CN100505967C

CN100505967C - 有机电致发光显示装置

Info

Publication number: CN100505967C
Application number: CNB2005800123975A
Authority: CN
Inventors: 熊均; 东海林弘; 山道桂子; 福冈贤一; 汤浅公洋; 细川地潮
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2004-04-21
Filing date: 2005-04-07
Publication date: 2009-06-24
Anticipated expiration: 2025-04-07
Also published as: TW200601886A; EP1744600A4; JPWO2005109964A1; US20070216289A1; CN1947468A; WO2005109964A1; EP1744600A1

Abstract

本发明提供一种有机电致发光显示装置。在第一有机电致发光元件(10)中，第一光反射机构(12)和第二光反射机构(14)之间的光学的距离被设定为选择第一颜色的光，在第二有机电致发光元件(20)中，第一光反射机构(12)和第二光反射机构(14)之间的光学的距离被设定为选择第二颜色的光，在第三有机电致发光元件(30)中，第一光反射机构(12)和第二光反射机构(14)之间的光学的距离被设定为选择第三颜色的光，第一光反射机构(12)的波长400nm～700nm中的反射率的平均值在65%以上。

Description

有机电致发光显示装置

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示装置，特别涉及使用了白色有机发光介质层的全色有机EL显示装置。

背景技术

作为使用了有机EL的全色化技术，有三色分涂法、在白色EL中组合了滤色片的方法、在EL中组合了色变换膜的色变换法等。

在三色分涂法中，通过调整材料的平衡和减小圆偏振片的损失，就有可能实现高效率化。但是，由于该分涂技术十分困难，因此难以实现高精细的设备，很难大面积化。

另一方面，由于可以将有机EL发光层共有化，从而很容易实现大面积化、高精细化，因此期待使用白色滤色片法或色变换法。

作为有机EL显示装置的全色显示器的方式，可以分为底发射构造和顶发射构造。所谓顶发射构造是指，将以往从支撑有机EL构造的玻璃基板侧取出光的装置设为从与基板相反一侧的上部取出光的构造。这样，就能够提高对发光部的开口率，从而能够实现高亮度化。

但是，正在研究在上部电极中采用半透明的阴极，利用多重干涉效应，仅将特定的波长的光向EL元件的外部取出，实现较高的色再现性。例如，专利文献1中，公布有如下的有机EL元件，即，在以将由光反射性材料构成的第一电极、含有有机发光介质层的有机层、由半透明反射层及透明材料构成的第二电极依次层叠，使有机层成为谐振部的方式构成的有机EL元件中，当将所要取出的光的光谱的峰值波长设为λ时，则以满足以下的式子的方式构成。

(2L)/λ+Φ/(2π)＝m

(L为光学的距离，λ为所要取出的光的波长，m为整数，Φ为电极的相位移动，以使光学的距离L达到最小的方式构成)

作为由光反射性材料构成的第一电极的具体例，专利文献2中，公布有属于周期表的第5族或第6族的金属，更具体来说，是铬、钼、钨、钽及铌等功函数在4.8V以下的金属。

另外，专利文献3中，公布有如下的显示装置，即，在R、G、B各象素中，有机EL元件为在反射层和透明层之间夹持了有机发光介质层的构造，将滤色片配置于透明层的光输出侧或外来光入射侧。

专利文献1：国际公开第WO01/39554号小册子

专利文献2：特开2001—43980号公报

专利文献3：特开2002—373776号公报

但是，这些有机EL元件或有机EL显示装置中有如下所示的问题。

利用光反射性电极中所用的铬、钼、钨、钽及铌等金属无法获得充分的光谐振器效果，在显示装置的高效率化方面有改善的余地。

另外，专利文献1中所示的满足所述式子的有机层的光学膜厚为一种，不是取出三种颜色的不同的波长的光，难以有效地应用于全色的显示装置中。

发明内容

本发明是鉴于所述的问题而完成的，其目的在于，提供能够实现高效率的全色显示的有机EL显示装置。

本发明人在进行了深入研究后，发现通过将特定的反射率高的金属电极、含有显示不同的发光颜色的三种发光材料的有机EL元件、相面对的三种滤色片组合，就能够实现高效率的多色发光，从而完成了本发明。

根据本发明，提供以下的有机EL显示装置。

1.一种有机电致发光显示装置，具有：

依次将第一有机电致发光元件及使所述第一有机电致发光元件所发出的第一颜色的光透过的第一滤色片沿光取出方向设置的第一象素、

依次将第二有机电致发光元件及使所述第二有机电致发光元件所发出的第二颜色的光透过的第二滤色片沿光取出方向设置的第二象素、

依次将第三有机电致发光元件及使所述第三有机电致发光元件所发出的第三颜色的光透过的第三滤色片沿光取出方向设置的第三象素，

所述第一有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有第一光反射机构和第二光反射机构，并且在所述第一及第二光反射机构之间，具有有机发光介质层，第一光反射机构和第二光反射机构之间的光学距离被设定为选择第一颜色的光，

所述第二有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有第一光反射机构和第二光反射机构，并且在所述第一及第二光反射机构之间，具有有机发光介质层，第一光反射机构和第二光反射机构之间的光学距离被设定为选择第二颜色的光，

所述第三有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有第一光反射机构和第二光反射机构，并且在所述第一及第二光反射机构之间，具有有机发光介质层，第一光反射机构和第二光反射机构之间的光学距离被设定为选择第三颜色的光，

所述第一光反射机构在波长400nm～700nm的反射率的平均值为65％以上，

所述有机发光介质层至少发出第一颜色、第二颜色及第三颜色的光。

2.根据1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述第一及第二光反射机构分别为第一电极及第二电极，或在所述第一及第二光反射机构之间，具有第一电极和第二电极，所述有机发光介质层位于所述第一及第二电极之间。

3.一种有机电致发光显示装置，具有：

所述第一有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

所述第二有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、第一光学膜厚调整层、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

所述第三有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、第二光学膜厚调整层、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

所述光反射性电极在波长400nm～700nm的反射率的平均值为65％以上，

4.根据3所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有发出第一颜色的光的第一发光材料、发出第二颜色的光的第二发光材料及发出第三颜色的光的第三发光材料。

5.根据3或者4所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一光学膜厚调整层由第一无机化合物层构成，所述第二光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层及第二无机化合物层构成。

6.一种有机电致发光显示装置，具有：

所述第一有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、第一光学膜厚调整层、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

所述第二有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、第二光学膜厚调整层、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

所述第三有机电致发光元件是至少沿光取出方向依次层叠光反射性电极、第三光学膜厚调整层、有机发光介质层、金属层及透明电极层的元件，

7.根据6所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有发出第一颜色的光的第一发光材料、发出第二颜色的光的第二发光材料及发出第三颜色的光的第三发光材料。

8.根据6或7所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一光学膜厚调整层由第一无机化合物层构成，所述第二光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层及第二无机化合物层构成，所述第三光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层、所述第二无机化合物层及第三无机化合物层构成。

9.根据1～8所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有下述层叠体，所述层叠体是将含有主相材料和蓝色系掺杂剂的蓝色系发光层、含有与蓝色系发光层相同的主相材料和绿色系掺杂剂的绿色系发光层、以及含有与蓝色系发光层相同的主相材料和橙～红色系掺杂剂的橙～红色系发光层层叠而成。

10.根据9所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层中所用的主相材料为非对称蒽类化合物。

11.根据9或10所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质中所用的蓝色系掺杂剂是选自苯乙烯胺、胺取代苯乙烯基化合物、含胺取代缩合芳香族环化合物及含缩合芳香族环化合物中的至少一种化合物。

12.根据9～11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质中所用的橙～红色系掺杂剂是选自具有多个荧蒽骨架的化合物中的至少一种化合物。

根据本发明，可以提供能够实现高效率的全色显示的有机EL显示装置。

附图说明

图1是表示实施方式1的有机EL显示装置的图。

图2a是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2b是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2c是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2d是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2e是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2f是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2g是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2h是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图2i是表示实施方式1的有机EL显示装置的有机EL元件基板的制造方法的工序图。

图3是表示实施方式2的有机EL显示装置的图。

图4是表示实施例与比较例的光反射性电极的反射率的图。

图5是表示实施例与比较例的蓝象素的发光光谱的图。

图6是表示实施例与比较例的绿象素的发光光谱的图。

图7是表示实施例与比较例的红象素的发光光谱的图。

具体实施方式

[实施方式1]

图1是表示作为本发明的实施方式1的有机EL显示装置的图。

在该有机EL显示装置1中，并置有不同的有机EL元件10、20、30。

有机EL元件10具有沿光取出方向将兼具了第一光反射机构和第一电极的光反射性电极12、有机发光介质层13、兼具了第二光反射机构和第二电极的金属层14与透明电极15的叠层膜以该顺序层叠的构造。

光反射性电极12是作为供给空穴或电子的电极发挥作用，并且将在有机发光介质层13中产生的光沿光取出方向反射的层。光反射性电极的波长400nm～700nm的反射率的平均值在65％以上，优选70％以上，更优选85％以上。

