CN100504559C - 用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法。该用于液晶显示器件的基板包括：所述基板上的沿第一方向的选通线；沿第二方向并与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；所述基板上的、电连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；所述像素区中的、连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及所述像素区中的公共电极，其中所述数据线与位于所述数据线的第一侧的所述公共电极和像素电极之间的第一电容基本上等于所述数据线与位于所述数据线的第二侧的所述公共电极和像素电极之间的第二电容。

Description

用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及平板显示器件，更具体地涉及一种面内切换(“IPS”)型液晶显示器件及其制造方法。虽然本发明的实施例适合广泛的应用，但是特别适合于增强用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法的可靠性。
背景技术
液晶显示(“LCD”)器件是基于液晶材料的电-光特性来驱动的。液晶材料具有固态晶体与各向同性液体之间的中间状态。液晶材料是类似各向同性液体的流体，并且液晶材料的分子类似固态晶体规则地排列。液晶分子的配向方向取决于施加给液晶分子的电场的强度或方向。光沿着液晶分子的配向方向穿过LCD器件。通过控制电场的强度或方向，液晶分子的配向方向发生变化，并且生成图像。
有源矩阵液晶显示(“AMLCD”)器件包括作为多个像素的开关元件的薄膜晶体管，并且由于其高分辨率和显示快速运动图像的能力而被广泛使用。通常，LCD器件包括两个基板，它们彼此间隔开并且面对，两个基板之间插设有液晶层。每个基板都包括一电极，该电极面对另一个基板上的另一个电极。通过向各个电极施加电压而在电极之间产生电场。液晶分子的配向方向根据电场的强度或方向的变化而改变。由于电场施加给位于相对基板上的电极，所以电场的方向与基板垂直。
具有与其基板垂直的电场的LCD器件具有相对高的透光率和大的孔径比。然而，这种LCD器件的视角较窄。为了增大视角，已经提出了各种类型的LCD器件，例如面内切换(“IPS”)型LCD器件。
图1是表示根据现有技术的IPS型LCD器件的示意性剖视图。在图1中，根据现有技术的IPS型LCD器件包括下基板10和上基板40，并且下基板10和上基板40之间插设有液晶层LC。下基板10上的每个像素P处都形成有薄膜晶体管T、公共电极18和像素电极30。薄膜晶体管T包括栅极14、半导体层22以及源极24和漏极26。半导体层22设置在栅极14上方，其间具有栅绝缘层20。源极24和漏极26形成在半导体层22上并且彼此间隔开。
公共电极18包括多个部分，像素电极30包括多个部分。公共电极18的这些部分和像素电极30的这些部分在下基板10上彼此平行并且间隔开。公共电极18可以由与栅极14相同的材料形成并且与其形成在同一层中。像素电极30可以由与源极24和漏极26相同的材料形成并且与它们形成在同一层中。虽然在图中未示出，但是沿着像素P的第一侧形成有选通线，沿着与像素P的第一侧垂直的第二侧形成有数据线。下基板10上还形成有公共线。公共线向公共电极18提供电压。
上基板40的内表面上形成有黑底42和滤色器层44。黑底42设置在选通线、数据线和薄膜晶体管T的上方。滤色器层44设置在像素P处。此外，由公共电极18与像素电极30之间感应出的水平电场35来驱动液晶层LC的液晶分子。包括薄膜晶体管T、公共电极18和像素电极30的下基板10可被称为阵列基板。包括黑底42和滤色器层44的上基板40可被称为滤色器基板。
图2是表示根据现有技术的用于IPS型LCD器件的阵列基板的像素区的示意性平面图。在图2中，基板10上形成有选通线12，数据线28与选通线12交叉以限定像素区P。公共电极16与选通线12平行并且间隔开。公共电极16延伸跨过像素区P。在选通线12与数据线28的交叉点处形成有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括栅极14、半导体层22以及源极24和漏极26。栅极14连接到选通线12。半导体层22设置在栅极14上方。源极24和漏极26设置在半导体层22上并且彼此间隔开。
公共电极18从公共线16延伸，并形成在像素区P中。公共电极18包括多个部分，这些部分彼此平行并且间隔开。像素区P中形成有像素电极30。像素电极30包括多个部分，这些部分与公共电极18的那些部分平行并且交替。
具有上述结构的阵列基板的IPS型LCD器件在相对于该器件的左-右方向上视角相对较宽，但在相对于该器件的上-下方向或对角方向上视角仍较窄。为了增大上-下或对角方向上的视角，已经提出了另一种结构。
