素电极，所以，抑制像素欠缺修正断线。
[0017]还有，因为栅极线和电容线独立构成，降低了栅极线的负荷，所以，改善了栅极线中信号的迟延。
[0018]上述第一源极线与第二源极线还可以相互连接。
[0019]根据上述构成，在第一源极线及第二源极线双方输入数据信号，所以，源极线，具体地讲，利用第二源极线修正连接在开关元件上的第一源极线的情况，不再需要在第二源极线中直接输入数据信号，或连接第一源极线和第二源极线。
[0020]上述各电容线，还可以是由相互平行延伸的第一电容线以及第二电容线构成的。
[0021]根据上述构成，在修正栅极线或源极线之际，例如，切断第一电容线形成电容线旁通部，但是，第二电容线不切断而原样起到辅助电容的作用，修正断线适当的控制显示品位的降低。
[0022]上述第一电容线和第二电容线还可以相互连接。
[0023]根据上述构成，与外部驱动电路的连接端子共用成为可能，就没有必要重新设置外部驱动电路。
[0024]上述各电容线，还可以包括顺着每个各像素设置的，且沿着该各电容线延伸的同时具有分别与上述第一源极线和第二源极线重叠的部分的电容线延长设置部。
[0025]根据上述的构成，电容线断线的情况，切断设置在对应电容线的断线位置的像素的像素电极两侧的第一源极线及第二源极线，分别形成具有与电容线及电容线延长设置部重叠的部分的源极线旁通部。并且，连接各源极线旁通部和断线了的电容线及电容线延长设置部。由此，对于比电容线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及源极线延长设置部，供给辅助电容信号。因此，抑制像素欠缺的发生修正电容线的断线。
[0026]上述各电容线上，还可以分别设置有隔着介电膜重叠的电容电极。
[0027]根据上述构成，通过电容线、电容电极、设置在它们之间的栅极绝缘膜等介电膜形成辅助电容。这个适用于形成像素电极的层和形成第一源极线及第二源极线的层之间，由感光性树脂形成的数微米要求的层间绝缘膜形成的情况。由此，第一源极线及第二源极线和像素电极就可以重叠设置，所以，有效像素面积增大，开口率提高。
[0028]上述各开关元件及电容电极和上述各像素电极之间，设置了层间绝缘膜，上述各开关元件，具有连接在上述各像素电极上的漏电极，以及上述漏电极及电容电极和上述各像素电极，还可以通过分别形成在上述层间绝缘膜上的接线孔连接。
[0029]根据上述构成，假设，电容线和电容电极时间发生短路，即便是切断或者分离这个电容线和电容电极之间形成的辅助电容，也就是即便是切断或者分离由一个接线孔连接在像素电极上的具有电容电极的辅助电容，来自第一源极线的数据信号经过另一个接线孔供给像素电极，所以，修正了因辅助电容的短路引起的像素欠缺。
[0030]上述漏电极，还可以连接在延长设置的上述电容电极上。
[0031]根据上述构成，假设，漏电极上的层间绝缘膜中形成的接线孔不合适，漏电极和像素电极之间被绝缘，通过漏电极的延长设置部，向像素电极提供数据信号。
[0032]还有，假设，即便是漏电极的延长设置部断线，通过形成在漏电极上的层间绝缘膜中的接线孔、以及像素电极，向电容电极提供数据信号。
[0033]上述各像素电极上，以与上述各电容线重叠的方式，设置为分割液晶分子的取向的缝隙部(slit部)、或为控制液晶分子的取向的突起部。
[0034]根据上述构成，为分割液晶分子的取向的缝隙部，或为控制液晶分子取向形成突起部的区域，通常，不起透过区域的作用，所以，通过以与这个区域重叠的方式设置各电容线，就可以抑制由于辅助电容的形成引起的开口率的降低。尚，这样构成的有源矩阵衬底，适用于MVA方式的液晶显示装置。
[0035]上述多个像素中相邻的各像素，构成像素群，构成上述像素群的至少两个像素，构成为在像素显示之际，还可以亮度相互不同。
[0036]根据上述构成，构成这个像素群的各像素分别由不同的开关元件个别驱动，所谓的多像素驱动可能的有源矩阵衬底中，一个像素群中存在亮像素和存在暗像素成为可能，通过它的面积阶调表现中间调。由此，改善了液晶显示装置的显示画面的斜视角中的白浮。例如，通过像素群的各像素电极的电容线上，通过施加相互逆相位的信号电压，可以使一个像素群中明像素和暗像素都存在。更具体地讲，扫描信号非接通后，由进行电容接合的时间，在由从源极线3提供的贡献于漏极信号电压(Vs)的上升的Cs波形电压(Cs极性为+)、和贡献于Vs的下降的Cs波形电压(Cs极性为-)的两种Cs波形电压的面积阶调技术中，通过Cs波形电压、Cs电容、以及液晶电容的电容结合，通过改变每个像素的向各像素群的实效电压，可以形成明像素及暗像素。尚，在这样的各像素群中作为分割像素进行显示的像素分割构造，例如，例举了明像素的面积和暗像素的面积相等的1∶1像素分割构造、明像素的面积是暗像素的面积的1/3的1∶3像素分割构造等。其中，1∶3像素分割构造作为液晶显示装置的显示画面的斜视角中白浮对策(视角改善)特别有效。
[0037]因此，即便是在多像素驱动可能的有源矩阵衬底中，不损失白浮的改善效果修正断线。
[0038]上述各第一源极线及各第二源极线和上述各电容线重叠部分的面积，可以分别在25μm2以上。
[0039]根据上述构成，使用钇铝石榴石(YAG)激光等，进行第一源极线及第二源极线和电容线之间的绝缘膜的熔融加工的情况，确保充分的激光照射区域，提高了第一源极线及第二源极线和电容线之间导通的信赖性。
[0040]还有，本发明所涉及的显示装置，其特征在于：包括本发明的有源矩阵衬底。
[0041]根据上述构成，因为有源矩阵衬底中，抑制了像素欠缺的发生修正断线，所以就能够提高显示装置制造的成品率。
[0042]本发明所涉及的电视接收装置，其特征在于包括权利要求12所述的显示装置，接收电视播放信号的高频部。
[0043]根据上述构成，因为有源矩阵衬底中，抑制了像素欠缺的发生修正断线，所以就能够提高电视接收装置制造的成品率。
[0044]还有，本发明涉及的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：检测上述栅极线是否存在断线的断线检测工序，在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的各条第二源极线中，进行切断超过通过该像素电极的电容线的部分、和超过上述断线了的栅极线的部分，分别形成具有重叠该电容线及栅极线的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，在通过与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断超过上述沿着对应断线位置的像素的像素电极的两侧部设置的各第二源极线的部分，形成具有重叠该各第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及进行与上述各源极线旁通部的栅极线重叠的部分和上述断线了的栅极线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述电容线旁通部的连接的连接工序。
[0045]根据上述方法，在源极线旁通部形成工序中，形成设置在由断线检测工序检测的对应栅极线的断线位置的像素的像素电极两侧，分别具有重叠断线了的栅极线及电容线部分的源极线旁通部。还有，电容线旁通部形成工序中，形成具有重叠对应栅极线的断线位置的像素的像素电极的两侧的各第二源极线的部分的电容线旁通部。并且，连接工序中，连接源极线旁通部和断线了的栅极线的同时，连接各源极线旁通部和电容线旁通部。由此，对于比栅极线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及电容线旁通部，供给扫描信号。因此，不再需要以前那样的为修正断线作为迂回路使用像素电极，所以，抑制了像素欠缺的发生修正栅极线的断线。