有机发光介质层13是利用电子与空穴的复合产生光的层。有机发光介质层13至少发出第一颜色、第二颜色及第三颜色的光。有机发光介质层13至少含有发出第一颜色的光的第一发光材料及发出第二颜色的光的第二发光材料，最好含有发出第一颜色的光的第一发光材料、发出第二颜色的光的第二发光材料及发出第三颜色的光的第三发光材料。当所含的发光材料的数目为两种时，既可以是第一发光材料同时发出第一颜色的光和第二颜色的光，也可以是第二发光材料发出第二颜色的光和第三颜色的光。无论怎样，向有机EL元件外发出的光包括第一、第二及第三颜色的光。另外，有机发光介质层13可以将第一、第二、第三颜色以外的颜色也一并发出。

第一、第二、第三颜色优选波长400nm～500nm的蓝色、波长500nm～570nm的绿色、波长570nm～700nm的红色。但是，并不限定于这些颜色，可以将各种各样的三色组合而实现微妙的发色。

金属层14与透明电极15的叠层膜作为供给空穴或电子的第二电极发挥作用，并且也作为将在有机发光介质层13中产生的光反射及透过的第二光反射层发挥作用。

另外，沿以箭头表示的光取出方向，与有机EL元件10相面对地设有第一滤色片16。第一滤色片使第一颜色的光透过。

由有机EL元件10和第一滤色片16构成第一象素I。

有机EL元件20具有沿光取出方向形成有兼具了第一光反射机构和第一电极的光反射性电极12、第一无机化合物层27，并在位于其上依次层叠有机发光介质层13、兼具了第二光反射机构和第二电极的金属层14与透明电极15。这里，第一无机化合物层27相当于第一光学膜厚调整层。

另外，沿以箭头表示的光取出方向，与有机EL元件20相面对地设有第二滤色片26。第二滤色片使第二颜色的光透过。

由有机EL元件20和第二滤色片26构成第二象素II。

有机EL元件30具有沿光取出方向形成有兼具了第一光反射机构和第一电极的光反射性电极12、第一无机化合物层27、第二无机化合物层38，并在位于其上依次层叠有机发光介质层13、兼具了第二光反射机构和第二电极的金属层14与透明电极15。这里，第一无机化合物层27和第二无机化合物层38一起相当于第二光学膜厚调整层。

另外，沿以箭头表示的光取出方向，与有机EL元件30相面对地设有第三滤色片36。第三滤色片使第三颜色的光透过。

由有机EL元件30和第三滤色片36构成第三象素III。

而且，第一光反射机构和第一电极不需要相同，既可以沿光取出方向以该顺序分离，也可以沿光取出方向以绝缘性光反射层/电极的顺序层叠。作为绝缘性光反射层的具体例，也可以是由金属膜构成的光反射层/绝缘性光学膜压调整层的叠层，还可以举出在电介质激光反射镜中已知的高折射率电介质层和低折射率电介质层的多层叠层膜。作为形成高折射率电介质层的材料，例如可以举出ZrO₂、CeO₂、Ta₂O₃等金属氧化物、ZnS、CdS等II—VI族化合物。作为形成低折射率电介质层的材料，例如可以举出CaF₂、AlF₃等金属氟化物。

另外，第二光反射机构并不限定于金属层与透明电极的叠层膜，顺序也可以相反。另外，不一定需要为金属膜，也可以是像前面所例示的电介质多层膜那样的绝缘性膜。

而且，图1中，为了容易理解发明，由两个电极12、15所夹的仅为有机发光介质13，然而如后所述，通常还包括电子注入层、电子输送层、空穴注入层、空穴输送层等。

在透明电极层15和滤色片16、26、36之间，为了防止有机EL元件10因环境或滤色片16、26、36中所含的氧、水分、其他的挥发成分而老化，也可以设置密封层等。作为具体例，可以使用SiO_xN_y、AlO_xN_y、SiAlO_xN_y等透明无机化合物层及这些透明无机化合物层与透明树脂或者密封液层叠了的层等。

下面，对该有机EL显示装置1的动作进行说明。

有机EL元件10、20、30都形成将第一光反射机构(光反射性电极12)和第二光反射机构(金属层14)间作为谐振部的光谐振器构造。利用此种光谐振器构造，在有机发光介质13中产生的光在两个光反射面(光反射性电极12和金属层14)之间反复反射，向元件之外选择性地高强度地放射出满足下述式子的波长附近的光。

(2L)/λ+Φ/(2π)＝m

(L表示谐振部的光学的距离，λ表示光的波长，Φ表示两个光反射机构界面上的相位移动的和，m表示0以上的整数。)

而且，光学的距离L为光所穿过的介质的折射率n与实际的几何学的距离L_R的积。

即，在有机发光介质13中产生的光当中，满足所述式子的波长λ附近的光被选择性地加强，被穿过金属层14、透明电极15而向元件之外放射。

图1中，L₁示意性地表示第一有机EL元件10的光学的距离，L₂示意性地表示第二有机EL元件20的光学的距离，L₃示意性地表示第三有机EL元件30的光学的距离。

对于L₁和Ls₂，光学的距离相差相当于第一无机化合物层27的光学的距离，对于L₂和L₃，光学的距离相差相当于第二无机化合物层38的光学的距离。

即，通过调节无机化合物层27、38的折射率或厚度，在第一有机EL元件10中，就可以用强调某个波长λ₁地向元件的外部取出光的方式设定，在第二有机EL元件20中，就可以用强调某个波长λ₂地向元件的外部取出光的方式设定，在第三有机EL元件30中，就可以用强调某个波长λ₃地向元件的外部取出光的方式设定。这样，由于能够分别强调所需的波长的光地从3个元件中取出，因此就能够实现有效的多色发光。

下面，使用图2对本实施方式的有机EL元件基板的制造方法进行说明。这里，虽然说明利用包括湿式蚀刻法的方法来制造的例子，然而并不限定于下述的方法。

在基板11上，溅射形成光反射导电层12的材料，在成膜后(图2a)，利用光刻等，蚀刻为所需的形状的图案(图2b)。

接下来，溅射形成第一无机化合物层27的材料，在成膜后(图2c)，与所述相同地利用蚀刻液蚀刻无用部，在第二及第三有机EL元件20、30的光反射导电层12上形成第一无机化合物层27(图2d)。

通过以光反射导电层12、第一无机化合物层27、第二无机化合物层38的顺序，选择容易被蚀刻的材料，就可以不将先形成的光反射层12蚀刻掉地形成第一无机化合物层27。

继而，溅射形成第二无机化合物层38的材料，在成膜后(图2e)，利用蚀刻液蚀刻无用部，在第三有机EL元件30的第一无机化合物层27上形成第二无机化合物层38(图2f)。

在形成了该光反射导电层12及各无机化合物层的基板上，将有机发光介质层13(图2g)、金属层14(图2h)及透明电极层15(图2i)以该顺序成膜，就可以制造有机EL元件。

根据该方法，可以容易地制造有机EL元件基板。

有机EL元件的各层的形成方法并没有特别限定，可以利用以往公知的溅射法、真空蒸镀法、分子束蒸镀法(MBE法)或者溶解于溶剂中的溶液的浸渍法、旋转涂覆法、浇注法、棒涂覆法、辊涂法等涂布法来形成。

本实施例中，由于通过使用高反射率电极，以及对每个象素改变光学的距离，就可以对每个象素发挥有效的光谐振器效果，因此每个象素的光取出效率提高。由此，显示器的发光效率提高，另外可以提高色纯度。

另外，本实施例中，利用含有三原色的白色发光有机EL元件与滤色片的组合，可以进一步提高显示器的色纯度。

另外，在该有机EL显示装置中，有机发光介质层13、金属层14及透明电极层15可以作为共用的相同的膜来形成。由此，可以简化制造工序，在工业生产上极为有利。

[实施方式2]

图3是表示作为本发明的实施方式2的有机EL显示装置的图。

实施方式2在以下方面与实施方式1不同，即，在第一象素I的有机EL元件10中，在光反射性电极12之上，形成第三无机化合物层19，在第二象素II的有机EL元件20中，在光反射性电极12之上，形成第三无机化合物层19及第一无机化合物层27，在第三象素III的有机EL元件30中，在光反射性电极12之上，形成第一无机化合物层27、第二无机化合物层38及第三无机化合物层19。

这里，第三无机化合物层19相当于第一光学膜厚调整层，第一无机化合物层27及第三无机化合物层19一起相当于第二光学膜厚调整层，第一无机化合物层27、第二无机化合物层38及第三无机化合物层19一起相当于第三光学膜厚调整层。

第三无机化合物层19除了光学膜厚调整的目的以外，还被以改善有机发光介质层13与光反射电极12之间的附着性、改善向有机发光介质中的电荷注入性为目的而设置。作为该无机化合物层中所使用的优选的无机化合物，为碱金属氧化物、碱土类氧化物、稀土类氧化物、碱金属卤化物、碱土类卤化物、稀土类卤化物、SiO_x、AlO_x、SiNx、SiO_N、AlON、GeO_x、LiO_x、LiON、TiO_x、TiON、TaO_x、TaON、TaN_x、C等各种氧化物、氮化物、氧化氮化物。