图3是表示根据现有技术的另一种用于IPS型LCD器件的阵列基板的相邻像素区的示意性平面图，图4是表示图3所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的示意性剖视图。在图3中，沿着基板50上的第一方向形成有选通线52。沿着第二方向形成有数据线66。数据线66与选通线52交叉以限定像素区P。选通线52与数据线66的交叉点处形成有薄膜晶体管T。像素区P中形成有公共电极56和像素电极72。
薄膜晶体管T包括栅极54、有源层60、源极62和漏极64。栅极54连接到选通线52。有源层60形成在栅极54上方，其间具有栅绝缘层(未示出)。源极62和漏极64在有源层60上方彼此间隔开。源极62连接到数据线66。
公共电极56由与选通线52相同的材料形成，并且与其形成在同一层中。栅绝缘层(未示出)和钝化层(未示出)形成在公共电极56和像素电极72之间，以防止像素电极72接触公共电极56。像素电极72由透明导电材料形成，以增加孔径比。像素电极72可以由与源极62和漏极64相同的材料形成，并且与它们形成在同一层中。
公共电极56包括水平部分56a、第一垂直部分56b和第二垂直部分56c。水平部分56a沿着第一方向形成并且彼此间隔开。第一垂直部分56b与水平部分56a的一端相连，第二垂直部分56c与到水平部分56a的另一端相连。像素电极72包括水平部分72a、第一垂直部分72b和第二垂直部分72c。水平部分72a沿着第一方向形成，并且与水平部分56a交替。第一垂直部分72b与水平部分72a的一端相连，第二垂直部分72c与水平部分72a的另一端相连。
由于公共电极56和像素电极72沿着第一方向排列，即，大体水平地排列，所以视角在上-下方向上增大。如果公共电极56和像素电极72以相对于第一方向的预定角度倾斜，则视角可在对角方向上增大。
然而，公共电极56和像素电极72形成在不同层中，并且公共电极56和像素电极72可能会在各自的工艺中失准(misalign)。这种失准降低了器件的图像质量。如图4所示，公共电极的水平部分56a形成在基板50上。栅绝缘层58和钝化层68顺序地形成在公共电极的水平部分56a上。像素电极的水平部分72a形成在钝化层68上。各个水平部分72a设置在相邻的水平部分56a之间。
在通过掩模工艺对水平部分56a进行构图之后，通过另一掩模工艺对像素电极的水平部分72a进行构图。每个掩模工艺都包括曝光步骤。基板被反复地曝光，并且由于掩模与基板相比相对很小，所以基板要相对于掩模进行移动。因此，在曝光步骤中，掩模可能与基板失准。
因此，在第一区域NA中可能不会存在失准。然而，当为了形成像素电极而对第二区域ANA进行曝光时，掩模可能会与基板50失准。因此，第一区域NA中的公共电极和像素电极之间的距离L1不等于公共电极和像素电极之间的距离L2。因此，所显示图像的质量在某些区域中不均匀。而且，由于公共电极由不透明材料形成，所以器件的亮度相对较低。
发明内容
因此，本发明的实施例旨在提供一种面内切换型液晶显示器件及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的局限性和缺点而产生的一个或更多个问题。
本发明实施例的一个目的是提供一种所显示图像具有均匀质量的面内切换(“IPS”)型液晶显示器件及其制造方法。
本发明实施例的另一个目的是提供一种具有高亮度的面内切换(“IPS”)型液晶显示器件及其制造方法。
本发明实施例的另一个目的是提供一种可防止所显示图像中的闪烁或垂直线缺陷的面内切换(“IPS”)型液晶显示器件及其制造方法。
本发明实施例的另一个目的是提供一种增大了上-下方向上的视角的面内切换(“IPS”)型液晶显示器件及其制造方法。
本发明的其他优点、目的以及特征的一部分将在随后的说明中进行阐述，而一部分在阅读下面的内容后会变得清楚，或者可以通过实施本发明的实施例而获知。本发明的上述目的和其他优点可以由说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现并获得。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的本发明的目的，提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板，该阵列基板包括：基板；所述基板上的沿第一方向的选通线；所述基板上的沿第二方向的数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区具有彼此相对的第一侧和第二侧以及沿所述第二方向的第一区域和第二区域；所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电连接到所述选通线和数据线；所述基板上的、电连接到所述薄膜晶体管的像素电极，所述像素电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述第一垂直部分位于所述第一区域内的第一侧，所述第二垂直部分位于所述第二区域内的第二侧；以及所述基板上的公共电极，所述公共电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述第一垂直部分位于所述第二区域内的第一侧，所述第二垂直部分位于所述第一区域内的第二侧。