[0046]还有，本发明涉及的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：检测上述第一源极线是否存在断线的断线检测工序，在通过与由上述断线检测工序检测的第一源极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断上述断线的第一源极线和与该第一源极线相邻的第二源极线的两外侧的部分，形成具有重叠该第一源极线以及第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及进行与上述电容线旁通部的第一源极线重叠的部分和上述断线了的第一源极线的连接、以及与上述电容线旁通部的第二源极线重叠的部分和上述第二源极线的连接的连接工序。
[0047]根据上述方法，在电容线旁通部形成工序中，形成设置为通过对应断线检测工序检测的第一源极线的断线位置的像素的像素电极，具有与第一源极线及第二源极线重叠的部分的电容线旁通部。并且，在连接工序中，连接电容线旁通部和第一源极线及第二源极线。由此，对于比源极线的断线位置下游一侧，通过第二源极线及电容线旁通部，供给数据信号。因此，抑制了像素欠缺的发生修正源极线的断线。
[0048]还有，本发明所涉及的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线，以及在每个上述各像素上延长设置的上述各电容线，沿着上述各电容线延伸的同时具有与上述第一源极线及第二源极线分别重叠的部分的电容线延长设置部；上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：检测上述电容线是否存在断线的断线检测工序，在沿着与由上述断线检测工序检测的电容线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的第一源极线及第二源极线中，进行切断超过上述断线了的电容线的部分、和超过从该电容线延长设置的电容线延长设置部的部分，分别形成具有重叠该电容线及电容线延长设置部的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，以及进行与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述断线了的电容线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线延长设置部重叠的部分和上述电容线延长设置部的连接的连接工序。
[0049]根据上述的方法，在源极线旁通部形成工序中，形成设置在对应断线检测工序检测的电容线的断线位置的像素的像素电极两侧的，各自具有重叠电容线及电容线延长设置部的部分的源极线旁通部。并且，在连接工序中，连接各源极线旁通部和断线了的电容线及电容线延长设置部。由此，对于比电容线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及电容线延长设置部供给辅助电容信号。因此，抑制了像素欠缺的发生修正源极线的断线。
[0050]上述切断以及连接，可由激光照射进行。
[0051]根据上述的方法，布线的切断及连接确实能够进行。
[0052]上述切断，可由钇铝石榴石(YAG)激光的第四高次谐波进行。
[0053]根据上述方法，提高了由激光照射的第一源极线、第二源极线、电容线的破坏分离的信赖性。
[0054]上述连接，可由钇铝石榴石(YAG)激光的第二高次谐波进行。
[0055]根据上述方法，提高了源极线旁通部和栅极线的、源极线旁通部和电容线旁通部的、电容线旁通部和第一源极线的、电容线旁通部和第二源极线的、源极线旁通部和电容线的、以及源极线旁通部和电容线延长设置部的激光照射的熔融连接的信赖性。
[0056]还有，本发明所涉及的显示装置的制造方法，其特征在于：上述显示装置，包括有源矩阵衬底；上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；上述显示装置的制造方法，包括：检测上述栅极线是否存在断线的断线检测工序，在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的各条第二源极线中，进行切断超过通过该像素电极的电容线的部分、和超过上述断线了的栅极线的部分，分别形成具有重叠该电容线及栅极线的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，在通过与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断超过上述沿着对应断线位置的像素的像素电极的两侧部设置的各第二源极线的部分，形成具有重叠该各第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及进行与上述各源极线旁通部的栅极线重叠的部分和上述断线了的栅极线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述电容线旁通部的连接的连接工序。
[0057]根据上述方法，在源极线旁通部形成工序中，形成设置在由断线检测工序检测的对应栅极线的断线位置的像素的像素电极两侧，分别具有重叠断线了的栅极线及电容线部分的源极线旁通部。还有，电容线旁通部形成工序中，形成具有重叠对应栅极线的断线位置的像素的像素电极的两侧的各第二源极线的部分的电容线旁通部。并且，连接工序中，连接源极线旁通部和断线了的栅极线的同时，连接各源极线旁通部和电容线旁通部。由此，对于比栅极线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及电容线旁通部，供给扫描信号。因此，不再需要以前那样的为修正断线作为迂回路使用像素电极，所以，抑制了像素欠缺的发生修正栅极线的断线。
[0058]还有，本发明所涉及的显示装置的制造方法，其特征在于：上述显示装置，包括有源矩阵衬底；上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；上述显示装置的制造方法，包括：检测上述第一源极线是否存在断线的断线检测工序，在通过与由上述断线检测工序检测的第一源极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断上述断线的第一源极线和与该第一源极线相邻的第二源极线的两外侧的部分，形成具有重叠该第一源极线以及第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及进行与上述电容线旁通部的第一源极线重叠的部分和上述断线了的第一源极线的连接、以及与上述电容线旁通部的第二源极线重叠的部分和上述第二源极线的连接的连接工序。
[0059]根据上述方法，在电容线旁通部形成工序中，形成设置为通过对应断线检测工序检测的第一源极线的断线位置的像素的像素电极，具有与第一源极线及第二源极线重叠的部分的电容线旁通部。并且，在连接工序中，连接电容线旁通部和第一源极线及第二源极线。由此，对于比源极线的断线位置下游一侧，通过第二源极线及电容线旁通部，供给数据信号。因此，抑制了像素欠缺的发生修正源极线的断线。