特别是在光反射电极12作为阳极发挥作用的情况下，SiO_x、AlO_x、SiN_x、SiON、AlON、GeO_x、C、ITO、IZO、InO_x、ZnO_x、ICO(氧化铈)形成稳定的注入界面层而优选。第三无机化合物层19的膜厚虽然没有特别限定，然而优选0.1nm～100nm。

图3中，与图1相同，L₁示意性地表示第一有机EL元件10的光学的距离(光学膜厚、将折射率和实际的膜厚相乘后的值)，L₂示意性地表示第二有机EL元件20的光学的距离，L₃示意性地表示第三有机EL元件30的光学的距离。

对于L₁和L₂，光学的距离相差相当于第一无机化合物层27的光学的距离，对于L₂和L₃，光学的距离相差相当于第二无机化合物层38的光学的距离。

即，通过调节无机化合物层19、27、38的折射率或厚度，在第一有机EL元件10中，就可以用强调某个波长λ₁地向元件的外部取出光的方式设定，在第二有机EL元件20中，就可以用强调某个波长λ₂地向元件的外部取出光的方式设定，在第三有机EL元件30中，就可以用强调某个波长λ₃地向元件的外部取出光的方式设定。这样，由于能够分别强调所需的波长的光地从3个元件中取出，因此就能够实现有效的多色发光。

而且，虽然在实施方式1、3中，光学膜厚调整层为单层或2～3层的叠层体，然而只要可以获得所需的光学膜厚，也可以利用适当的数目的层来形成。

接下来，对本发明的有机EL显示装置的构件进行说明。

(1)光反射性电极

作为光反射性电极的材质，优选波长400nm～700nm的反射率的平均值在65％以上的金属膜。金属膜的反射率由其膜厚d、双折射率n—iκ、表面粗糙度(RMS粗糙度)σ决定。作为优选的金属膜的材料，优选双折射率的实部n、虚部κ(相当于光吸收系数)都很小的材料，具体来说，可以举出Au、Ag、Cu、Mg、Al、Ni、Pd等单体金属膜及合金膜。

当膜厚d小时，光就会透过，反射率变小。虽然根据所用的金属种类的双折射率虚部κ的值而不同，然而作为膜厚优选50nm以上。

当表面粗糙度σ大时，光发生散射，被向与有机EL元件的发光平面垂直的方向反射的成分变少。由此，作为表面粗糙度σ，优选小于10nm，更优选小于5nm。

(2)无机化合物层

无机化合物层只要是其可见光的波长区域(380nm～780nm)的透光率在50％以上的材料，就可以没有特别限定地使用。优选透光率具有80％以上的透过率的材料。

作为无机化合物的具体例，可以举出无机氧化物，例如可以举出In、Sn、Zn、Ce、Sm、Pr、Nb、Tb、Cd、Ga、Al、Mo及W等的氧化物，优选含有In、Sn、Zn、Ce的氧化物。

为了使显示装置的制造更为容易，光反射导电层、第一无机化合物层、第二无机化合物层及第三无机化合物层中所用的材料最好在其蚀刻特性方面有差别。即，最好以光反射导电层、第一无机化合物层、第二无机化合物层、第三无机化合物层的顺序，选择容易被蚀刻的材料。

例如，在第一无机化合物层中，选择比光反射导电层更容易被弱酸蚀刻的材料，在第二无机化合物层中，选择比第一无机化合物层更容易被弱酸蚀刻的材料，在第三无机化合物层中，选择比第二无机化合物层更容易被弱酸蚀刻的材料。

而且，也可以考虑选择具有能够选择性地蚀刻各层的蚀刻液的材料。

在将无机化合物层的蚀刻特性设为不同的特性时，有调整形成两化合物层的无机氧化物的结晶化度的方法。结晶化度越高，则会有越难被酸蚀刻的倾向。

本发明中，通过在无机化合物层的结晶化度方面设置差别，就可以在两化合物层的蚀刻特性方面设置差别。

作为利用蚀刻特性的差异来制造第一及第二无机化合物层的例子，如下所示，有利用湿式蚀刻法进行的例子。

在玻璃基板上溅射制成Cr的膜，形成光反射导电层。将该基板用硝酸铈铵盐—过氧化氢水(CAN)的混合液蚀刻，得到带有所需的图案的光反射导电层的基板。

然后，溅射制成ITO的膜，利用草酸水溶液蚀刻，得到带有所需的图案的无定形(非结晶性)ITO膜的基板。

通过将该基板在230℃下热处理30分钟，就可以获得带有作为第一无机化合物层的结晶性ITO膜的基板。通过设为结晶性ITO膜，就可以形成不会被草酸水溶液蚀刻的层。

继而，在其上溅射制成IZO的膜，利用草酸水溶液蚀刻而得到带有所需的图案的第二无机化合物层的基板。而且，作为第二无机化合物层，也可以使用非结晶性ITO。

而且，结晶化度可以利用X射线衍射测定来测定。即，向试样表面照射X射线，测定衍射线的角度(2θ)和强度，根据衍射峰的积分强度求得结晶化度。

第一无机化合物层优选晶态，第二无机化合物层优选非晶态。这样，就可以使第二无机化合物层比第一无机化合物层更容易被利用弱酸蚀刻。

作为最容易被利用弱酸蚀刻的无机化合物的例子，可以举出氧化铟—氧化锌(IZO)、在IZO中添加了镧类金属氧化物的材料等。作为镧类金属氧化物，例如可以举出氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化饵、氧化铥、氧化镱及氧化镥等。

而且，镧类金属氧化物的含有比例优选设为相对于金属氧化物层中的金属氧化物的全部金属原子为0.1～10原子％。

另外，也优选在氢等的存在下，溅射氧化铟—氧化锡(ITO)而得的非结晶性的ITO。

作为可以比光反射导电层更容易用弱酸蚀刻，比所述的无机化合物更难被蚀刻的材料，可以举出ITO、氧化铟—氧化铈化合物(ICO)、氧化铟—氧化钨化合物、氧化铟—氧化钼化合物等。也优选非结晶性ITO及所述化合物的非结晶性物质。如上所述，由于非结晶性ITO及所述化合物的非结晶性物质可以利用热退火变为结晶性化合物，因此在第一无机化合物层上制造第二无机化合物层的膜的情况下特别优选。

将第一无机化合物层设为ITO，将第二无机化合物层设为IZO的话，由于可以在蚀刻时减少成为基底的层的损伤，因此优选。

第一无机化合物层及第二无机化合物层的膜厚只要以在各EL元件部的谐振部中，可以将所需的波长的光谐振的方式适当地调整即可。优选设为5nm～1000nm的范围。

(3)发光层的构成

发光层是被夹持于光反射性电极、金属层与透明电极层之间的层，至少包含有机发光介质层。

为了提高在将有机EL显示装置作为全色显示器使用时所重视的色纯度，有机发光介质层优选含有显示与第一滤色片的透过颜色相当的发光颜色的第一发光材料、显示与第二滤色片的透过颜色相当的发光颜色的第二发光材料、显示与第三滤色片的透过颜色相当的发光颜色的第三发光材料。

作为构成，只要含有发光颜色不同的三种发光材料即可，而在有机发光介质层层叠三种层(蓝色系发光层、绿色系发光层、橙色～红色系发光层)的情况下，可以举出在作为光反射性电极的阳极层上层叠了下面的构成的层的例子。

(i)蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层

(ii)空穴输送层/蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层

(iii)蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层

(iv)空穴输送层/蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层

(v)空穴注入层/空穴输送层/蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层

(vi)空穴注入层/空穴输送层/蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层/电子注入层

(vii)空穴注入辅助层/空穴注入层/空穴输送层/蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层/电子注入层

(viii)空穴注入层/空穴输送层/蓝色—绿色混合发光层/橙色～红色系发光层/电子输送层/电子注入层

(ix)空穴注入层/空穴输送层/蓝色系发光层/绿色—橙色～红色系混合发光层/电子输送层/电子注入层

(x)空穴注入层/空穴输送层/蓝色—绿色混合发光层/蓝色—橙色～红色系混合发光层/电子输送层/电子注入层

它们当中，(vi)、(vii)的构成由于发光效率高，耐久性也优良，因此通常被优选使用。而且，蓝色系发光层、绿色系发光层、橙色～红色系发光层由掺杂了显示发光颜色的掺杂剂材料的主相材料构成。

而且，(viii)、(x)中的蓝色—绿色混合发光层既可以由掺杂了从蓝色到绿色具有很宽的发光光谱的掺杂剂材料的主相材料构成，也可以由在显示蓝色发光的主相材料中微量地掺杂了显示绿色发光的掺杂剂材料的材料构成。