另一方面，本发明提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板，该阵列基板包括：基板；所述基板上的沿第一方向的选通线；所述基板上的沿第二方向的数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，每个像素区都具有沿所述第二方向的第一区域和第二区域；所述基板上的位于所述选通线和所述数据线的各交叉点处的薄膜晶体管；所述基板上的位于所述各个像素区中的像素电极，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管，并且包括第一垂直部分和第二垂直部分；以及所述基板上的位于所述各个像素区中的公共电极，所述公共电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述像素电极的所述第一垂直部分和所述公共电极的所述第一垂直部分位于所述数据线中每一条的第一侧，所述像素电极的所述第二垂直部分和所述公共电极的所述第二垂直部分位于所述数据线中的每一条的第二侧。
另一方面，本发明提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板，该阵列基板包括：基板；所述基板上的沿第一方向的选通线；沿第二方向并与所述选通线交叉以限定像素区的数据线；所述基板上的、电连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管；所述像素区中的、连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及所述像素区中的公共电极，其中所述数据线与位于所述数据线的第一侧的所述公共电极和像素电极之间的第一电容基本上等于所述数据线与位于所述数据线的第二侧的所述公共电极和像素电极之间的第二电容。
另一方面，本发明提供了一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，该方法包括：在基板上沿第一方向形成选通线；沿第二方向形成数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区具有彼此相对的第一侧和第二侧以及沿着所述第二方向的第一区域和第二区域；形成与所述选通线和所述数据线电连接的薄膜晶体管；在所述基板上所述第一区域内的第一侧形成像素电极的第一垂直部分；在所述基板上所述第二区域内的第二侧形成像素电极的第二垂直部分，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；在所述基板上所述第二区域内的第一侧形成公共电极的第一垂直部分；以及在所述基板上所述第一区域内的第二侧形成公共电极的第二垂直部分。
另一方面，本发明提供了一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，该方法包括：在基板上形成选通线、栅极和公共线，所述选通线和所述公共线沿第一方向延伸；在所述选通线、所述栅极和所述公共线上形成栅绝缘层；在所述栅极上方的所述栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线沿第二方向延伸并且与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区包括沿所述第二方向的第一区域和第二区域；形成覆盖所述数据线、所述源极和所述漏极的钝化层，所述钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述漏极，所述第二接触孔暴露所述公共线；以及在所述钝化层上所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述公共电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，其中所述像素电极的所述第一垂直部分和所述公共电极的所述第一垂直部分形成在所述数据线的第一侧，所述像素电极的所述第二垂直部分和所述公共电极的所述第二垂直部分形成在所述数据线的第二侧。
应当理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对权利要求所要保护的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的用于提供对本发明实施例的进一步理解并被结合且构成本说明书一部分的附图，示出了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明实施例的原理。附图中：
图1是表示根据现有技术的IPS型LCD器件的示意性剖视图；
图2是表示根据现有技术的用于IPS型LCD器件的阵列基板的像素区的示意性平面图；