[0060]还有，本发明所涉及的显示装置的制造方法，其特征在于：上述显示装置，包括有源矩阵衬底；上述有源矩阵衬底，包括：设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线，以及在每个上述各像素上延长设置的上述各电容线，沿着上述各电容线延伸的同时具有与上述第一源极线及第二源极线分别重叠的部分的电容线延长设置部；上述显示装置的制造方法，包括：检测上述电容线是否存在断线的断线检测工序，在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的第一源极线及第二源极线中，进行切断超过上述断线了的电容线的部分、和超过从该电容线延长设置的电容线延长设置部的部分，分别形成具有重叠该电容线及电容线延长设置部的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，以及进行与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述断线了的电容线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线延长设置部重叠的部分和上述电容线延长设置部的连接的连接工序。
[0061]根据上述的方法，在源极线旁通部形成工序中，形成设置在对应断线检测工序检测的电容线的断线位置的像素的像素电极两侧的，各自具有重叠电容线及电容线廷长设置部的部分的源极线旁通部。并且，在连接工序中，连接各源极线旁通部和断线了的电容线及电容线延长设置部。由此，对于比电容线的断线位置下游一侧，通过上述各源极线旁通部及电容线延长设置部供给辅助电容信号。因此，抑制了像素欠缺的发生修正源极线的断线。
[0062]上述切断以及连接，可由激光照射进行。
[0063]根据上述的方法，布线的切断及连接确实能够进行。
[0064]上述切断，可由钇铝石榴石(YAG)激光的第四高次谐波进行。
[0065]根据上述方法，提高了由激光照射的第一源极线、第二源极线、电容线的破坏分离的信赖性。
[0066]上述连接，可由钇铝石榴石(YAG)激光的第二高次谐波进行。
[0067]根据上述方法，提高了源极线旁通部和栅极线的、源极线旁通部和电容线旁通部的、电容线旁通部和第一源极线的、电容线旁通部和第二源极线的、源极线旁通部和电容线的、以及源极线旁通部和电容线延长设置部的激光照射的熔融连接的信赖性。
[0068]-发明的效果-
根据本发明，在各像素电极之间分别设置了相互平行延伸的第一源极线和第二源极线的同时，还设置了与它们相交叉的电容线，所以抑制了像素欠缺的发生能够修正断线，也就可以提高有源矩阵衬底、以及包括它的显示装置的制造成品率。
附图说明
[0069]图1，是表示实施方式1所涉及的有源矩阵衬底20a的平面图。
图2，是图1中沿II-II线的有源矩阵衬底20a(液晶显示面板50)的剖面图。
图3，是表示包括液晶显示面板50的液晶显示装置60的方框图。
图4，是表示包括液晶显示装置60的电视接收装置70的方框图。
图5，是实施方式1所涉及的有源矩阵衬底20a的栅极线断线修正后的平面图。
图6，是表示实施方式2所涉及的有源矩阵衬底20b的平面图。
图7，是实施方式2所涉及的有源矩阵衬底20b的电容线断线修正后的平面图。
图8，是实施方式3所涉及的有源矩阵衬底20c的源极线断线修正后的平面图。
图9，是表示实施方式4所涉及的有源矩阵衬底20d的平面图。
图10，是沿图9中X-X线的有源矩阵衬底20d的剖面图。
图11，是表示实施方式5所涉及的有源矩阵衬底20e的平面图。
图12，是表示实施方式6所涉及的有源矩阵衬底20f的平面图。
图13，是表示实施方式7所涉及的有源矩阵衬底20g的平面图。
图14，是表示以前的有源矩阵衬底120的平面图。
(符号说明)
[0070]  1          栅极线
        2          电容线
        2a         第一电容线
        2b         第二电容线
        2c         电容线延长设置部
        3a         第一源极线
        3b         第二源极线
        3d         漏电极
        5、5a、5b  薄膜晶体管(TFT)(开关元件)
        6          电容电极
        7          栅极绝缘膜(介电膜)
11a、11b                           接线孔
12                                 像素电极
12c                                长隙部(突起部)
15                                 层间绝缘膜
16a、16b、16c、16d                 源极线旁通部
17a、17b                           电容线旁通部
20a、20b、20c、20d、20e、20f、20g  有源矩阵衬底
50                                 液晶显示面板
60                                 液晶显示装置(显示装置)
65                                 高频部
70                                 电视接收装置
具体实施方式
[0071]以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。尚，本发明，并不限于以下的实施方式。
[0072]《发明的实施方式1》
图1至图5，表示本发明所涉及的有源矩阵衬底、显示装置以及电视接收装置的实施方式1。尚，本实施方式中，作为显示装置例举了液晶显示装置，但是，本发明，也可以适用于有机EL(electroluminescent)显示装置等的其他显示装置。
[0073]图4，是表示本实施方式的电视接收装置70的方框图。
[0074]电视接收装置70，如图4所示那样，包括：接收电视局播放的信号输出影象信号的高频部65、基于高频部65提供的影象信号显示画像的液晶显示装置60。
[0075]图3，是表示本实施方式的液晶显示装置60的方框图。
[0076]液晶显示装置60，如图3所示那样，包括：为将高频部65等提供的影象信号分离成亮度信号及颜色信号的Y/C分离电路31、为将亮度信号及颜色信号转换成光的三原色的R、G及B的模拟RGB信号的电视色彩电路32、为将模拟RGB信号转换成数码RGB信号的A/D转换器33、输入数码RGB信号的液晶控制器34、为将来自液晶控制器34的数码RGB信号按所规定的时间输入而显示实质的画像的液晶显示面板50、为在液晶显示面板50上提供阶调电压的阶调电路36、为在液晶显示面板50上提供光的后照灯38、为驱动后照灯38的后照灯驱动电路37、和为控制上述构成整体的微机35。
[0077]尚，作为供给Y/C分离电路31的影象信号，除了基于上述那样的电视局播放的影象信号，还可以利用由摄像机摄制的影象信号、通过互联网供给的影象信号等各种各样的影象信号。
[0078]图2，是表示本实施方式的液晶显示面板50的剖面图。