另外，(ix)中的绿色—橙色～红色系混合发光层既可以由掺杂了从绿色到橙色～红色具有很宽的发光光谱的掺杂剂材料的主相材料构成，也可以由在显示绿色发光的主相材料中微量地掺杂了显示橙色～红色发光的掺杂剂材料的材料构成。

另外，(x)中的蓝色—橙色～红色系混合发光层也可以由在显示蓝色发光的主相材料中微量地掺杂了显示橙色～红色发光的掺杂剂材料的材料构成。

所述(i)～(x)中，以蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层这样的顺序记载。该顺序中由于阳极侧为蓝色系发光层，因此可以消除发光颜色容易偏向绿色或红色的倾向。所以，不需要为了获得作为全色显示器的理想的白色而控制绿色或橙色～红色系发光，不需要使绿色或橙色～红色系发光层与蓝色系发光层相比，膜厚更薄，或掺杂浓度更低。其结果是，由于可以使绿色或黄色～红色系发光层的膜厚比以往更厚，因此色度变化少。另外，由于可以将蓝色系发光层和绿色系发光层及橙～红色系发光层的主相材料设为相同物质，因此蓝色发光区域的发光很难集中在界面上，很难受到由界面的变动造成的影响。另外，由于橙色～红色系发光层的膜厚足够大，因此很难受到由界面的变动造成的影响。

但是，本发明中，并不一定限定为蓝色系发光层/绿色系发光层/橙色～红色系发光层的顺序，也可以是除此以外的顺序。另外，掺杂剂材料也可以被掺杂于空穴输送层或电子输送层中。

蓝色系发光层的膜厚优选5～30nm，更优选5～20nm。如果小于5nm，则难以形成发光层，色度的调整有可能变得困难，当超过30nm时，则驱动电压有可能上升。

绿色系发光层的膜厚优选5～30nm，更优选5～20nm。如果小于5nm，则发光效率有可能降低，当超过30nm时，则驱动电压有可能上升。

橙色～红色系发光层的膜厚优选5～40nm，更优选10～30nm。如果小于5nm，则发光效率有可能降低，当超过30nm时，则驱动电压有可能上升。

(4)蓝色系发光层

蓝色系发光层含有主相材料和蓝色系掺杂剂。

主相材料优选苯乙烯基衍生物、蒽衍生物或芳香族胺。苯乙烯基衍生物特别优选选自二苯乙烯基衍生物、三苯乙烯基衍生物、四苯乙烯基衍生物及苯乙烯胺衍生物中的至少一种。蒽衍生物优选非对称蒽类化合物。芳香族胺优选具有2～4个被芳香族取代了的氮原子的化合物，特别优选具有2～4个被芳香族取代了的氮原子并且至少具有一个链烯基的化合物。

作为优选的非对称蒽类化合物，可以举出由以下的式子表示的化合物。这些化合物的制造方法等被记载于特愿2004—042694中。

[化1]

[式中，Ar是取代或无取代的核心碳数为10～50的缩合芳香族基。Ar’是取代或无取代的核心碳数为6～50的芳基。

X是取代或无取代的核心碳数为6～50的芳基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳香族多元环基、取代或无取代的碳数为1～50的烷基、取代或无取代的碳数1～50的烷氧基、取代或无取代的碳数为6～50的芳烷基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳氧基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳硫基、取代或无取代的碳数为1～50的烷氧基羰基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基。

a、b及c分别为0～4的整数，n为1～3的整数。]

作为所述的式子中的Ar的取代或无取代的缩合芳香族基的例子，可以举出1—萘基、2—萘基、1—蒽基、2—蒽基、9—蒽基、1—菲基、2—菲基、3—菲基、4—菲基、9—菲基、1—并四苯基、2—并四苯基、9—并四苯基、1—芘基、2—芘基、4—芘基、3—甲基—2—萘基、4—甲基—1—萘基、4—甲基—1—蒽基等。

作为所述的式子中的Ar’的取代或无取代的芳基、X的芳基、芳香族多元环基、烷基、烷氧基、芳烷基、芳氧基、芳硫基及烷氧基羰基的例子，分别可以举出以下的例子。

作为取代或无取代的芳基的例子，可以举出苯基、1—萘基、2—萘基、1—蒽基、2—蒽基、9—蒽基、1—菲基、2—菲基、3—菲基、4—菲基、9—菲基、1—并四苯基、2—并四苯基、9—并四苯基、1—芘基、2—芘基、4—芘基、2—联苯基、3—联苯基、4—联苯基、p—三联苯—4—基、p—三联苯—3—基、p—三联苯—2—基、m—三联苯—4—基、m—三联苯—3—基、m—三联苯2—基、o—甲苯基、m—甲苯基、p—甲苯基、p—t—丁基苯基、p—(2—苯基丙基)苯基、3—甲基—2—萘基、4—甲基—1—萘基、4—甲基—1—蒽基、4’—甲基联苯基、4”—t—丁基—p—三联苯—4—基等。

作为取代或无取代的芳香族多元环基的例子，可以举出1—吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡嗪基、3—吡嗪基、4—吡嗪基、1—吲哚基、2—吲哚基、3—吲哚基、4—吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、1—异吲哚基、2—异吲哚基、3—异吲哚基、4—异吲哚基、5—异吲哚基、6—异吲哚基、7—异吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4—苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、1—异苯并呋喃基、3—异苯并呋喃基、4—异苯并呋喃基、5—异苯并呋喃基、6—异苯并呋喃基、7—异苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4—喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、1—异喹啉基、3—异喹啉基、4—异喹啉基、5—异喹啉基、6—异喹啉基、7—异喹啉基、8—异喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、1—咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4—咔唑基、9—咔唑基、1—菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4—菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9—菲啶基、10—菲啶基、1—吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4—吖啶基、9—吖啶基、1，7—邻二氮杂菲—2—取代基、1，7—邻二氮杂菲—3—基、1，7—邻二氮杂菲—4—基、1，7—邻二氮杂菲—5—基、1，7—邻二氮杂菲—6—基、1，7—邻二氮杂菲—8—基、1，7—邻二氮杂菲—9—基、1，7—邻二氮杂菲—10—基、1，8—邻二氮杂菲—2—基、1，8—邻二氮杂菲—3—基、1，8—邻二氮杂菲—4—基、1，8—邻二氮杂菲—5—基、1，8—邻二氮杂菲—6—基、1，8—邻二氮杂菲—7—基、1，8—邻二氮杂菲—9—基、1，8—邻二氮杂菲—10—基、1，9—邻二氮杂菲—2—基、1，9—邻二氮杂菲—3—基、1，9—邻二氮杂菲—4—基、1，9—邻二氮杂菲—5—基、1，9—邻二氮杂菲—6—基、1，9—邻二氮杂菲—7—基、1，9—邻二氮杂菲—8—基、1，9—邻二氮杂菲—10—基、1，10—邻二氮杂菲—2—基、1，10—邻二氮杂菲—3—基、1，10—邻二氮杂菲—4—基、1，10—邻二氮杂菲—5—基、2，9—邻二氮杂菲—1—基、2，9—邻二氮杂菲—3—基、2，9—邻二氮杂菲—4—基、2，9—邻二氮杂菲—5—基、2，9—邻二氮杂菲—6—基、2，9—邻二氮杂菲—7—基、2，9—邻二氮杂菲—8—基、2，9—邻二氮杂菲—10—基、2，8—邻二氮杂菲—1—基、2，8—邻二氮杂菲—3—基、2，8—邻二氮杂菲—4—基、2，8—邻二氮杂菲—5—基、2，8—邻二氮杂菲—6—基、2，8—邻二氮杂菲—7—基、2，8—邻二氮杂菲—9—基、2，8—邻二氮杂菲—10—基、2，7—邻二氮杂菲—1—基、2，7—邻二氮杂菲—3—基、2，7—邻二氮杂菲—4—基、2，7—邻二氮杂菲—5—基、2，7—邻二氮杂菲—6—基、2，7—邻二氮杂菲—8—基、2，7—邻二氮杂菲—9—基、2，7—邻二氮杂菲—10—基、1—吩嗪基、2—吩嗪基、1—吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4—吩噻嗪基、10—吩噻嗪基、1—吩噁嗪基、2—吩噁嗪基、3—吩噁嗪基、4—吩噁嗪基、10—吩噁嗪基、2—噁唑基、4—噁唑基、5—噁唑基、2—噁二唑基、5—噁二唑基、3—呋咱基、2—噻吩基、3—噻吩基、2—甲基吡咯—1—基、2—甲基吡咯—3—基、2—甲基吡咯—4—基、2—甲基吡咯—5—基、3—甲基吡咯—1—基、3—甲基吡咯—2—基、3—甲基吡咯—4—基、3—甲基吡咯—5—基、2—t—丁基吡咯—4—基、3—(2—苯丙基)吡咯—1—基、2—甲基—1—吲哚基、4—甲基—1—吲哚基、2—甲基—3—吲哚基、4—甲基—3—吲哚基、2—t—丁基—1—吲哚基、4—t—丁基—1吲哚基、2—t—丁基—3—吲哚基、4—t—丁基—3—吲哚基等。