图3是表示根据现有技术的用于IPS型LCD器件的另一阵列基板的相邻像素区的示意性平面图；
图4是表示图3所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的示意性剖视图；
图5是表示根据本发明实施例的用于IPS型LCD器件的阵列基板的相邻像素区的示意性平面图；
图6是表示沿着图5所示的线VI-VI截取的该阵列基板的示意性剖视图；
图7是表示根据本发明另一实施例的用于IPS型LCD器件的阵列基板的示意性平面图；
图8是表示图7所示的阵列基板中的寄生电容的示意性平面图；
图9A至9D是表示根据本发明实施例的制造如图7所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的方法的沿线IX-IX的示意性剖视图；以及
图10A至10D是表示根据本发明另一实施例的制造如图8所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的方法的沿线X-X的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。
图5是表示根据本发明实施例的用于IPS型LCD器件的阵列基板的相邻像素区的示意性平面图，而图6是表示沿图5所示的线VI-VI截取的该阵列基板的示意性剖视图。在图5中，阵列基板包括沿第一方向形成在基板100上的选通线102和沿与第一方向交叉的第二方向形成在基板100上的数据线118。选通线102和数据线118彼此交叉，以限定像素区P。选通线102和数据线118的各个交叉点处都形成有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T连接到选通线102和数据线118。薄膜晶体管T包括栅极104、有源层110、源极114和漏极116。
另外，基板100上形成有公共线106。公共线106可以与选通线102形成在同一层中。另外，公共线106可以包括沿各个像素区P的周界的环形(loop)部分，该环形部分可以是与各个像素区P的形状相对应的大致矩形。相邻像素区P的环形部分沿第一方向彼此连接。虽然未示出，但公共线106可以为非矩形的形状。
此外，各个像素区P中都形成有公共电极128和像素电极126。公共电极128通过接触孔电连接到公共线106，像素电极126通过源接触孔电连接到漏极116。因此，可以通过公共线106将公共信号施加给公共电极128，并且可以通过薄膜晶体管T的漏极116将图像信号施加给像素电极126。
公共电极128包括垂直部分128a和水平部分128b。公共电极的垂直部分128a沿第二方向设置在像素区P的第一侧，而公共电极的水平部分128b沿第一方向从垂直部分128a延伸。像素电极126也包括垂直部分126a和水平部分126b。像素电极的垂直部分126a沿第二方向设置在像素区P的第二侧，而像素电极的水平部分126b沿第一方向从垂直部分126a延伸。像素区P的第二侧与像素区P的第一侧直接相对，像素电极的水平部分126b可以沿第二方向与公共电极的水平部分128b交替。
像素电极126和公共电极128可形成在同一层中。因此，虽然用于形成像素电极126和公共电极128的掩模可能与基板100失准，但像素电极的水平部分126b与公共电极的水平部分128b之间的距离保持一致。而且，像素电极126和公共电极128可以由透明导电材料形成。因此，孔径比增大，从而器件的亮度提高。
在公共电极128和像素电极126由透明导电材料形成并且形成在同一层中的情况下，公共电极128和像素电极126被布置为彼此不交叠，由此避免了它们之间的短路。例如，公共电极的垂直部分128a设置在像素区P的第一侧，而像素电极的垂直部分126a设置在像素区P的第二侧，公共电极的水平部分128b和像素电极的水平部分126b交替并且彼此间隔开。因此，公共电极128和像素电极126彼此不交叠。
在公共电极128布置在数据线118的一侧而像素电极126布置在数据线118的另一侧的情况下，数据线118与公共电极128之间的电容和数据线118与像素电极126之间的电容可能不同。因此，可能出现闪烁或者可能在所显示图像中表现出垂直线缺陷。
如图6所示，公共线106形成在基板100上并且包括各个像素区P中的一部分。虽然图中未示出，但是公共线106的这些部分彼此连接。公共线106上形成有栅绝缘层108。在栅绝缘层108上的相邻像素区P之间形成有数据线118。数据线118设置在公共线106的所述部分之间。
数据线118上形成有钝化层124。钝化层124上形成有公共电极128和像素电极126。公共电极128包括垂直部分128a，像素电极126包括垂直部分126a。像素电极的垂直部分126a设置在数据线118的一侧，而公共电极的垂直部分128a设置在数据线118的另一侧。像素电极的垂直部分126a和公共电极的垂直部分128a分别与公共线106的不同部分相交叠。