[0079]液晶显示面板50，如图2所示那样，包括：相互相对设置的有源矩阵衬底20a和相对衬底30、设置在这两个衬底20a及30之间的液晶层40。
[0080]图1，是表示本实施方式的有源矩阵衬底20a的平面图。尚，图2，是表示图1中沿II-II线的液晶显示面板50的剖面图。
[0081]有源矩阵衬底20a，如图1所示的那样，包括：相互平行延伸的多条栅极线1、在与各栅极线1垂直相交的方向上相互平行延伸的多条源极线3、在各栅极线1之间延伸的电容线2。并且，在栅极线1和源极线3的各个交叉部分设置了薄膜晶体管(TFT)5。还有，对应各薄膜晶体管(TFT)5在一对栅极线1及一对源极线3所围的显示区域中设置了构成像素的像素电极12。
[0082]源极线3，是由连接于薄膜晶体管(TFT)5的第一源极线3a、和与第一源极线3a相邻的同时连接在每个各像素上的第二源极线3b构成。
[0083]电容线2，由相互平行的同时连接在每个各像素上的第一电容线2a及第二电容线2b构成。
[0084]薄膜晶体管(TFT)5，如图1及图2所示的那样，以从栅极线1向侧面突出的方式设置第一栅电极1a、在栅电极1a上隔着栅极绝缘膜7设置的由真性非晶硅层及n+非晶硅层构成的半导体层4、设置在半导体层4上的以从第一源极线3a向侧向突出的方式设置的源电极3c、在半导体层4上以与源电极3c对恃的方式设置的漏电极3d。
[0085]还有，栅极绝缘膜7的上层中，在每个各像素上以与电容线2重叠的方式设置电容电极6。还有，以覆盖薄膜晶体管(TFT)5及电容电极6的方式，层叠由上层第一层间绝缘膜8和下层第二层间绝缘膜9构成的层间绝缘膜15。并且，在层间绝缘膜15的上层中，设置了通过接线孔11a在漏电极3d上、以及通过接线孔11a在电容电极6上各自连接的像素电极12。还有，在像素电极12的上层中设置了取向膜(未图示)。
[0086]在电容线2和电容电极6之间，夹着栅极绝缘膜7(介电膜)，由它们构成了辅助电容。
[0087]相对衬底30，是在绝缘衬底10上构成为按照彩色滤光层13、共通电极14以及取向膜(未图示)等的顺序层叠的多层层叠构造。
[0088]彩色滤光层13，对应有源矩阵衬底20a的各像素，设置了赤、绿、青中的任何一个着色层。尚，由赤、绿、青三个像素(pixel)构成一个色素(picture element)。
[0089]液晶层40中，包含具有电光学特性的相向的(nematic)液晶分子(液晶材料)。
[0090]这样构成的液晶显示面板50，构成为：各像素电极12每一个构成一个像素，各像素中，从栅极线1扫描信号通过栅电极1a被送出薄膜晶体管(TFT)5成为接通状态时，从源极线3数据信号被送出通过源电极3c及漏电极3d，向像素电极12写入所规定的电荷，在像素电极12和共通电极14之间就产生电位差，在由液晶层40形成的液晶电容以及辅助电容上施加所规定的电压。并且，液晶显示面板50中，利用相应于这个施加的电压的大小液晶分子的取向状态发生变化，调整从外部(后照灯38)射入的光的透过率，由此显示画像。
[0091]接下来，就构成本发明的实施方式1所涉及的液晶显示装置60的液晶显示面板50的制造方法，举一例进行说明。
[0092]液晶显示面板50，经过以下说明的有源矩阵衬底制作工序、相对衬底制作工序以及液晶显示面板制作工序而制造。还有，至少在有源矩阵衬底制作工序以及液晶显示面板制作工序的一个工序之后进行检查工序，由检查工序检测到断线的情况，在检查工序之后追加断线修正工序。
[0093]以下，说明有源矩阵衬底制作工序。
[0094]首先，在玻璃衬底等的绝缘衬底10上的衬底整体上，用喷镀(spattering)法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜，它们的合金膜，或者是它们的层叠膜(厚度在1000唉至3000唉)，其后，由照相平板印刷技术(Photo Engraving Process)图案形成，形成栅极线1、栅电极1a、以及电容线2。
[0095]接下来，在形成了栅极线1等的衬底整体上，用CVD(ChemicalVapor Deposition)法形成氮化硅或氧化硅等的无机绝缘膜(厚度在3000唉至5000唉)，形成栅极绝缘膜7。
[0096]接下来，在栅极绝缘膜7的衬底整体上，用CVD法连续形成真性非晶硅膜(厚度在1000唉至3000唉)、和注入了磷的n+非晶硅膜(厚度在400唉至700唉)，其后，用照相平板印刷技术在栅电极1a上形成岛状图案，形成由真性非晶硅层和n+非晶硅层形成的硅层叠体。
[0097]接下来，在形成了硅层叠体的衬底整体上，用喷镀法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜，它们的合金膜，或者是它们的层叠膜(厚度在1000唉至3000唉)，其后，用照相平板印刷技术形成图案，形成第一源极线3a、第二源极线3b、源电极3c、漏电极3d、以及电容电极6。
[0098]再有，以源电极3c及漏电极3d为掩模，蚀刻构成硅层叠体的n+非晶硅层，形成具有沟道部的半导体层4。
[0099]在此，半导体层4，即可以是由如上所述的非晶硅膜形成的，也可以是形成多晶硅膜，或者，还可以是对非晶硅膜及多晶硅膜进行激光退火提高其结晶性。由此，半导体层内的电子的移动速度变快，就可以提高薄膜晶体管(TFT)5的特性。
[0100]接下来，在源极线3(第一源极线3a及第二源极线3b)等形成的衬底整体上，由CVD法形成氮化硅或氧化硅等的无机绝缘膜(厚度在2000唉至5000唉)，形成第一层间绝缘膜8。
[0101]其后，在形成了第一层间绝缘膜8的衬底整体上，通过增粘涂层(tie coat)(涂布)法，形成感光性丙烯树脂(厚度为2μm至4μm)的膜，形成第二层间绝缘膜9。
[0102]再有，分别蚀刻除去由第一层间绝缘膜8及第二层间绝缘膜9形成的层间绝缘膜15的对应于漏电极3d及电容电极6的部分，形成接线孔11a及11b。
[0103]接下来，在层间绝缘膜15上的衬底整体上，用喷镀法由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、氧化锌、氧化锡等形成的透明导电膜(厚度在1000唉至2000唉)，其后，用照相平板印刷技术(PEP)形成图案，形成像素电极12。
[0104]最后，在像素电极12上的衬底整体上，印刷厚度为500唉至1000唉的聚酰亚胺(polymide)树脂，其后，烧制成，用旋转布向一个方向进行摩擦处理，形成取向膜。
[0105]通过以上的做法，可以制作(制造)有源矩阵衬底20a。
[0106]以下，说明相对衬底制作过程。
[0107]首先，在玻璃衬底等绝缘衬底10上，形成Cr薄膜、或者是包含黑色颜料的树脂膜后，用照相平板印刷技术形成图案，形成黑色矩阵。
[0108]接下来，在每一个黑色矩阵之间，用颜料分散法等，图案形成赤、绿及青的任何一种着色层(厚度为2μm程度)形成彩色滤色层13。
[0109]接下来，在彩色滤色层13上的衬底整体上，形成ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等形成的透明导电膜(厚度为1000唉程度)，形成共通电极14。
[0110]最后，在共通电极13上的衬底整体上，印刷厚度为500唉至1000唉的聚酰亚胺(polymide)树脂，其后，烧制成，用旋转布向一个方向进行摩擦处理，形成取向膜。
[0111]通过上述的做法，制作(制造)相对衬底。
[0112]<液晶显示面板的制作工序>