作为取代或无取代的烷基的例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、n—丁基、s—丁基、异丁基、t—丁基、n—戊基、n—己基、n—庚基、n—辛基、羟甲基、1—羟乙基、2—羟乙基、2—羟基异丁基、1，2—二羟基乙基、1，3—二羟基异丙基、2，3—二羟基—t—丁基、1，2，3—三羟基丙基、氯甲基、1—氯乙基、2—氯乙基、2—氯异丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯异丙基、2，3—二氯—t—丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、1—溴乙基、2—溴乙基、2—溴异丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴异丙基、2，3—二溴—t—丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、1—碘乙基、2—碘乙基、2—碘异丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘异丙基、2，3—二碘—t—丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、1—氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基异丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基异丙基、2，3—二氨基—t—丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰甲基、1—氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基异丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基异丙基、2，3—二氰基—t—丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、1—硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基异丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基异丙基、2，3—二硝基—t—丁基、1，2，3—三硝基丙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4—甲基环己基、1—金刚烷基、2—金刚烷基、1—降冰片烷基、2—降冰片烷基等。

取代或无取代的烷氧基被以—OY表示，作为Y的例子，可以举出与所述取代或无取代的烷基相同的基。

作为取代或无取代的芳烷基的例子，可以举出被所述取代或无取代的烷基取代了的所述取代或无取代的芳基等。

取代或无取代的芳氧基被以—OY’表示，作为Y’的例子，可以举出与所述取代或无取代的芳基相同的基。

取代或无取代的芳硫基被以—SY’表示，作为Y’的例子，可以举出与所述取代或无取代的芳基相同的基。

取代或无取代的烷氧基羰基被以—COOY表示，作为Y的例子，可以举出与所述取代或无取代的烷基相同的基。

作为卤原子，可以举出氟、氯、溴、碘等。

[化2]

[式中，A¹及A²各自独立，是取代或无取代的核心碳数为10～20的缩合芳香族环基。

Ar¹及Ar²各自独立，是氢原子或者取代或无取代的核心碳数为6～50的芳基。

R¹～R¹⁰各自独立，是取代或无取代的核心碳数为6～50芳基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳香族杂环基、取代或无取代的碳数为1～50的烷基、取代或无取代的碳数为1～50的烷氧基、取代或无取代的碳数为6～50的芳烷基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳氧基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳硫基、取代或无取代的碳数为1～50的烷氧基羰基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基。

但是，没有在中心的蒽的9位及10位上结合成为对称型的基的情况。]

作为所述的式子中的A¹及A²的取代或无取代的缩合芳香族基的例子，可以举出与所述相同的例子。

作为所述的式子中的Ar¹及Ar²的取代或无取代的芳基的例子，分别可以举出与所述相同的例子。

作为所述的式子中的R¹～R¹⁰的取代或无取代的芳基、芳香族杂环基、烷基、烷氧基、芳烷基、芳氧基、芳硫基及烷氧基羰基的例子，可以分别可以举出与所述相同的例子。

[化3]

[式中，Ar¹及Ar²各自独立，是取代或无取代的核心碳数为6～50的芳基。

R¹～R¹⁰各自独立，是取代或无取代的核心碳数为6～50芳基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳香族杂环基、取代或无取代的碳数为1～50的烷基、取代或无取代的碳数为1～50的烷氧基、取代或无取代的碳数为6～50的芳烷基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳氧基、取代或无取代的核心原子数为5～50的芳硫基、取代或无取代的碳数为1～50的烷氧基羰基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基。]

作为所述的式子中的Ar¹’及Ar²’的取代或无取代的芳基的例子，分别可以举出与所述相同的例子。

作为所述的式子中的R¹～R¹⁰的取代或无取代的芳基、芳香族杂环基、烷基、烷氧基、芳烷基、芳氧基、芳硫基及烷氧基羰基的例子，可以分别举出与所述相同的例子。

另外，作为所述的3个式子中的各基的取代基，可以举出卤原子、羟基、硝基、氰基、烷基、芳基、环烷基、烷氧基、芳香族杂环基、芳烷基、芳氧基、芳硫基、烷氧基羰基或羧基等。

作为蓝色系掺杂剂，蓝色系掺杂剂优选选自苯乙烯胺、胺取代苯乙烯基化合物、含胺取代缩合芳香族环化合物及含缩合芳香族环化合物之中的至少一种。此时，蓝色系掺杂剂也可以由不同的多个化合物构成。作为所述苯乙烯胺及胺取代苯乙烯基化合物，例如可以举出以下述式子(1)、(2)表示的化合物，作为所述含缩合芳香族环化合物，例如可以举出以下述通式(3)表示的化合物。

[化4]

[式中，Ar²、Ar³及Ar⁴各自独立，表示碳原子数为6～40的取代或无取代的芳香族基，它们当中的至少一个包含苯乙烯基，p表示1～3的整数。]

[化5]

[式中，Ar¹⁵及Ar¹⁶各自独立，表示碳原子数为6～30的亚芳基，E¹及E²各自独立，表示碳原子数为6～30的芳基或烷基、氢原子或氰基，q表示1～3的整数。U及/或V是含有氨基的取代基，该氨基优选芳基氨基。]

[化6]

[式中，A表示碳原子数为1～16的烷基或烷氧基、碳原子数为6～30的取代或无取代的芳基、碳原子数为6～30的取代或无取代的烷基氨基或碳原子数为6～30的取代或无取代的芳基氨基，B表示碳原子数为10～40的缩合芳香族环基，r表示1～4的整数。]

(5)绿色系发光层

绿色系发光层含有主相材料和绿色系掺杂剂。

从抑制连续点亮时的颜色变化的观点考虑，作为主相材料，优选使用与蓝色系发光层中所用的主相材料相同的材料。

作为掺杂剂，虽然没有特别限制，然而例如可以使用欧洲公开专利第0281381号公报、公开公报2003—249372号公报等中所公布的香豆素衍生物、连结了取代蒽构造和胺构造的芳香族胺衍生物等。

(6)橙色～红色系发光层

橙色～红色系发光层含有主相材料和橙色～红色系掺杂剂。

作为掺杂剂，可以使用至少具有一个荧蒽骨架或紫苏烯骨架的荧光性化合物，例如下述式子(4)

[化7]

[式中，X²¹～X²⁴各自独立，是碳原子数为1～20的烷基或者取代或无取代的碳原子数为6～30的芳基，X²¹和X²²及/或X²³和X²⁴也可以借助碳—碳键、—O—或—S—来结合。X²⁵～X³⁶是氢原子、直链、分支或环状的碳原子数为1～20的烷基、直链、分支或环状的碳原子数为1～20的烷氧基、取代或无取代的碳原子数为6～30的芳基、取代或无取代的碳原子数为6～30的芳氧基、取代或无取代的碳原子数为6～30的芳基氨基、取代或无取代的碳数为1～30的烷基氨基、取代或无取代的碳数为7～30的芳基烷基氨基或取代或无取代的碳数为8～30的链烯基，也可以是相邻的取代基及X²⁵～X³⁶结合而形成环状构造。最好各式中的取代基X²⁵～X³⁶的至少一个含有胺或链烯基。]