数据线118与像素电极的垂直部分126a之间存在寄生电容C1，数据线118与公共电极的垂直部分128a之间存在寄生电容C2。由于提供到公共电极128和像素电极126的信号通常彼此不同，所以寄生电容C1和C2不相等。寄生电容C1和C2的差别影响了像素并导致闪烁或垂直线缺陷。因此，图像不一致，图像质量下降。
图7是表示根据本发明另一实施例的用于IPS型LCD器件的阵列基板的示意性平面图。在图7中，阵列基板包括沿第一方向形成在基板200上的选通线202和沿与第一方向交叉的第二方向形成在基板200上的数据线218。选通线202和数据线218彼此交叉以限定像素区P。在选通线202和数据线218的各个交叉点处都形成有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T连接到选通线202和数据线218。薄膜晶体管T包括栅极204、有源层210、源极214和漏极216。
另外，基板200上形成有公共线206。公共线206可以与选通线202形成在同一层中。另外，公共线206可以包括沿各个像素区P的周界的环形部分，该环形部分可以是与各个像素区P的形状相对应的大致矩形。相邻像素区P的环形部分沿第一方向彼此连接。尽管未示出，但公共线206可以为非矩形的形状。公共线206以最小距离靠近数据线218。
此外，各个像素区P中都形成有公共电极226和像素电极224。公共电极226通过接触孔电连接到公共线206，像素电极224通过源接触孔电连接到漏极216。因而，可以通过公共线206将公共信号施加到公共电极226，并且可以通过薄膜晶体管T的漏极216将图像信号施加到像素电极224。像素电极224和公共电极226形成在同一层中，并由透明导电材料形成。
而且，公共电极226包括第一垂直部分226a、第一水平部分226b、第二垂直部分226c和第二水平部分226d。像素电极224包括第一垂直部分224a、第一水平部分224b、第二垂直部分224c和第二水平部分224d。公共电极的第一垂直部分226a和第一水平部分226b，以及像素电极的第二垂直部分224c和第二水平部分224d可以设置在该图情况下像素区P的上部区域中。公共电极的第二垂直部分226c和第二水平部分226d，以及像素电极的第一垂直部分224a和第一水平部分224b可以设置在该图情况下像素区P的下部区域中。
公共电极的第一垂直部分226a沿第二方向设置在像素区P的第一侧，公共电极的第一水平部分226b沿第一方向从公共电极的第一垂直部分226a延伸。公共电极的第二垂直部分226c沿第二方向设置在像素区P的第二侧(与像素区P的第一侧相对)，公共电极的第二水平部分226d沿第一方向从公共电极的第二垂直部分226c延伸。
另外，像素电极的第一垂直部分224a设置在像素区P的第一侧，像素电极的第一水平部分224b沿第一方向从像素电极的第一垂直部分224a延伸。像素电极的第二垂直部分224c设置在像素区P的第二侧，像素电极的第二水平部分224d沿第一方向从像素电极的第二垂直部分224c延伸。公共电极的第一水平部分226b与像素电极的第二水平部分224d交替，公共电极的第二水平部分226d与像素电极的第一水平部分224b交替。
公共线206可以与公共电极的第一垂直部分226a和第二垂直部分226c、像素电极的第一垂直部分224a和第二垂直部分224c交叠，以及像素电极的第一水平部分224b和第二水平部分224d中相对靠外的水平部分相交叠。公共电极的第一垂直部分226a和第二垂直部分226c通过接触孔与公共线206接触。公共电极的第一垂直部分226a和第二垂直部分226c以及公共电极的第一水平部分226b和第二水平部分226d从公共线206接收相同的信号。像素电极的第一水平部分224b和第二水平部分224d具有至少一个共有的部分。像素电极的第一垂直部分224a和第二垂直部分224c以及像素电极的第一水平部分224b和第二水平部分224d通过漏接触孔从漏极218接收相同的信号。
公共电极的第一垂直部分226a和像素电极的第一垂直部分224a沿第二方向依次设置在数据线218的一侧。像素电极的第二垂直部分224c和公共电极的第二垂直部分226c沿第二方向依次设置在数据线218的另一侧。因此，寄生电容在数据线218的两侧相等。
图8是表示图7所示的阵列基板中的寄生电容的示意性平面图。在图8中，数据线218沿第一方向设置在相邻像素区P之间。像素电极的第二垂直部分224c和公共电极的第二垂直部分226c可以沿该图情况下的第二方向依次设置在数据线218的左侧。公共电极的第一垂直部分226a和像素电极的第一垂直部分224a可以沿该图情况下的第二方向依次设置在数据线218的右侧。
因此，在与数据线218的左上侧相对应的第一区域A处，数据线218与像素电极的第二垂直部分224c之间存在第一寄生电容。另外，在与数据线218的左下侧相对应的第二区域B处，数据线218与公共电极的第二垂直部分226c之间存在第二寄生电容。此外，在与数据线218的右上侧相对应的第三区域C处，数据线218与公共电极的第一垂直部分226a之间存在第三寄生电容。此外，在与数据线218的右下侧相对应的第四区域D处，数据线218与像素电极的第一垂直部分224a之间存在第四寄生电容。第一区域A和第二区域B处的第一寄生电容和第二寄生电容的和等于第三区域C和第四区域D处的第三寄生电容和第四寄生电容的和。因此，由于寄生电容在数据线两侧相同，所以防止了闪烁或垂直线缺陷。