以下，说明液晶显示面板的制作工序。
[0113]首先，在如上所述制作的有源矩阵衬底20a及相对衬底30中的一个上，通过投影(screen)印刷，在液晶注入口凹陷框状图形中涂布由热硬化性环氧树脂等形成的密封材料，另一个衬底上散布着相当于液晶层40的厚度的直径的，由塑料或二氧化硅形成的球状衬垫。
[0114]接下来，将有源矩阵衬底20a和相对衬底30粘合，硬化粘结材料，制作成空的液晶显示面板。
[0115]最后，在空的液晶显示面板中，用减压法注入液晶材料后，在液晶注入口涂布UV硬化树脂，通过UV照射，封止液晶材料。由此形成液晶层40。
[0116]通过以上的做法，制作(制造)液晶显示面板50。
[0117]以下，说明检查工序及断线修正工序。
[0118]首先，说明在有源矩阵衬底制作工序之后，进行检查工序(断线检测工序)的情况。
[0119]这个断线检测工序中，对有源矩阵衬底制作工序制作的有源矩阵衬底20a，通过进行外观检查以及电光学检查等，检测断线(断线位置)。在此，所谓的外观检查，是通过CCD摄像等，从光学上检查布线图案，电光学检查，是以相对有源矩阵衬底的方式设置调节器(modulator)(电光学元件)之后，在有源矩阵衬底和调节器之间施加电压的同时射入光线，通过用CCD摄像机捕捉这个光线的变化电光学检查布线图案。
[0120]接下来，对于检测出断线的有源矩阵衬底20a进行断线的修正。本实施方式中，用图5说明有源矩阵衬底20a的栅极线1断线情况下的断线修正方法。这个栅极线1的断线，经过以下所示的源极线旁通部形成工序、电容线旁通部形成工序、以及连接工序修正。
[0121]首先，源极线旁通部形成工序中，通过对图5的D1、D3、D5及D7进行激光照射，在沿着断线检测工序检测的栅极线1的断线位置X的像素的像素电极12的两侧部设置的各第二源极线3b中，进行切断通过这个像素电极12的超过第一电容线2a的部分(D3及D5)、超过断线的栅极线1的部分，分别形成具有与第一电容线2a及栅极线1重合部分的源极线旁通部16a及16b。
[0122]接下来进行的电容线旁通部形成工序中，通过对图5的D2、D4、及D6进行激光照射，在沿着断线检测工序检测的栅极线1的断线位置X的通过像素的像素电极12的两侧部的第一电容线2a中，进行切断对应断线位置X的像素的像素电极12的两侧设置的超过各第二源极线3b的部分(D2及D6)的同时，进行切断连接第一电容线2a和第二电容线2b的连接部分D4，形成具有与第二源极线3b重合部分的电容线旁通部17a。
[0123]在此，上述各布线的切断，例如，使用钇铝石榴石(YAG)激光的第四高次谐波(波长266nm)。
[0124]最后进行的连接工序中，通过对图5中的C1至C4进行激光照射，进行各源极线旁通部16a及16b的与栅极线1重叠部分(C1及C4)和断线了的栅极线1的连接、以及各源极线旁通部16a及16b的与第一电容线2a重叠部分(C2及C3)和电容线旁通部17a的连接。在此，上述各布线的连接中，例如，使用钇铝石榴石(YAG)激光的第二高次谐波(波长532nm)。
[0125]通过进行以上那样的断线修正工序，对于比栅极线1的断线位置1更下游一侧，如图5的箭头所示那样，通过源极线旁通部16a、电容线旁通部17a以及源极线旁通部16b能够提供扫描信号。
[0126]接下来，说明在液晶显示面板制作工序后，进行检查工序(断线检测工序)的情况。
[0127]这个断线检测工序中，对液晶显示面板制作工序制作的液晶显示面板50，通过进行点灯扫描，检测断线(断线位置)。具体地讲，例如，在各栅极线1上输入偏电压-10V、周期16.7msec、脉冲宽度50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号使所有的薄膜晶体管(TFT)5成为接通状态。再有，在各源极线3上输入每16.7msec极性反转的±2V电位的源极检查信号，通过各薄膜晶体管(TFT)5的源电极3c及漏电极3d在像素电极12上写入对应于±2V的电荷。同时，在共通电极14上输入直流的-1V电位的共通电极检查信号。这时，在像素电极12和共通电极14之间构成的液晶电容上施加了电压，由这个像素电极12构成的像素成为点灯状态，常规白显示模式(无施加电压时白显示)中，从白显示转变为黑显示。并且，沿着发生了断线的布线的像素，无法在那个像素电极12中写入所规定的电荷，成为非点灯(亮点)。由此，检测出布线的断线位置。
[0128]接下来，在检测出断线的液晶显示面板50中，进行断线修正。具体地修正方法，与以上所述的有源矩阵衬底20a中的修正方法实际上相同，省略其详细说明。尚，有源矩阵衬底20a中的修正情况中，可以从有源矩阵衬底20a的正面和背面双方进行激光照射，但是，液晶显示面板50中的修正情况，则是从有源矩阵衬底20a一侧进行激光照射。
[0129]正如以上所说明的那样，根据本实施方式的有源矩阵衬底20a，当栅极线1断线的情况下，在形成源极线旁通部16a及16b、以及电容线旁通部17a的同时，通过分别连接断线了的栅极线1、源极线旁通部16a及16b、以及电容线旁通部17a，对于栅极线1的断线位置X的下游一侧，通过源极线旁通部16a、电容线旁通部17a以及源极线旁通部16b提供扫描信号。因此，如以前那样，作为为修正断线的迂回路使用像素电极就不再必要，就可以抑制像素欠缺的发生修正断线。
[0130]还有，有源矩阵衬底20a中，因为栅极线1和电容线2是独立构成的，所以，降低了栅极线1的负荷，能够改善栅极线1中的信号延迟。
[0131]再有，有源矩阵衬底20a中，由于电容线2是由第一电容线2a及第二电容线2b构成的，所以，在修正栅极线1的断线之际，例如，切断第一电容线2a的一部分，形成了电容线旁通部17a，但是，不切断第二电容线2b原样起到辅助电容的作用，所以，能够尽可能地抑制显示品位的降低修正断线。
[0132]还有，有源矩阵衬底20a中，因为第一电容线2a和第二电容线2b相互连接，所以，可以共有与外部驱动电路的连接端子，没有必要新设置外部驱动电路。
[0133]再有，有源矩阵衬底20a中，因为在形成像素电极12的层和形成第一源极线3a及第二源极线3b的层之间，形成了由感光性树脂形成的数微米要求的第二层间绝缘膜9，所以，第一源极线3a及第二源极线3b和像素电极12可以重叠设置。由此，有效像素面积增大，就可以提高开口率。
[0134]还有，有源矩阵衬底20a中，各薄膜晶体管(TFT)5及各电容电极6和各像素电极12之间，夹入设置了层间绝缘膜15，各薄膜晶体管(TFT)5的漏电极3d及各电容电极6和各像素电极12，通过层间绝缘膜15中分别形成的接线孔11a及11b连接，所以，假设电容线2和电容电极6之间发生短路，即便是切断或者分离电容线2和电容电极6之间形成的辅助电容，也就是，即便是切断或者分离具有通过接线孔11b连接在像素电极12上的电容电极6的辅助电容，来自第一源极线3a的数据信号通过接线孔11a供给像素电极12，所以，可以修正由于辅助电容的短路引起的像素欠缺。
[0135]《发明的实施方式2》
图6及图7，是表示本实施方式的有源矩阵衬底20b的平面图。尚，以下的各实施方式中与图1至图5相同的部分标注相同的符号，省略其详细说明。
[0136]这个有源矩阵衬底20b中，各电容线2，沿着每个各像素设置，在沿着各电容线2延伸的同时，还包括具有分别与第一源极线3a及第二源极线3b重叠部分的电容线延长设置部2c。而其他的构成及效果，与上述的实施方式1所说明的有源矩阵衬底20a相同，省略其说明。