(7)空穴输送层

本发明中，在有机发光介质层和空穴注入层之间可以设置空穴输送层。

空穴输送层优选以更低的电场强度将空穴向发光层输送的材料。即，空穴的迁移率在施加10⁴～10⁶V/cm的电场时，优选10^-4cm²/V·秒以上。

作为形成空穴输送层的材料，可以从在光传导材料中被作为空穴的电荷输送材料而惯用的材料、在EL元件的空穴输送层中所使用的公知的材料中选择任意的材料使用。

作为具体例，可以举出***衍生物(参照美国专利3,112,197号说明书等)、噁二唑衍生物(参照美国专利3,189,447号说明书等)、咪唑衍生物(参照特公昭37—16096号公报等)、多芳基烷烃衍生物(参照美国专利3,615,402号说明书、相同的第3,820,989号说明书、相同的第3,542,544号说明书、特公昭45—555号公报、相同的51—10983号公报、特开昭51—93224号公报、相同的55—17105号公报、相同的56—4148号公报、相同的55—108667号公报、相同的55—156953号公报、相同的56—36656号公报等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(参照美国专利第3,180,729号说明书、相同的第4,278,746号说明书、特开昭55—88064号公报、相同的55—88065号公报、相同的49—105537号公报、相同的55—51086号公报、相同的56—80051号公报、相同的56—88141号公报、相同的57—45545号公报、相同的54—112637号公报、相同的55—74546号公报等)、苯二胺衍生物(参照美国专利第3,615，404号说明书、特公昭51—10105号公报、相同的46—3712号公报、相同的47—25336号公报、特开昭54—53435号公报、相同的54—110536号公报、相同的54—119925号公报等)、芳基胺衍生物(参照美国专利第3，567,450号说明书、相同的第3,180,703号说明书、相同的第3,240，597号说明书、相同的第3,658,520号说明书、相同的第4,232,103号说明书、相同的第4,175,961号说明书、相同的第4,012,376号说明书、特公昭49—35702号公报、相同的39—27577号公报、特开昭55—144250号公报、相同的56—119132号公报、相同的56—22437号公报、西德专利第1,110,518号说明书等)、胺取代查耳酮衍生物(美国专利第3,526,501号说明书)、噁唑衍生物(美国专利第3,257,203号说明书等中所公布的物质)、苯乙烯基蒽衍生物(参照特开昭56—46234号公报等)、芴酮衍生物(参照特开昭54—110837号公报等)、腙衍生物(参照美国专利第3,717,462号说明书、特开昭54—59143号公报、相同的55—52063号公报、相同的55—52064号公报、相同的55—46760号公报、相同的55—85495号公报、相同的57—11350号公报、相同的57—148749号公报、特开平2—311591号公报等)、芪衍生物(参照特开昭61—210363号公报、相同的第61—228451号公报、相同的61—14642号公报、相同的61—72255号公报、相同的62—47646号公报、相同的62—36674号公报、相同的62—10652号公报、相同的62—30255号公报、相同的60—93455号公报、相同的60—94462号公报、相同的60—174749号公报、相同的60—175052号公报等)、硅氮烷衍生物(美国专利第4,950,950号说明书)、聚硅烷类(特开平2—204996号公报)、苯胺类共聚体(特开平2—282263号公报)、特开平1—211399号公报中所公布的导电性高分子低聚物(特别是噻吩低聚物)等。

空穴输送层可以将所述的化合物利用真空蒸镀法、旋转涂覆法、浇注法、LB法等公知的方法来形成。空穴输送层的膜厚没有特别限制，优选5nm～5μm，特别优选5～40nm。空穴输送层也可以由以所述的一种或两种以上形成的一层来构成。另外，也可以是层叠了由其他种类的化合物形成的空穴输送层的构成。

(8)空穴注入层

作为空穴注入层的材料虽然可以使用与空穴输送层相同的材料，然而优选使用卟啉化合物(特开昭63—2956965号公报等中公布的物质)、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物(参照美国专利第4,127,412号说明书、特开昭53—27033号公报、相同的54—58445号公报、相同的54—149634号公报、相同的54—64299号公报、相同的55—79450号公报、相同的55—144250号公报、相同的56—119132号公报、相同的61—295558号公报、相同的61—98353号公报、相同的63—295695号公报等)，特别优选使用芳香族叔胺化合物。

另外，还可以举出美国专利第5,061,569号中所记载的在分子内具有2个缩合芳香族环的，例如4，4’—双(N—(1—萘基)—N—苯基胺)联苯(以下简记为NPD)，以及特开平4—308688号公报中所记载的三苯基胺单元被以3个星爆(star burst)式型连结了的4，4’，4”—三(N—(3—甲基苯基)—N—苯基氨基)三苯基胺(以下简记为MTDATA)等。

另外，除了芳香族二次甲基类化合物以外，p型Si、p型SiC等无机化合物也可以作为空穴注入层的材料使用。另外，虽然有机半导体层也是空穴注入层的一部分，然而它是辅助向发光层中的空穴注入或电子注入的层，优选具有10^-10S/cm以上的导电率的材料。作为此种有机半导体层的材料，可以使用含噻吩低聚物或特开平8—193191号公报中所公布的含芳基胺低聚物等导电性低聚物、含芳基胺树枝状聚合物等导电性树枝状聚合物等。

空穴注入层可以将所述的化合物例如利用真空蒸镀法、旋转涂覆法、浇注法、LB法等公知的方法来形成。

空穴注入层也可以由以所述的一种或两种以上材料形成的一层来构成。另外，也可以是层叠了由与所述空穴注入层不同种类的化合物形成的空穴注入层的构成。

(9)电子输送层

本发明中，在阴极和有机发光介质层之间可以设置电子输送层。

电子输送层通常可以在数nm～数μm的膜厚中适当地选择，然而优选在施加10⁴～10⁶V/cm的电场时电子迁移率为10^-5cm²/Vs以上的。

作为电子输送层中所用的材料，优选8—羟基喹啉或其衍生物的金属络合物。

作为所述8—羟基喹啉或其衍生物的金属络合物的具体例，可以举出含有8—羟基喹啉(一般为8—quinolinol或8—hydroxy quinoline)的螯合物的金属螯合化合物(oxinoid)。

例如，可以将在发光材料一项中所记载的Alq作为电子注入层使用。

另一方面，作为噁二唑衍生物，可以举出以下述的式子表示的电子传递化合物。

[化8]

(式中，Ar⁵、Ar⁶、Ar⁷、Ar⁹、Ar¹⁰、Ar¹³分别表示取代或无取代的芳基，各自既可以相同，也可以不同。另外，Ar⁸、Ar¹¹、Ar¹²表示取代或无取代的亚芳基，各自既可以相同，也可以不同)

这里，作为芳基可以举出苯基、联苯基、蒽基、苝基、芘基。另外，作为亚芳基可以举出亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基等。另外，作为取代基可以举出碳数为1～10的烷基、碳数为1～10的烷氧基或氰基等。该电子传递化合物优选薄膜形成性的物质。

作为所述电子传递化合物的具体例，可以举出下述的物质。

[化9]

tBu表示t—丁基，Me表示甲基。

以下述式子表示的含氮多元环衍生物

[化10]

(式中，A¹～A³为氮原子或碳原子。

R是也可以具有取代基的碳数为6～60的芳基、也可以具有取代基的碳数为3～60的杂芳基、碳数为1～20的烷基、碳数为1～20的卤代烷基或碳数为1～20的烷氧基，n是0到5的整数，当n为2以上的整数时，多个R既可以相同，也可以不同。

另外，也可以在相邻的多个R基之间相互结合，形成取代或无取代的碳环式脂肪族环或者取代或无取代的碳环式芳香族环。

Ar¹⁴是也可以具有取代基的碳数为6～60的芳基或也可以具有取代基的碳数为3～60的杂芳基。

Ar¹⁵是氢原子、碳数为1～20的烷基、碳数为1～20的卤代烷基、碳数为1～20的烷氧基、也可以具有取代基的碳数为6～60的芳基或也可以具有取代基的碳数为3～60的杂芳基。

其中，Ar¹⁴、Ar¹⁵的任意一方是也可以具有取代基的碳数为10～60的缩合环基或也可以具有取代基的碳数为3～60的杂缩合环基。

L¹、L²分别为单键、也可以具有取代基的碳数为6～60的缩合环、也可以具有取代基的碳数为3～60的杂缩合环或也可以具有取代基的亚芴基。)

以下述式子表示的含氮多元环衍生物

HAr—L³—Ar¹⁶—Ar¹⁷

(式中，HAr是也可以具有取代基的碳数为3～40的含氮杂环，

L³是单键、也可以具有取代基的碳数为6～60的亚芳基、也可以具有取代基的碳数为3～60的杂亚芳基或也可以具有取代基的亚芴基，

Ar¹⁶是也可以具有取代基的碳数为6～60的2价的芳香族烃基，

Ar¹⁷是也可以具有取代基的碳数为6～60的芳基或也可以具有取代基的碳数为3～60的杂芳基。)

(10)电子注入层

本发明中，在阴极与电子注入层之间或阴极与发光层之间，可以设置由绝缘体或半导体构成的电子注入层。通过设置此种电子注入层，可以有效地防止电流的泄漏，实现电子注入性的提高。

作为绝缘体，优选将碱金属硫属化物、碱土类金属硫属化物、碱金属的卤化物及碱土类金属的卤化物、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化硅、氧化锗、氮化硅、氮化硼、氧化钼、氧化钌、氧化钒等金属化合物单独或组合使用。这些金属化合物中，从电子注入性的方面考虑，优选碱金属硫属化物或碱土类金属的硫属化物。作为优选的碱金属硫属化物，可以举出Li₂O、LiO、Na₂S、Na₂Se及NaO。作为优选的碱土类金属硫属化物，可以举出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。作为碱金属的卤化物，可以举出LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。作为碱土类金属的卤化物，可以举出CaF₂、BaF₂、SrF₂、MgF₂及BeF₂等氟化物、氟化物以外的卤化物。

作为构成电子注入层的半导体，可以举出含有选自由Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn构成的组中的至少一个元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的单独一种或两种以上的组合。

电子注入层优选微晶或非晶态。这是因为，为了形成均匀的薄膜，可以减少暗点等象素缺陷。

而且，也可以将2种以上的电子注入层层叠使用。

形成所述的发光层的各有机层的膜厚虽然没有特别限制，然而一般来说，由于当膜厚过薄时，则容易产生针孔等缺陷，相反，当过厚时，则需要很高的施加电压，效率变差，因此通常优选从数nm到1μm的范围。