图9A至9D是表示根据本发明实施例的制造图7所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的方法的沿线IX-IX的示意性剖视图，图10A至10D是表示根据本发明另一实施例的制造图8所示的用于IPS型LCD器件的阵列基板的方法的沿线X-X的示意性剖视图。如图9A和10A所示，在其上限定有像素区P和开关区S的基板200上形成选通线202和栅极204。每个像素区P都可以与一个开关区S相交叠。尽管未示出，但形成有沿第一方向延伸的选通线202，栅极204连接到选通线202。还在基板200上形成公共线206。公共线206包括沿各个像素区P的***的部分。相邻像素区P的公共线206的这些部分彼此连接。
可以通过淀积无机绝缘材料在包括选通线202、栅极204和公共线206的基板200的整个表面上形成栅绝缘层208。栅绝缘层208可以包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)之一。另外，通过基本上在包括栅绝缘层208的基板200的整个表面上淀积本征非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(例如，n+a-Si:H)并对淀积的硅进行构图，在栅极204上方的栅绝缘层208上形成有源层210和欧姆接触层212。
如图9B和10B所示，通过基本上在包括有源层210和欧姆接触层212的基板200的整个表面上淀积导电材料并随后对淀积的导电材料进行构图，在欧姆接触层212上形成源极214和漏极216。源极214和漏极216彼此间隔开。可以与源极214和漏极216同时形成数据线218。数据线218连接到源极214。尽管图中未示出，但数据线218形成为沿第二方向延伸，并与选通线202交叉以限定像素区P。所述导电材料可以包括由以下材料组成的导电金属组中的一种或更多种：铝(Al)、诸如铝钕合金(AlNd)的铝合金、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)以及钼钨合金(MoW)。随后，去除欧姆接触层212位于源极214与漏极216之间的一部分，由此露出有源层210。
如图9C和10C所示，通过淀积从包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的无机绝缘材料组中选择的一种无机绝缘材料或使用从包括苯环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料组中选择的一种或更多种有机绝缘材料对基板200进行涂覆，基本上在包括源极214和漏极216的基板200的整个表面上形成钝化层220。对钝化层220进行构图以形成漏接触孔222和公共线接触孔223。漏接触孔222露出漏极216的一部分，公共线接触孔223分别露出公共线206的一部分。尽管图中未示出，但在各个像素区P中，公共线接触孔223可以沿对角方向设置在像素区P的相对侧。
如图9D和10D所示，通过基本上在包括钝化层220的基板200的整个表面上淀积透明导电材料并随后对其进行构图，在钝化层220上形成像素电极224和公共电极226。所述透明导电材料可以包括以下透明导电金属组中的一种，该透明导电金属组包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。像素电极224通过漏接触孔222连接到漏极216，公共电极226通过公共线接触孔223连接到公共线206。
像素电极224包括第一垂直部分224a、第二垂直部分224c以及第一水平部分224b、第二水平部分224d。公共电极226包括第一垂直部分226a、第二垂直部分226c以及第一水平部分226b、第二水平部分226d。像素电极的第一垂直部分224a和公共电极的第一垂直部分226a可以设置在像素区P的平行于数据线218的一侧，而像素电极的第二垂直部分224c和公共电极的第二垂直部分226c可以设置在像素区P的平行于数据线218的另一侧。像素电极的第一水平部分224b垂直于数据线218从像素电极的第一垂直部分224a延伸，而像素电极的第二水平部分224d垂直于数据线218从像素电极的第二垂直部分224c延伸。公共电极的第一水平部分226b垂直于数据线218从公共电极的第一垂直部分226a延伸，而公共电极的第二水平部分226d垂直于数据线218从公共电极的第二垂直部分226c延伸。像素电极的第一垂直部分224a和第二垂直部分224c以及公共电极的第一垂直部分226a和第二垂直部分226c与公共线206相交叠。公共电极的第一垂直部分226a和第二垂直部分226c通过公共线接触孔223连接到公共线206。像素电极的第一水平部分224b和第二水平部分224d具有至少一个共有的部分。