[0137]接下来，在上述构成的有源矩阵衬底20b中，说明修正断线的方法。本实施方式中，就有源矩阵衬底20b的电容线2断线的情况的断线修正方法，用图7说明。这个电容线2的断线，经过以下所示的源极线旁通部形成工序及连接工序修正。
[0138]首先，源极线旁通部形成工序中，通过进行对图7中的D1至D4进行激光照射，在沿着对应由断线检测工序检测出的电容线2的断线位置Y的像素的像素电极12的两侧部设置的第一源极线3a及第二源极线3b中，进行切断超过断线了的电容线2的部分(D1及D4)、和超过从电容线2延长设置的电容线延长设置部2c的部分(D2及D3)，分别形成具有与电容线2及电容线延长设置部2c重叠的部分的源极线旁通部16c及16d。
[0139]再有连接工序中，通过进行在图7中的C1至C4上的激光照射，进行各源极线旁通部16c及16d的与电容线2重叠的部分(C1及C4)和断线了的电容线2的连接、以及各源极线旁通部16c及16d的与电容线延长设置部2c重叠的部分(C2及C3)和电容线延长设置部2c的连接。
[0140]通过以上那样的断线检测工序，对于比电容线2的断线位置Y下游一侧，如图7中的箭头所示那样，通过源极线旁通部16c、电容线延长设置部2c以及源极线旁通部16d，能够供给辅助电容信号。
[0141]如以上说明的本实施方式的有源矩阵衬底20b中，各电容线2，沿着每个各像素延长设置，且包括电容线延长设置部2c，所以，在电容线2断线的情况下，形成源极线旁通部16c及16d，通过分别连接断线了的电容线2、各源极线旁通部16c及16d、以及电容线延长设置部2c，对于比电容线2的断线位置Y下游一侧，通过各源极线旁通部16c及16d以及电容线延长设置部2c，能够供给辅助电容信号。因此，抑制了像素欠缺的发生就可以修正电容线2的断线。
[0142]《发明的实施方式3》
图8，是表示本实施方式的有源矩阵衬底20c的平面图。
[0143]这个有源矩阵衬底20c中，其构成实际上与上述实施方式1中所说明的有源矩阵衬底20a相同，但是，断线不是发生在栅极线1上，而是发生在源极线3(第一源极线3a)上。
[0144]在此，上述构成的有源矩阵衬底20c中，用图8说明修正源极线的断线的方法。这个第一源极线3a的断线，经过以下所示的电容线旁通部形成工序及连接工序修正。
[0145]首先，电容线旁通部形成工序中，通过进行在图8中的D1及D2上的激光照射，在通过由断线检测工序检测出的对应第一源极线3a的断线位置Z的像素的像素电极12的第一电容线2a中，进行切断断线了的第一源极线3a和与第一源极线3a相邻的第二源极线3b的两外侧的部分(D1及D2)，形成具有与第一源极线3a及第二源极线3b重叠部分的电容线旁通部17a。
[0146]再有，在连接工序中，通过进行向图8中的C1及C2的激光照射，进行电容线旁通部17b的与第一源极线3a重叠部分(C2)和断线了的第一源极线3a的连接、以及电容线旁通部17b的与第二源极线3b重叠部分(C1)和第二源极线3a的连接。
[0147]通过进行以上那样的断线检测工序，对于比第一源极线3a的断线位置Z下游一侧，如图8的箭头所示那样，通过第二源极线3b及电容线旁通部17b，可以供给数据信号。
[0148]正如以上说明的那样，源极线3，也就是，连接在薄膜晶体管(TFT)5上的第一源极线3a断线的情况，形成电容线旁通部17b，通过分别连接第一源极线3a、电容线旁通部17b以及第二源极线3b，对于比第一源极线3a下游一侧，通过第二源极线3b及电容线旁通部17b，可以供给数据信号。
[0149]《发明的实施方式4》
图9，是表示本实施方式的有源矩阵衬底20d的平面图，图10，是图9中沿X-X线的有源矩阵衬底20d的剖面图。
[0150]这个有源矩阵衬底20d中，正如比较一下图2和图10就能明白一样，省略了上述实施方式1所说明的有源矩阵衬底20a中形成的电容电极6、第二层间绝缘膜9、接线孔11b。为此，辅助电容，是由电容线2、像素电极12、夹在它们之间的栅极绝缘膜7以及第一层间绝缘膜8构成。
[0151]根据上述构成的有源矩阵衬底20d，不再需要由上述实施方式1说明了的有源矩阵衬底20a中增粘涂层法的形成的第二层间绝缘膜9，所以就能够简化有源矩阵衬底的制造工序。还有，因为没有第二层间绝缘膜9，可以将像素电极12和电容线2之间的栅极绝缘膜7以及第一层间绝缘膜8作为介电体形成辅助电容，所以，要确保所希望大小的辅助电容变得容易。为此，例如，通过减小电容线2的线宽，就可以提高开口率。
[0152]《发明的实施方式5》
图11，表示本实施方式的有源矩阵衬底20e。
[0153]这个有源矩阵衬底20e中，如图11所示那样，漏电极3d和电容电极6通过漏极引出电极3e连接。其他的构成及效果，与上述实施方式1说明的有源矩阵衬底20a相同，省略其说明。
[0154]根据上述构成的有源矩阵衬底20e，因为漏电极3d连接在延长设置的电容电极6上，所以，假设，在漏电极3d上的层间绝缘膜15上形成的接线孔11a中有不合适的，使漏电极3d和像素电极12绝缘，通过漏电极3d的延长设置部分(漏极引出电极3e)，可以向像素电极12供给数据信号。
[0155]还有，假设，即便是漏电极3d的延长设置部分(漏极引出电极3e)断线，通过形成在漏电极3d上的层间绝缘膜15中的接线孔11a、以及像素电极12，也可以向电容电极6供给数据信号。
[0156]《发明的实施方式6》
图12，表示本实施方式的有源矩阵衬底20f。
[0157]这个有源矩阵衬底20f中，如图12所示的那样，薄膜晶体管(TFT)5形成在栅极线1上，电容线2由图中央沿横方向延伸的第一电容线2a、在第一电容线2a的上侧及下侧沿第一电容线2a平行延伸的第二电容线2b、沿图中的斜方向延伸的同时连接于第一电容线2a及第二电容线2b的电容线分枝部2d构成，像素电极12具有与第二电容2b及电容线分枝部2d重叠设置的缝隙部12c。
[0158]具体地讲，薄膜晶体管(TFT)5中，栅极线1兼栅电极，漏电极3d夹着源电极3c形成两条。并且，两条漏电极3d延长设置到第一电容线2a的形成区域与电容电极6连接。
[0159]上述构成的有源矩阵衬底20f中，各像素电极12上，以与各电容线2(第二电容线2b及电容线分枝部2d)重叠的方式，设置为分割液晶分子的取向的缝隙部12c，形成缝隙部12c的区域，通常，不起透过区域的作用，所以，通过以与这个区域重叠的方式设置各电容线2，就可以抑制由于辅助电容的形成引起的开口率的降低。尚，这样构成的有源矩阵衬底，适用于MVA方式的液晶显示装置。
[0160]还有，本实施方式中，例举了设置为分割像素电极12中液晶分子的取向的缝隙部12c的有源矩阵衬底，但是，在对应像素电极12上的缝隙部12c的位置形成感光性丙烯树脂形成的突起部(12c)，由这个突起部控制液晶分子的取向亦可。
[0161]《发明的实施方式7》
图13，表示本实施方式的有源矩阵衬底20g。
[0162]这个有源矩阵衬底20g，是上述实施方式6的变形例，是多像素驱动可能的有源矩阵衬底。
[0163]这个有源矩阵衬底20g中，如图13所示那样，在栅极线1及源极线3的各交叉部分设置了第一薄膜晶体管(TFT)5a及薄膜晶体管(TFT)5b，像素电极12，由连接在图中上侧的第一薄膜晶体管(TFT)5a的漏电极3d(电容电极6)上的第一像素电极12a、和连接在图中下侧的第二薄膜晶体管(TFT)5b的漏电极3d(电容电极6)上的第二像素电极12b构成。