(11)金属层/第二反射机构

第二反射机构优选使用可以将在有机发光层中产生的光反射·透过，并可以与所述的光反射电极一起形成光谐振器的金属。作为此种金属，可以举出Ag、Mg、Al、Au、Pt、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Nb、Li、Mn、Ca、Yb、Ti、Ir、Be、Hf、Eu、Sr、Ba、Cs、Na及K等金属或由这些金属构成的合金。在将该金属层作为与有机发光介质接触的阴极使用的情况下，从功函数低(例如在4.0eV以下)的观点考虑，在它们当中，更优选Al、Ag、Mg、Ce、Na、K、Cs、Li及它们的合金。金属层的膜厚优选设为2nm～100nm。如果小于2nm，则由于在作为阴极使用时电子注入性降低，因此元件的发光效率降低，或者透过率过高而无法获得足够的光谐振器效果，另外，在之后利用溅射等方法形成透明电极层的膜之际，有可能无法防止对位于其下部的有机发光介质层的损伤，从这样的观点考虑不够理想。当大于100nm时，则由于光线透过率降低，因此光的取出效率有可能降低。

作为透明电极，可以举出ITO、IZO、氧化锡、氧化锌等。为了将所发的光取出，透过率优选30％以上。

(12)滤色片

作为本发明中所用的滤色片，例如可以举出仅为下述的色素或将色素溶解或分散于粘合剂树脂中的固体状态的材料。

红色(R)色素：紫苏烯类颜料、色淀颜料、偶氮类颜料等。

绿色(G)色素：多卤素取代酞菁类颜料、多卤素取代铜酞菁类颜料、三苯甲烷类碱性颜料等。

蓝色(B)色素：铜酞菁类颜料、阴丹士林类颜料、靛酚类颜料、花青类颜料等。

另一方面，粘合剂树脂优选透明的(可见光透过率在50％以上)材料。例如，可以举出聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素等透明树脂(高分子)；或作为可以应用光刻法的感光性树脂的丙烯酸类、甲基丙烯酸类等具有反应性乙烯基的光硬化型抗蚀剂材料。另外，在使用印刷法的情况下，可以选择使用了聚氯乙烯树脂、密胺树脂、酚醛树脂等透明的树脂的印刷油墨(介质)。

在滤色片主要由色素构成的情况下，夹隔所需的滤色片图案的掩模而利用真空蒸镀或溅射法成膜，另一方面，在由色素和粘合剂树脂构成的情况下，将色素与所述树脂及抗蚀剂混合、分散或可溶化，利用旋转涂覆、辊涂、浇注法等方法制膜，利用光刻法以所需的滤色片图案进行图案处理，或用印刷等方法以所需的滤色片的图案进行图案处理是一般的方法。

各个滤色片的膜厚和透过率优选设为下述范围。R：膜厚为0.5～5.0μm(透过率在50％以上/610nm)，G：膜厚为0.5～5.0μm(透过率在50％以上/545nm)，B：膜厚为0.2～5.0μm(透过率在50％以上/460nm)。

另外，在本发明中，在提供呈现红、绿、蓝三原色发光的全色显示装置的情况下，为了实现对比度的提高，可以使用黑矩阵。

[实施例]

实施例：

1.有机EL元件基板的制作

(光反射性电极及光学膜厚调整层的形成)

在150mm×150mm×1.1mm的支撑基板(OA2玻璃：日本电玻璃公司制)上，利用溅射制成铝的膜，使之达到300nm的厚度。在其上利用旋转涂覆形成了正型抗蚀剂(HPR204：富士Orin制)的膜。接下来，将该抗蚀剂膜夹隔能够以20μm线宽形成条纹状的图案的光掩模用紫外线进行曝光。此后，用TMAH(四甲基铵羟化物)的显影液进行显影，在130℃下烘烤。利用由磷酸/硝酸/醋酸溶液构成的铝蚀刻剂，将露出的铝层部分蚀刻掉。其后，将抗蚀剂膜用以乙醇胺作为主成分的剥离液(N303：长濑产业制)处理，形成了80μm宽、20μm间隔的下部电极。

然后，在下部电极上，利用溅射制成ICO(氧化铟—氧化铈)的膜，使之达到20nm的厚度。在其上利用旋转涂覆形成了正型抗蚀剂(HPR204：富士Orin制)的膜。接下来，在夹隔能够以所需的20μm线宽形成条纹状的图案的光掩模而与下部电极的条纹图案对齐的同时，将该抗蚀剂膜用紫外线进行曝光。此后，用TMAH(四甲基铵羟化物)的显影液进行显影，在130℃下烘烤。利用由47％的氢溴酸构成的ICO蚀刻剂，将露出的部分的ICO蚀刻掉，形成了周期性地重复80μm宽、20μm间隔、80μm宽、120μm间隔这样的图案的ICO层。

然后，将该基板在230℃的加热炉中热处理30分钟，使ICO结晶化后，在ICO层上利用溅射形成IZO(含有10wt％氧化锌的氧化铟)的膜，使之达到20nm的厚度。在其上利用旋转涂覆形成了正型抗蚀剂(HPR204：富士Orin制)的膜。接下来，在与下部电极的条纹图案对齐的同时，夹隔能够以所需的20μm线宽形成条纹状的图案的光掩模，将该抗蚀剂膜用紫外线进行曝光。此后，用TMAH(四甲基铵羟化物)的显影液进行显影，在130℃下烘烤。利用由3.5％的草酸水溶液构成的IZO蚀刻剂，将露出的部分的IZO蚀刻掉，形成了周期性地重复80μm宽、220μm间隔这样的图案的IZO层。

然后，作为层间绝缘膜，旋转涂覆负型抗蚀剂(V259BK：新日铁化学公司制)，进行紫外线曝光，用TMAH(四甲基铵羟化物)的显影液进行了显影。然后，在200℃下烘烤，形成了将铝下部电极的边缘覆盖了的(开口部为70μm×270μm)有机膜的层间绝缘膜。

使用显微分光测定装置，测定了铝露出的部分对垂直入射光的垂直方向的反射率，波长400nm～700nm的范围的平均值为91.8％这样的超过65％的值。将所测定的反射率表示于图4中。

(三波长型有机EL发光部的形成)

在将所述的基板在异丙醇中进行了5分钟超声波清洗后，进行了30分钟UV臭氧清洗。将清洗后的带有下部电极的基板安装于真空蒸镀装置的基板夹具上。而且，预先在各个钼制的加热舟中，作为空穴注入材料，装入了下述化合物(HI)(以下简记为「HI膜」)，作为空穴输送材料，装入了下述化合物(HT)(以下简记为「HT膜」)，作为发光材料的主相，装入了下述化合物(BH)，作为蓝色发光掺杂剂，装入了下述化合物(BD)，作为绿色发光掺杂剂，装入了下述化合物(GD)，作为红色发光掺杂剂，装入了下述化合物(RD)，作为电子输送材料，装入了三(8—羟基喹啉)铝(Alq)，作为电子注入材料，装入了LiF，作为阴极材料，装入了Mg及Ag，另外，作为空穴注入辅助材料及阴极的取出电极，将IZO靶安装于别的溅射槽中。

首先，覆盖所述基板地作为空穴注入辅助层溅射了1nm的IZO。然后，以25nm的膜厚蒸镀了作为空穴注入层发挥作用的HI膜。在HI膜的成膜之后，以10nm的膜厚蒸镀了作为空穴输送层发挥作用的HT膜。在HT膜的成膜之后，作为蓝色发光层，以10nm的膜厚共蒸镀了化合物BH和化合物BD，使之达到10：0.5的膜厚比。然后，作为绿色发光层，以10nm的膜厚共蒸镀了化合物BH和化合物GD，使之达到10：0.8的膜厚比。继而，作为红色发光层，以20nm的膜厚共蒸镀了化合物BH和化合物RD，使之达到20：0.5的膜厚比。在该膜上，作为电子输送层，以10nm的膜厚蒸镀了Alq膜。其后，作为电子注入层，以1nm的膜厚蒸镀了LiF，在该膜上，作为阴极(金属层)，将成膜速度比设为1：9而蒸镀了10nm的Ag和Mg。继而，作为上部透明电极，溅射形成了90nm的IZO的膜。

[化11]

(固体密封膜的形成)

然后，覆盖有机EL发光部整体地，作为密封层，在有机EL元件的上部电极上，利用低温CVD以300nm的厚度形成了作为透明无机膜的SiO_xN_y(O/O+N＝50％：Atomic ratio)。

2.滤色片基板的制作

(遮光层的形成)

在112mm×143mm×1.1mm的支撑基板(OA2玻璃：日本电玻璃公司制)上，形成了遮光层图案。这里，作为遮光层，利用溅射依次层叠了50nm的氧化铬、300nm的铬。

然后，在遮光层上，利用旋转涂覆形成了正型抗蚀剂(HPR204：富士orin制)。接下来，将该抗蚀剂膜夹隔光掩模用紫外线曝光。此后，利用TMAH(四甲基铵羟化物)的显影液显影，在130℃下烘烤。然后，利用由硝酸铈铵/高氯酸水溶液构成的铬蚀刻剂，将露出的铬层及氧化铬层部分蚀刻掉。接下来，用以乙醇胺为主成分的剥离液(N303：长濑产业制)将抗蚀剂除去，得到了开口部为70μm×270μm的30μm宽的格子状的遮光层图案。