因此，根据本发明的实施例，由于公共电极和像素电极是由透明导电材料形成的，所以增大了孔径比，从而提高了器件的亮度。另外，根据本发明的实施例，公共电极和像素电极基本上平行于选通线，由此增大了上下方向的视角。而且，根据本发明的实施例，寄生电容在数据线的两侧相等。因而，防止了诸如闪烁或垂直线缺陷的缺陷，从而在所显示图像中获得了较高质量。
显然，对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明实施例的用于面内切换(IPS)型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法进行各种修改或变型。因而，如果这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内，则本发明的实施例亦涵盖这些修改和变型。
本申请要求2005年12月29日子韩国提交的韩国专利申请No.2005-0133553的优先权，这里通过引用并入其全部内容。

Claims (27)

1、一种用于液晶显示器件的阵列基板，该阵列基板包括：
基板；
所述基板上的沿第一方向的选通线；
所述基板上的沿第二方向的数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区具有彼此相对的第一侧和第二侧以及沿所述第二方向的第一区域和第二区域；
所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电连接到所述选通线和数据线；
所述基板上的、电连接到所述薄膜晶体管的像素电极，所述像素电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述像素电极的第一垂直部分位于所述第一区域内的第一侧，所述像素电极的第二垂直部分位于所述第二区域内的第二侧；以及
所述基板上的公共电极，所述公共电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述公共电极的第一垂直部分位于所述第二区域内的第一侧，所述公共电极的第二垂直部分位于所述第一区域内的第二侧。
2、根据权利要求1所述的基板，其中所述像素电极包括第一水平部分和第二水平部分，所述像素电极的第一水平部分和第二水平部分分别沿所述第一方向从所述像素电极的第一垂直部分和第二垂直部分延伸，并且
其中所述公共电极包括第一水平部分和第二水平部分，所述公共电极的第一水平部分和第二水平部分分别沿所述第一方向从所述公共电极的第一垂直部分和第二垂直部分延伸。
3、根据权利要求2所述的基板，其中在所述第一区域内，所述像素电极的所述第一水平部分与所述公共电极的所述第二水平部分交替，并且在所述第二区域内，所述公共电极的所述第一水平部分与所述像素电极的所述第二水平部分交替。
4、根据权利要求3所述的基板，其中所述像素电极的所述第一水平部分和第二水平部分具有至少一个共有部分。
5、根据权利要求1所述的基板，其中所述像素电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分沿第一对角方向设置在所述像素区的相对侧，并且所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分沿第二对角方向设置在所述像素区的相对侧。
6、根据权利要求1所述的基板，该基板还包括所述基板上的公共线，所述公共电极电连接到所述公共线。
7、根据权利要求6所述的基板，其中所述公共线与所述像素电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分以及所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分交叠。
8、根据权利要求7所述的基板，其中所述公共线包括具有与所述像素区的形状相对应的形状的环形部分。
9、根据权利要求7所述的基板，其中所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分通过接触孔与所述公共线相连。
10、根据权利要求1所述的基板，其中所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。
11、根据权利要求1所述的基板，其中所述公共电极和所述像素电极包括透明导电材料。
12、根据权利要求1所述的基板，其中：
所述像素电极的所述第一垂直部分和所述公共电极的所述第一垂直部分位于所述数据线中每一条的第一侧，所述像素电极的所述第二垂直部分和所述公共电极的所述第二垂直部分位于所述数据线中的每一条的第二侧。
13、根据权利要求1所述的基板，其中：
所述数据线与位于所述数据线的第一侧的所述公共电极和像素电极之间的第一电容基本上等于所述数据线与位于所述数据线的第二侧的所述公共电极和像素电极之间的第二电容。
14、一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上沿第一方向形成选通线；