[0164]并且，有源矩阵衬底20g，由供给相同的栅极线1的栅极信号、和供给相同的源极线3的源极信号进行选择，输入相同源极信号的像素，也就是，图中上下相邻的各像素(第一像素电极12a及第二像素电极12b)分别构成像素群，构成这个像素群的各像素分别由不同的薄膜晶体管(TFT)(第一薄膜晶体管(TFT)5a及第二薄膜晶体管(TFT)5b)个别驱动，所谓的多像素驱动可能的构成。再有，这个多像素驱动可能的有源矩阵衬底20g中，构成像素群的至少两个像素，在像素显示之际，构成为亮度不同的方式。例如，通过各像素群的电容线2，通过施加相互相反相位的信号电压，可以使一个像素群中即存在亮像素也存在暗像素。更具体地讲，扫描信号非接通后，由进行电容接合的时间，在由从源极线3提供的贡献于漏极信号电压(Vs)的上升的Cs波形电压(Cs极性为+)、和贡献于Vs的下降的Cs波形电压(Cs极性为一)的两种Cs波形电压的面积阶调技术中，通过Cs波形电压、Cs电容、以及液晶电容的电容结合，通过改变每个像素的向各像素群的实效电压，可以形成明像素及暗像素。尚，在这样的各像素群中作为分割像素进行显示的像素分割构造，例如，例举了明像素的面积和暗像素的面积相等的1∶1像素分割构造、明像素的面积是暗像素的面积的1/3的1∶3像素分割构造等。其中，1∶3像素分割构造作为液晶显示装置的显示画面的斜视角中白浮对策(视角改善)特别有效。
[0165]根据上述构成的有源矩阵衬底20g，各像素群中，各像素是个别驱动的，可以在一个像素群中明像素和暗像素双方并存，通过其面积阶调可以显示中间调。由此，亦可以改善液晶显示装置的显示画面中斜视角中的白浮。
[0166]因此，即便是多像素驱动可能的有源矩阵衬底中，在不损失白浮的改善效果的同时，可以修正断线。
[0167]上述各实施方式中，各第一源极线及第二源极线和电容线的重叠部分的面积，分别为25μm2以上。由此，使用钇铝石榴石(YAG)激光等，在进行第一源极线3a及第二源极线3b和电容线3之间的绝缘膜的熔融加工情况下，确保了充分的激光照射区域，能够提高第一源极线及第二源极线和电容线之间的导通信赖性。
[0168](产业上利用的可能性)
如以上说明的那样，本发明，构成液晶显示装置的有源矩阵衬底中，能够抑制像素欠缺的发生进行断线的修正，所以，对于具有有源矩阵衬底的显示装置是有用的。

Claims (25)

1.一种有源矩阵衬底，其特征在于：
包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，以及
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线，
构成为：因断线而断开的上述栅极线的一侧与另一侧通过由上述各第二源极线的一部分构成的一对源极线旁通部以及由上述各电容线的一部分构成的电容线旁通部相互导通，或者，
构成为：断线了的上述第一源极线以及与该第一源极线相邻的第二源极线通过由上述各电容线的一部分构成的电容线旁通部相互导通。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述第一源极线与第二源极线相互连接。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各电容线，是由相互平行延伸的第一电容线以及第二电容线构成的。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述第一电容线和第二电容线相互连接。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各电容线，包括顺着每个各像素设置的，且沿着该各电容线延伸的同时具有分别与上述第一源极线和第二源极线重叠的部分的电容线延长设置部，
构成为：因断线而断开的上述电容线的一侧与另一侧通过由上述各第一源极线和各第二源极线的一部分构成的一对源极线旁通部以及上述电容线延长设置部相互导通。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各电容线上，分别设置有隔着介电膜重叠的电容电极。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各开关元件及电容电极和上述各像素电极之间，设置了层间绝缘膜，
上述各开关元件，具有连接在上述各像素电极上的漏电极，
上述漏电极及电容电极和上述各像素电极，通过分别形成在上述层间绝缘膜上的接线孔连接。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述漏电极，连接在延长设置的上述电容电极上。
9.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各像素电极上，以与上述各电容线重叠的方式，设置为分割液晶分子的取向的缝隙部、或为控制液晶分子的取向的突起部。
10.根据权利要求4所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述多个像素中相邻的各像素，构成像素群，
构成上述像素群的至少两个像素，构成为在像素显示之际，亮度相互不同。
11.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：
上述各第一源极线及各第二源极线和上述各电容线重叠部分的面积，分别在25μm2以上。
12.一种显示装置，其特征在于：
包括权利要求1至11任何一项所述的有源矩阵衬底。
13.一种电视接收装置，其特征在于：
包括权利要求12所述的显示装置，接收电视播放信号的高频部。
14.一种有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
在与各栅极线相同的层上，分别设置在上述各栅极线之间，由与各栅极线相同的材料构成的、相互平行延伸的多条电容线，以及
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；
上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：
检测上述栅极线是否存在断线的断线检测工序，
在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的各条第二源极线中，进行切断超过通过该像素电极的电容线的部分、和超过上述断线了的栅极线的部分，分别形成具有重叠该电容线及栅极线的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，
在通过与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断超过上述沿着对应断线位置的像素的像素电极的两侧部设置的各第二源极线的部分，形成具有重叠该各第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及
进行与上述各源极线旁通部的栅极线重叠的部分和上述断线了的栅极线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述电容线旁通部的连接的连接工序。
15.一种有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
在与各栅极线相同的层上，分别设置在上述各栅极线之间，由与各栅极线相同的材料构成的、相互平行延伸的多条电容线，以及
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；