(滤色片层的形成)

作为蓝色用(B)的滤色片层图案的材料，在支撑基板上旋转涂覆V259(新日铁化学公司制)而成膜。接下来，夹隔长方形(90μm×290μm)的色排列为条纹状而可以获得76800个点状的图案的光掩模，与遮光层对齐地用紫外线进行了曝光。此后，在用2％碳酸钠水溶液显影后，在200℃下烘烤，形成了蓝色用的滤色片层图案(膜厚1.5μm)。

然后，作为绿色用(G)的滤色片层图案的材料，旋转涂覆颜料类绿色滤色片材料(CG—8510L：富士フィルムア—チ制)，将在蓝色用中所用的光掩模，从蓝色用的滤色片层图案的位置起以100μm间距相对于条纹状色排列沿垂直方向错开，夹隔该光掩模而用紫外线曝光。其后，在200℃下烘烤，形成了绿色滤色片层图案(膜厚1.0μm)。

然后，作为红色用(R)的滤色片层图案的材料，旋转涂覆颜料类红色滤色片材料(CRY—S840B：富士フイルムア—チ制)，将在蓝色用中所用的光掩模，从蓝色用的滤色片层图案的位置起以200μm间距相对于条纹状色排列沿垂直方向错开，夹隔该光掩模而用紫外线曝光。其后，在200℃下烘烤，得到了红色滤色片层图案(膜厚1.2μm)基板。

3.有机EL元件基板与滤色片基板的贴合

在滤色片基板上使用旋转涂覆机涂布液状硅胶(XE14—128：东芝silicon公司制)，在其上，与对位标记对齐地贴合了所述有机EL元件基板。

4.有机EL显示装置的特性评价

(蓝色性能)

在与蓝色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了蓝色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为45nit，色度为(0.135，0.078)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为1.78cd/A。

(绿色性能)

在与绿色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了绿色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为331nit，色度为(0.224，0.639)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为13.2cd/A。

(红色性能)

在与红色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了红色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为83nit，色度为(0.629，0.370)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为3.34cd/A。

(全面点亮)

在全部的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了白色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)后，亮度为459nit，色度为(0.255，0.350)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为6.11cd/A，是非常高的效率。尽管相对于如后所述作为下部电极使用了Cr的比较例中的反射率56％，本实施例中的反射率为91％这样的1.6倍的值，然而作为效率却可以得到4倍以上的值。另外，由蓝色色度、绿色色度、红色色度计算的NTSC(National TelevisionStandards Committee)比显示出79.3％这样的良好的值。

(对比度的评价)

在1000勒克斯的荧光灯照明下，测定了非点亮状态的画面亮度，为5.8nit。由全面点亮时的亮度459nit和非点亮时的亮度5.8nit这样的值算出了对比度后，为79，尽管使用了反射性高的下部电极，但是意想不到地得到了实用的对比度。

比较例：

除了作为下部电极取代铝而设为铬以外，制作了与实施例相同的构成的有机EL显示装置。作为在形成电极图案时所使用的铬蚀刻剂，使用了硝酸铈铵/高氯酸水溶液(HCE：长濑产业制)。

使用显微分光测定装置，测定了铬所露出的部分的反射率后，波长400nm～700nm的平均值为56％这样的小于65％的值。将所测定的反射率表示于图4中。

在与蓝色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了蓝色的光。在利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为19nit，色度为(0.134，0.090)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为0.76cd/A。

(绿色性能)

在与绿色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了绿色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为135nit，色度为(0.236，0.612)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为5.41cd/A。

(红色性能)

在与红色滤色片对应的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了红色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)测定后，亮度为38nit，色度为(0.630，0.368)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为1.51cd/A。

(全面点亮)

在全部的下部电极和上部透明电极之间，施加了7.2V的直流电压后，发出了白色的光。利用分光放射亮度仪CS—1000(MINOLTA制)后，亮度为192nit，色度为(0.271，0.359)。测定了在两电极间流过的电流值，算出了发光效率后，为2.56cd/A，与实施例相比是一半以下的值。NTSC比为72.9％，与实施例相比较差。

(对比度的评价)

在1000勒克斯的荧光灯照明下，测定了非点亮状态的画面亮度，为1.4nit。由全面点亮时的亮度192nit和非点亮时的亮度1.4nit这样的值算出了对比度后，为138。

将实施例及比较例的评价结果表示于表及图5～8中。图5是表示实施例(Al电极)和比较例(Cr电极)的蓝象素的发光光谱的图。图6是表示实施例(Al电极)和比较例(Cr电极)的绿象素的发光光谱的图。图7是表示实施例(Al电极)和比较例(Cr电极)的红象素的发光光谱的图。

产业上的利用可能性

本发明的有机EL显示装置可以用于民用TV、大型显示器、携带电话用显示画面等各种显示装置中。

Claims

1.一种有机电致发光显示装置，具有：

依次将基板、第一有机电致发光元件及使所述第一有机电致发光元件所发出的第一颜色的光透过的第一滤色片沿光取出方向设置的第一象素、

依次将基板、第二有机电致发光元件及使所述第二有机电致发光元件所发出的第二颜色的光透过的第二滤色片沿光取出方向设置的第二象素、

依次将基板、第三有机电致发光元件及使所述第三有机电致发光元件所发出的第三颜色的光透过的第三滤色片沿光取出方向设置的第三象素，

所述第一有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有光反射性电极和金属层，并且在所述光反射性电极及金属层之间，具有有机发光介质层，光反射性电极和金属层之间的光学距离被设定为选择第一颜色的光，

所述第二有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有光反射性电极和金属层，并且在所述光反射性电极及金属层之间，具有有机发光介质层，光反射性电极和金属层之间的光学距离被设定为选择第二颜色的光，

所述第三有机电致发光元件至少沿光取出方向依次保有光反射性电极和金属层，并且在所述光反射性电极及金属层之间，具有有机发光介质层，光反射性电极和金属层之间的光学距离被设定为选择第三颜色的光，

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述光反射性电极，包含Au、Ag、Cu、Mg、Al、Ni或Pd的单体金属，或这些的合金，

所述金属层，包含Ag、Mg、Al、Au、Pt、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Nb、Li、Mn、Ca、Yb、Ti、Ir、Be、Hf、Eu、Sr、Ba、Cs、Na或K金属，或这些的合金。

3.一种有机电致发光显示装置，具有：

4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有发出第一颜色的光的第一发光材料、发出第二颜色的光的第二发光材料及发出第三颜色的光的第三发光材料。

5.根据权利要求3所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一光学膜厚调整层由第一无机化合物层构成，所述第二光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层及第二无机化合物层构成。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示装置，其中，

在所述第一无机化合物层中，选择比所述光反射导电层更容易被弱酸蚀刻的材料，在所述第二无机化合物层中，选择比所述第一无机化合物层更容易被弱酸蚀刻的材料。

7.一种有机电致发光显示装置，具有：

8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有发出第一颜色的光的第一发光材料、发出第二颜色的光的第二发光材料及发出第三颜色的光的第三发光材料。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一光学膜厚调整层由第一无机化合物层构成，所述第二光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层及第二无机化合物层构成，所述第三光学膜厚调整层由所述第一无机化合物层、所述第二无机化合物层及第三无机化合物层构成。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光显示装置，其中，

在所述第一无机化合物层中，选择比所述光反射导电层更容易被弱酸蚀刻的材料，在所述第二无机化合物层中，选择比所述第一无机化合物层更容易被弱酸蚀刻的材料，在所述第三无机化合物层中，选择比所述第二无机化合物层更容易被弱酸蚀刻的材料。

11.根据权利要求1、3或7所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层含有下述层叠体，所述层叠体是将含有主相材料和蓝色系掺杂剂的蓝色系发光层、含有与蓝色系发光层相同的主相材料和绿色系掺杂剂的绿色系发光层、以及含有与蓝色系发光层相同的主相材料和橙～红色系掺杂剂的橙～红色系发光层层叠而成。

12.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质层中所用的主相材料为非对称蒽类化合物。

13.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质中所用的蓝色系掺杂剂是选自苯乙烯胺、胺取代苯乙烯基化合物、含胺取代缩合芳香族环化合物及含缩合芳香族环化合物中的至少一种化合物。

14.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光介质中所用的橙～红色系掺杂剂是选自具有多个荧蒽骨架的化合物中的至少一种化合物。

15.根据权利要求3或7所述的有机电致发光显示装置，其中，

所述金属层，包含Ag、Mg、Al、Au、Pt、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Nb、Li、Mn、Ca、Yb、Ti、Ir、Be、Hf、Eu、Sr、Ba、Cs、Na或K金属，或这些的合金。所述透明电极层，包含ITO、IZO、氧化锡或氧化锌。