沿第二方向形成数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区具有彼此相对的第一侧和第二侧以及沿着所述第二方向的第一区域和第二区域；
形成与所述选通线和所述数据线电连接的薄膜晶体管；
在所述基板上所述第一区域内的第一侧形成像素电极的第一垂直部分；
在所述基板上所述第二区域内的第二侧形成像素电极的第二垂直部分，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；
在所述基板上所述第二区域内的第一侧形成公共电极的第一垂直部分；以及
在所述基板上所述第一区域内的第二侧形成公共电极的第二垂直部分。
15、根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：
形成沿所述第一方向从所述像素电极的所述第一垂直部分延伸的所述像素电极的第一水平部分；
形成沿所述第一方向从所述公共电极的所述第一垂直部分延伸的所述公共电极的第一水平部分；
形成沿所述第一方向从所述像素电极的所述第二垂直部分延伸的所述像素电极的第二水平部分；以及
形成沿所述第一方向从所述公共电极的所述第二垂直部分延伸的所述公共电极的第二水平部分。
16、根据权利要求15所述的方法，其中在所述第一区域中，与所述公共电极的所述第二水平部分交替地形成所述像素电极的所述第一水平部分，并且在所述第二区域中，与所述像素电极的所述第二水平部分交替地形成所述公共电极的所述第一水平部分。
17、根据权利要求16所述的方法，其中所述像素电极的所述第一水平部分和所述第二水平部分具有至少一个共有部分。
18、根据权利要求14所述的方法，其中沿第一对角方向将所述像素电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分设置在所述像素区的相对侧，并且沿第二对角方向将所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分设置在所述像素区的相对侧。
19、根据权利要求14所述的方法，该方法还包括，在所述基板上形成公共线，所述公共线与所述像素电极的所述第一垂直部分和所述第二垂直部分以及所述公共电极的所述第一垂直部分和所述第二垂直部分相交叠。
20、根据权利要求19所述的方法，其中所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分通过接触孔与所述公共线相接触。
21、根据权利要求14所述的方法，其中形成所述薄膜晶体管的步骤包括：形成栅极；形成栅绝缘层；形成有源层；形成欧姆接触层；以及形成源极和漏极。
22、根据权利要求14所述的方法，其中同时执行形成所述像素电极的步骤和形成所述公共电极的步骤。
23、根据权利要求22所述的方法，其中所述公共电极和所述像素电极由透明导电材料形成。
24、一种制造用于液晶显示器件的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成选通线、栅极和公共线，所述选通线和所述公共线沿第一方向延伸；
在所述选通线、所述栅极和所述公共线上形成栅绝缘层；
在所述栅极上方的所述栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线沿第二方向延伸并且与所述选通线交叉以限定像素区，所述像素区包括沿所述第二方向的第一区域和第二区域；
形成覆盖所述数据线、所述源极和所述漏极的钝化层，所述钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述漏极，所述第二接触孔暴露所述公共线；以及
在所述钝化层上所述像素区中形成像素电极和公共电极，所述像素电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，所述公共电极包括第一垂直部分和第二垂直部分，其中
沿第一对角方向将所述像素电极的所述第一垂直部分和所述第二垂直部分设置在所述像素区的相对侧，沿第二对角方向将所述公共电极的所述第一垂直部分和第二垂直部分设置在所述像素区的相对侧。
25、根据权利要求24所述的方法，其中所述像素电极包括第一水平部分和第二水平部分，并且所述公共电极也包括第一水平部分和第二水平部分，其中所述像素电极的所述第一水平部分沿所述第一方向从所述像素电极的所述第一垂直部分延伸，所述公共电极的所述第一水平部分沿所述第一方向从所述公共电极的所述第一垂直部分延伸，所述像素电极的所述第二水平部分沿所述第一方向从所述像素电极的所述第二垂直部分延伸，所述公共电极的所述第二水平部分沿所述第一方向从所述公共电极的所述第二垂直部分延伸。
26、根据权利要求25所述的方法，其中所述像素电极的所述第一水平部分和所述第二水平部分具有至少一个共有部分。
27、根据权利要求24所述的方法，其中通过所述第一接触孔将所述像素电极连接到所述漏极，并通过所述第二接触孔将所述公共电极连接到所述公共线。
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