上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：
检测上述第一源极线是否存在断线的断线检测工序，
在通过与由上述断线检测工序检测的第一源极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断上述断线的第一源极线和与该第一源极线相邻的第二源极线的两外侧的部分，形成具有重叠该第一源极线以及第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及
进行与上述电容线旁通部的第一源极线重叠的部分和上述断线了的第一源极线的连接、以及与上述电容线旁通部的第二源极线重叠的部分和上述第二源极线的连接的连接工序。
16.一种有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线，以及
在每个上述各像素上延长设置的上述各电容线，沿着上述各电容线延伸的同时具有与上述第一源极线及第二源极线分别重叠的部分的电容线延长设置部；
上述有源矩阵衬底的制造方法，包括：
检测上述电容线是否存在断线的断线检测工序，
在沿着与由上述断线检测工序检测的电容线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的第一源极线及第二源极线中，进行切断超过上述断线了的电容线的部分、和超过从该电容线延长设置的电容线延长设置部的部分，分别形成具有重叠该电容线及电容线延长设置部的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，以及
进行与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述断线了的电容线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线延长设置部重叠的部分和上述电容线延长设置部的连接的连接工序。
17.根据权利要求14至16任何一项所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述切断以及连接，由激光照射进行。
18.根据权利要求17所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述切断，由钇铝石榴石激光的第四高次谐波进行。
19.根据权利要求17所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
上述连接，由钇铝石榴石激光的第二高次谐波进行。
20.一种显示装置的制造方法，其特征在于：
上述显示装置，包括有源矩阵衬底；
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
在与各栅极线相同的层上，分别设置在上述各栅极线之间，由与各栅极线相同的材料构成的、相互平行延伸的多条电容线，以及
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；
上述显示装置的制造方法，包括：
检测上述栅极线是否存在断线的断线检测工序，
在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的各条第二源极线中，进行切断超过通过该像素电极的电容线的部分、和超过上述断线了的栅极线的部分，分别形成具有重叠该电容线及栅极线的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，
在通过与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断超过上述沿着对应断线位置的像素的像素电极的两侧部设置的各第二源极线的部分，形成具有重叠该各第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及
进行与上述各源极线旁通部的栅极线重叠的部分和上述断线了的栅极线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述电容线旁通部的连接的连接工序。
21.一种显示装置的制造方法，其特征在于：
上述显示装置，包括有源矩阵衬底；
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
在与各栅极线相同的层上，分别设置在上述各栅极线之间，由与各栅极线相同的材料构成的、相互平行延伸的多条电容线，以及
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线；
上述显示装置的制造方法，包括：
检测上述第一源极线是否存在断线的断线检测工序，
在通过与由上述断线检测工序检测的第一源极线的断线位置对应的像素的像素电极的电容线中，进行切断上述断线的第一源极线和与该第一源极线相邻的第二源极线的两外侧的部分，形成具有重叠该第一源极线以及第二源极线的部分的电容线旁通部的电容线旁通部形成工序，以及
进行与上述电容线旁通部的第一源极线重叠的部分和上述断线了的第一源极线的连接、以及与上述电容线旁通部的第二源极线重叠的部分和上述第二源极线的连接的连接工序。
22.一种显示装置的制造方法，其特征在于：
上述显示装置，包括有源矩阵衬底；
上述有源矩阵衬底，包括：
设置成矩阵状，构成各个像素的多个像素电极，
分别设置在上述各像素电极之间，相互平行延伸的多条栅极线，
分别设置在上述各像素电极之间，沿与上述各栅极线交叉的方向延伸的多条第一源极线，
分别设置在每个上述各像素电极上，连接在该各像素电极、上述各栅极线、以及各第一源极线上的多个开关元件，
分别设置在上述各栅极线之间，相互平行延伸的多条电容线，
分别设置在上述各像素电极之间，与上述各第一源极线平行延伸的多条第二源极线，以及
在每个上述各像素上延长设置的上述各电容线，沿着上述各电容线延伸的同时具有与上述第一源极线及第二源极线分别重叠的部分的电容线延长设置部；
上述显示装置的制造方法，包括：
检测上述电容线是否存在断线的断线检测工序，
在沿着与由上述断线检测工序检测的栅极线的断线位置对应的像素的像素电极两侧部设置的第一源极线及第二源极线中，进行切断超过上述断线了的电容线的部分、和超过从该电容线延长设置的电容线延长设置部的部分，分别形成具有重叠该电容线及电容线延长设置部的部分的源极线旁通部的源极线旁通部形成工序，以及
进行与上述各源极线旁通部的电容线重叠的部分和上述断线了的电容线的连接、以及与上述各源极线旁通部的电容线延长设置部重叠的部分和上述电容线延长设置部的连接的连接工序。
23.根据权利要求20至22任何一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
上述切断以及连接，由激光照射进行。
24.根据权利要求23所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
上述切断，由钇铝石榴石激光的第四高次谐波进行。
25.根据权利要求23所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
上述连接，由钇铝石榴石激光的第二高次谐波进行。
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